JPH0445800B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0445800B2
JPH0445800B2 JP57170552A JP17055282A JPH0445800B2 JP H0445800 B2 JPH0445800 B2 JP H0445800B2 JP 57170552 A JP57170552 A JP 57170552A JP 17055282 A JP17055282 A JP 17055282A JP H0445800 B2 JPH0445800 B2 JP H0445800B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation image
fluorescent
reading device
phosphor
image reading
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP57170552A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5960300A (ja
Inventor
Akitomo Tejima
Kohei Kyota
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5960300A publication Critical patent/JPS5960300A/ja
Publication of JPH0445800B2 publication Critical patent/JPH0445800B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Radiography Using Non-Light Waves (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (A) 本発明はX線像等の放射線像を記憶した後、
これを読出すようにした放射線像読取り装置に関
する。
(B) 技術の背景 X線を用いて、種々の物体の内部構造や、欠陥
を調べたり、人体内部の構造を調べることが広汎
な分野で行われているが照射X線量が多くなると
オペレータ、人体への悪影響が大きくなるため、
被写体へのX線の照射量を少くすることが望まれ
ていた。
(C) 従来技術と問題点 X線像を得るに当つて、従来は被写体背後に配
置した螢光板にX線像を投影して記憶せしめ、そ
の後レーザ光等の電磁波を照射して走査し、この
放射線像を読取るようにしていた。
従来は螢光板として不透明な基板の上に粉末の
螢光体をバインダ中に分散させたものを塗布して
螢光板を作つていた。従つてレーザ等の電磁波を
走査する側から、そのとき発する螢光を検知しな
ければならず、検知手段(通常は光電子増倍管)
をレーザをさえぎらないよう配する必要から螢光
を発する位置から検知手段までの距離が大きくな
り、効率が著しく低下していた。また、光フアイ
バで螢光を導く方式もあるが、これもレーザをさ
えぎらないように配しなければならずその結合効
率は著しく小さくしかも精密な位置合せ精度が要
求されて大幅なコスト高を招く。螢光体粉末をバ
インダ中に分散させた螢光体層を用いた場合、レ
ーザ光は、深部に達しにくく達した場合も散乱で
ボケてしまう。また螢光板の深い所での発光は他
の粉末等に散乱、吸収される等のため発光効率は
低く、像のボケも大きくなる欠点があつた。
(D) 発明の目的 本発明の目的は螢光体のX線吸収効率および螢
光の検出効率を上げることにより、被写体へのX
線照射量を大幅に少なくするとともに高解像度の
画像を得ることにある。
(E) 発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば螢光板に放射
線像を照射して、一旦上記放射線像を記憶させた
後、上記螢光板を電磁波で走査し、そのとき発す
る螢光を検知して、上記放射線像を読取る放射線
像読取装置において、透明基板上にスパツタ法で
形成された透明螢光体層を有する螢光板と、該螢
光体層側から該螢光体層にレーザ光を照射して走
査する手段と、該走査方向と垂直方向に該螢光板
を移動する手段と、該透明基板側に配され該螢光
体層が発する螢光を透過するフイルタと、該フイ
ルタを介して配され該螢光を検知する検知器とを
有することを特徴とする放射線像読取装置を提供
することにより達成される。
(F) 発明の実施例 以下図面を参照して本発明の実施例を詳述す
る。本発明の1実施例として、被写体のX線透過
像を螢光板に書込み記憶させ、それをレーザ走査
で読取る場合のプロセスを第1図および第2図を
用いて説明する。
螢光板は第1図に示す構成になつており、ガラ
ス基板1の上にスパツタ法でBaFCl:Euの透明
螢光体層2を20μmの厚さに設けた。ジユール熱
による真空蒸着では各成分の融点の違いにより均
