JPH0441371B2 - - Google Patents

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JPH0441371B2
JPH0441371B2 JP59271850A JP27185084A JPH0441371B2 JP H0441371 B2 JPH0441371 B2 JP H0441371B2 JP 59271850 A JP59271850 A JP 59271850A JP 27185084 A JP27185084 A JP 27185084A JP H0441371 B2 JPH0441371 B2 JP H0441371B2
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resistor
output
base
transistor
emitter
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Chikara Tsucha
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関し、特に論理回路
における出力駆動回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and particularly to an output drive circuit in a logic circuit.

〔従来の技術および発明が解決しようとする問題
点〕 第4,5図に従来の出力駆動回路の例を示す。
第4図回路はトランジスタQ1およびQ2によつて
周知のダーリントン回路を構成している。この回
路は電源VCCからQ2ベースに供給される微小な駆
動電流I1によつて大なる出力電流I0のオン/オフ
を制御している。即ち、Q1,Q2の電流増幅率を
等しくβとするならばI1=I0/β2の関係にある。
この場合に、Q1のコレクタ出力がロー(L)レベル
のとき出力端子OUTの出力レベルVOLは次のよう
に表わせる。すなわち、 VOL=VBE(Q1)+VSAT(Q2) ……(1) ここでVBEはQ1のベース・エミツタ間電圧で約
0.7(V)、VSATはQ2の飽和電圧で約0.1(V)であ
る。式(1)から明らかなようにこの回路では少なく
ともVBEは存在するのでVOL>0.7(V)となり、例
えばTTL回路のロジツクを駆動するには、通常
VOLが0.4〜0.5(V)を必要とすることを考慮する
と、Lレベルが高すぎる問題がある。
[Prior art and problems to be solved by the invention] Examples of conventional output drive circuits are shown in FIGS. 4 and 5.
The circuit of FIG. 4 constitutes a well-known Darlington circuit by transistors Q 1 and Q 2 . This circuit controls on/off of a large output current I0 by a small drive current I1 supplied from the power supply VCC to the Q2 base. That is, if the current amplification factors of Q 1 and Q 2 are equal to β, the relationship is I 1 =I 02 .
In this case, when the collector output of Q1 is at low (L) level, the output level VOL of the output terminal OUT can be expressed as follows. In other words, V OL = V BE (Q 1 ) + V SAT (Q 2 )...(1) Here, V BE is the base-emitter voltage of Q 1 , which is approximately
0.7 (V), and V SAT is the saturation voltage of Q 2 which is approximately 0.1 (V). As is clear from equation (1), at least V BE exists in this circuit, so V OL > 0.7 (V). For example, to drive the logic of a TTL circuit,
Considering that V OL requires 0.4 to 0.5 (V), there is a problem that the L level is too high.

