JPH0444000A - 放射光透過窓 - Google Patents
放射光透過窓Info
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- JPH0444000A JPH0444000A JP2149989A JP14998990A JPH0444000A JP H0444000 A JPH0444000 A JP H0444000A JP 2149989 A JP2149989 A JP 2149989A JP 14998990 A JP14998990 A JP 14998990A JP H0444000 A JPH0444000 A JP H0444000A
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 62
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シンクロトロン放射光を用いて、超LSI
等の回路パターンをウェハ等の被露光板状物に転写せし
める露光装置の放射光透過窓に関する。
等の回路パターンをウェハ等の被露光板状物に転写せし
める露光装置の放射光透過窓に関する。
半導体(LSI)の高集積化技術の進歩に伴い、マスク
上のパターンをレジストの付着したウェハ等の上に転写
する半導体リソグラフィ装置でも、軟X線を含むシンク
ロトロン放射光の利用が注目されるようになった。
上のパターンをレジストの付着したウェハ等の上に転写
する半導体リソグラフィ装置でも、軟X線を含むシンク
ロトロン放射光の利用が注目されるようになった。
この放射光は第3図に示されるように、高真空の電子蓄
積リング(100)内で光速に近い速さの電子を偏向磁
石(101)の磁界により曲げた時に電子軌道の接線方
向に放射される電磁波であるが、平行性が良く、且つ強
い軟Xi!が得られるため、線幅がクォータミクロンク
ラスになる超LSIのマスクパターンを上記被露光板状
物に転写するX線露光装置の次期X線源として期待され
ている。
積リング(100)内で光速に近い速さの電子を偏向磁
石(101)の磁界により曲げた時に電子軌道の接線方
向に放射される電磁波であるが、平行性が良く、且つ強
い軟Xi!が得られるため、線幅がクォータミクロンク
ラスになる超LSIのマスクパターンを上記被露光板状
物に転写するX線露光装置の次期X線源として期待され
ている。
該シンクロトロン放射光を用いる実際の露光装置では、
電子蓄積リング(100)から発した放射光がビームラ
イン(3)を通って転写装置(102)内に導かれ、そ
の内部でX線マスク(図示なし)やウェハ駆動ステージ
(図示なし)等の各種装置を用いてマスクパターンを被
露光板状物の表面(この場合はウェハの上に被覆された
レジスト)に転写する構成となっている。
電子蓄積リング(100)から発した放射光がビームラ
イン(3)を通って転写装置(102)内に導かれ、そ
の内部でX線マスク(図示なし)やウェハ駆動ステージ
(図示なし)等の各種装置を用いてマスクパターンを被
露光板状物の表面(この場合はウェハの上に被覆された
レジスト)に転写する構成となっている。
こ゛のうち、ビームライン(3)内部は、電子蓄積リン
グ(,100)内の高度の真空状態に悪影響を及ぼさな
いようにするため真空に保たれ、他方、転写装[(10
2)は、マスクの温度上昇を抑えるため、その周りをチ
ャンバ(103)で囲んで内部を大気や他のガス雰囲気
(放射光減衰作用の小さいヘリウムガス等)で満たして
いる。そこでシンクロトロン放射光を放射する放射光源
側(図では電子蓄積リング(100)及びビームライン
(3))と転写装置(102)との間には、放射光光路
途中に放射光源側の高真空域と転写装置(102)側の
雰囲気とを隔て且つ放射光の一部を透過可能なベリリウ
ム薄膜等の放射光透過薄膜(4)が設けられている。
グ(,100)内の高度の真空状態に悪影響を及ぼさな
いようにするため真空に保たれ、他方、転写装[(10
2)は、マスクの温度上昇を抑えるため、その周りをチ
ャンバ(103)で囲んで内部を大気や他のガス雰囲気
(放射光減衰作用の小さいヘリウムガス等)で満たして
いる。そこでシンクロトロン放射光を放射する放射光源
側(図では電子蓄積リング(100)及びビームライン
(3))と転写装置(102)との間には、放射光光路
途中に放射光源側の高真空域と転写装置(102)側の
雰囲気とを隔て且つ放射光の一部を透過可能なベリリウ
ム薄膜等の放射光透過薄膜(4)が設けられている。
第4図は、このような放射光透過薄膜(4)の取付けら
れた放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図に
示すように、ビームライン(3)端部に設けられた取付
