JPH0438838A - Charge-coupled element - Google Patents

Charge-coupled element

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Publication number
JPH0438838A
JPH0438838A JP2144434A JP14443490A JPH0438838A JP H0438838 A JPH0438838 A JP H0438838A JP 2144434 A JP2144434 A JP 2144434A JP 14443490 A JP14443490 A JP 14443490A JP H0438838 A JPH0438838 A JP H0438838A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contact hole
transfer
phase
charge
transfer electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2144434A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hidekazu Nagai
長井 英一
Tetsuo Nishikawa
哲夫 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2144434A priority Critical patent/JPH0438838A/en
Publication of JPH0438838A publication Critical patent/JPH0438838A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To achieve high integration without increasing a chip area by extending a transfer electrode with a contact hole for making connection to a first-phase transfer clock wire to another in-phase transfer electrode without having the contact hole for forming in one piece. CONSTITUTION:Although transfer electrode pairs 1-1 and 1-2 of a first phase are connected to a transfer clock wire 5 by a contact hole 7. no contact hole is provided at in-phase transfer electrodes 2-1 and 2-2 and an opposite side from the contact hole 7 of the transfer electrode pairs 1-1 and 1-2 with the contact hole 7 is extended to the transfer electrodes 2-1 and 2-2 for achieving a one-piece and continuous formation. Also, second-phase transfer electrode pairs 3-1 and 3-2 and 4-1 and 4-2 are connected to a secondphase transfer clock wire 6 by the contact hole 7 each. Thus, since the contact hole is reduced by a pair of electrodes, the space is used to allow electrodes at a different potential to be arranged while maintaining a sufficient gap.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 一次元または二次元の電荷結合素子、特に電荷結合素子
の転送電極とクロック配線の接続構造に関し、 転送電極の設計仕様を緩和して、コンタクト不良および
電極間のショートを減少し、高集積化を図ること、さら
に、転送電極の引出し部の幅を大きくして電気抵抗を小
さくし、高速で電荷を転送することを可能とすることを
目的とし、半導体基板上に、絶縁膜を介して複数の転送
電極が配置されている電荷結合素子において、第1相の
転送クロック配線と接続するためのコンタクトホールを
有する転送電極が、コンタクトホールを有しない他の同
相の転送電極まで延在して一体的に形成されるように構
成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the connection structure between the transfer electrode and clock wiring of a one-dimensional or two-dimensional charge-coupled device, especially a charge-coupled device, the design specifications of the transfer electrode are relaxed to prevent contact failure and between the electrodes. The aim is to reduce short-circuits in semiconductor substrates and achieve high integration, and to increase the width of the lead-out portion of the transfer electrode to reduce electrical resistance and enable high-speed charge transfer. In a charge-coupled device in which a plurality of transfer electrodes are arranged above with an insulating film interposed therebetween, a transfer electrode having a contact hole for connecting to the first phase transfer clock wiring is connected to another same-phase transfer electrode that does not have a contact hole. The transfer electrode is configured to extend and be integrally formed with the transfer electrode.

また、この際、第2相の転送電極が、第1相の転送電極
のコンタクトホールを迂回して実質的に同じ輻で延びる
ように構成する。
Further, at this time, the second phase transfer electrode is configured to bypass the contact hole of the first phase transfer electrode and extend with substantially the same radius.

[産業上の利用分野] 本発明は、−次元または二次元の電荷結合素子、特に電
荷結合素子の転送電極とクロック配線の接続構造に関す
るものである。
[Industrial Field of Application] The present invention relates to a -dimensional or two-dimensional charge coupled device, and particularly to a connection structure between a transfer electrode of a charge coupled device and a clock wiring.

近年、ファクシミリ、複写機、家庭用カラービデオカメ
ラ等に用いる固体撮像装置には、解像度の向上が要求さ
れている。
In recent years, solid-state imaging devices used in facsimile machines, copying machines, home-use color video cameras, and the like are required to have improved resolution.

