JPH0451892B2 - - Google Patents
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- JPH0451892B2 JPH0451892B2 JP56027743A JP2774381A JPH0451892B2 JP H0451892 B2 JPH0451892 B2 JP H0451892B2 JP 56027743 A JP56027743 A JP 56027743A JP 2774381 A JP2774381 A JP 2774381A JP H0451892 B2 JPH0451892 B2 JP H0451892B2
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- light
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/14—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam specially adapted to record on, or to reproduce from, more than one track simultaneously
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
- G11B7/1245—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides the waveguides including means for electro-optical or acousto-optical deflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマルチトラツクの信号記録が行なえる
信号記録方法に関する。
信号記録方法に関する。
マルチトラツクの信号記録を行なうものとして
VTR，EVRがある。
VTR，EVRがある。
第１図Ａに現状のVTR，EVRの記録信号トラ
ツクの標準的な形態を示す。第１図Ａは、VTR
の信号トラツクを示したもので、音声信号トラツ
クch・１，ch・２、映像信号トラツクchp２５，
トラツキングサーボトラツクchsがある。
ツクの標準的な形態を示す。第１図Ａは、VTR
の信号トラツクを示したもので、音声信号トラツ
クch・１，ch・２、映像信号トラツクchp２５，
トラツキングサーボトラツクchsがある。
また第１図ＢはEVRの信号トラツクを示した
もので、音声信号トラツクTr１，Tr２色信号ト
ラツクTr３、輝度信号トラツクTr４がある。
もので、音声信号トラツクTr１，Tr２色信号ト
ラツクTr３、輝度信号トラツクTr４がある。
従つてVTR，EVR等においては、複数のトラ
ツクに異なる信号を同時に記録し得る方法が望ま
れる。
ツクに異なる信号を同時に記録し得る方法が望ま
れる。
本発明は上述の点を実現しうる信号記録方法を
提供するものである。
提供するものである。
本発明の上記目的は、光記録媒体上に設けられ
たトラツクに、記録信号に応じて変調された光ビ
ームを照射し、信号を記録する方法において、第
１の信号に応じて変調された光ビームを第１およ
び第２の光ビームに分割し、これらの光ビームを
各々前記媒体上に設けられた第１および第２のト
ラツクに同時に照射すること、および、前記第２
の光ビームの媒体に至る光路中に光変調器を設
け、この光変調器を前記第１の信号とは異なる第
２の信号に応じて駆動して、第２の光ビームを第
１の信号と第２の信号とで２重に変調することに
よつて達成される。
たトラツクに、記録信号に応じて変調された光ビ
ームを照射し、信号を記録する方法において、第
１の信号に応じて変調された光ビームを第１およ
び第２の光ビームに分割し、これらの光ビームを
各々前記媒体上に設けられた第１および第２のト
ラツクに同時に照射すること、および、前記第２
の光ビームの媒体に至る光路中に光変調器を設
け、この光変調器を前記第１の信号とは異なる第
２の信号に応じて駆動して、第２の光ビームを第
１の信号と第２の信号とで２重に変調することに
よつて達成される。
以下本発明による信号記録方法を光集積型輝点
走査素子を用いて説明する。
走査素子を用いて説明する。
光集積型輝点走査素子に関しては、既に本出願
人により特願昭55−12939号等で提案されており、
その特徴は上記の明細書にも詳細に記述されてい
る如く、 １ 従来のバルク型Ａ／Ｏ偏向器に比べ、高速走
査、高分解能で大きな偏向角が取れる。