枠(30)で端部壁面を構成し、該取付枠(30)の開
口部に放射光透過薄膜(4)が据え付けられ、その周り
を押え金具(31)によって取付枠(30)との間に挾
持させ、押えビス(32)により固定している。尚、図
中取付枠(30)はビームライン取付はビス(33)に
よって取出し側の雰囲気の漏れがないようにビームライ
ン(3)に固定されている。
れた放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図に
示すように、ビームライン(3)端部に設けられた取付
枠(30)で端部壁面を構成し、該取付枠(30)の開
口部に放射光透過薄膜(4)が据え付けられ、その周り
を押え金具(31)によって取付枠(30)との間に挾
持させ、押えビス(32)により固定している。尚、図
中取付枠(30)はビームライン取付はビス(33)に
よって取出し側の雰囲気の漏れがないようにビームライ
ン(3)に固定されている。
上記放射光透過薄膜(4)は、通常ベリリウム膜等で構
成され、そこに導かれたシンクロトロン放射光のうち軟
X線成分を外部に取出す役目を果している。
成され、そこに導かれたシンクロトロン放射光のうち軟
X線成分を外部に取出す役目を果している。
一方、露光に際しては、放射光の強度の一番強い箇所が
放射光透過薄膜(4)を透過するように、該放射光光路
と放射光透過薄膜(4)との軸合せを行ないながらアラ
イナの設置、姿勢制御等が行なわれているが、その際の
放射光の光路確認やその強度の感知はX線用ディテクタ
を使用して、或いは実際にレジスト面に露光してしかで
きないため、光路を高純度のヘリウム雰囲気に実際に置
換せねばならず(空気中では光路2■で減衰して0にな
る)、上記軸合せ・姿勢制御を短時間のうちに終了させ
ることが回置であった。
放射光透過薄膜(4)を透過するように、該放射光光路
と放射光透過薄膜(4)との軸合せを行ないながらアラ
イナの設置、姿勢制御等が行なわれているが、その際の
放射光の光路確認やその強度の感知はX線用ディテクタ
を使用して、或いは実際にレジスト面に露光してしかで
きないため、光路を高純度のヘリウム雰囲気に実際に置
換せねばならず(空気中では光路2■で減衰して0にな
る)、上記軸合せ・姿勢制御を短時間のうちに終了させ
ることが回置であった。
本発明は従来技術の以上のような問題に鑑み創案された
もので、放射光透過窓構成に改良を加えて、軸合せや姿
勢制御を肉眼乃至はそれに代わる可視光センサで行なえ
る構成を提供せんとするものである。
もので、放射光透過窓構成に改良を加えて、軸合せや姿
勢制御を肉眼乃至はそれに代わる可視光センサで行なえ
る構成を提供せんとするものである。
そのため本発明の放射光透過窓は、ビームライン取出し
端部壁面に設けられた放射光透過薄膜の周囲の一部又は
全部を可視光透過部とすることを基本的特徴としている
。
端部壁面に設けられた放射光透過薄膜の周囲の一部又は
全部を可視光透過部とすることを基本的特徴としている
。
この可視光透過部に、石英やサファイヤ等で作られた光
学部品が用いられれば、この部分を透過する放射光成分
は可視光のみとなり、軟X線成分は透過さ九ないことに
なる。
学部品が用いられれば、この部分を透過する放射光成分
は可視光のみとなり、軟X線成分は透過さ九ないことに
なる。
又、第2発明では上記構成のほか、放射光透過薄膜及び
可視光透過部に同時に或いは各別にこれらの開閉(放射
光の入射又は遮断)を行なえるシャッタを夫々設けてい
る。
可視光透過部に同時に或いは各別にこれらの開閉(放射
光の入射又は遮断)を行なえるシャッタを夫々設けてい
る。
このようなシャッタ構成を備えることで、放射光透過薄
膜や可視光透過部で放射光を透過する必要がない時に閉
じておき、余計な放射光の漏れを防ぐことができるよう
にしている。
膜や可視光透過部で放射光を透過する必要がない時に閉
じておき、余計な放射光の漏れを防ぐことができるよう
にしている。
上記構成では放射光透過薄膜周囲の可視光透過部分がシ
ンクロトロン放射光の可視光成分を透過するため、該放
射光を肉眼で観察しながら放射光光路と放射光透過薄膜
の軸合せやアライナの姿勢制御等を行なうことが可能と
なる。
ンクロトロン放射光の可視光成分を透過するため、該放
射光を肉眼で観察しながら放射光光路と放射光透過薄膜
の軸合せやアライナの姿勢制御等を行なうことが可能と
なる。
以下本発明の具体的実施例につき説明する。
第1図は本願第2発明に係る放射光透過窓の構成説明図
である0図中(3)はビームライン、(30)は取付枠
、(4)はベリリウム膜からなる放射光透過薄膜、 (
31)は押え金具、 (32)は押えビス、(33)は
ビームライン取付はビスであり、これらは前述と全く同
じ構成である。
である0図中(3)はビームライン、(30)は取付枠
、(4)はベリリウム膜からなる放射光透過薄膜、 (
