JPH04501829A - エクシマーレーザ融除方法およびマイクロ回路製造用装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 エフシマーレーザ融除方法およびマイクロ回路製造用装置本発明は一般に材料の エフシマーレーザ融除、特に電子マイクロ回路製造等のための装置を形成し、パ ターンを印刷するためにエフシマーレーザ融除を使用する方法および装置に関す る。

関連技術の説明 メサおよびマイクロレンズのような装置構造およびパターンは、通常湿式化学エ ツチングと組合せられたフォトリソグラフィによってカドミウムテルル（ＣｄＴ ｅ）のような半導体材料の表面に形成される。このようなエツチングを行うため に使用される典型的な溶液は臭素／エチレングリコールである。多数の別のエツ チング溶液はＰ　、　Ｇ　ａｕｇａｓｈ氏他による文献（“Ｅｔｃｈｉｎｇ　ｏ ｆ　Ｃａｄｍｉｕａ＋　Ｔｅ１ｌｕｒｉｄｅ”　、Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ 、　Ｓｏｃ、、５ＯＬＩＤ−８ＴＡＴＥ　５ＣＩＥＮＣＥ　ＡＮＤ　ＴＥＣＨＮ ＯＬＯＧＹ、　ｖｏｌ。

１２ｇ　、　ｎｏ、４．１９８１年４月、９２４乃至９２６頁）において論じら れている。

半導体処理のための湿式化学剤エツチングの欠点には大量の有害廃棄物の発生が 含まれている。別の問題は溶媒の不純物による表面汚染を含み、処理制御の欠乏 は結果的として例えばエツチング処理された表面のアンダーカット、面組成の望 ましくない変化およびエツチング速度への結晶学依存性を生じさせる。

一般に、マイクロ回路装置のパターン形成のためにフォトリソグラフィおよび湿 式化学処理を使用することにより、半導体材料面はそれぞれが表面の電気特性お よび、または化学組成を変化させる可能性を有する多数の化学処理にさらされる 。

紫外線環境におけるＣｄＴｅの表面加工用のダイレーザ照射の使用はＶ、モンゴ メリイ氏他による文献（“ＣＨＡＲＡＣＴＥＲｌ５ＴＩＣ８ＰＲＥＰＡＲＥＤ　 ＢＹ　ＰＵＬＳＥＤ　ＬＡＳＥＲＩＲＲＡＤＩＡＴＩＯＮ”、　Ｔｈｉ材として 広く使用されている臭素メタノールによる処理にさらされたＣｄＴｅ面が炭素お よび酸素により著しく汚染されることを報告した。１００ａ＋Ｊ　／ｃａ＋２を 越える比較的高いフルエンス量（ｆｌｕｅｎｃｅ　）のレーザビームによる照射 は結果的に無視できるようなレベルに酸素含有量を減少させた。しかしながら、 炭素含有量は４０００１Ｊ　／ｃｍ２の高いフルエンス量でも過剰の状態であっ た。また、ダイレーザによる照射は最低フルエンス量条件下を除いてテルル濃度 の高い面を生成した。

モンゴメリイ氏は、ＧａＡｓ面上の炭素を減少するように構成された別のリンス 工程と通常のリンスを置換することによってこれらの悪影響をどのように最小に するかを教えている。表面汚染はその下のＣｄＴｅ面の破壊は比較的低い状態で 除去されるが、２００乃至２５０ｆｉｌｊ／Ｃｌｌ１２のフルエンス量レベルが 要求され、これはほぼ３ｆｌＩＩｍにビーム直径を実効的に制限した。