人により特願昭55−12939号等で提案されており、
その特徴は上記の明細書にも詳細に記述されてい
る如く、 １ 従来のバルク型Ａ／Ｏ偏向器に比べ、高速走
査、高分解能で大きな偏向角が取れる。
２ コンパクト化、且つローコスト化が可能等で
ある。
ある。
本発明の信号記録方法にもちいるマルチトラツ
ク記録用光集積型輝点走査素子の説明を行なう前
に先ず本出願人により提案されている輝点走査素
子の、原理等につき、その要点を説明する。
ク記録用光集積型輝点走査素子の説明を行なう前
に先ず本出願人により提案されている輝点走査素
子の、原理等につき、その要点を説明する。
第２図は輝点走査素子を示す。この輝点走査素
子では、基盤１上に形成された導波路２にプリズ
ムカツプラー３、櫛の歯状電極６及び薄膜レンズ
９が設けられている。今レーザー平行光束４がプ
リズムカツプラー３を通じて導波路２中に光束５
として導かれる。そして導波路を伝わる光束５
は、導波路２の１部に設けられた櫛の歯状電極６
によつて励起される所の超音波表面弾性波７によ
り回折作用をおこし偏向される。更にこの偏向光
束８は薄膜レンズ９により薄膜導波路の端面１０
に輝点１１を形成するように集光される。即ち端
面１０は、ｘ−ｚ面（図示）内でパワーを有する
薄膜レンズ９の焦点面とほぼ一致した位置に形成
されており、集光光束は端面１０又はその近傍に
ｘ方向において集光し、射出する。またｘ−ｚ面
と垂直なｙ方向には導波路の厚みｄ（通常数μm）
で限定されている。このような構成において、本
実施例の輝点走査素子では前記櫛の歯状電極６に
印加する高周波電圧の周波数を変化させて、導波
路上の超音波表面弾性波の波長を変える事により
偏向角を制御し、射出端面上で輝点走査を行な
う。このように本実施例の輝点走査素子は、光偏
向器及び集光レンズをを同一基盤上に設け、その
導波路の射出端面又はその近傍に輝点を形成し走
査する為、非常にコンパクトであるとともに精密
な調整が不用である等の利点を有している。
子では、基盤１上に形成された導波路２にプリズ
ムカツプラー３、櫛の歯状電極６及び薄膜レンズ
９が設けられている。今レーザー平行光束４がプ
リズムカツプラー３を通じて導波路２中に光束５
として導かれる。そして導波路を伝わる光束５
は、導波路２の１部に設けられた櫛の歯状電極６
によつて励起される所の超音波表面弾性波７によ
り回折作用をおこし偏向される。更にこの偏向光
束８は薄膜レンズ９により薄膜導波路の端面１０
に輝点１１を形成するように集光される。即ち端
面１０は、ｘ−ｚ面（図示）内でパワーを有する
薄膜レンズ９の焦点面とほぼ一致した位置に形成
されており、集光光束は端面１０又はその近傍に
ｘ方向において集光し、射出する。またｘ−ｚ面
と垂直なｙ方向には導波路の厚みｄ（通常数μm）
で限定されている。このような構成において、本
実施例の輝点走査素子では前記櫛の歯状電極６に
印加する高周波電圧の周波数を変化させて、導波
路上の超音波表面弾性波の波長を変える事により
偏向角を制御し、射出端面上で輝点走査を行な
う。このように本実施例の輝点走査素子は、光偏
向器及び集光レンズをを同一基盤上に設け、その
導波路の射出端面又はその近傍に輝点を形成し走
査する為、非常にコンパクトであるとともに精密
な調整が不用である等の利点を有している。
次に上記実施例の輝点走査素子の各構成部分に
ついて更に詳しく説明する。
ついて更に詳しく説明する。
基盤１は圧電効果を有し、高周波の超音波が能
率良く伝播される材料が適しており、LiNbO3，
LiTaO3，ZnO等が望ましい。また導波路２は、
LiNbO3基盤の場合はTiを高温（約1000℃）下で
in−diffuseして基盤上に数μmの厚さで形成する。
また、LiTaO3基盤の場合は、Nb又はTiをin−
diffuseして得られる。更に他の例が前掲書に記
述されているが、本実施例の導波路は高屈折率で
かつ基盤との屈折率差が大きく導波路を薄くして
も光が伝播される材料で形成される事が望まし
い。また導波路の屈折率が高い為、集光レンズで
形成される端面上の輝点は非常にスポツト径の小
さい、つまりシヤープなものを得る事ができる。
率良く伝播される材料が適しており、LiNbO3，
LiTaO3，ZnO等が望ましい。また導波路２は、
LiNbO3基盤の場合はTiを高温（約1000℃）下で
in−diffuseして基盤上に数μmの厚さで形成する。
また、LiTaO3基盤の場合は、Nb又はTiをin−
diffuseして得られる。更に他の例が前掲書に記
述されているが、本実施例の導波路は高屈折率で
かつ基盤との屈折率差が大きく導波路を薄くして
も光が伝播される材料で形成される事が望まし
