JPH04364778A - 赤外線検出装置 - Google Patents
赤外線検出装置Info
- Publication number
- JPH04364778A JPH04364778A JP3168926A JP16892691A JPH04364778A JP H04364778 A JPH04364778 A JP H04364778A JP 3168926 A JP3168926 A JP 3168926A JP 16892691 A JP16892691 A JP 16892691A JP H04364778 A JPH04364778 A JP H04364778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- outer cylinder
- dewar
- wiring board
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 33
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/061—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling the temperature of the apparatus or parts thereof, e.g. using cooling means or thermostats
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/44—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air
- H01L23/445—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air the fluid being a liquefied gas, e.g. in a cryogenic vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
外線を画像情報として検出する赤外線イメージ検出装置
に関し、特にその検出素子を搭載する冷却容器(以下デ
ュワという)の構造に関するものである。
する赤外線の検出素子はその接合バリアが低く、室温動
作は困難であり、温度外乱を除去するため極低温(約8
0Kの液体窒素温度)に冷却された状態で動作されなけ
ればならない。そのため赤外線を透過する窓を備え、検
出素子の極低温冷却が可能な特別な構造のデュワと呼ば
れる容器に素子本体を搭載して駆動するようにしている
。
報に示されたこの種の赤外線検出器における構成図であ
り、入射赤外線1を透過する窓材2を気密接合した外筒
3と、これにつながる一体化された内筒4で構成され、
内部が封止切りの真空に保持された空間13を有するデ
ュワと呼ばれる冷却容器を有し、該容器の内筒の先端部
4aに半導体赤外線検知素子10をフレーム状パッケー
ジ及びパッケージ底板で構成されるサブパッケージ11
を介して搭載し、その上部にコールドシールドと呼ばれ
る入射赤外線の迷光遮蔽壁12を設けており、上記検出
素子10からの電気信号はサブパッケージ11のターミ
ナルを経由して内筒4の側壁に沿った内部配線8を通し
て外筒部に設けられたガラスハーメチック6の端子5に
よりデュワ外部に取り出されるのが一般的であった。
赤外線透過窓2を通してデュワ内に入射した赤外線1は
半導体検出素子10の裏面側表面に結像し、ここで赤外
線の強弱に応じて電荷キャリアを生じ、この電荷は同一
素子内に集積化された電荷転送部(図示せず)で読み出
され、図示しないパッケージ配線,デュワ内部配線8,
外部端子5を通って外部信号処理回路(図示せず)で画
像情報として表示される。そしてこの検出器動作時には
デュワの冷却器挿入空間14にジュール・トムソン型や
クローズドサイクル型等の冷却器を挿入し、デュワ内筒
4の先端部4aを通して検出素子10が80Kレベルに
冷却される。
から、赤外線検出素子本体の画像信号はデュワ外に設け
られた信号処理回路で画像情報として処理されるが、こ
の場合デュワ内での配線長を可能なかぎり短くすること
が検出信号波形の劣化を防ぐために望ましい。また画像
情報の分解能を改善するために検出素子マトリクス画素
数を増大させた場合、信号取出配線数が増加し、内筒壁
面の配線密度ならびにデュワ外筒のハーメチック外部端
子数を増加することが必要となる。
は、内部配線8が内筒4壁面を経由して外筒3の下部に
設けられた端子5と接続されるため、デュワ内の配線が
長くなる。またデュワ内筒4,外筒3の直径が赤外線検
出器に係わる他の部品とのインターフェース上で制限さ
れているため、内部配線の高密度化及び外部端子の増加
には制約があった。
は以上のように構成されており、デュワの内部配線が長
く、また内部配線の高密度化及び外部端子数の増加に制
限があるという問題点があった。
ためになされたもので、配線長に起因する画像信号劣化
及び素子の高密度化による配線,端子増加の制限を一挙
に改善し、加えてデュワの製作及びデュワへの赤外線検
出素子の実装を容易にし、装置のコスト低下を図らんと
するものである。
出装置は、赤外線検出器近傍の冷却容器外筒に、赤外線
検出器の出力を容器外部に取り出す複数の出力端子を有
する信号取り出し部を設けたものである。
した複数の出力端子を有する信号取り出し部を経由して
冷却容器外に信号を取り出すようにしたから、冷却容器