紫外線波長（例えば３０８　、２４８　、１９３　、１５７ｎｉ　）で動作する エフシマーレーザはポリマーおよび生物学的材料のエツチングに有効に使用され ている。典型的な例はＪ　、Ｂ　ｒａｎｎｏｎ氏による論文（Ｊ、　Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、５８（５）、　Ｉ　５ｔｅｐ、１９８５　、２０３６乃至２０４３ 頁）に見られる。ストリップ導波体に平面導波体を変換するためにエフシマーレ ーザを使用するＨｇＣｄＴｅのエツチングはＡ　、　Ａ　ｚｅａｅ氏他による論 文（ＳＰＩＥ　ｖｏｌ、９９８．　Ｅｘｃｌｍｅｒ　Ｂｅａｍ　Ａｐｐｌｉｃａ ｔｉｏｎｓ　１９ｇ８７２乃至７５頁）で報告されている。ＭＣＴ材料のエツチ ングは行われたが、照明された領域の中心部分は材料面領域を動作電子装置の製 造に利用できなくする水銀粒の形成を含む大きな損傷を呈した。

発明の要約 本発明は材料のエフシマーレーザ融除のための方法および装置を提供し、特に電 子マイクロ回路装置の製造に適している。この方法は、低いフルエンス量のパル ス化されたエフシマーレーザ照射を使用して１パルス当り１０オングストローム を越える速度でＣｄＴｅ、ＨｇＣｄＴｅおよびＣｄＺｎＴｅのような半導体材料 の表層除去が可能である。表面組成の再生産可能な制御および可逆変化はレーザ フルエンス量の関数として得ることができる。この方法はＧａＡｓ基体からＣｄ Ｔｅ族のエピタキシャル層を除去するための高度に材料選択性を有することを証 明し、それによって集積された電子・光マイクロ回路構造の製造を容易にする。

本発明はさらに赤外線およびその他の装置のための半導体表面の階段状組成に適 用可能である。

この方法はエピタキシャル付着のための半導体処理、並びに装置製造のための表 面のパターン化およびエツチングを可能にする。この方法は近い表面領域から不 純物を除去するように表面の化学量論的比率を再生可能に制御し、表面組成を可 逆的に変化することを明示する。

本発明はまた焦点平面アレイおよびその他の赤外線装置のような新型の電子およ び電子・光構造の製造のために非接触投射画像を使用して直接的な表面パターン 化を可能にする。

本発明は、フォトリソグラフィを使用せずにマイクロ構造が垂直側壁（大きいア スペクト比）または連続した側壁（正または負の湾曲）のいずれかで製造される ことができるようにエフシマーレーザ投射画像、強度プロフィール制御および融 除を組合せる。この方法は単一ステップで表面層を除去し、０．５ミクロンより 小さい分解能で多数の装置構造を同時に限定する。

本発明によると、エフシマーレーザからのパルスビームは電子マイクロ回路構造 において装置を製造してパターン限定をするためにカドミウムテルル（ＣｄＴｅ ）その他の材料の正確な蝕刻のために使用される。ビームのフルエンス量は他方 の成分より高い率でカドミウム対テルルのような材料のある成分を選択的に除去 し、一方で材料面の品質を維持するように調節されることができる。ビームはＧ ａＡｓ基体からＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅまたはＨｇＣｄＴｅのエピタキシャル層 を選択的に除去することができる。ビームはパターン化された融除のための画像 を形成するために材料上の投射マスクおよび光学系を通して導かれてもよい。光 学系は垂直側壁パターンを形成するように材料上にマスクの画像を集束するか、 或は湾曲した側壁パターンおよび、または光学アレイ用の凹および凸レンズ構造 を形成するように画像の焦点を少し発散させる。