そのためには、所定の設計仕様または面積内で多画素化
する必要があるが、それに伴って、画素によって発生し
た電荷を転送する領域の集積度も向上させる必要がある
To achieve this, it is necessary to increase the number of pixels within a predetermined design specification or area, but it is also necessary to increase the degree of integration of the region for transferring the charges generated by the pixels.

〔従来の技術] 従来の固体撮像装置の電荷転送領域においては、複数の
電荷転送電極の各々に各相の転送りロック配線と接続す
るためのコンタクトホールを設けていた。
[Prior Art] In a charge transfer region of a conventional solid-state imaging device, each of a plurality of charge transfer electrodes is provided with a contact hole for connection to a transfer lock wiring of each phase.

第4図は、従来の固体撮像装置の電荷結合素子の平面図
である。
FIG. 4 is a plan view of a charge coupled device of a conventional solid-state imaging device.

この図において、1−1.1−2および2−1.2−2
は第1相の転送電極対、3−1.3−2、および4−1
.4−2は第2相の転送電極対、5は第1相の転送りロ
ック配線、6は第2相の転送りロック配線、7はコンタ
クトホール、8は電荷転送路である。
In this figure, 1-1.1-2 and 2-1.2-2
are the first phase transfer electrode pair, 3-1.3-2, and 4-1
.. 4-2 is a pair of transfer electrodes for the second phase, 5 is a first phase transfer lock wiring, 6 is a second phase transfer lock wiring, 7 is a contact hole, and 8 is a charge transfer path.

この装置においては、第1相の転送電極対1−1.1−
2および2−1.2−2は、それぞれ第1相の転送りロ
ック配線5とコンタクトホール7によって接続され、第
2相の転送電極対3−1.3−2、および4−1.4−
2は、コンタクトホール7によってそれぞれ第2相の転
送りロック配線6と接続されている。
In this device, the first phase transfer electrode pair 1-1.1-
2 and 2-1.2-2 are connected to the first phase transfer lock wiring 5 and contact hole 7, respectively, and the second phase transfer electrode pairs 3-1.3-2 and 4-1.4 −
2 are connected to the second phase transfer lock wiring 6 through contact holes 7, respectively.

第5図は、第4図のc−c’線における断面図、第6図
は、第4図のD−D’線における断面図で、従来の電荷
結合素子の断面内における電極の配置を示している。
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line c-c' in FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line D-D' in FIG. It shows.

第5図、第6図中の符号は、第4図において同符号を付
して説明したものと同じである。
The reference numerals in FIGS. 5 and 6 are the same as those described with the same reference numerals in FIG. 4.

これらの複数の転送電極1−1.1−2.2−1.2−
2に転送りロック配線5を通して第7図に示すような第
1相(Φ1)のクロック信号を、転送電極3−1.3−
2.4−1.4−2に転送りロック配線6を通して第2
相(Φ工)のクロック信号を印加すると、各電極下の内
部ポテンシャルが変化し、第4図の矢印で示した方向に
電荷が転送されてい(。
These plural transfer electrodes 1-1.1-2.2-1.2-
The clock signal of the first phase (Φ1) as shown in FIG. 7 is transferred to the transfer electrode 3-1.3- through the lock wiring 5.
Transfer to 2.4-1.4-2 and pass through the lock wiring 6 to the second
When a phase (Φ) clock signal is applied, the internal potential under each electrode changes, and charges are transferred in the direction shown by the arrow in Figure 4 (.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記の従来の電荷結合素子においては、転送電極と配線
のコンタクトホールが各電極に設けられており、転送領
域を微小化することが困難であった。
In the conventional charge-coupled device described above, contact holes for transfer electrodes and wiring are provided in each electrode, making it difficult to miniaturize the transfer region.