31)は押え金具、 (32)は押えビス、(33)は
ビームライン取付はビスであり、これらは前述と全く同
じ構成である。
本実施例では、放射光透過薄膜(4)の中央部を横切る
水平線上の取付枠(30)に2つの開口部を設け、そこ
に石英から成る光学部品(la) (lb)を嵌め込み
気密に固定することで、可視光透過部を形成している。
水平線上の取付枠(30)に2つの開口部を設け、そこ
に石英から成る光学部品(la) (lb)を嵌め込み
気密に固定することで、可視光透過部を形成している。
更に上記取付枠(30)より転写装置(図示なし)側に
はロータリソレノイド(20)(21)によって各独立
して開閉作動する可視光透過部用シャッタ(2a)と、
軟X線透過部用シャッタ(2b)が夫々設けられており
、シャッタ(2a)では前記光学部品(la) (lb
)を透過してくる放射光の入射・遮断が、又シャッタ(
2b)では放射光透過薄膜(4)を透過してくる放射光
の入射・遮断が可能な構成になっている。
はロータリソレノイド(20)(21)によって各独立
して開閉作動する可視光透過部用シャッタ(2a)と、
軟X線透過部用シャッタ(2b)が夫々設けられており
、シャッタ(2a)では前記光学部品(la) (lb
)を透過してくる放射光の入射・遮断が、又シャッタ(
2b)では放射光透過薄膜(4)を透過してくる放射光
の入射・遮断が可能な構成になっている。
本実施例のように放射光透過薄膜(4)を中心にその水
平方向に可視光透過部を設ける構成としたのは、電子蓄
積リングから放射されるシンクロトロン放射光が水平方
向に扁平な状態になっており、そのため放射光光路に少
しでも垂直方向のずれがある場合にすぐに検出できるよ
うになるからである。放射光透過薄膜(4)の両側に可
視光透過部を設けることにしたのは、そこから検出され
る放射光の強度が等しくなるように調整することによっ
て水平方向の軸合せも可能になるからである。
平方向に可視光透過部を設ける構成としたのは、電子蓄
積リングから放射されるシンクロトロン放射光が水平方
向に扁平な状態になっており、そのため放射光光路に少
しでも垂直方向のずれがある場合にすぐに検出できるよ
うになるからである。放射光透過薄膜(4)の両側に可
視光透過部を設けることにしたのは、そこから検出され
る放射光の強度が等しくなるように調整することによっ
て水平方向の軸合せも可能になるからである。
本実施例では、ビームライン(3)からこのような放射
光透過窓構成を介して取り出されてくるシンクロトロン
放射光を使用してX線露光を行なう前の準備作業として
、該放射光の光路と放射光透過窓構成(特に放射光透過
薄膜(4))との軸合せを行なった。この際シャッタ(
2a)を開放状態に、又もう一方のシャッタ(2b)を
遮断状態にしておき、転写装置側にシンクロトロン放射
光の可視光成分のみが取出せるようにした。
光透過窓構成を介して取り出されてくるシンクロトロン
放射光を使用してX線露光を行なう前の準備作業として
、該放射光の光路と放射光透過窓構成(特に放射光透過
薄膜(4))との軸合せを行なった。この際シャッタ(
2a)を開放状態に、又もう一方のシャッタ(2b)を
遮断状態にしておき、転写装置側にシンクロトロン放射
光の可視光成分のみが取出せるようにした。
このような状態でシンクロトロン放射光の光路を放射光
透過薄膜(4)との間に垂直方向のずれがない場合には
、前述の光学部品(la) (lb)からなる可視光透
過部から該放射光の可視光成分が取出されることになる
が、それより少しでも垂直方向にずれがあると、放射光
はそこを透過することができなくなるので、該可視光透
過部から放射光が肉眼で検出できる状態になるまでこの
放射光透過窓構成全体を垂直方向に動かしくもしビーム
ライン(3)中に放射光反射ミラーがある場合は、これ
を回動せしめることで)、その軸合せを行なうことにな
る(放射光反射ミラーの場合には、該軸合せで決まった
位置を露光時における回動中心として、該ミラーを振動
的に回動せしめることになる)、又、2つの可視光透過
部からの放射光の検出に可視光強度センサ(図示なし)
を夫々用いれば1両方の放射光の強度比較から両者間の
水平方向のずれを知ることができ、垂直方向の軸合せを
行なった後に水平方向の軸合せを行なうことが可能にな
る。
透過薄膜(4)との間に垂直方向のずれがない場合には
、前述の光学部品(la) (lb)からなる可視光透
過部から該放射光の可視光成分が取出されることになる
が、それより少しでも垂直方向にずれがあると、放射光
はそこを透過することができなくなるので、該可視光透
過部から放射光が肉眼で検出できる状態になるまでこの
放射光透過窓構成全体を垂直方向に動かしくもしビーム
ライン(3)中に放射光反射ミラーがある場合は、これ
を回動せしめることで)、その軸合せを行なうことにな