本発明のこれらおよびその他の特徴および利点は以下の詳細な説明および添付の 図面から当業者に明らかになるであろう。なお、同一の参照符号が同一素子を示 す。

図面の簡単な説明 図１は本発明を使用するレーザ融除方法を実行するための装置を示した図である 。

図２は本発明の方法によって融除された材料を示した断面図である。

図３はこの方法に対してレーザフルエンス量の関数としてカドミウムテルルに対 する材料融除率を示したグラフである。

図４はこの融除方法により得ることができるカドミウムテルルの表面組成制御を 示したグラフである。

図５はこの方法により得られたカドミウムテルルに適用されたレーザパルスの関 数として表面組成を示したグラフである。

図６は本発明を使用する修正されたレーザ融除方法を行なう装置を示した図であ る。

図７は、図６の装置により集束された投射画像を使用してパターン化された融除 を示した図である。

図８は図６の装置により焦点のぼかされた投射画像を使用するパターン化された 融除を示す図である。

図９ａ乃至図９Ｃは本発明の発散投射方法を使用する凹および凸レンズ形状の形 成を示す図である。

発明の詳細な説明 図面の図１を参照すると、本発明を使用するレーザ融除装置は全体的にｌＯとし て示され、典型的にＫｒＦまたはＡｒＦタイプのエフシマーレーザ１２を含んで いる。エフシマーレーザ１２は、はぼ１５７ｎｍまたは３５１ｎ＋ｌ１間の紫外 線領域であるように選択される波長を有するコヒーレントな光ビーム１４を発生 する。レーザ融除によってパターン化される材料１Ｂは材料１Ｂの表面がレーザ ビーム１４に垂直であることが好ましいようにホルダ１８上に設けられている。

手動であるか、或はモータ化されてもよい機構２０は所望のパターンでレーザビ ーム１４に垂直な平面において矢印２２によって示されるようにホルダ１８、お よびそれによって材料１６を直交方向に移動するように設けられる。しかしなが ら、本発明は平らな表面の融除に限定されず、材料１６は所望に応じて任意の非 平面形状を有してもよいことに留意すべきである。さらに、機構２０は平行な方 向にまたはレーザビーム１４に対するある角度で材料を移動するように適合され る。

図２は本発明にしたがってレーザビーム１４によって融除される材料１６を示す 。材料１Ｂは■−Ｖ族材料のヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）のような材料の層ＩＢｂ の形態の第２の成分上に付着される、Ｉｆ−Ｖｌ族材料のカドミウムテルル（Ｃ ｄＴｅ）のような材料のエピタキシャル層ｌｅａの形態で第１の成分を含んでい ることが好ましい。層１８ｂは基体であってもよい。

層ｌｅａは成分ＣｄおよびＴｅの他に水銀または亜鉛のような第３の成分を含ん でもよい。ＧａＡｓ上のＣｄＴｅの組合せは特に高速用の光・電子適用に望まし い。

予め定められたパターンにおける相対的な運動は、対応した所望のパターンがエ ツチングされ、図２に見られるような層ｌｅａの上面に融除されるように材料１ Ｂとレーザビーム１４の間において行われる。材料１６は予め定められた期間を 有するパルス形態のビーム１４により照射される。与えられたパルスの期間およ び数が大きくなると、それだけ多量の材料が除去される。図２に示されたように 、ＣｄＴｅ層ｌｅｇは１８ｃで示された選択された領域においてＧａＡｓ層１８ ｂまで除去される。さらに、本発明の技術的範囲内において層１８ａの外面部分 だけがｌａｄで示された選択領域において所望の正確に制御可能な深さに除去さ れる。

本発明によると材料の融除は、主にレーザビーム１４からの光子の吸収によって 発生させられる照射された材料の局部化された加熱のために生じる。各パルスは インクレメント量だけ照射された領域中の材料の温度を上昇させる。十分なフル エンス量の十分な数のパルスによる照射は材料が昇華する点より上に温度を上昇 させる。これが発生したとき、照射された領域中の材料は蒸発し、周囲の環境に 消散する。本発明によるエフシマーレーザ融除用の主機構は熱的なものであるが 、その他の機構は融除を行うために作用する可能性もある。エフシマーレーザ融 除は過渡的な気化、電子励起、流体力学効果、剥離等によって発生させられると 多様に説明されている。

融除処理は大気圧で行われることができ、照射された材料が真空中に維持された 場合に最も効果的である。はぼｔｏ−’　トルの圧力で満足できる結果が実験的 に示されている。

熱融除処理は、バンドギャップ放射線を上まわる特定のエネルギの入射光子が高 エネルギ状態に電子の励起を生じさせるように材料の質量レベルとレーザビーム 波長の整合の依存する。ＣｄＴｅにおけるバンドギャップは０．ｌ５ｅＶ乃至１ ．５ｅＶである。５ｅＶの出力エネルギを生成することができる通常のエフシマ ーレーザは、この材料で本発明の方法を実行するのに適した波長および十分なパ ワーを有している。