したがって、多画素化に伴う、撮像装置全体の高集積化
の障害となっており、転送電極間の距離を縮小すると電
極間ショートを招き、転送電極の引出し部の幅を縮小す
ると、この部分での電気抵抗が増大して転送りロックの
高速化に支障を来し、この部分で断線を生しるおそれも
あった。
Therefore, as the number of pixels increases, this becomes an impediment to the high integration of the entire imaging device.Reducing the distance between the transfer electrodes leads to short-circuits between the electrodes, and reducing the width of the lead-out portion of the transfer electrodes causes problems in this area. The electrical resistance increases, which impedes high-speed transfer and locking, and there is also the risk of wire breakage at this portion.

本発明は、これらの課題を解決することを目的とするも
のである。
The present invention aims to solve these problems.

;課題を解決するための手段] 本発明にかかる電荷結合素子においては、半導体基板上
に、絶縁膜を介して複数の転送電極が配置されている電
荷結合素子において、第1相の転送り口、り配線と接続
するためのコンタクトホールを有する転送電極が、コン
タクトホールを有しない他の同相の転送電極まで延在し
て一体的に形成されている構成を採用した。
;Means for Solving the Problems] In a charge coupled device according to the present invention, in a charge coupled device in which a plurality of transfer electrodes are arranged on a semiconductor substrate with an insulating film interposed therebetween, a first phase transfer port is provided. A configuration is adopted in which a transfer electrode having a contact hole for connection to a wiring line extends and is integrally formed with another transfer electrode of the same phase that does not have a contact hole.

また、この場合に、第2相の転送電極が、第1相の転送
電極のコンタクトホールを迂回して実質的に同じ幅で延
びる構成を採用した。
Furthermore, in this case, a configuration was adopted in which the second phase transfer electrode bypasses the contact hole of the first phase transfer electrode and extends with substantially the same width.

(作用] 本発明における電荷結合素子においては、第1相の転送
りロック配線と接続するためのコンタクトホールを有す
る転送電極が、コンタクトホールを有しない他の同相の
転送電極まで延在して一体的に形成されているため、全
体としてコンタクトホールの数を減少することができ、
設計仕様に余裕が生しる。
(Function) In the charge-coupled device of the present invention, the transfer electrode having a contact hole for connecting to the first phase transfer lock wiring extends to and is integrated with other same-phase transfer electrodes that do not have contact holes. The number of contact holes can be reduced as a whole.
This creates leeway in the design specifications.

また、この際、第2相の転送電極が、第1相の転送電極
のコンタクトホールを迂回して実質的に同じ幅で延びる
ため、この部分の電気抵抗が小さくなる。
Further, at this time, the second phase transfer electrode bypasses the contact hole of the first phase transfer electrode and extends with substantially the same width, so the electrical resistance of this portion becomes small.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、本発明の実施例の電荷結合素子の平面図であ
り、第2図は、第1図のA−A’線における断面図、第
3図は第1図のB−B”線における断面図である。
1 is a plan view of a charge-coupled device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA' in FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along line AA' in FIG. 1. FIG.

図中の符号は、第4図において同符号を付して説明した
ものと同様である。
The reference numerals in the figure are the same as those described using the same reference numerals in FIG.

この実施例においては、図面に示されているように、第
1相の転送電極対1−1.1−2は従来通りコンタクト
ホール7によって転送りロック配線5に接続されている
が、同相の転送電極2−1.2−2にはコンタクトホー
ルが設けられないで、コンタクトホール7を有する転送
電極対1−1.1−2のコンタクトホール7とは反対側
が転送電極2−1.2−2まで延在して一体的に連続し
て形成されている。
In this embodiment, as shown in the drawing, the first phase transfer electrode pair 1-1.1-2 is connected to the transfer lock wiring 5 through the contact hole 7 as before, but the in-phase transfer electrode pair 1-1. No contact hole is provided in the transfer electrode 2-1.2-2, and the side opposite to the contact hole 7 of the transfer electrode pair 1-1.1-2 having the contact hole 7 is the transfer electrode 2-1.2-. 2 and is integrally and continuously formed.