い。また導波路の屈折率が高い為、集光レンズで
形成される端面上の輝点は非常にスポツト径の小
さい、つまりシヤープなものを得る事ができる。
偏向器は、超音波表面弾性波を利用するものが
望ましく、第３図に示した如く、圧電性の導波路
面上に形成された櫛の歯状電極６により超音波を
励起する。櫛の歯状電極のピツチａは励起する超
音波の中心波長の1/2に設定する例えばLiNbO3
基盤で電極ピツチａ＝8.7μmに設定すれば200M
Hzの高周波電圧を印加した時、波長17.5μmの超
音波が励起可能である。（超音波の速度は約3.5×
106mm／secである。）この一つの電極で得られる
偏向器の帯域は、励起された超音波が作るブラツ
ク型回折格子の角度選択幅と、この圧電材と電極
からなるトランデユーサー自身がもつ帯域により
制限される。前記のブラツグ回折により制限され
る帯域はProc IEEE64，779（1976） E.G.Lean等「Thin Film Acoustooptic
Devices」より次で与えられる。
望ましく、第３図に示した如く、圧電性の導波路
面上に形成された櫛の歯状電極６により超音波を
励起する。櫛の歯状電極のピツチａは励起する超
音波の中心波長の1/2に設定する例えばLiNbO3
基盤で電極ピツチａ＝8.7μmに設定すれば200M
Hzの高周波電圧を印加した時、波長17.5μmの超
音波が励起可能である。（超音波の速度は約3.5×
106mm／secである。）この一つの電極で得られる
偏向器の帯域は、励起された超音波が作るブラツ
ク型回折格子の角度選択幅と、この圧電材と電極
からなるトランデユーサー自身がもつ帯域により
制限される。前記のブラツグ回折により制限され
る帯域はProc IEEE64，779（1976） E.G.Lean等「Thin Film Acoustooptic
Devices」より次で与えられる。
Δν0＝2nｖ／λp Λ／Ｗ (1)
ここで
ｎ；導波路の屈折率
λp；入射光波長
ｖ；導波路速度
Ｗ；超音波幅
更に走査点数を拡張する時はC.S.Tsaiらによつ
て示された広帯域偏向器時を利用する事ができ
る。（SPIE，vol139，P139，1978）これは第４図
に示す如く、互いにピツチの異なる複数個の電極
を各波長帯域に応じて入射光に対してブラツグ回
折条件を満たす角度で配置し、各々のトランデユ
ーサー１２に広帯域の１部を分担させ、そして電
極に周波数が連続的に変わるいわゆるチヤープト
信号を入力して500MHzの広帯域を変化させるも
のである。これにより1250点の走査点を得る事が
可能である。
て示された広帯域偏向器時を利用する事ができ
る。（SPIE，vol139，P139，1978）これは第４図
に示す如く、互いにピツチの異なる複数個の電極
を各波長帯域に応じて入射光に対してブラツグ回
折条件を満たす角度で配置し、各々のトランデユ
ーサー１２に広帯域の１部を分担させ、そして電
極に周波数が連続的に変わるいわゆるチヤープト
信号を入力して500MHzの広帯域を変化させるも
のである。これにより1250点の走査点を得る事が
可能である。
次に薄膜レンズ９としては、IEEE Quntum
Elect vol QE−13，P129，1977（by D.W.Vakey
＆Van E.Wood）にも示されているモードイン
デツクスレンズ（mode index lens）、ルネブル
クレンズ（Luneburg lens）、ジオデイツクレン
ズ（geodesic lens）等が適している。この後者
の二種のレンズにより理論解像限界に近い性能が
得られている。
Elect vol QE−13，P129，1977（by D.W.Vakey
＆Van E.Wood）にも示されているモードイン
デツクスレンズ（mode index lens）、ルネブル
クレンズ（Luneburg lens）、ジオデイツクレン
ズ（geodesic lens）等が適している。この後者
の二種のレンズにより理論解像限界に近い性能が
得られている。
薄膜レンズにより集光されるｘ方向における輝
点の大きさ（直径）δxは次式で与えられる。
点の大きさ（直径）δxは次式で与えられる。
δx＝1.27λpｆ／nD (2)
ここで
ｎ；導波路の屈折率、
λp；入射光束の波長
Ｄ；入射光束の光束幅
ｆ；薄膜レンズの焦点距離
である。
例えば、ｆ＝30mm、λp＝820mm、ｎ＝2.2、Ｄ＝
10mmのときδx＝1.4μmとなる。この場合に導波路
の膜厚をほぼ1.4μmに形成することによつて射出
端面１０においてほぼ円形の輝点を得ることがで
きる。
10mmのときδx＝1.4μmとなる。この場合に導波路
