JPH0440162Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0440162Y2 JPH0440162Y2 JP1984057747U JP5774784U JPH0440162Y2 JP H0440162 Y2 JPH0440162 Y2 JP H0440162Y2 JP 1984057747 U JP1984057747 U JP 1984057747U JP 5774784 U JP5774784 U JP 5774784U JP H0440162 Y2 JPH0440162 Y2 JP H0440162Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- half prism
- prism
- reflected
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(技術分野)
本考案はハーフプリズムの改良に関する。
(従来技術)
レーザビームを用いたレーザデイスクやコンパ
クトデイスク及びその他の光関連機器において
は、入射光と反射光を分離させる等の目的のため
にハーフミラーが用いられる。ハーフミラーは、
第1図に示すように2個の光学体、1,2がそれ
ぞれ1つの面(ハーフミラー面)で接合した6面
体構造となつているのが普通である。ハーフプリ
ズムの一面から入つた入射光はIiは、光学体1,
2の接合面で反射する光Irとそのまま透過する光
Itとに分離される。
クトデイスク及びその他の光関連機器において
は、入射光と反射光を分離させる等の目的のため
にハーフミラーが用いられる。ハーフミラーは、
第1図に示すように2個の光学体、1,2がそれ
ぞれ1つの面(ハーフミラー面)で接合した6面
体構造となつているのが普通である。ハーフプリ
ズムの一面から入つた入射光はIiは、光学体1,
2の接合面で反射する光Irとそのまま透過する光
Itとに分離される。
ここで、第2図のハーフプリズムを用いる光関
連機器における光学系の具体的な構成例について
述べる。通常、第2図のハーフプリズムの右方に
は、レーザダイオードをを配置し、第2図のハー
フプリズムの左方には、レーザダイオードから出
てハーフプリズムのハーフミラー面を通過した光
が対物レンズで集束されて照射される光デイスク
を配置する。又、第2図のハーフプリズムの下方
には、レーザダイオードから出てハーフプリズム
のハーフミラー面で反射しハーフプリズム外に出
た光が入射する第1の光検知器(レーザダイオー
ドの発光強度検出用)を配置し、第2図のハーフ
プリズムの上方には、光デイスクからの反射光
(Ii)でハーフプリズムのハーフミラー面で反射
しハーフプリズム外に出た光(Ir)が入射する第
2の光検知器を配置する。
連機器における光学系の具体的な構成例について
述べる。通常、第2図のハーフプリズムの右方に
は、レーザダイオードをを配置し、第2図のハー
フプリズムの左方には、レーザダイオードから出
てハーフプリズムのハーフミラー面を通過した光
が対物レンズで集束されて照射される光デイスク
を配置する。又、第2図のハーフプリズムの下方
には、レーザダイオードから出てハーフプリズム
のハーフミラー面で反射しハーフプリズム外に出
た光が入射する第1の光検知器(レーザダイオー
ドの発光強度検出用)を配置し、第2図のハーフ
プリズムの上方には、光デイスクからの反射光
(Ii)でハーフプリズムのハーフミラー面で反射
しハーフプリズム外に出た光(Ir)が入射する第
2の光検知器を配置する。
理想ハーフプリズムの場合、入射光Iiは反射光
Irと透過光Itに分離するだけである。しかしなが
ら、実際には反射光Itと反対向きに出射する光
(内部反射光)Iirも生じる。
Irと透過光Itに分離するだけである。しかしなが
ら、実際には反射光Itと反対向きに出射する光
(内部反射光)Iirも生じる。
前記第1の光検知器はレーザダイオードの発光
強度を制御するためにあるものであるから、レー
ザダイオードから出てハーフプリズムのハーフミ
ラー面で反射しハーフプリズム外に出た光のみが
入射すればよいのであるが、上記の如く内部反射
光が存在し、これも第1の光検知器に入射する。
第2図の左方からハーフプリズムに入射する光
(Ii)は、ピツト情報に応じて変動するものであ
り、これが大きくなると、レーザダイオードの発
光強度制御が良好になされず、機器が誤動作する
等の問題があつた。
強度を制御するためにあるものであるから、レー
ザダイオードから出てハーフプリズムのハーフミ
ラー面で反射しハーフプリズム外に出た光のみが
入射すればよいのであるが、上記の如く内部反射
光が存在し、これも第1の光検知器に入射する。
第2図の左方からハーフプリズムに入射する光
(Ii)は、ピツト情報に応じて変動するものであ
り、これが大きくなると、レーザダイオードの発
光強度制御が良好になされず、機器が誤動作する
等の問題があつた。
(考案の目的)
本考案はこのような点に鑑みてなされたもので
あつて、その目的は、内部反射光を減少させて機
器の誤動作等を生ぜしめないようにしたハーフプ
リズムを実現することにある。
あつて、その目的は、内部反射光を減少させて機
器の誤動作等を生ぜしめないようにしたハーフプ
リズムを実現することにある。
(考案の構成)
このような目的を達成する本考案は、光ビーム