また、第2相の転送電極の電極対3−1.32および4
−1.4−2は従来の素子と同じく各別にコンタクトホ
ール7によって第2相の転送りロック配線6に接続され
ている。
In addition, electrode pairs 3-1.32 and 4 of the second phase transfer electrode
-1, 4-2 are individually connected to the second phase transfer lock wiring 6 through contact holes 7, as in the conventional element.

この実施例においては、コンタクトホールが1対の電極
分だけ少なくなっているため、そのスペースを用いて異
電位の電極を充分な間隔を保って配置することができる
In this embodiment, since the number of contact holes is reduced by one pair of electrodes, the space can be used to arrange electrodes of different potentials with sufficient spacing between them.

また、上記のようにスペースに余裕ができたため、第2
相の転送電極の引出し部の幅を、転送電極とほぼ等しく
広く形成することができる。
Also, as mentioned above, we had more space, so we decided to
The width of the lead-out portion of the phase transfer electrode can be made wide and approximately equal to the width of the transfer electrode.

上記の実施例においては、第1相の1電極おきにコンタ
クトホールを配置しているが、複数の電極ごとに配置し
てもよい。
In the above embodiment, contact holes are arranged at every other electrode of the first phase, but they may be arranged at every plurality of electrodes.

また、この実施例においては、第1相の転送電極のコン
タクトホールを省略することとして説明したが、第2相
に適用することもでき、第1相、第2相ともに適用する
こともできる。
Further, although this embodiment has been described as omitting the contact holes of the first phase transfer electrodes, it can also be applied to the second phase, or both the first phase and the second phase.

そしてまた、上記実施例においては、2相クロツクの場
合を説明したが、これに限らず、2相以外の多相クロッ
クの場合にも通用できる。
Further, in the above embodiment, the case of a two-phase clock was explained, but the present invention is not limited to this, and can also be applied to a case of a multi-phase clock other than two-phase.

(発明の効果〕 本発明においては、少なくとも1つの同位相の転送電極
を隔ててコンタクトホールを配置することになるから、
転送電極の設計仕様の緩和が可能となり、電極間のショ
ート等の従来の問題が減少し、チップ面積を大きくする
ことなく高集積化を図ることができる。
(Effects of the Invention) In the present invention, since contact holes are arranged across at least one transfer electrode of the same phase,
The design specifications of the transfer electrodes can be relaxed, conventional problems such as short circuits between electrodes can be reduced, and high integration can be achieved without increasing the chip area.

さらに、コンタクトホールを省略したために生しるスペ
ースを用いて電極の幅を従来よりも大きくできるため電
気抵抗が小さくなり、転送りロックの波形が歪むことが
なく伝送され、高速で電荷を転送することが可能となり
、転送電極の断線を皆無にすることができる。
Furthermore, the space created by omitting the contact hole can be used to make the electrode width wider than before, which reduces electrical resistance, allowing the transfer lock waveform to be transmitted without distortion and allowing charge to be transferred at high speed. This makes it possible to completely eliminate disconnection of the transfer electrodes.

そしてまた、コンタクトホールを大きくすることができ
るから、電気的なコンタクト不良が減少する。
Furthermore, since the contact hole can be made larger, electrical contact failures are reduced.

第4図に示した従来例において、コンタクトホールの横
方向の大きさをN、コンタクトホールとポリシリコン転
送電極間のマージンをA、ポリシリコン転送電極の幅を
W、ポリシリコン転送電極間の間隙をG、転送電極対の
数をMとすると、電荷転送方向の電荷結合素子の長さL
Aは、LA=M (N+2A+−20+W) となる。
In the conventional example shown in Fig. 4, the lateral size of the contact hole is N, the margin between the contact hole and the polysilicon transfer electrode is A, the width of the polysilicon transfer electrode is W, and the gap between the polysilicon transfer electrodes. is G, and the number of transfer electrode pairs is M, then the length L of the charge coupled device in the charge transfer direction is
For A, LA=M (N+2A+-20+W).