の膜厚をほぼ1.4μmに形成することによつて射出
端面１０においてほぼ円形の輝点を得ることがで
きる。
また、印加周波数をΔνだけ偏倚させたときの
偏向角Δφは次式で与えられる。
偏向角Δφは次式で与えられる。
Δφλp／nvΔν (3)
従つて、印加周波数を繰返し連続的に変化させ
ることにより連続的輝点走査が行える。この偏向
角内で互いに分離可能な走査点数Ｎは次式で与え
られる。
ることにより連続的輝点走査が行える。この偏向
角内で互いに分離可能な走査点数Ｎは次式で与え
られる。
Ｎ＝Δν・Ｄ／ｖ (4)
例えば、Δν＝50MHz、Ｄ＝10mm、ｖ＝3.5×106
mm／secのとき、Ｎ＝143点となる。
mm／secのとき、Ｎ＝143点となる。
このように光集積型の輝点走査素子においては
偏向器、と集束レンズが同一基盤上に形成されて
いるため、コンパクトで配置ずれのない安定な素
子となる。
偏向器、と集束レンズが同一基盤上に形成されて
いるため、コンパクトで配置ずれのない安定な素
子となる。
以上が特願昭55−12939号に示される輝点走査
素子の１形態と走査原理である。
素子の１形態と走査原理である。
以上の如き光集積型輝点走査素子を使つて信号
記録を行なう１実施例を第５図に示す。
記録を行なう１実施例を第５図に示す。
第４図１３は、例ば半導体レーザで、導波路の
端面に取り付けられている。このような形態で光
導波路２に光を導入するカツプリング法は、バツ
ト・カツプリングと呼ばれている。
端面に取り付けられている。このような形態で光
導波路２に光を導入するカツプリング法は、バツ
ト・カツプリングと呼ばれている。
半導体レーザから発光される光は良く知られて
いるように拡がりを持つため、薄膜レンズ１４で
コリメートし平行光束に変換する。２２は光偏向
部で、その詳細は、第２図〜第４図で示した。
いるように拡がりを持つため、薄膜レンズ１４で
コリメートし平行光束に変換する。２２は光偏向
部で、その詳細は、第２図〜第４図で示した。
また輝点走査素子の端面２０は円弧状に整形さ
れており、光が偏向されても輝点が端面２０に薄
膜レンズ９により集光されるようになつている。
れており、光が偏向されても輝点が端面２０に薄
膜レンズ９により集光されるようになつている。
記録材２１は例えば磁気テープ、銀塩感材、金
属薄膜等の記録材で、輝点走査素子の端面２０と
ほぼ接触して矢印方向に走向する。
属薄膜等の記録材で、輝点走査素子の端面２０と
ほぼ接触して矢印方向に走向する。
半導体レーザ１３を記録信号に従い電流変調
し、且つ超音波表面弾性液により光を偏向させる
事により、ラスター信号記録が行なえる。
し、且つ超音波表面弾性液により光を偏向させる
事により、ラスター信号記録が行なえる。
第６図に２トラツク記録が可能な光集積型輝点
走査素子の１例を示す。第６図において、３１は
半導体レーザ、３２は平行光束をるための薄膜レ
ンズ、３３は集光用の薄膜レンズである。櫛の歯
状電極３４により発せられた超音波表面弾性液に
より光束が偏向される事は既に説明した。
走査素子の１例を示す。第６図において、３１は
半導体レーザ、３２は平行光束をるための薄膜レ
ンズ、３３は集光用の薄膜レンズである。櫛の歯
状電極３４により発せられた超音波表面弾性液に
より光束が偏向される事は既に説明した。
この時、表面弾性波の強さを適当にする事によ
り偏向される光束３５と偏向されない０次光束３
６とに光束は分離される。０次光束の途中に光変
調手段３７を設ける事により、２トラツクの信号
記録が可能となる。
り偏向される光束３５と偏向されない０次光束３
６とに光束は分離される。０次光束の途中に光変
調手段３７を設ける事により、２トラツクの信号
記録が可能となる。
第７図と第８図に光変調手段の例を示す。第７
図は光偏向用の原理と同一であるが、一定波長の
超音波表面弾性波を生じさせる事により光変調が
行なえる。
図は光偏向用の原理と同一であるが、一定波長の
超音波表面弾性波を生じさせる事により光変調が
行なえる。
第７図において、表面弾性波の波長Λ、光の波
長λp、導波路の屈折率をｎとすると、表面弾性波
回折格子による回折波４０と０次透過光４１との
なす角φは、 φ＝2Sio -1λp／2Λn (5) で与えられる。即ち、回折効率が充分得られる
条件に、弾性波波長、弾性波の強さを設定すれ
ば、信号のON，OFFにより光偏向が行なえる。
回折光４０は、信号のON状態により生じる為、
光変調と等価となる。０次透過光４１の光路に遮
光材４２をドープして、導波路を形成する事によ
り余計な輝点は、端面に生じない。
長λp、導波路の屈折率をｎとすると、表面弾性波
回折格子による回折波４０と０次透過光４１との