一方、第5図回路は第4図回路を改善したもの
で、この回路は出力レベルVOLが低くしかも出力
電流I0に対応した微小な駆動電流I1で制御する方
法として既に知られている。この回路の出力レベ
ルVOLは次の関係式で表わせる。すなわち、 VOL=R1+R2/R1VBE(Q1)+R2I0/β+VBE(Q2)−VBE
(Q3)−VBE(Q4)……(2) ここで、トランジスタQ1〜Q4のVBEがすべて略
等しいものを用いた場合には、式(2)は次のように
近似することが出来る。すなわち VOL=R2/R1VBE(Q1)+R2I0/β ……(3) ここで、第5図回路ではQ2のコレクタは出力
端子には接続されず電源VCC側に接続され、Q1
Q2を非飽和領域で動作させるようにしている。
この場合前述の如くQ1のベース電流がI0/β、
Q2のベース電流がI0/β2であれば充分であるが、
出力に接続された負荷の状態によつてはベース電
流がI0/β2以上に過大にQ2のベースに流れる場合
があり、この過大電流に対処するためにトランジ
スタQ3およびQ4が設けられ、余分な電流を逃し
ている。これは、VOLを例えばしきい値として0.3
(V)を設定したときに、0.3(V)よりも下がり
過ぎたときにはQ3,Q4がオン状態となり過大電
流分を逃してQ1のベース電流を少なくしてVOL
上昇させ、逆に上がり過ぎたときにはQ3,Q4
オフ状態となつてQ1のベース電流を流してVOL
下げるように、抵抗R1およびR2の比を適切に設
定することにより実現している。式(2)は上述の抵
抗R1,R2の値を選択することによつてい所望の
VOLが得られる関係式であり、式(3)はその近似式
である。
On the other hand, the circuit shown in Fig. 5 is an improvement of the circuit shown in Fig. 4, and this circuit has a low output level V OL and is already known as a method of controlling with a minute drive current I 1 corresponding to the output current I 0 . . The output level VOL of this circuit can be expressed by the following relational expression. That is, V OL = R 1 + R 2 / R 1 V BE (Q 1 ) + R 2 I 0 / β + V BE (Q 2 ) − V BE
(Q 3 )−V BE (Q 4 )……(2) Here, if transistors Q 1 to Q 4 have approximately the same V BE , equation (2) can be approximated as follows. You can. That is, V OL = R 2 / R 1 V BE (Q 1 ) + R 2 I 0 / β ... (3) Here, in the circuit shown in Figure 5, the collector of Q 2 is not connected to the output terminal but is connected to the power supply V CC side. connected to Q 1 ,
Q 2 is operated in the non-saturation region.
In this case, as mentioned above, the base current of Q 1 is I 0 /β,
It is sufficient if the base current of Q 2 is I 02 , but
Depending on the state of the load connected to the output, an excessive base current exceeding I 02 may flow to the base of Q 2 , and transistors Q 3 and Q 4 are provided to deal with this excessive current. and the excess current is being dissipated. This means that V OL is set to 0.3 as a threshold value, for example.
(V), if it drops too much below 0.3 (V), Q 3 and Q 4 turn on, allowing the excess current to flow away, reducing the base current of Q 1 and increasing V OL , causing the opposite effect. This is achieved by appropriately setting the ratio of resistors R 1 and R 2 so that when the voltage rises too much, Q 3 and Q 4 turn off, allowing the base current of Q 1 to flow and lowering V OL . . Equation (2) can be adjusted to the desired value by selecting the values of the resistors R 1 and R 2 mentioned above.
This is a relational expression from which V OL can be obtained, and Equation (3) is an approximate expression thereof.

しかしながら、式(3)の右辺第2項R2I0/βは出
力電流I0に依存して変化する難点がある。即に、
I0が微小電流の状態では第2項の無視でき、VOL
はR1,R2の比のみで設定できるが、I0が増大す
ればする程VOLを低く押えることが難しくなる。
また、R1,R2を小さくすればその分VOLは低くす
ることができ、I0は増大することができるが、逆
にI0が微小となつたとき、さらに出力が無負荷に
なつたときには第2項は無視できるがVBEQ1/R1
がQのエミツタ電流として残りこの電流は無効電
流としてスイツチング効率の低下を来している。
However, there is a drawback that the second term R 2 I 0 /β on the right side of equation (3) changes depending on the output current I 0 . Immediately,
When I 0 is a small current, the second term can be ignored and V OL
can be set only by the ratio of R 1 and R 2 , but the larger I 0 increases, the more difficult it becomes to keep V OL low.
Also, if R 1 and R 2 are made smaller, V OL can be lowered and I 0 can be increased, but conversely, when I 0 becomes small, the output becomes even more unloaded. In some cases, the second term can be ignored, but V BE Q 1 /R 1
remains as the emitter current of Q, and this current serves as a reactive current and causes a decrease in switching efficiency.