さらに、レーザビームのフルエンス量、すなわち単位面積当りのエネルギは発生 する融除に対する材料の融除流しきい値より上でなければならない。しきい値は 各材料に対して異なっている。図３に示されるように、ＫｒＦレーザビーム（２ ４８ｎｍ　）による照射のＣｄＴｅに対する融除流しきい値はほぼ１５ＩＩＩＪ ／Ｃｍ２である。この値より上において、材料が熱導入された融除によって除去 される速度はフルエンス量の関数として非直線的に増加する。この方法は、１パ ルス当り１０オングストロームを終える速度でパルスエフシマーレーザを使用し てカドミウムテルル面を融除することができる。

ＧａＡｓに対する融除流しきい値は１００ａ＋Ｊ　／ｃｏ＋２程度である。した がって、１５乃至１０ｈＪ　／ｃｍ２の間のフルエンス量を有するレーザビーム による図２に示されるような材料１６の照射は下にあるＧａＡｓ基体層１８ｂに 大きい影響を与えずにＩＢＣで示されたようなＣｄＴｅエピタキシャル層１６ａ の厚さ全体の選択的な除去を可能にする。

本発明の重要な特徴によると、組成層ｌｅａの構成成分ＣｄおよびＴｅを異なる 速度で除去し、下にある面の品質を維持し、下にある面の相対的な成分組成また は化学量論的比率を制御することが可能である。これは、各成分が材料から融除 される速度が照射流の関数として変動し、さらにその関数が等しくないためであ る。図４に示されるように、融除後に残っている材料１Ｂの表面におけるＣｄ／ Ｔｅ比または成分比はレーザビーム流の関数として描かれている。はぼ３２ｏ＋ Ｊ／ｃ＋ｅ２のフルエンス量で等量のカドミウムおよびテルルが材料から融除さ れることが認められる。フルエンス量が３２ａ＋Ｊ／ｅａ＋２より上に高められ ると、カドミウムの融除速度はテルルに対する融除速度より速く増加し、結果的 にテルルより除去されるカドミウムが多くなり、融除後の材料中に残るテルルが 多くなる。フルエンス量が３２ｍＪ／ｃｏ＋２より下に減少するとき逆の効果が 生じる。ＣｄＴｅに対するレーザビーム流の変動に関する実際の範囲は、カドミ ウム濃度の高い面に対する２５ｓＪ／ｃａ１２とテルル濃度の高い面に対する４ ５ａ＋Ｊ／Ｃｍ２との間である。

図４は２つの成分材料（ＣｄＴｅ）に対する表面組成制御を示しているが、本発 明の方法はＨｇＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅのような３つ以上の成分材料に対し て等しく適用される。

表面の化学量論的比率はさらに材料に与えられるレーザパルスの期間および数に 依存している。図５は、変化するレーザビーム流下でＫｒＦで照射されたＣｄＴ ｅ（１００）サンプルのＡ　ｕｇｅｒ氏の解析によって得られた実験データを示 す。レーザは、２４８ｎｉの波長で動作し、３０ｎｓの期間を持つパルスを発生 するエフシマーＫｒＦ装置であった。融除後サンプルの表面におけるＣ　ｄ　／ 　Ｔ　ｅ比率は、適用されたパルスの数が増加されると減少され、一般に１０個 のパルスの適用後にほぼ平らにされたことが認められるであろう。実験結果は、 除去された材料の量および表面の化学量論的比率がレーザビーム流、パルス期間 および適用されるパルス数の関数であることを示す。除去された（または残って いる）成分の相対比は、１および整数の化学量論的比率を含む任意の実際値を有 するように選択されてもよい。

