JPH0444382B2 - - Google Patents
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- JPH0444382B2 JPH0444382B2 JP59237736A JP23773684A JPH0444382B2 JP H0444382 B2 JPH0444382 B2 JP H0444382B2 JP 59237736 A JP59237736 A JP 59237736A JP 23773684 A JP23773684 A JP 23773684A JP H0444382 B2 JPH0444382 B2 JP H0444382B2
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- JP
- Japan
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- energy
- electron beam
- microns
- distribution
- mev
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- Expired - Lifetime
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 13
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 8
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は加速器からの1MeV以上の高エネルギ
ー電子線を10ミクロン以上の厚みを有する検査物
体、たとえば主としてセラミツクス材料、または
その製品等に照射し、当該物体の非破壊的探傷を
行い、これらの材料の開発、製品の品質管理に役
立つ電子線非破壊検査法に関するものである。
ー電子線を10ミクロン以上の厚みを有する検査物
体、たとえば主としてセラミツクス材料、または
その製品等に照射し、当該物体の非破壊的探傷を
行い、これらの材料の開発、製品の品質管理に役
立つ電子線非破壊検査法に関するものである。
「従来の技術」
従来の非破壊検査法としては、エツクス線また
はガンマ線を利用する検査法があるが、これらの
非破壊検査法では照射野内にある物体に密度差が
あることによる、これらの放射線の透過度の差異
を利用しているものであるから、密度差が約１％
以下では検査が困難となる欠点がある。また近時
超音波を利用する探傷技術の開発も進展しつつあ
るが、現時点ではセラミツクスの如く繊細な欠陥
を持つ実用材料の探傷には不充分である。
はガンマ線を利用する検査法があるが、これらの
非破壊検査法では照射野内にある物体に密度差が
あることによる、これらの放射線の透過度の差異
を利用しているものであるから、密度差が約１％
以下では検査が困難となる欠点がある。また近時
超音波を利用する探傷技術の開発も進展しつつあ
るが、現時点ではセラミツクスの如く繊細な欠陥
を持つ実用材料の探傷には不充分である。
「発明が解決しようとする問題点」
最近高性能材料として開発が盛んに行われてい
るセラミツクスでは、その中に生ずる傷あるいは
欠陥が極めて繊細であるため、前記のエツクス
線、ガンマ線による非破壊検査は不可能である。
また超音波探傷による場合は、超音波顕微鏡の出
現により、10ミクロン（μｍ）程度の欠陥は検出
できるようになつているが、探傷可能深度の点に
問題がある。
るセラミツクスでは、その中に生ずる傷あるいは
欠陥が極めて繊細であるため、前記のエツクス
線、ガンマ線による非破壊検査は不可能である。
また超音波探傷による場合は、超音波顕微鏡の出
現により、10ミクロン（μｍ）程度の欠陥は検出
できるようになつているが、探傷可能深度の点に
問題がある。
すなわち、実用材料内のサイズ数10ミクロンの
欠陥を検出するためには、周波数400〜500MHzの
超音波を用いる必要があるが（岩崎秀夫著“セラ
ミツクの機械的性質”窯業協会編、窯業協会、
115〜136頁、1979）この超音波の物体内伝搬損失
は非常に大きく、探傷可能な深さは表面下数10ミ
クロンである。（小島誠治著“超音波顕微鏡によ
る誘導体の評価”固体物理、18巻、７号、407〜
414頁、1983） このような技術的情況下にあつて、本発明は検
出可能な欠陥のサイズが小さく、また探傷可能な
深さの大きな電子非破壊検査法を提供することを
目的とする。
欠陥を検出するためには、周波数400〜500MHzの
超音波を用いる必要があるが（岩崎秀夫著“セラ
ミツクの機械的性質”窯業協会編、窯業協会、
115〜136頁、1979）この超音波の物体内伝搬損失
は非常に大きく、探傷可能な深さは表面下数10ミ
クロンである。（小島誠治著“超音波顕微鏡によ
る誘導体の評価”固体物理、18巻、７号、407〜
414頁、1983） このような技術的情況下にあつて、本発明は検