〔問題点を解決するための手段および作用〕[Means and actions for solving problems]

本発明は上述の問題点を解消した出力駆動回路
を提供することにあり、その手段は、論理回路に
おける出力駆動回路において、コレクタが電源
(Vcc)に接続され、ベースが第1の抵抗R1と定
電流源(I1)を介して該電源(Vcc)に接続され
る駆動トランジスタQ2と、該駆動トランジスタ
Q2のエミツタにベースが接続され、コレクタが
出力端子(OUT)に接続される出力トランジス
タQ1と、該定電流源(I1)と該第1の抵抗R1
共通接点と該出力端子(OUT)の間に接続され
る少なくとも1つのダイオードクランプトランジ
スタQ3,Q4と、該第1の抵抗R1にコレクタが接
続され、エミツタが第2の抵抗R2に接続され、
ベースが該駆動トランジスタQ2のベース及び該
第1の抵抗R1に共通接続されるダイオードクラ
ンプトランジスタQ5と、該駆動トランジスタQ2
のエミツタと該出力トランジスタQ1のベースと
の共通接点と接地間に接続される第3の抵抗R3
を具備し、該出力端子(OUT)におけるローレ
ベル出力(VOL)が該第1の抵抗R1該第2の抵抗
R2との比によつて設定されるようにしたことを
特徴とし、 さらに、本発明によれば、論理回路における出
方駆動回路において、コレクタが電源(Vcc)に
接続され、ベースが第1の抵抗R1と定電流源
(I1)の共通接点に接続される駆動トランジスタ
Q2と、該駆動トランジスタQ2のエミツタにベー
スが接続され、コレクタが出力端子(OUT)に
接続される出力トランジスタQ1と、該第1の抵
抗R1と該出力端子(OUT)の間にい接続される
ダイオードクランプトランジスタQ3と、該第1
の抵抗R1にコレクタが接続され、エミツタが第
2の抵抗R2に接続され、ベースが該駆動トラン
ジスシタQ2のベース及び該定電流源(I1)に共通
接続されるダイオードクランプトランジスタQ5
と、該駆動トランジスタQ2のエミツタと該出力
トランジスタQ1のベースとの共通接点と接地間
に接続される第3の抵抗R3を具備し、該出力端
子(OUT)におけるローレベル出力(VOL)が該
第1の抵抗R1と該第2の抵抗R2との比によつて
設定されるようにしたことを特徴とする。
An object of the present invention is to provide an output drive circuit that solves the above-mentioned problems, and its means include an output drive circuit in a logic circuit in which the collector is connected to a power supply ( Vcc ) and the base is connected to a first resistor R. 1 , a drive transistor Q 2 connected to the power supply (V cc ) via a constant current source (I 1 ), and the drive transistor
An output transistor Q 1 whose base is connected to the emitter of Q 2 and whose collector is connected to the output terminal ( OUT ), a common contact between the constant current source (I 1 ) and the first resistor R 1 , and the output terminal. at least one diode clamp transistor Q 3 , Q 4 connected between (OUT), a collector connected to the first resistor R 1 and an emitter connected to the second resistor R 2 ;
a diode clamp transistor Q 5 whose base is commonly connected to the base of the drive transistor Q 2 and the first resistor R 1 ; and the drive transistor Q 2
a third resistor R 3 connected between the common contact between the emitter of Q 1 and the base of the output transistor Q 1 and ground;
, and the low level output (V OL ) at the output terminal (OUT) is connected to the first resistor R 1 and the second resistor
Further, according to the present invention, in the output drive circuit in the logic circuit, the collector is connected to the power supply (V cc ), and the base is connected to the power supply (V cc ). A drive transistor connected to the common contact of the resistor R 1 of 1 and the constant current source (I 1 )
Q 2 , the output transistor Q 1 whose base is connected to the emitter of the drive transistor Q 2 and whose collector is connected to the output terminal (OUT), and the first resistor R 1 and the output terminal (OUT) . a diode clamp transistor Q 3 connected to the first
a diode clamp transistor Q whose collector is connected to a second resistor R 1 , whose emitter is connected to a second resistor R 2 , and whose base is commonly connected to the base of the drive transistor Q 2 and to the constant current source (I 1 ); Five
and a third resistor R 3 connected between a common contact between the emitter of the drive transistor Q 2 and the base of the output transistor Q 1 and ground, and a low level output (V OL ) is set by the ratio of the first resistor R 1 and the second resistor R 2 .