つぎに、同位相の転送電極を全て接続し、クロンク配線
とのコンタクトホールを1か所だけ設けた場合の電荷結
合素子の長さLllは、Ll=M (2G+2W)=2
M (C;+W)となる。
Next, the length Lll of the charge-coupled device when all the transfer electrodes of the same phase are connected and only one contact hole with the Cronk wiring is provided is Ll=M (2G+2W)=2
M (C; +W).

両者の差ΔLは、 ΔL=LA−Ll=M (N+2A−W)となり、通常
N+2A>Wであるから、Δしたけ電荷結合素子のチッ
プサイズを小さくすることが可能である。
The difference ΔL between the two is ΔL=LA−Ll=M (N+2A−W), and since normally N+2A>W, it is possible to reduce the chip size of the charge coupled device by as much as ΔL.

また、換言すると、チップサイズを大きくすることなく
、画素数と電荷転送素子の転送電極対の数を増やすこと
が可能となり、解像度を向上することができる。
In other words, it is possible to increase the number of pixels and the number of transfer electrode pairs of the charge transfer element without increasing the chip size, and the resolution can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例の電荷結合素子の平面図、第2
図は本発明の実施例のA−A’線における断面図、第3
図は本発明の実施例のB−B’線における断面図、第4
図は従来の電荷結合素子の平面図、第5図は従来の電荷
結合素子のC−C線における断面図、第6図は従来の電
荷結合素子のD−D’線における断面図、第7図は転送
りロック信号である。 図中、1−1.1−2.2−1.2−2.3−1.3−
2.4−1.4−2は転送電極対、5は第1相の転送り
ロック配線、6は第2相の転送りロック配線、7はコン
タクトホール、8は電荷転送路、である。
FIG. 1 is a plan view of a charge-coupled device according to an embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a sectional view taken along the line AA' of the embodiment of the present invention.
The figure is a sectional view taken along the line BB' of the embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the conventional charge-coupled device taken along line C-C, FIG. 6 is a cross-sectional view of the conventional charge-coupled device taken along line D-D', and FIG. The figure shows the transfer lock signal. In the figure, 1-1.1-2.2-1.2-2.3-1.3-
2.4-1.4-2 is a transfer electrode pair, 5 is a first phase transfer lock wiring, 6 is a second phase transfer lock wiring, 7 is a contact hole, and 8 is a charge transfer path.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)、半導体基板上に、絶縁膜を介して複数の転送電
極が配置されている電荷結合素子において、第1相の転
送クロック配線と接続するためのコンタクトホールを有
する転送電極が、コンタクトホールを有しない他の同相
の転送電極まで延在して一体的に形成されている構造を
具えることを特徴とする電荷結合素子。
(1) In a charge-coupled device in which a plurality of transfer electrodes are arranged on a semiconductor substrate with an insulating film interposed therebetween, a transfer electrode having a contact hole for connecting to a first phase transfer clock wiring has a contact hole. 1. A charge-coupled device comprising a structure that extends to and integrally forms other in-phase transfer electrodes that do not have a charge-coupled device.
(2)、請求項1において、第2相の転送電極が、第1
相の転送電極のコンタクトホールを迂回して実質的に同
じ幅で延びる構成を具えることを特徴とする電荷結合素
子。
(2) In claim 1, the second phase transfer electrode is the first phase transfer electrode.
A charge-coupled device characterized in that the charge-coupled device comprises a configuration in which the contact holes of the phase transfer electrodes are bypassed and extend with substantially the same width.
JP2144434A 1990-06-04 1990-06-04 Charge-coupled element Pending JPH0438838A (en)

Priority Applications (1)

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JP (1) JPH0438838A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6354358B1 (en) 1999-11-26 2002-03-12 Nomura Plating Co., Ltd. Continuous casting mold with tungsten alloy plating and method of producing the same
JP2010034236A (en) * 2008-07-28 2010-02-12 Panasonic Corp Solid-state image pickup device and method for fabricating the same

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