なす角φは、 φ＝2Sio -1λp／2Λn (5) で与えられる。即ち、回折効率が充分得られる
条件に、弾性波波長、弾性波の強さを設定すれ
ば、信号のON，OFFにより光偏向が行なえる。
回折光４０は、信号のON状態により生じる為、
光変調と等価となる。０次透過光４１の光路に遮
光材４２をドープして、導波路を形成する事によ
り余計な輝点は、端面に生じない。
また、偏向光３５に影響を与えないように、表
面弾性波のアプソーバ４３を設ける事が望まし
い。
面弾性波のアプソーバ４３を設ける事が望まし
い。
また第８図に示した方法によつても光変調が行
なえる。光導波路を２分岐して、一方に電極４４
を設ける、導波路は電気光学効果を持つ物質によ
り形成されていれば、電極に与える電圧信号によ
り、導波路の屈折率がΔnだけ変化する。この変
化により光は△nd（ｄは屈折率変化を受ける長
さ）の位相変化を受け、再び光が合流した時干渉
効果により光は強度変調を受ける。
なえる。光導波路を２分岐して、一方に電極４４
を設ける、導波路は電気光学効果を持つ物質によ
り形成されていれば、電極に与える電圧信号によ
り、導波路の屈折率がΔnだけ変化する。この変
化により光は△nd（ｄは屈折率変化を受ける長
さ）の位相変化を受け、再び光が合流した時干渉
効果により光は強度変調を受ける。
この時△ndが光の半波長に等しい位相変化を
受ければ消光比は最大となる。
受ければ消光比は最大となる。
以上の２つの方式等により、導波路上で光変調
を行なう事が出来る。第９図は第６図の光集積型
輝点走査素子を用いて信号を記録する時の印加す
べき信号の１例を示したものである。
を行なう事が出来る。第９図は第６図の光集積型
輝点走査素子を用いて信号を記録する時の印加す
べき信号の１例を示したものである。
第９図ａは半導体レーザ３１に印加すべき電流
信号で、横軸は時間軸、縦軸は電流値を示す。半
導体レーザ３１はこの電流信号により明滅する。
この信号がVTRの如きFM変調を受けたVideo信
号に対応するものとすると、信号周波数は一般的
には、数ＭHz〜10数ＭHzである。
信号で、横軸は時間軸、縦軸は電流値を示す。半
導体レーザ３１はこの電流信号により明滅する。
この信号がVTRの如きFM変調を受けたVideo信
号に対応するものとすると、信号周波数は一般的
には、数ＭHz〜10数ＭHzである。
また第９図ｂは、光変調器３７に印加する電圧
信号を示したもので例えばトラツキング信号であ
る。
信号を示したもので例えばトラツキング信号であ
る。
第１０図に示す如く、記録材に偏向光束３５で
音声多重されたビデオ信号を1H（１水平走査）毎
にトラツク４５に示したパターンで記録し、非偏
向光束３７で、トラツキング信号をトラツク４６
に示したパターンで記録するものとする。
音声多重されたビデオ信号を1H（１水平走査）毎
にトラツク４５に示したパターンで記録し、非偏
向光束３７で、トラツキング信号をトラツク４６
に示したパターンで記録するものとする。
この時第９図ｂのトラツキング信号は、
NTSCTV信号記録の場合は、15.75KHzの周波数
で十分である。
NTSCTV信号記録の場合は、15.75KHzの周波数
で十分である。
非偏向光束３６はビデオ信号に準じた半導体レ
ーザの強度変調とトラツキング信号とで２重に変
調されている為、強度は第９図ｃに示した如き変
調を受ける。従つて、記録しようとするトラツキ
ング信号と異なつた信号でトラツキング信号を記
録する事となる。
ーザの強度変調とトラツキング信号とで２重に変
調されている為、強度は第９図ｃに示した如き変
調を受ける。従つて、記録しようとするトラツキ
ング信号と異なつた信号でトラツキング信号を記
録する事となる。
次にこの影響について述べる。今、ビデオ信号
トラツクを5μmピツチで記録するものとすると、
トラツキング信号は、2.5μmの幅のpatternの繰
返しで記録されれば良い。
トラツクを5μmピツチで記録するものとすると、
トラツキング信号は、2.5μmの幅のpatternの繰
返しで記録されれば良い。
今、ビデオ信号を5MHzとした場合、2.5μmの
幅の中で、第９図ｃに示した如く約300回以上の
明暗の変調が記録材に記録される事となる。輝点
走査素子の輝点の大きさは前記した例では約
1.5μmであるから、この高い変調信号は記録材上
では分解されず、ほぼトラツキング信号ｂで規制
されるpatternが記録される事となる。
幅の中で、第９図ｃに示した如く約300回以上の
明暗の変調が記録材に記録される事となる。輝点
走査素子の輝点の大きさは前記した例では約
1.5μmであるから、この高い変調信号は記録材上