を分離するハーフプリズムにおいて、入射及び反
射させる4つの平面のうち何れか一の面を光を散
乱させる構造としたことを特徴とするものであ
る。
を分離するハーフプリズムにおいて、入射及び反
射させる4つの平面のうち何れか一の面を光を散
乱させる構造としたことを特徴とするものであ
る。
(実施例)
以下、図面を参照して本考案の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
第2図は従来のハーフプリズムの光の入出力関
係を示す図である。ハーフミラー面B(接合面)
の透過率をTh、入出射面の反射率をRとする。
入射光Iiが入射面Aから入射すると、その面の反
射率のためプリズムの中に入り込む光の量は(1
−R)Iiに減少する。この光は、ハーフミラー面
Bに当たつて反射する。ハーフミラー面Bの透過
率はThであるから、該ハーフミラー面Bを反射
する光の量は(1−R)(1−Th)Iiとなる。こ
の光は、反射光の出射面Cに当たるとRだけ反射
して再びプリズム内を逆に進む。この逆に進む光
の量はR(1−R)(1−Th)Iiとなる。
係を示す図である。ハーフミラー面B(接合面)
の透過率をTh、入出射面の反射率をRとする。
入射光Iiが入射面Aから入射すると、その面の反
射率のためプリズムの中に入り込む光の量は(1
−R)Iiに減少する。この光は、ハーフミラー面
Bに当たつて反射する。ハーフミラー面Bの透過
率はThであるから、該ハーフミラー面Bを反射
する光の量は(1−R)(1−Th)Iiとなる。こ
の光は、反射光の出射面Cに当たるとRだけ反射
して再びプリズム内を逆に進む。この逆に進む光
の量はR(1−R)(1−Th)Iiとなる。
この光が再びハーフミラー面Bに当たると、透
過率Thの割合で透過する。この透過する光の量
はRTh(1−R)(1−Th)Iiとなる。この光が
出射面Dに当たると、反射率Rの反射を受けるか
ら、出射面Dから出る光は入射した光の(1−
R)倍となる。従つて、出射面Dから出射する光
量(内部反射光)Iirは次式で表わされる。
過率Thの割合で透過する。この透過する光の量
はRTh(1−R)(1−Th)Iiとなる。この光が
出射面Dに当たると、反射率Rの反射を受けるか
ら、出射面Dから出る光は入射した光の(1−
R)倍となる。従つて、出射面Dから出射する光
量(内部反射光)Iirは次式で表わされる。
Iir=KThR(1−Th)(1−R)Ii×(1−R
)=KThR(1−Th)(1−R)2Ii…(1) ここで、Kは定数である。この(1)式で示される
内部反射光が大きくなると、前述したように機器
の誤動作の原因となる。
)=KThR(1−Th)(1−R)2Ii…(1) ここで、Kは定数である。この(1)式で示される
内部反射光が大きくなると、前述したように機器
の誤動作の原因となる。
第3図は、本考案の一実施例を示す構成図であ
る。第2図に示す従来例と比較して異なつている
点は、1つの出射面Cが光が散乱する構造の散乱
面となつている点である。例えば出射面をスリガ
ラス状にすれば散乱面とすることができる。この
ように構成されたハーフミラーの動作を説明すれ
ば、以下の通りである。
る。第2図に示す従来例と比較して異なつている
点は、1つの出射面Cが光が散乱する構造の散乱
面となつている点である。例えば出射面をスリガ
ラス状にすれば散乱面とすることができる。この
ように構成されたハーフミラーの動作を説明すれ
ば、以下の通りである。
出射面Cのみ散乱面となつているので、A面か
ら入射した光がハーフミラー面Bで反射して出射
面Cに当たるまでは従来例と同じである。従つ
て、出射面Cに向かう光の量は(1−R)(1−
Th)Iiである。この光が出射面Cに当たると、
該出射面が散乱面になつているので、この面で反
射して逆に進む光Iir′は第2図に示す場合の光量
の(1/2)になる。従つて、最終的に出射面Dか
ら出射される内部反射光Iirは、次式で表わされ
る。
ら入射した光がハーフミラー面Bで反射して出射
面Cに当たるまでは従来例と同じである。従つ
て、出射面Cに向かう光の量は(1−R)(1−
Th)Iiである。この光が出射面Cに当たると、
該出射面が散乱面になつているので、この面で反
射して逆に進む光Iir′は第2図に示す場合の光量
の(1/2)になる。従つて、最終的に出射面Dか
ら出射される内部反射光Iirは、次式で表わされ
る。
Iir=
(1/2)KThR(1−Th)(1−R)2Ii …(2)
(1)式と(2)式を比較すると明らかなように、本考
案に係るハーフプリズムを用いた場合の内部反射
光Iirは従来装置のそれに比較して1/2になつてい
る。従つて、内部反射光の影響を抑制して、機器
が誤動作しないようにすることができる。又、(2)
式より透過率Th或は反射率Rを大きくしても、
ある程度内部反射光Iirの大きさを抑制すること
ができることがわかる。尚、1つの面を散乱面に
しても透過光It及び反射光Irの光量の減少はわず
かであるので、光の分離特性への影響はほとんど
ない。
案に係るハーフプリズムを用いた場合の内部反射
光Iirは従来装置のそれに比較して1/2になつてい
る。従つて、内部反射光の影響を抑制して、機器
が誤動作しないようにすることができる。又、(2)
式より透過率Th或は反射率Rを大きくしても、
ある程度内部反射光Iirの大きさを抑制すること
ができることがわかる。尚、1つの面を散乱面に