出可能な欠陥のサイズが小さく、また探傷可能な
深さの大きな電子非破壊検査法を提供することを
目的とする。
「問題点を解決するための手段」
前記目的を達成するために本発明においては、
加速器からの1MeV以上の高エネルギー電子線を
10ミクロン以上の厚みを有する検査物体に照射
し、透過電子をエネルギー分布電磁石を通して測
定された透過電子のエネルギー分布をもとに、或
いはエネルギー分析することなく測定された透過
電子の角度分布、または射影角度分布をもとに、
該検査物体中の微細な欠陥を検出し、当該物体の
非破壊検査を行うものである。
加速器からの1MeV以上の高エネルギー電子線を
10ミクロン以上の厚みを有する検査物体に照射
し、透過電子をエネルギー分布電磁石を通して測
定された透過電子のエネルギー分布をもとに、或
いはエネルギー分析することなく測定された透過
電子の角度分布、または射影角度分布をもとに、
該検査物体中の微細な欠陥を検出し、当該物体の
非破壊検査を行うものである。
「作用」
この発明は、物体を通過する電子線が当該物体
に傷のある場合ストリーミング現象（奥田修一福
田久衛、多幡達夫、岡部茂共著“フイルム線量計
による電子線の吸収線量分布測定における問題
点”、放射線、８巻、１号、３〜10頁、1981）を
起し、そのため透過電子のエネルギー分布および
角度分布に異常が生ずることを利用し、非破壊検
査を行うものである。
に傷のある場合ストリーミング現象（奥田修一福
田久衛、多幡達夫、岡部茂共著“フイルム線量計
による電子線の吸収線量分布測定における問題
点”、放射線、８巻、１号、３〜10頁、1981）を
起し、そのため透過電子のエネルギー分布および
角度分布に異常が生ずることを利用し、非破壊検
査を行うものである。
「実施例」
この発明を実施するに当つては、線形電子加速
器等により数MeVないし10数MeVの1MeV以上
に加速された、細いビーム状の高エネルギー電子
線を真空槽内で10ミクロン以上の厚みを有する検
査物体に照射する。特許請求の範囲第１項による
場合は、物体を透過した電子のエネルギー及び該
エネルギーにおける電子の量を、エネルギー分析
電磁石を通した後、電離箱、シンチレーシヨン検
出器等の適当な検出器で測定するに、物体内に傷
のない時の正常なエネルギースペクトル１は第１
図Ａに示す如くもので、傷のある時のエネルギー
スペクトルの例は第１図Ｂに示す如きものであ
る。該図中Ｂのスペクトルの右側に見られる２の
ような異常部分により、幅数ミクロン程度以上の
傷の存在が検出できる。特許請求の範囲第２項に
よる場合は、物体を透過した電子の量を、真空槽
内での位置を遠隔操作できる電子収集電極等の小
形検出器で測定する。該検出器を試料の電子照射
位置を中心とした円周上で移動させながら測定す
れば角度分布が、また入射電子線方向と直角な直
線上で移動させながら測定すれば、射影角度分布
が測定される。第２図Ａの如く物体内に傷のない
時の正常な角度分布３が検知出来ると共に、第２
図Ｂの如く傷のある時の異常な角度分布の例に見
られるような異常分布４により、幅数ミクロン程
度以上の傷の存在が検出できるものである。
器等により数MeVないし10数MeVの1MeV以上
に加速された、細いビーム状の高エネルギー電子
線を真空槽内で10ミクロン以上の厚みを有する検
査物体に照射する。特許請求の範囲第１項による
場合は、物体を透過した電子のエネルギー及び該
エネルギーにおける電子の量を、エネルギー分析
電磁石を通した後、電離箱、シンチレーシヨン検
出器等の適当な検出器で測定するに、物体内に傷
のない時の正常なエネルギースペクトル１は第１
図Ａに示す如くもので、傷のある時のエネルギー
スペクトルの例は第１図Ｂに示す如きものであ
る。該図中Ｂのスペクトルの右側に見られる２の
ような異常部分により、幅数ミクロン程度以上の
傷の存在が検出できる。特許請求の範囲第２項に
よる場合は、物体を透過した電子の量を、真空槽
内での位置を遠隔操作できる電子収集電極等の小
形検出器で測定する。該検出器を試料の電子照射
位置を中心とした円周上で移動させながら測定す
れば角度分布が、また入射電子線方向と直角な直
線上で移動させながら測定すれば、射影角度分布
が測定される。第２図Ａの如く物体内に傷のない
時の正常な角度分布３が検知出来ると共に、第２
図Ｂの如く傷のある時の異常な角度分布の例に見
られるような異常分布４により、幅数ミクロン程
度以上の傷の存在が検出できるものである。
「発明の効果」
この発明の適用により、従来のエツクス線又は
ガンマ線等によつては不可能であつた、セラミツ
クス等の新しい高性能材料開発のためのテストピ
ース、およびそれら材料による製品の非破壊検査
が可能となり、産業振興に寄与すること誠に顕著
である。
ガンマ線等によつては不可能であつた、セラミツ
クス等の新しい高性能材料開発のためのテストピ
ース、およびそれら材料による製品の非破壊検査
が可能となり、産業振興に寄与すること誠に顕著