では分解されず、ほぼトラツキング信号ｂで規制
されるpatternが記録される事となる。
従つて、第９図ｄトラツク４６にトラツキング
信号の如く、ビデオ信号に比べて充分低い周波数
の信号を記録するならば、２重変調の影響はな
い。
信号の如く、ビデオ信号に比べて充分低い周波数
の信号を記録するならば、２重変調の影響はな
い。
また、今までの説明において、半導体レーザは
走査素子の端面に取り付けられている場合につい
て行なつてきたが、例えば、第１０図ａ，ｂに示
したように、プリズムカプラー１００、あるいは
グレーテイングカプラー１０１等で導波路内に導
びく事が可能である。また光束に関しては勿論の
事であるが半導体レーザに限定された光束である
必要はない。
走査素子の端面に取り付けられている場合につい
て行なつてきたが、例えば、第１０図ａ，ｂに示
したように、プリズムカプラー１００、あるいは
グレーテイングカプラー１０１等で導波路内に導
びく事が可能である。また光束に関しては勿論の
事であるが半導体レーザに限定された光束である
必要はない。
また、薄膜レンズを使用する代りに、１０３や
１０４の如き、プリズムやグレーテイングによる
アウト・カプラーにより外部に取り出し、通常の
集光レンズ１０５により集光させ、記録媒体１０
６上に集光させても良い。
１０４の如き、プリズムやグレーテイングによる
アウト・カプラーにより外部に取り出し、通常の
集光レンズ１０５により集光させ、記録媒体１０
６上に集光させても良い。
なお第１０図における１０２は、光偏向手段等
の系を示すものである。
の系を示すものである。
これらの記録ヘツドにより記録された信号を再
生する時には、特願昭55−12939号等に述べられ
ている方法と同一の方式で可能である。即ち、記
録ヘツドと同一のヘツドを使用する場合、光源は
一定の輝度で発光させ（変調は行なわない）それ
ぞれのトラツクを照明する光束（集光スポツト）
が記録パターンにより変調を受ける様子を光検出
器で取り出せば良い。
生する時には、特願昭55−12939号等に述べられ
ている方法と同一の方式で可能である。即ち、記
録ヘツドと同一のヘツドを使用する場合、光源は
一定の輝度で発光させ（変調は行なわない）それ
ぞれのトラツクを照明する光束（集光スポツト）
が記録パターンにより変調を受ける様子を光検出
器で取り出せば良い。
即ち、記録材が、金属薄膜のようなものであれ
ば、一定輝度の照明光束は、記録パターンの反射
率の変化を受け、明暗の信号として検出できる。
ば、一定輝度の照明光束は、記録パターンの反射
率の変化を受け、明暗の信号として検出できる。
また、アモルフアス磁性体の如き記録材の場合
は、カー効果、あるいはフアラデイー効果と呼ば
れる光磁気効果を利用して検出できる。
は、カー効果、あるいはフアラデイー効果と呼ば
れる光磁気効果を利用して検出できる。
以上、説明の如く、本発明の光集積型輝点走査
素子は、１コの素子で数トラツクの信号記録が可
能である。
素子は、１コの素子で数トラツクの信号記録が可
能である。
一般に信号は多重する程、その記録信号周波
数、信号のＳ／Ｎ等の点で問題が生じる。１例で
は、VTR等は、音声トラツク、ビデオ信号トラ
ツク、トラツキング信号トラツク等それぞれ分離
して記録されており、またEVRにおいてはビデ
オ信号を更に色信号とを分離して別トラツクに記
録している。
数、信号のＳ／Ｎ等の点で問題が生じる。１例で
は、VTR等は、音声トラツク、ビデオ信号トラ
ツク、トラツキング信号トラツク等それぞれ分離
して記録されており、またEVRにおいてはビデ
オ信号を更に色信号とを分離して別トラツクに記
録している。
従つて、前述の実施例の光集積型輝点走査素子
はVTR等の信号記録ヘツド、あるいは、信号再
生ヘツドとして有益なものであると云える。
はVTR等の信号記録ヘツド、あるいは、信号再
生ヘツドとして有益なものであると云える。
第１図Ａ，Ｂは信号記録パターンの１例を示す
図、第２図は光集積型輝点走査素子の構成の１例
を示す図、第３，４図は光束の偏向の原理を示す
図、第５図は記録ヘツドとしての応用例を示す
図、第６図は２トラツク記録が可能な輝点走査素
子を示す図、第７，８図は光変調の原理を示す
図、第９図ａ，ｂ，ｃ，ｄは他の信号説明図、第
１０図ａ，ｂはプリズムカプラーを用いた例を示
す図。 ３４…櫛の歯状電極、３７…光変調手段。
図、第２図は光集積型輝点走査素子の構成の１例
を示す図、第３，４図は光束の偏向の原理を示す
図、第５図は記録ヘツドとしての応用例を示す
図、第６図は２トラツク記録が可能な輝点走査素
子を示す図、第７，８図は光変調の原理を示す
図、第９図ａ，ｂ，ｃ，ｄは他の信号説明図、第