本発明による組成制御はさらに材料表面の階段状組成を可能にする。漸次階段的 に変化する組成を有する表面は、第１のフルエンス量を有するレーザビームで選 択された領域を照射し、隣接した領域が第２のフルエンス量で照射されるように ビームに関して材料を除去することによって生成され、続いて適切に異なった組 成の所望数の隣接領域が生成されることができる。

本発明はさらに表面の化学量論的比率の可逆制御を可能にする。例えば、ＣｄＴ ｅ材料１６は比較的高いフルエンス量を使用する融除によってテルル濃度を高め る。表面は比較的低いフルエンス量による後続的な融除によって等しい比率また はカドミウムの濃度の高い部分に変化される。さらに、高いフルエンス量で速い エツチングを行ない、続いて低いフルエンス量の遅い融除により所望の比に表面 化学量論的比率を調節することができる。

本発明のレーザ融除方法は投射マスクを使用するパターン化融除またはエツチン グを行なうように適応される。図６に示されているように、レーザ除去装置３０ は装置１０において使用された同一ユニットであるエフシマーレーザ１２を具備 している。レーザ１２によって生成されたビーム１４は静止したホルダ３６に取 付けられた材料３４に投射マスク３２を通して導かれる。

ビーム１４は材料１６上にマスクの画像を形成するようにマスク３２によってパ ターン化される。光ビーム拡大器３８はマスク３２全体を照射するためにビーム ■４の断面領域を十分に増加するように設けられる。ビーム１４の発散は、マス ク３２の画像が付加的な手段なしに材料３４上に形成されるように十分に低く、 集束レンズ４０のような光学素子は回折効果を最小にするためにマスク３２と材 料３４との間に設けられることが好ましい。レンズ４０は、所望ならば画像を縮 小または拡大するように選択される。

材料３４は１以上の構成成分を有することができる。装置３０との適応性のため の主要な要求は材料３４がレーザビーム１４の照射により蝕刻されることができ ることである。

図７に示されているように、マスク３２は領域３２ａおよび３２ｂのパターンを 形成され、低い（透明）および高い（不透明）光学密度をそれぞれ有する。さら に、示されてはいないが、本発明の技術的範囲内において中間的な光学密度の領 域が所望の中間階調度（グレースケール）に応じてマスク３２に与えられる。典 型的に不透明な領域３２ｂは透明なキャリアシート３２ｃ上の不透明物質を印刷 または塗装することによって形成される。

図７に示された構造において、レンズ４０の焦点距離およびレンズ４０、マスク ３２および材料３４の相対的な間隔はレンズ４０が材料３４上にマスク３２の画 像の焦点を結ぶように選択される。

ビーム１４のフルエンス量はマスク３２の低密度または透明領域３２ａに対応し た画像の領域におけるフルエンス量が材料３４の融除フルエンス量しきい値より 上であるように選択される。

レーザビームフルエンス量は、さらにマスク３２の高密度または不透明領域３２ ｂに対応した画像の領域における材料３４の融除フルエンス量しきい値より下で あるように選択される。したがって、融除はマスク３２の低密度領域３２ａを通 して伝送されたレーザビーム照射の高いフルエンス量のために材料３４の領域３ ４ａ中で発生し、−力木質的に融除はマスク３２の高密度領域３２ｂに対応した 低いフルエンス量領域３４ｂにおいては生じない。

隣接した領域３４ａと３４ｂとの間の壁は、装置３０の高い分解能のために本質 的に直角または垂直に（高いアスペクト比で）形成される。１５７ｍｎまたは３ ５１ｎｉ波長領域の放射線を使用するこの投射画像方法の分解能の能力は０．５ ミクロンより低いことが実験的に決定されている。これは、装置パターン形成に 対する要求分解能が１０ミクロン程度であるＣｄＴｅおよびＧ　ａ　Ａ　ｓにお ける赤外線光・電子装置の製造にその処理を直接適用可能にさせる。

図８は、装置３０が傾斜または湾曲された側壁（低いアスペクト比）を有するパ ターンを生成するためにどのように適用されるかを示す。これは、レンズ４０が 所望の程度に焦点をぼかされるように材料３４′上にマスク３２の画像を投射す るようにレンズ４０の焦点距離、並びにレンズ４０、マスク３２および材料３４ ′の相対的な間隔を調節することによって行われる。