内での配線を短くでき、検出素子からの信号の劣化を最
小に抑制することができ、また赤外線検出器からの信号
線の増加に対応した高密度配線を行うことができる。
する。図1はこの発明の一実施例による赤外線検出装置
を示し、図3と同一符号は同一または相当部分を示し、
熱伝導度の小さい、例えばチタン等の金属で製作された
デュワ内筒4の先端部4a(この部分は熱伝導度の大き
い材質が望ましい)の上にサブパッケージ11に格納さ
れた赤外線検出素子10が搭載され、デュワ外筒3をサ
ブパッケージ11近傍にて3a,3bに示されるように
上下に分割し、この間に円盤状のセラミック多層配線板
15を挿設し、サブパッケージ11と同一平面に位置さ
せた構造となっている。そしてこのセラミック多層配線
板15は複数の内部埋め込み配線層を有し、セラミック
多層配線板15のボンディングパッド15c,内部配線
15a,ロウ付けプラグイン形端子15bを経由し、サ
ブパッケージ11及びセラミック配線板15のボンディ
ングパッド15c間をワイヤボンディング19により接
続して検出素子10からの赤外線画像信号を最短配線距
離でデュワ外部に取り出すようにされている。
赤外線検出素子実装構造の詳細について説明する。図2
(a) に示すようにまず赤外線検出素子10及び赤外
線迷光防止用のコールドシールド12を搭載したサブパ
ッケージ11を、外部冷却装置を嵌合挿入できる冷却器
挿入空間14を有するデュワ内筒4の先端部4aの上に
、接着剤を用いて組み立てる。続いて図2(b) に示
すようにデュワ外筒部組立体として分割された外筒の金
属円筒3a,3bの中間にワイヤボンディング配線用パ
ッド15c,埋め込み形内部配線層15a,及び信号取
出用のプラグイン形端子15bを複数備えたセラミック
多層配線板15を、同配線板の両面の図示しないメタラ
イズリング部を介在してロウ材17を用いて固着して外
筒部組立体を製作する。
3bにはセラミック配線板15との熱膨張のマッチング
を考慮してコバール等のCo−Fe−Ni合金が用いら
れており、一方、セラミック配線板15には、内部配線
15a,ボンディングパッド15cのためのタングステ
ン等の耐熱金属のメタライズが可能なアルミナ磁器で製
作されている。またプラグイン形端子15bには、外筒
3a,3bと同様のCo−Fe−Ni合金が用いられ、
上記外筒3a,3bと上記セラミック配線板15とのロ
ウ材17としては真空気密に対する信頼性の高いAg−
Cu共晶ロウ材が有効である。
した内筒部及び外筒部組立体を、図3(c) に示すよ
うに18に示す部分(溶接部)で溶接し、内筒部と外筒
部とを接合する。続いてサブパッケージ11のボンディ
ングパッド11aとセラミック配線板15のボンディン
グパッド15c間をワイヤボンディング19で接続する
。
気密接合した図2(d) の組立体を図2(c) の組
立体と嵌合し、図1の20に示す部分20(溶接部)で
溶接して接合しデュワ内を真空排気して真空空間13と
し赤外線検出装置が完成される。
ヤボンディング配線用パッド15c,埋め込み形内部配
線層15a,及び信号取出用のプラグイン形端子15b
を備えたセラミック配線板15を、赤外線検出素子10
を搭載したサブパッケージ11と同一平面となるように
、デュワの外筒部3に設け、サブパッケージ11のボン
ディングパッド11aとセラミック配線板15のボンデ
ィングパッド15c間をワイヤボンディング19で接続
するようにしたから、容器内配線長を最短とすることが
でき、検出素子からの信号の劣化を最小とすることがで
きる。
出用のプラグイン形端子15bを有するため、検出素子
マトリクスの画素数が増加しても、これに対応すること
ができ、近い将来開発される高解像度赤外線画像素子を
搭載することも可能である。
パッド11aとセラミック配線板15のボンディングパ
ッド15c間が平面的かつ近接したものとなっているた
め、これらのパッド間を半導体製造工程で用いるワイヤ
ボンディングを採用することで容易に接続することがで
き、配線コストの低減及び工程の自動化を図ることがで
きる。
検出装置によれば、赤外線検出器近傍に配置した複数の
出力端子を有する信号取り出し部を経由して冷却容器外
に信号を取り出すようにしたから、冷却容器内での配線
が短くなり、検出素子からの信号の劣化を最小に抑制す
ることができ、また赤外線検出器からの信号線増加に対
応した高密度配線を行うことができ、さらに容器内の配
線接続に半導体製造工程で普通に使用されているワイヤ
ボンディングを採用することができ、配線コストの低減
及び自動化を図ることができるという効果がある。
略構成図。
分構成図。
Claims (4)
- 【請求項1】 冷却装置により極低温に冷却されて駆
動する赤外線検出器を搭載する冷却容器を備えた赤外線
検出装置において、内筒及び外筒から構成され、その内
部が真空に保持される冷却容器と、該冷却容器に収容さ
れ内筒の所定部位に配置された赤外線検出器と、該赤外
線検出器近傍の上記冷却容器を構成する外筒に、前記赤
外線検出器の出力を容器外部に取り出す複数の出力端子
を有する信号取り出し部とを備えたことを特徴とする赤
外線検出装置。 - 【請求項2】 上記信号取り出し部は、上記冷却容器
内部に収容された赤外線検出器と略同一平面上に位置す
るように上記冷却容器の外筒に配置され、かつ複数の出
力端子が多層化されたセラミック配線板であることを特
徴とする請求項1記載の赤外線検出装置。 - 【請求項3】 上記赤外線検出器と信号取り出し部の
出力端子とがワイヤボンディングにより電気的に接続さ