１０図ａ，ｂはプリズムカプラーを用いた例を示
す図。 ３４…櫛の歯状電極、３７…光変調手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光記録媒体上に設けられたトラツクに、記録
信号に応じて変調された光ビームを照射し、信号
を記録する方法において、 第１の信号に応じて変調された光ビームを第１
および第２の光ビームに分割し、これらの光ビー
ムを各々前記媒体上に設けられた第１および第２
のトラツクに同時に照射すること、および、前記
第２の光ビームの媒体に至る光路中に光変調器を
設け、この光変調器を前記第１の信号とは異なる
第２の信号に応じて駆動して、第２の光ビームを
第１の信号と第２の信号とで２重に変調すること
を特徴とする信号記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56027743A JPS57143742A (en) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Signal recording system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56027743A JPS57143742A (en) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Signal recording system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57143742A JPS57143742A (en) | 1982-09-06 |
| JPH0451892B2 true JPH0451892B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=12229505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56027743A Granted JPS57143742A (en) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Signal recording system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57143742A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172540A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-08-04 | ドレクスラ−・テクノロジイ・コ−ポレ−シヨン | 医療デ−タの記憶方法 |
| JPS61157655A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Daido Steel Co Ltd | 鋳造工具 |
| JPH071555B2 (ja) * | 1984-12-28 | 1995-01-11 | オリンパス光学工業株式会社 | 記録情報読取装置 |
| JPS61158049A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Olympus Optical Co Ltd | 記録情報読取装置 |
| RU2051427C1 (ru) * | 1993-11-30 | 1995-12-27 | Роман Игоревич Ениленис | Способ записи-считывания информации на магнитном носителе и головка для его осуществления |
-
1981
- 1981-02-27 JP JP56027743A patent/JPS57143742A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| EIDE-BAND GUIDED-WAVE ACOUSTOOPTIC BRAGG DIFFRACTION AND DEVICES USING MULTIPLE TILTED SURFACE ACOUSTIC WAVES=1976 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57143742A (en) | 1982-09-06 |
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