画像の焦点のぼかしは集束された装置におけるシャープな不連続領域とは反対に 、隣接した高低フルエンス量領域のエツジで連続したフルエンス量傾斜を発生す る。フルエンス量傾斜は結果的にエツジ領域における融除の量を連続的に変化さ せ、結果として画像の高いおよび低いフルエンス量領域にそれぞれ対応した傾斜 すなわち隣接した領域３４ａ″と３４ｂ゛間の湾曲したエツジを生成する。湾曲 の程度は対応した値に対する画像の焦点のぼかしの程度を調節することによって 選択される。

本発明によるパターン化されたレーザ融除の焦点をぼかした投射方法は、特に基 体材料で光学レンズアレイを形成するのに有効である。図９ａに示されているよ うに、例示的な投射マスク５０は不透明な領域５０ａおよび透明な領域５０ｂを 有する。複数の円形透明領域５０ｃは不透明な領域５０ａ中に形成され、一方複 数の円形不透明領域５０ｄは透明な領域５０ｂ中に形成される。領域５０ｃおよ び５０ｄは、例えば焦点平面光学アレイを形成するために所望に応じて非常に小 さく、密接してバックされて形成されている。

図９ｂおよび図９０はマスク５０の焦点をぼかされた画像による融除にさらされ る材料５２を示す。材料５２は、低いフルエンス量の照射を受けた、または照射 を全く受けていないマスク５０の透明な領域５０ｃに対応した画像領域を除いて 本質的に除去されなかったマスク５０の不透明領域５０ａに対応した領域５２ａ を含む。透明領域５０ｃにおける高いフルエンス量の照射は材料５２の領域５２ ｃにおいて融除部分を生成した。領域５２ｃは凹形状を有し、これは光・電子ア レイにおいて発散レンズとして利用できる。凹形状は領域５２ｃの中心において 最大で、領域５２ｃのエツジに向かってフルエンス量を連続的に減少するレーザ ビームフルエンス量により形成される。

逆の結果は、マスク５０の不透明領域５０ｄに対応した画像領域を除いて高い融 除になる高いフルエンス量の照射を受けたマスク５０の透明な領域５０ｂに対応 した領域５２ｂにおいて生成される。領域５０ｄにおける低いフルエンス量は材 料５２の領域５２ｄにおける低い除去を生成した。領域５２ｄは凸形状を有し、 これは光・電子アレイにおいて集束レンズとして利用できる。

凸形状は領域５２ｄの中心で最小で、エツジ方向にフルエンス図９ａ乃至図９Ｃ に示されたように形成されるレンズは円形であるが、本発明の技術的範囲内にお いて細長い２次元またはその他の非円形光学面を形成することができる。

いくつかの実施例が図示され説明されているが、当業者は本発明の技術的範囲を 逸脱することなく種々の変形および別の実施例を認識するであろう。したがって 、本発明は詳細に説明された実施例だけに限定されるものではない。種々の修正 が考慮され、添付された請求の範囲によって限定された本発明の技術的範囲を逸 脱することなく実行されることが可能である。

国際調査報告 、Ｍｋ、Ａ□　Ｉｔｓ　ＰＣＴ／υｓ　９０１０４８９９　’