一な組成の膜は得られず充分な螢光は観測できな
かつた。
まず、この螢光板3の透明螢光体層2側から被
写体4を透過したX線5を照射する。するとX線
のあたつた部分では電子が価電子帯から伝導帯に
励起され、あるものは発光中心に捕捉され螢光を
発するが、他のものは比較的浅いトラツプレベル
にトラツプされる。このようにX線の量に応じた
トラツプ電荷の像が形成され記憶される。
次にこの螢光板3の透明螢光層2側からHeNe
レーザ6をガルバノミラー7を用いて走査する。
すると浅いトラツプレベルの電子は伝導帯に励
起され、そのうちに発光中心に捕捉されて螢光を
発する。
この光を検知器(光電子増倍管)8でとらえ、
レーザ走査に同期させて画面を再構成するとX線
照射量に応じたX線像が得られる。ここでフイル
タ9はHeNeレーザ6をカツトし、螢光のみを検
知器に入れるためのものである。
ここでフイルタ9として、BaFCl:Euの螢光
波長400nmを通す干渉フイルタを用いた。
HeNeレーザ光6は50μmφ位に絞り、カルバノ
ミラーで第2図bに正面図として示すようにライ
ン走査させ、それと垂直方向の走査は同図aに側
面図で示す如く螢光板を矢印Y方向に移動させて
行う。検知器(光電子増倍管)8はレーザ光の真
下にフイルタを介して螢光板に密接して配されラ
イン走査の幅をカバーし螢光を充分にとらえれる
ような大きさを持つたものである。
検知器8で得られた時系列の信号はA/D変換
後計算機に入れられ、階調処理等様々な計算機処
理が自由に行える。
記憶能力を持つ螢光体材料としては、上記の
BaFCl:Euの外にBaFCl:Ce、BaFBr:Eu、
LaOBr:Tb、LaOBr:Ce、LaOBr:Ce,Tb、
LaOCl:Ce,Tb、ZnS:Cu,Pb、等が有望であ
る。
走査用電磁波は当然ながら、HeNeレーザに限
定されるものではなく螢光をフイルタ9で十分に
分離できかつ、常温で安定にトラツプされている
電荷を伝導帯に励起できる波長のものであれば何
でも構わない。
書込み像は前述のX線像に限定されるものでは
なくγ線でも紫外線でも構わない。螢光体のバン
ドギヤツプ以上のエネルギーを持つていれば適用
可能である。
(G) 発明の効果 以上説明したように本発明に係るX線像読取装
置は螢光体層を、螢光体材料のみで形成し、又、
螢光検知手段を電磁波による走査側とは反対側に
設けたため、螢光の検出効率は、大幅に向上す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の螢光板の構成図およびX線像
の書込み法を示す図、第2図a,bは本発明のX
線像読取法を説明する図である。 1:基板、2:螢光体層、4:被写体、5:X
線、6:レーザ光、8:螢光検知手段、9:フイ
ルタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 螢光板に放射線像を照射して、一旦上記放射
    線像を記憶させた後、上記螢光板を電磁波で走査
    し、そのとき発する螢光を検知して、上記放射線
    像を読取る放射線像読取装置において、 透明基板上にスパツタ法で形成された透明螢光
    体層を有する螢光板と、該螢光体層側から該螢光
    体層にレーザ光を照射し走査する手段と、該走査
    方向と垂直方向に該螢光板を移動する手段と、該
    透明基板側に配され該螢光体層が発する螢光を透
    過するフイルタと、該フイルタを介して配され該
    螢光を検知する検知器とを有することを特徴とす
    る放射線像読取装置。 2 上記螢光体層がBaFCl:Eu、BaFCl:Ce、
    BaFBr:Eu、LaOBr:Tb、LaOBr:Ce、
    LaOBr:Ce,Tb、LaOCl:Ce,Tb、ZnS:Cu,
    Pb、から選択される螢光体からなる特許請求の
    範囲第1項記載の放射線像読取装置。 3 上記透明基板がガラス基板である特許請求の
    範囲第1項記載の放射線像読取装置。 4 上記検知器が上記レーザ光の走査幅をカバー
    する大きさである特許請求の範囲第1項記載の放
    射線像読取装置。
JP17055282A 1982-09-29 1982-09-29 放射線像読取装置 Granted JPS5960300A (ja)

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JPS5960300A JPS5960300A (ja) 1984-04-06
JPH0445800B2 true JPH0445800B2 (ja) 1992-07-27

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JPS5960300A (ja) 1984-04-06

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