しても透過光It及び反射光Irの光量の減少はわず
かであるので、光の分離特性への影響はほとんど
ない。
上述の説明では、入射面をA面にとつたがこれ
に限る必要はなく、他の3つの面C,D,Eの何
れかを入射面とすることができる。この場合にお
いて、入射面をCにとつたときはA面を散乱面
に、入射面をDにとつたときはE面を散乱面に、
入射面をEにとつたときはD面を散乱面にする必
要がある。又、散乱面の構造もスリガラス状に限
る必要はなく、光を散乱する構造であればどのよ
うなものであつてもよい。
に限る必要はなく、他の3つの面C,D,Eの何
れかを入射面とすることができる。この場合にお
いて、入射面をCにとつたときはA面を散乱面
に、入射面をDにとつたときはE面を散乱面に、
入射面をEにとつたときはD面を散乱面にする必
要がある。又、散乱面の構造もスリガラス状に限
る必要はなく、光を散乱する構造であればどのよ
うなものであつてもよい。
(考案の効果)
以上詳細に説明したように、本考案によれば、
ハーフプリズムの入射及び反射させる4つの平面
の何れか一つを散乱面とすることにより、内部反
射光を減少させて機器の誤動作等を生ぜしめない
ようにすることができる。
ハーフプリズムの入射及び反射させる4つの平面
の何れか一つを散乱面とすることにより、内部反
射光を減少させて機器の誤動作等を生ぜしめない
ようにすることができる。
第1図は従来のハーフプリズムの構成例を示す
図、第2図は従来のハーフプリズムの光入力出力
関係を示す図、第3図は本考案の一実施例を示す
構成図である。 1,2……光学体、A,C,D,E……入出射
面、B……ハーフミラー面。
図、第2図は従来のハーフプリズムの光入力出力
関係を示す図、第3図は本考案の一実施例を示す
構成図である。 1,2……光学体、A,C,D,E……入出射
面、B……ハーフミラー面。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 光ビームを分離するハーフプリズムにおい
て、入射及び反射させる4つの平面のうち何れ
か一の面を光を散乱させる構造としたことを特
徴とするハーフプリズム。 (2) 前記光を散乱させる面をスリガラス状にした
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
項記載のハーフプリズム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5774784U JPS60169601U (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | ハ−フプリズム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5774784U JPS60169601U (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | ハ−フプリズム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60169601U JPS60169601U (ja) | 1985-11-11 |
JPH0440162Y2 true JPH0440162Y2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=30582568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5774784U Granted JPS60169601U (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | ハ−フプリズム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60169601U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE39859E1 (en) * | 1996-12-06 | 2007-09-25 | Seiko Epson Corporation | Dichroic prism, prism unit, and projection display apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS502016U (ja) * | 1973-05-02 | 1975-01-10 | ||
JPS58175149A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
-
1984
- 1984-04-18 JP JP5774784U patent/JPS60169601U/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS502016U (ja) * | 1973-05-02 | 1975-01-10 | ||
JPS58175149A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60169601U (ja) | 1985-11-11 |
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