る(放射光反射ミラーの場合には、該軸合せで決まった
位置を露光時における回動中心として、該ミラーを振動
的に回動せしめることになる)、又、2つの可視光透過
部からの放射光の検出に可視光強度センサ(図示なし)
を夫々用いれば1両方の放射光の強度比較から両者間の
水平方向のずれを知ることができ、垂直方向の軸合せを
行なった後に水平方向の軸合せを行なうことが可能にな
る。
その結果、2つの可視光透過部の真中にある放射光透過
薄膜(4)には自動的に放射光の強度の一番強いところ
が照射されることになる。
薄膜(4)には自動的に放射光の強度の一番強いところ
が照射されることになる。
このような軸合せ作業の後、シャッタ(2a)を閉じ、
且つシャッタ(2b)を開放せしめれば、X線露光作業
に取りかかれることになる。
且つシャッタ(2b)を開放せしめれば、X線露光作業
に取りかかれることになる。
この他、第2図(a) (b) (c)は本発明の他の
実施例を夫々示す水平断面図である。
実施例を夫々示す水平断面図である。
同図(a)は取付枠(10)全部が光学部材で構成され
るもの、同図(b)は取付枠(30)が円環状の外側板
(30a)と該外側板(30a)の中央開口部に嵌め込
まれた同じく円環状の内側板(11)で構成され、且つ
該内側板(11)が光学部材で構成されたもの及び同図
(c)は第1実施例と同じ位置に光学部品(12a)(
12b)が設けられて可視光透過部が形成されているが
、そのうち一方の部品(12a)にはレンズが、又もう
一方の部品(12b)にはピンホール板や十字合せ線等
のS*入り石英ガラス板が用いられて構成されるものが
夫々示されている。
るもの、同図(b)は取付枠(30)が円環状の外側板
(30a)と該外側板(30a)の中央開口部に嵌め込
まれた同じく円環状の内側板(11)で構成され、且つ
該内側板(11)が光学部材で構成されたもの及び同図
(c)は第1実施例と同じ位置に光学部品(12a)(
12b)が設けられて可視光透過部が形成されているが
、そのうち一方の部品(12a)にはレンズが、又もう
一方の部品(12b)にはピンホール板や十字合せ線等
のS*入り石英ガラス板が用いられて構成されるものが
夫々示されている。
以上群、述した本発明の放射光透過窓の構成によれば、
放射光光路と放射光透過薄膜との軸合せを行なう場合や
アライナの姿勢制御を行なう場合、′7iいは可視光を
7ライメント等の照明に利用する場合等に、可視光透過
部で透過されてくる放射光の可視光成分を肉眼或いはテ
レビモニタ等で観察しながら上記軸合せや姿勢制御を行
なうことができるため、これらの作業が容易となり、短
時間のうちに終らせることが可能となる。
放射光光路と放射光透過薄膜との軸合せを行なう場合や
アライナの姿勢制御を行なう場合、′7iいは可視光を
7ライメント等の照明に利用する場合等に、可視光透過
部で透過されてくる放射光の可視光成分を肉眼或いはテ
レビモニタ等で観察しながら上記軸合せや姿勢制御を行
なうことができるため、これらの作業が容易となり、短
時間のうちに終らせることが可能となる。
第1図は本願第2発明の=実施例を示す構成説明図、第
2図(a) (b) (c)は他の実施例を示す水平断
面図、第3図はシンクロトロン放射光を利用したX線露
光装置の構成の概略図、第4図は放射光透過窓の従来構
成を示す断面図である。 図中、(la) (lb)は光学部品、(10)は取付
枠。 (11)は内側板、(12a)はレンズ、(12b)は
石英ガラス板、(2a) (2b)はシャッタ、(3)
はビームライン、(4)は放射光透過薄膜を各示す。 1a、1b・・・光学部品 28.2b・・・シャッ
タ3・・・ビームライン 31・・・押え金具 32・・・押えどス 33・
・ゼームライン取付ビス3・・・ビームライン 4・
・・放射光透過WIJI112b・・・標識入り硝子板
30・・・取付枠11・・・内側恢 30a・・・外側板 12a・・・レンズ (a) (b) 3・・ゼームライン 101・・・偏向磁石 4・・・放射光透過1l1 102・転写装置 100・・・電子蓄積リング 103 チャンバ 第 図 3・・・ビームライン 32・・・押えビス 4・・・tf1射光透過簿膿 30・・・取付枠33
・・・ビームライン取付ビス 31・・押え金具
2図(a) (b) (c)は他の実施例を示す水平断
面図、第3図はシンクロトロン放射光を利用したX線露
光装置の構成の概略図、第4図は放射光透過窓の従来構
成を示す断面図である。 図中、(la) (lb)は光学部品、(10)は取付
枠。 (11)は内側板、(12a)はレンズ、(12b)は
石英ガラス板、(2a) (2b)はシャッタ、(3)
はビームライン、(4)は放射光透過薄膜を各示す。 1a、1b・・・光学部品 28.2b・・・シャッ
タ3・・・ビームライン 31・・・押え金具 32・・・押えどス 33・
・ゼームライン取付ビス3・・・ビームライン 4・
・・放射光透過WIJI112b・・・標識入り硝子板
30・・・取付枠11・・・内側恢 30a・・・外側板 12a・・・レンズ (a) (b) 3・・ゼームライン 101・・・偏向磁石 4・・・放射光透過1l1 102・転写装置 100・・・電子蓄積リング 103 チャンバ 第 図 3・・・ビームライン 32・・・押えビス 4・・・tf1射光透過簿膿 30・・・取付枠33
・・・ビームライン取付ビス 31・・押え金具
Claims (2)
- (1)ビームライン取出し端部壁面に設けられた放射光
透過薄膜の周囲の一部又は全部を可視光透過部にしたこ
とを特徴とする放射光透過窓。 - (2)ビームライン取出し端部壁面に設けられた放射光
透過薄膜の周囲の一部又は全部を可視光透過部にすると
共に、この放射光透過薄膜及び可視光透過部に同時に或
いは各別にこれらの開閉を行なえるシャッタを夫々設け
たことを特徴とする放射光透過窓。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2149989A JPH0748080B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 放射光透過窓 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2149989A JPH0748080B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 放射光透過窓 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0444000A true JPH0444000A (ja) | 1992-02-13 |
JPH0748080B2 JPH0748080B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=15487034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2149989A Expired - Lifetime JPH0748080B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 放射光透過窓 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0748080B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58191533U (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-20 | 日本真空技術株式会社 | 光路を含む真空通路を遮断するためのゲ−ト弁 |
JPS62222634A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | X線露光方法 |
JPS6318626A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPH03262114A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Canon Inc | Sor―x線露光装置 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2149989A patent/JPH0748080B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58191533U (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-20 | 日本真空技術株式会社 | 光路を含む真空通路を遮断するためのゲ−ト弁 |
JPS62222634A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | X線露光方法 |
JPS6318626A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPH03262114A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Canon Inc | Sor―x線露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0748080B2 (ja) | 1995-05-24 |
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