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明に係る出力駆動回路の一実施例
の回路図である。第1図において、出力トランジ
スタQ1のベースには駆動トランジスタQ2のエミ
ツタが直結され、Q2のベースにはトランジスタ
Q5のベースと第1の抵抗R1が接続され、Q5のエ
ミツタは第2の抵抗R2を介して接地される。一
方、電源VCCとQ1のコレクタ即ち出力端子OUT
の間に定量流源I1を介してトランジスタQ3,Q4
が接続される。Q3およびQ4のベース・コレクタ
間は短絡されてダイオードとして機能するように
ダイオードクランプトランジスタの形態を用いて
いる。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of an output drive circuit according to the present invention. In Figure 1, the base of output transistor Q1 is directly connected to the emitter of drive transistor Q2 , and the base of Q2 is connected directly to the emitter of drive transistor Q2.
The base of Q5 is connected to the first resistor R1 , and the emitter of Q5 is grounded via the second resistor R2 . On the other hand, the collector of the power supply V CC and Q 1 , that is, the output terminal OUT
Transistors Q 3 , Q 4 through a fixed current source I 1 between
is connected. The bases and collectors of Q 3 and Q 4 are short-circuited to function as diodes, so a diode clamp transistor configuration is used.

このような構成において、出力端子のLレベル
VOLは次式で表わせる。すなわち、 VOL=VBE(Q1)+VBE(Q2)−VBE(Q3)−VBE(Q4)+R
1/R2{VBE(Q1)+VBE(Q2)−VBE(Q5)}……(4) ここで、前述の如く、Q1〜Q5のVBEがすべて略
等しいものを用いた場合いには式(4)は次のように
近似すすることができる。すなわち、 VOL=R1/R2VBE(Q1) ……(5) ここで、第1図回路ではQ3,Q4が駆動電流I1
の過大な分を吸収するように動作し、例えばVOL
が0.3(V)に設定したときに、しきい値0.3(V)
よりも下がり過ぎたときはQ3,Q4がオン状態と
なりI1の過大電流分を逃してやり、Q2,Q1のベ
ース電流を少なくしてやつてVOLを上昇させるこ
とができる。また、逆の場合即ち、VOLが上がり
過ぎたときにはQ3,Q4がオフ状態となりQ2,Q1
のベース電流を流してVOLを下げてやることがで
きる。
In such a configuration, the L level of the output terminal
V OL can be expressed by the following formula. That is, V OL = V BE (Q 1 ) + V BE (Q 2 ) – V BE (Q 3 ) – V BE (Q 4 ) + R
1 /R 2 {V BE (Q 1 ) + V BE (Q 2 ) − V BE (Q 5 )}...(4) Here, as mentioned above, V BE of Q 1 to Q 5 are all approximately equal. In this case, equation (4) can be approximated as follows. That is, V OL = R 1 / R 2 V BE (Q 1 ) ...(5) Here, in the circuit shown in Figure 1, Q 3 and Q 4 are the drive current I 1
For example, V OL
is set to 0.3 (V), the threshold value is 0.3 (V)
When the voltage drops too much, Q 3 and Q 4 turn on, allowing the excess current of I 1 to escape, and by reducing the base current of Q 2 and Q 1 , it is possible to increase V OL . In the opposite case, that is, when V OL rises too much, Q 3 and Q 4 are turned off, and Q 2 and Q 1
It is possible to lower V OL by passing a base current of .

式(5)から明らかなように、出力トランジスタ
Q1を飽和させないための第1および第2の抵抗
R1,R2の比を適切に選択すればよく、前述の第
5図回路に示されるQ2のエミツタ抵抗R2が除去
され従つて式(3)の第2項が無くなり、Q1のベー
スとQ2のエミツタを直結することによりQ1のベ
ース電流I0/βがQ2によりバツフアされるため
Q1のベース電流による影響がほとんど無視でき
る。
As is clear from equation (5), the output transistor
First and second resistors to avoid saturating Q1
It is only necessary to appropriately select the ratio of R 1 and R 2 , and the emitter resistance R 2 of Q 2 shown in the circuit shown in FIG . By directly connecting the base and the emitter of Q 2 , the base current I 0 /β of Q 1 is buffered by Q 2 .
The influence of the base current of Q 1 can be almost ignored.

第2図及び第3図は本発明に係る出力駆動回路
の他の実施例回路である。第2図回路ではQ2
ベースを定電流源I1と抵抗R1との共通接点に接続
し、R1とQ5とコレクタとの共通接点と出力端子
との間にトランジスタQ3が設けられる。
FIGS. 2 and 3 show other embodiments of the output drive circuit according to the present invention. In the circuit shown in Figure 2, the base of Q 2 is connected to the common contact between constant current source I 1 and resistor R 1 , and transistor Q 3 is installed between the common contact between R 1 , Q 5 , and the collector and the output terminal. It will be done.

また第3図は抵抗R2に代えてシツトキ・バリ
ヤダイオードD1を用いた例である。
Furthermore, FIG. 3 shows an example in which a Schittke barrier diode D1 is used in place of the resistor R2 .

第2図と第1図では、出力用且つ駆動用のQ1
Q2,Q5のトランジスタ及びレベルシフト用抵抗
R2,R3の構成は同一である。クランプ用のレベ
ルシフト用抵抗R1によつて発生する電圧第1図
ではQ5のベース点電圧に加算するが第2図では
Q5のベース点電圧から減算する回路とし、R1
Q3のエミツタとの接続点電圧を第1図における
R1とQ3ベース、コレクタとの接続点電圧よりも、
Q3のベース、エミツタ間電圧分下げている。そ
の結果、第1図に入つていたQ3を第2図では省
かれる。
In Figure 2 and Figure 1, Q 1 for output and drive,
Q 2 and Q 5 transistors and level shift resistors
The configurations of R 2 and R 3 are the same. The voltage generated by the level shift resistor R1 for clamping is added to the base point voltage of Q5 in Figure 1, but in Figure 2 it is added to the base point voltage of Q5 .
The circuit is to subtract from the base point voltage of Q5 , and R1 and
The voltage at the connection point with the emitter of Q 3 is shown in Figure 1.
R 1 and Q 3 base, than the connection point voltage with collector,
The voltage between the base and emitter of Q3 is lowered. As a result, Q 3 , which was included in Figure 1, is omitted from Figure 2.

第2図でのVOLは(4)式と同様に次式で表わせ
る。
V OL in FIG. 2 can be expressed by the following equation, similar to equation (4).

すわわち、 VOL=VBE(Q1)+VBE(Q2)−VBE(Q3)−R1/R2{VBE
(Q1)+VBE(Q2)−VBE(Q5)}……(6) ここで、前述の如く、Q1〜Q5のVBEがすべて略
等しいものを用いた場合には上式(6)は次のように
近似すすることができる。すなわち、 VOL=(1−R1/R2)VBE(Q1) ……(7) となる。上式(7)から明らかなように、式(5)と同様
に、出力トランジスタQ1を飽和させないように
第1および第2のレベルシフト用抵抗R1,R2
比を適切に選択することによりVOLを自由に設定
することができる。
So, V OL = V BE (Q 1 ) + V BE (Q 2 ) − V BE (Q 3 ) − R 1 /R 2 {V BE
(Q 1 ) + V BE (Q 2 ) − V BE (Q 5 )}...(6) Here, as mentioned above, if the V BE of Q 1 to Q 5 are all approximately equal, then the above Equation (6) can be approximated as follows. That is, VOL =(1- R1 / R2 ) VBE ( Q1 )...(7). As is clear from the above equation (7), similarly to equation (5), the ratio of the first and second level shift resistors R 1 and R 2 is appropriately selected so as not to saturate the output transistor Q 1 . This allows the VOL to be set freely.

また第2図におけるQ3が駆動電流I1の過大な分
を吸収するように動作するのは第1図と同じであ
る。
Also, as in FIG. 1, Q3 in FIG. 2 operates to absorb an excessive amount of the drive current I1 .

第3図は、第2図におけるレベルシフト用抵抗
R1に代えて、シヨツトキ・バリヤダイオードD1
を用いた例である。従つて第2図におけるR1
かかる電圧を第3図のD1にかかる電圧VSBに置き
変えることにより式(6)の第4項をVSBに代えて VOL=VBE(Q1)+VBE(Q2)−VBE(O3)−VSB
……(8) となる。
Figure 3 shows the level shift resistor in Figure 2.
In place of R 1 , short barrier diode D 1
This is an example using . Therefore , by replacing the voltage applied to R 1 in FIG. 2 with the voltage applied to D 1 in FIG . ) + V BE (Q 2 ) − V BE (O 3 ) − V SB
...(8) becomes.

ここで前述の式(6)の如く、Q1〜Q3VBEがすべて
略等しいものを用いた場合には、式(8)は次のよう
に近似することができる。すなわち、 VOL=VBE(Q1)−VSB ……(9) また、第3図におけるQ3が駆動電流I1の過大な
分を吸収するように動作するのは第1図、第2図
と同じてある。
Here, if Q 1 to Q 3 V BE are all substantially equal as in the above-mentioned equation (6), equation (8) can be approximated as follows. That is, V OL = V BE (Q 1 ) − V SB ……(9) Also, the reason why Q 3 in FIG. 3 operates to absorb an excessive amount of the drive current I 1 is as shown in FIG. It is the same as Figure 2.

ここで、VOLの設計値としては、ロジツクICで
標準に使用されるTTLでは、通常略0.3Vで、設
計されている。従つて、トランジスタのVBEは略
0.7Vであり、シヨツトキ・バリヤダイオードの
VSBは略0.4Vであるので、式(5)においてはR1/R2
=3/7に、式(7)においてはR1/R2=4/7に
選択すれば式(5)、式(7)および式(9)から計算される
VOLは共に0.3Vにすることができる。
Here, the design value of V OL is usually approximately 0.3V in TTL, which is used as a standard in logic ICs. Therefore, V BE of the transistor is approximately
0.7V, which is the voltage of the Schottky barrier diode.
Since V SB is approximately 0.4V, in equation (5), R 1 /R 2
= 3/7, and in equation (7), if R 1 /R 2 = 4/7, it will be calculated from equation (5), equation (7), and equation (9).
Both V and OL can be 0.3V.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、負荷により出力電流の変動に
対して出力のローレベルの変動が少なく、駆動電
流を少なくすることが可能な出力駆動回路を提供
することができる。
According to the present invention, it is possible to provide an output drive circuit that has less variation in the low level of the output with respect to variation in the output current due to the load and can reduce the drive current.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係る出力駆動回路の一実施例
回路図、第2図、第3図は本発明に係る出力駆動
回路の他の実施例回路図、および第4図,第5図
は従来の出力駆動回路である。 (符号の説明)、Q1……出力トランジスタ、
Q2……駆動トランジスタ、Q3〜Q5……クランプ
トランジスタ、R1〜R3……抵抗。
FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the output drive circuit according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are circuit diagrams of other embodiments of the output drive circuit according to the present invention, and FIGS. 4 and 5 are circuit diagrams of other embodiments of the output drive circuit according to the present invention. This is a conventional output drive circuit. (Explanation of symbols), Q1...output transistor,
Q 2 ... Drive transistor, Q 3 to Q 5 ... Clamp transistor, R 1 to R 3 ... Resistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 コレクタが電源(Vcc)に接続され、ベース
が第1の抵抗R1と定電流源(I1)を介して該電源
(Vcc)に接続される駆動トランジスタQ2と、 該駆動トランジスタQ2のエミツタにベースが
接続され、コレクタが出力端子(OUT)に接続
される出力トランジスタQ1と、 該定電流源(I1)と該第1の抵抗R1の共通接点
と該出力端子(OUT)の間に接続される少なく
とも1つのダイオードクランプトランジスタQ3
Q4と、 該第1の抵抗R1にコレクタが接続され、エミ
ツタが第2の抵抗R2に接続され、ベースが該駆
動トランジスタQ2のベース及び該第1の抵抗R1
に共通接続されるダイオードクランプトランジス
タQ5と、 該駆動トランジスタQ2のエミツタと該出力ト
ランジスタQ1のベースとの共通接点と接地間に
接続される第3の抵抗R3を具備し、 該出力端子(OUT)におけるローレベル出力
(VOL)が該第1の抵抗R1該第2の抵抗R2との比
によつて設定されるようにしたことを特徴とする
出力駆動回路。 2 コレクタが電源(Vcc)に接続され、ベース
が第1の抵抗R1と定電流源(I1)の共通接点に接
続される駆動トランジスタQ2と、 該駆動トランジスタQ2のエミツタにベースが
接続され、コレクタが出力端子(OUT)に接続
される出力トランジスタQ1と、 該第1の抵抗R1と該出力端子(OUT)の間に
接続されるダイオードクランプトランジスタQ3
と、 該第1の抵抗R1にコレクタが接続され、エミ
ツタが第2の抵抗R2に接続され、ベースが該駆
動トランジスタQ2のベース及び該定電流源(I1
に共通接続されるダイオードクランプトランジス
タQ5と、 該駆動トランジスタQ2のエミツタと該出力ト
ランジスタQ1のベースとの共通接点と接地間に
接続される第3の抵抗R3を具備し、 該出力端子(OUT)におけるローレベル出力
(VOL)が該第1の抵抗R1と該第2の抵抗R2との
比によつて設定されるようにしたことを特徴とす
る出力駆動回路。 3 該第1の抵抗R1がシヨツトキ・バリア・ダ
イオードである特許請求の範囲第2項に記載の出
力駆動回路。
[Claims] 1. A drive transistor Q whose collector is connected to a power supply (V cc ) and whose base is connected to the power supply (V cc ) via a first resistor R 1 and a constant current source (I 1 ). 2 , an output transistor Q1 whose base is connected to the emitter of the drive transistor Q2 and whose collector is connected to the output terminal ( OUT ), the constant current source ( I1 ) and the first resistor R1 . at least one diode clamp transistor Q 3 connected between the common contact and the output terminal (OUT),
Q4 , a collector connected to the first resistor R1 , an emitter connected to the second resistor R2 , and a base connected to the base of the drive transistor Q2 and the first resistor R1.
a third resistor R 3 connected between a common contact between the emitter of the drive transistor Q 2 and the base of the output transistor Q 1 and ground; An output drive circuit characterized in that a low level output (V OL ) at a terminal (OUT) is set by a ratio of the first resistor R1 to the second resistor R2 . 2 A drive transistor Q 2 whose collector is connected to the power supply (V cc ) and whose base is connected to the common contact of the first resistor R 1 and the constant current source (I 1 ), and a base connected to the emitter of the drive transistor Q 2 an output transistor Q1 whose collector is connected to the output terminal (OUT), and a diode clamp transistor Q3 connected between the first resistor R1 and the output terminal (OUT).
and a collector is connected to the first resistor R1 , an emitter is connected to the second resistor R2 , and a base is connected to the base of the drive transistor Q2 and the constant current source ( I1 ).
a third resistor R 3 connected between a common contact between the emitter of the drive transistor Q 2 and the base of the output transistor Q 1 and ground; An output drive circuit characterized in that a low level output (V OL ) at a terminal (OUT) is set by a ratio between the first resistor R 1 and the second resistor R 2 . 3. The output drive circuit according to claim 2, wherein the first resistor R 1 is a shotgun barrier diode.
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