である。
添付図面は本発明実施例を示すもので、第１図
は、特許請求の範囲第１項の透過電子エネルギー
スペクトルを示し、Ａは傷のない試料の場合、Ｂ
は傷のある試料の場合。第２図は、特許請求の範
囲第２項の透過電子の角度分布を示し、Ａは傷の
ない試料の場合、Ｂは傷のある試料の場合であ
る。 １……正常なエネルギースペクトル、２……異
常部分、３……正常な角度分布、４……異常部
分。
は、特許請求の範囲第１項の透過電子エネルギー
スペクトルを示し、Ａは傷のない試料の場合、Ｂ
は傷のある試料の場合。第２図は、特許請求の範
囲第２項の透過電子の角度分布を示し、Ａは傷の
ない試料の場合、Ｂは傷のある試料の場合であ
る。 １……正常なエネルギースペクトル、２……異
常部分、３……正常な角度分布、４……異常部
分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加速器からの1MeV以上の高エネルギー電子
線を10ミクロン以上の厚みを有する検査物体に照
射し、透過電子をエネルギー分析電磁石を通して
測定された透過電子のエネルギー分布をもとに、
該検査物体中の微細な欠陥を検出することを特徴
とする電子線非破壊検査法。 ２ 加速器からの1MeV以上の高エネルギー電子
線を10ミクロン以上の厚みを有する検査物体に照
射し、エネルギー分析をすることなく測定された
透過電子の角度分布、または射影角度分布をもと
に、該検査物体中の微細な欠陥を検出することを
特徴とする電子線非破壊検査法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237736A JPS61116649A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 電子線非破壊検査法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237736A JPS61116649A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 電子線非破壊検査法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61116649A JPS61116649A (ja) | 1986-06-04 |
| JPH0444382B2 true JPH0444382B2 (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=17019709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59237736A Granted JPS61116649A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 電子線非破壊検査法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61116649A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4853664A (ja) * | 1971-11-08 | 1973-07-27 | ||
| JPS5583867A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-24 | Hitachi Ltd | Electron beam energy analyzer |
| JPS55144577A (en) * | 1979-04-28 | 1980-11-11 | Hitachi Ltd | Energy analyzer for electron ray |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP59237736A patent/JPS61116649A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4853664A (ja) * | 1971-11-08 | 1973-07-27 | ||
| JPS5583867A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-24 | Hitachi Ltd | Electron beam energy analyzer |
| JPS55144577A (en) * | 1979-04-28 | 1980-11-11 | Hitachi Ltd | Energy analyzer for electron ray |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61116649A (ja) | 1986-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |