JPH0452926B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0452926B2 JPH0452926B2 JP15809083A JP15809083A JPH0452926B2 JP H0452926 B2 JPH0452926 B2 JP H0452926B2 JP 15809083 A JP15809083 A JP 15809083A JP 15809083 A JP15809083 A JP 15809083A JP H0452926 B2 JPH0452926 B2 JP H0452926B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical material
- optical
- thin film
- electrodes
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は光学装置、特に光学材料薄膜の光学特
性変化を利用する表示装置等の光学装置に係る。
性変化を利用する表示装置等の光学装置に係る。
従来技術と問題点
カルコゲナイドガラス等がアモルフアス状態あ
るいはいろいろな結晶状態によつて光学的特性、
例えば屈折率、光吸収係数に違いがあること、ま
た温度処理によつてそうした状態を任意につくり
出すことができることが知られている。そこで、
円板表面にカルコゲナイドガラス等の層を被着形
成し、レーザ・ビーム照射によつて部分的な状態
変化および光学特性変化を生じさせ、光の反射率
または透過率の変化を読み出すことによる光記憶
媒体が開発されている。
るいはいろいろな結晶状態によつて光学的特性、
例えば屈折率、光吸収係数に違いがあること、ま
た温度処理によつてそうした状態を任意につくり
出すことができることが知られている。そこで、
円板表面にカルコゲナイドガラス等の層を被着形
成し、レーザ・ビーム照射によつて部分的な状態
変化および光学特性変化を生じさせ、光の反射率
または透過率の変化を読み出すことによる光記憶
媒体が開発されている。
一方、デイスプレー装置はブラウン管をはじめ
として各種のものが実用化されているが、低コス
ト化、パネル化等を目的として活発な研究が行な
われている。従来使用されているブラウン管は寸
法的に厚みが大きく、消費電力も大きいなどの問
題があり、液晶を用いたものでは応等速度が遅
い、大面積のものがつくれない、固体に較べて安
定性に欠けるなどの問題がある。
として各種のものが実用化されているが、低コス
ト化、パネル化等を目的として活発な研究が行な
われている。従来使用されているブラウン管は寸
法的に厚みが大きく、消費電力も大きいなどの問
題があり、液晶を用いたものでは応等速度が遅
い、大面積のものがつくれない、固体に較べて安
定性に欠けるなどの問題がある。
発明の目的および構成
本発明は、以上の如き事情に鑑み、光学材料薄
膜を電極間に挾持し、電極間に電流を流すことに
よつて光学材料を適当に加熱および冷却し、よつ
て光学材料の結晶またはガラス状態を変化させ、
この状態変化によつて生ずる光学材料の光学特性
の変化を利用して新規な光学装置を提供すること
を目的とする。
膜を電極間に挾持し、電極間に電流を流すことに
よつて光学材料を適当に加熱および冷却し、よつ
て光学材料の結晶またはガラス状態を変化させ、
この状態変化によつて生ずる光学材料の光学特性
の変化を利用して新規な光学装置を提供すること
を目的とする。
第１図は本発明の原理を説明する図であるが、
電極１，２間に光学材料薄膜３を挾持し、電極
１，２間に電圧を印加すれば、その間に電流が流
れて光学材料３が加熱される。光学材料薄膜２を
例えば300Å〜1μm程度の厚さにすると、数Ｖ〜
数十Ｖという低い電圧で電極１，２間に電流が流
れ、光学材料３を加熱することができる。そし
て、第２図を参照すると、第２図ａに示すよう
に、電極１，２間に電圧V0をしばらく印加して
光学材料を融点近くまで加熱した後、電圧を急激
に下げて光学材料を急冷するようにすれば、光学
材料はアモルフアス状態になる。また、第２図ｂ
に示すように、電圧V0を印加して光学材料を融
点近くまで加熱した後、電圧をゆつくりと下げて
光学材料をゆつくりと冷却することによつて、光
学材料を結晶状態にすることができる。
電極１，２間に光学材料薄膜３を挾持し、電極
１，２間に電圧を印加すれば、その間に電流が流
れて光学材料３が加熱される。光学材料薄膜２を
例えば300Å〜1μm程度の厚さにすると、数Ｖ〜
数十Ｖという低い電圧で電極１，２間に電流が流
れ、光学材料３を加熱することができる。そし
て、第２図を参照すると、第２図ａに示すよう
に、電極１，２間に電圧V0をしばらく印加して
光学材料を融点近くまで加熱した後、電圧を急激
に下げて光学材料を急冷するようにすれば、光学
材料はアモルフアス状態になる。また、第２図ｂ
に示すように、電圧V0を印加して光学材料を融
点近くまで加熱した後、電圧をゆつくりと下げて
光学材料をゆつくりと冷却することによつて、光
学材料を結晶状態にすることができる。
このように、電極１，２に印加する電圧を制御
することによつて光学材料薄膜３の結晶またはガ
ラス状態を変化させることができる。光学材料の
結晶またはガラス状態が変化すればその光学特性
も変化するので、例えば光反射率や光透過率の変
化を表示装置等に応用することができる。こうし
て構成される光学装置は低消費電力、大面積化が
容易、固体ゆえに信頼性が高いなどの利点があ
る。
することによつて光学材料薄膜３の結晶またはガ
ラス状態を変化させることができる。光学材料の
結晶またはガラス状態が変化すればその光学特性
も変化するので、例えば光反射率や光透過率の変
化を表示装置等に応用することができる。こうし
て構成される光学装置は低消費電力、大面積化が
容易、固体ゆえに信頼性が高いなどの利点があ
る。
本発明における光学材料としては、ZnSe，
ZnO，BSO，TeO2，SbSe，Sb2Se3，Sb2Te3，
Bi2Te3，Te，TeO2，MoO2，GeO2等を有利に
用いることができる。電極材料は導電性があれば
足りるが、透光性のある電極が望ましい場合には
酸化インジウム（In2O3）、酸化スズ（SnO2）及
びこの化合物などを使用できる。また、電極と光
学材料薄膜の間にアルミナ、シリカ、ポリシリコ
ンなどによるバツフア層を介在させることが好ま
しい。バツフア層は、通常、絶縁体材料である
が、生膜条件などによりある程度の導電性を付与
する。例えば、高パワーでの電子ビーム蒸着を行
なうと膜は低抵抗となる。
ZnO，BSO，TeO2，SbSe，Sb2Se3，Sb2Te3，
Bi2Te3，Te，TeO2，MoO2，GeO2等を有利に
用いることができる。電極材料は導電性があれば
足りるが、透光性のある電極が望ましい場合には
酸化インジウム（In2O3）、酸化スズ（SnO2）及
びこの化合物などを使用できる。また、電極と光
学材料薄膜の間にアルミナ、シリカ、ポリシリコ
ンなどによるバツフア層を介在させることが好ま
しい。バツフア層は、通常、絶縁体材料である
が、生膜条件などによりある程度の導電性を付与
する。例えば、高パワーでの電子ビーム蒸着を行
なうと膜は低抵抗となる。
発明の実施例
第３図は本発明の実施例でる表示パネルの表示
要素の１つの断面を示す。ガラス基板１０上に厚
さ1000Å程度の酸化インジウム層による透明電極
１１、その上に厚さ1000Å〜2000Å程度のアルミ
ナ層によるバツフア層１２、その上に厚さ600Å
程度のZnSe薄膜１３、その上に厚さ1000Å〜
2000Å程度のアルミナ層によるバツフア層１４、
その上に厚さ1000Å程度の酸化インジウム層によ
る透明電極１５が積層されている。バツフア層１
４は任意のくぼみの部分だけが厚さ1000Å〜2000
Åであり、その周囲は厚さ数μm程度に厚くなつ
ている。従つて、２つの電極１１，１５の間に
5V程度の電圧を印加すると、バツフア層１４が
薄くなつているくぼみ部分Ａを通つて電流が流
れ、その周囲の厚いバツフア層の部分は電流が流
れない。この時、ZnSe層１３は電流の流れた部
分Ａだけが加熱される。
要素の１つの断面を示す。ガラス基板１０上に厚
さ1000Å程度の酸化インジウム層による透明電極
１１、その上に厚さ1000Å〜2000Å程度のアルミ
ナ層によるバツフア層１２、その上に厚さ600Å
程度のZnSe薄膜１３、その上に厚さ1000Å〜
2000Å程度のアルミナ層によるバツフア層１４、
その上に厚さ1000Å程度の酸化インジウム層によ
る透明電極１５が積層されている。バツフア層１
４は任意のくぼみの部分だけが厚さ1000Å〜2000
Åであり、その周囲は厚さ数μm程度に厚くなつ
ている。従つて、２つの電極１１，１５の間に
5V程度の電圧を印加すると、バツフア層１４が
薄くなつているくぼみ部分Ａを通つて電流が流
れ、その周囲の厚いバツフア層の部分は電流が流
れない。この時、ZnSe層１３は電流の流れた部
分Ａだけが加熱される。
そこで、第２図で示したように、印加電圧をコ
ントロールすればZnSe層１３をアモルフアス状
態にしたり、あるいは結晶状態にすることができ
る。
ントロールすればZnSe層１３をアモルフアス状
態にしたり、あるいは結晶状態にすることができ
る。
第４図は、このような表示要素２０を多数配列
して形成した表示パネルを示す。各表示要素２０
に対して電極１１，１５はマトリツクス状に配線
され、任意の表示要素を選択してそれに電圧を印
加することができる、ガラス基板１０の下方には
光源（図示せず）がある。表示要素２０のZnSe
層が結晶状態の場合、光源からの光はZnSe層を
透過するので表示要素は表示パネルの外部から黒
く見え、ZnSe層がアモルフアス状態の場合、光
源からの光はZnSe層で散乱されるので表示要素
は表示パネルの外部から白く見える。従つて、マ
トリツクス状に配列された表示要素２０のうち特
定のものだけを白く見せることによつて、特定の
表示パターンをつくり出すことができる。
して形成した表示パネルを示す。各表示要素２０
に対して電極１１，１５はマトリツクス状に配線
され、任意の表示要素を選択してそれに電圧を印
加することができる、ガラス基板１０の下方には
光源（図示せず）がある。表示要素２０のZnSe
層が結晶状態の場合、光源からの光はZnSe層を
透過するので表示要素は表示パネルの外部から黒
く見え、ZnSe層がアモルフアス状態の場合、光
源からの光はZnSe層で散乱されるので表示要素
は表示パネルの外部から白く見える。従つて、マ
トリツクス状に配列された表示要素２０のうち特
定のものだけを白く見せることによつて、特定の
表示パターンをつくり出すことができる。
こうして得られる表示パネルは消費電力が小さ
く、薄型であり、大面積化が可能であり、固体ゆ
えに信頼性が高く、不揮発性であるという特徴を
有する。
く、薄型であり、大面積化が可能であり、固体ゆ
えに信頼性が高く、不揮発性であるという特徴を
有する。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によ
り、光学材料薄膜に電流を流して加熱し、温度処
理してその結晶またはガラス状態を変化させ、よ
つて光学材料薄膜の光学特性を変化させることを
利用する光学装置が提供される。
り、光学材料薄膜に電流を流して加熱し、温度処
理してその結晶またはガラス状態を変化させ、よ
つて光学材料薄膜の光学特性を変化させることを
利用する光学装置が提供される。
第１図は本発明の原理を説明する図、第２図は
光学材料薄膜へ印加する電圧のパターンを示すグ
ラフ、第３図は表示パネルの表示要素の断面図、
第４図は表示パネルの斜視図である。 １，２……電極、３……光学材料薄膜、１０…
…ガラス基板、１１，１５……電極、１２，１４
……バツフア層、１３……ZnSe層、２０……表
示要素。
光学材料薄膜へ印加する電圧のパターンを示すグ
ラフ、第３図は表示パネルの表示要素の断面図、
第４図は表示パネルの斜視図である。 １，２……電極、３……光学材料薄膜、１０…
…ガラス基板、１１，１５……電極、１２，１４
……バツフア層、１３……ZnSe層、２０……表
示要素。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 結晶状態及びガラス状態を取り得る光学材料
薄膜を電極間に挾持し、該電極間に電流を流して
薄膜を融点近くまで加熱した後、電流を急激に停
止して薄膜を急冷してガラス化し、または加熱後
電流を徐々に少なくして徐冷して結晶化し、よつ
て該光学材料の結晶またはガラス状態を変化さ
せ、該状態変化によつて生ずる該光学材料薄膜の
光学特性の変化を利用することを特徴とする光学
装置。 ２ 該光学材料がZnSe，ZnO，BSO，TeO2，
SbSe，Sb2Se3，Sb2Te3，Bi2Te3，Te，TeO2，
MoO2GeO2である特許請求の範囲第１項記載の
光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15809083A JPS6050516A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15809083A JPS6050516A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050516A JPS6050516A (ja) | 1985-03-20 |
| JPH0452926B2 true JPH0452926B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=15664076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15809083A Granted JPS6050516A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050516A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102103274B (zh) * | 2009-12-18 | 2012-12-19 | 清华大学 | 热致变色元件及热致变色显示装置 |
| EP3087430B1 (en) * | 2013-12-23 | 2018-05-02 | Oxford University Innovation Limited | Display device based on phase-change materials |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP15809083A patent/JPS6050516A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6050516A (ja) | 1985-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3796999A (en) | Locally erasable thermo-optic smectic liquid crystal storage displays | |
| US3637291A (en) | Display device with inherent memory | |
| JPH045052Y2 (ja) | ||
| US4472026A (en) | Electrothermal matrix addressable liquid crystal display | |
| DE2332164A1 (de) | Fluessigkristall-wiedergabevorrichtung | |
| JPS6217726A (ja) | 表示器 | |
| US4093357A (en) | Cermet interface for electro-optical devices | |
| US4499458A (en) | Liquid crystal display device associating two addressing modes | |
| JPH0525095B2 (ja) | ||
| US3655270A (en) | Electro-optical display devices using nematic mixtures with very wide temperature ranges | |
| US3806759A (en) | Electroluminescent cell with integrated switching control | |
| JPS6078424A (ja) | 光学発色素子 | |
| JPH0452926B2 (ja) | ||
| US4500878A (en) | Thermoelectrically controlled electrochromatic visualization device | |
| DE2827532A1 (de) | Elektro-optische anzeigevorrichtung mit einem glasartigen festen ionenleiter | |
| JPS58166324A (ja) | 熱及び電気合成効果を用いる表示装置のスクリ−ン | |
| JPS5823614B2 (ja) | 液晶表示方法 | |
| JP2543696B2 (ja) | 電気光学装置 | |
| JPS58100247A (ja) | 書き替え可能光デイスク | |
| SU807375A1 (ru) | Светоклапанный индикатор | |
| Kahn et al. | Performance and characteristics of smectic liquid crystal storage displays | |
| JP2536157B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH064296U (ja) | ブラインド機能付ガラス | |
| JPS62121424A (ja) | 液晶セル | |
| JPS58190988A (ja) | 熱書込液晶表示装置の画像書込方法 |