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）放射線照射量の関数としてそれぞれ不均一に変動する比率で予め定 められた波長のレーザビーム放射線による照射に応答して材料から融除される２ つの成分を含む固体材料を提供し、 （ｂ）材料の融除フルエンス量しきい値より大きい予め定められたフルエンス量 の予め定められた波長のレーザビームにより材料を照射し、予め定められたフル エンス量は照射が互いに予め定められた比の速度で材料から成分を除去させるよ うに選択され、 （ｃ）予め定められた相対運動に対応した予め定められたパターンが融除によっ て材料の選択された領域に形成されるようにレーザビームと材料との間において 予め定められた相対運動を行なわせるステップを含むレーザ融除方法。
2. （２）ステップ（ａ）はさらに固体材料の成分より高い融除フルエンス重しきい 値を有する基体上に固体材料を形成し、ステップ（ｂ）の予め定められたフルエ ンス量は基体の融除フルエンス重しきい値より低い請求項１記載の方法。
3. （３）ステップ（ｂ）の予め定められたフルエンス量は、予め定められた比率が 化学量論的比率であるように選択される請求項１記載の方法。
4. （４）ステップ（ａ）は２つの各成分としてカドミウムおよびテルルを有する材 料を提供する請求項１乃至３のいずれか１項記載の方法。
5. （５）融除フルエンス量しきい値はほぼ１５ｍＪ／ｃｍ２であり、ステップ（ｂ ）はほぼ１５７ｎｍと３５１ｎｍとの間の予め定められた波長を有するレーザビ ームにより選択された領域を照射し、予め定められたフルエンス量はほぼ２５乃 至４ｍＪ／ｃｍ２の範囲である請求項４記載の方法。
6. （６）ステップ（ａ）はさらに水銀および亜鉛からなる群がら選択された第３の 成分を含む材料を提供する請求項５記載の方法。
7. （７）材料の融除フルエンス量しきい値より大きい第２の予め定められたフルエ ンス量を有する予め定められた波長のレーザビームにより第１の選択された領域 に隣接している材料の第２の選択された領域を照射し、第２の予め定められたフ ルエンス量は照射が第１の予め定められた比率と異なっている互いに対して第２ の予め定められた比率の速度で成分を第２の選択された領域から融除させるよう に選択されている請求項１乃至６のいずれか１項記載の方法。
8. （８）（ａ）高いおよび低い光学密度の領域を有する投射マスクを設け、 （ｂ）マスクを通じて材料に予め定められたフルエンス量のレーザビームを指向 し、それによってマスクの画像で材料を照射し、材料がマスクの低い光学密度領 域に対応した領域における画像のフルエンス量より低い融除フルエンス重しきい 値を有するステップを含む請求項１乃至７のいずれか１項記載の方法。
9. （９）ステップ（ｂ）においてはさらに予め定められた程度に材料にマスクの画 像を焦点をぼかして投影するためにマスクと材料との間に光学手段を設ける請求 項８記載の方法。
10. （１０）ステップ（ａ）は円形領域を含むようにマスクの高い光学密度領域を設 け、 材料は円形の凸形状が画像の円形領域に対応した材料の領域上に形成されるよう にマスクの画像による照射によってステップ（ｂ）において融除される請求項９ 記載の方法。
11. （１１）ステップ（ａ）は円形領域を含むようにマスクの低い光学密度領域を設 け、 材料は円形の凹形状が画像の円形領域に対応した材料の領域中に形成されるよう にマスクの画像による照射によってステップ（ｂ）において融除される請求項９ 記載の方法。
12. （１２）レーザと、 高いおよび低い光学密度を有する投射マスクと、予め定められた融除フルエンス 量しきい値を有する材料と、予め定められたフルエンス量を有するビームをマス クを通して材料に指向し、それによってマスクの画像により材料を照射するよう に配置されたレーザであって、マスクの低い光学密度領域に対応した領域中の画 像のフルエンス量が材料の融除フルエンス量より高いレーザとを具備しているレ ーザ融除装置。
13. （１３）マスクと材料との間に設けられた光学手段を具備している請求項１２記 載の装置。
14. （１４）予め定められた程度に材料にマスクの画像の焦点をぼかすようにマスク と材料との間に設けられた光学手段を具備している請求項１２記載の装置。
15. （１５）マスクの高い光学密度領域は円形領域を含み、材料は円形凸形状が画像 の円形領域に対応した材料の領域上に形成されるようにマスクの画像による照射 によって融除される請求項１４記載の装置。
16. （１６）マスクの低い光学密度領域は円形領域を含み、材料は円形凹形状が画像 の円形領域に対応した材料の領域中に形成されるようにマスクの画像による照射 によって融除される請求項１４記載の装置。