れていることを特徴とする請求項1記載の赤外線検出装
置。 - 【請求項4】 請求項2記載の赤外線検出装置におい
て、上記セラミック配線板と冷却容器の外筒とは、前記
セラミック配線板周囲に形成されたメタライズ層を介し
てロウ材により接合されて気密保持構造となっているこ
とを特徴とする赤外線検出装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16892691A JP3075777B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 赤外線検出装置 |
DE69212397T DE69212397T2 (de) | 1991-06-11 | 1992-04-10 | Infrarotdetektor mit einer Kühlvorrichtung |
EP19920106223 EP0518026B1 (en) | 1991-06-11 | 1992-04-10 | Infrared radiation detector including a cooling device |
US07/868,836 US5296710A (en) | 1991-06-11 | 1992-04-15 | Infrared radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16892691A JP3075777B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 赤外線検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04364778A true JPH04364778A (ja) | 1992-12-17 |
JP3075777B2 JP3075777B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=15877112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16892691A Expired - Fee Related JP3075777B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 赤外線検出装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5296710A (ja) |
EP (1) | EP0518026B1 (ja) |
JP (1) | JP3075777B2 (ja) |
DE (1) | DE69212397T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4244480A1 (de) * | 1992-12-30 | 1994-07-07 | Bodenseewerk Geraetetech | Sensoranordnung mit gekühltem Sensor |
US5587736A (en) * | 1993-02-16 | 1996-12-24 | Envision Medical Corporation | Sterilizable CCD video camera |
US6107630A (en) * | 1995-12-07 | 2000-08-22 | Diasense, Inc. | Array combining many photoconductive detectors in a compact package |
US6979119B2 (en) * | 2003-04-30 | 2005-12-27 | Raytheon Company | Sensor system and method for sensing in an elevated-temperature environment, with protection against external heating |
FR2856522B1 (fr) * | 2003-06-20 | 2005-08-19 | Sagem | Photodetecteur refroidi |
US9606016B2 (en) * | 2012-12-31 | 2017-03-28 | Flir Systems, Inc. | Devices and methods for determining vacuum pressure levels |
US10677656B2 (en) | 2012-12-31 | 2020-06-09 | Flir Systems, Inc. | Devices and methods for infrared reference pixels |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1209844B (it) * | 1981-02-09 | 1989-08-30 | Selenia Ind Elettroniche | Dispositivo per rivelazione dell'infrarosso a molti elementi ad elevata densita' di passanti a bassa per dita termica |
JPS5833859A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用パツケ−ジ |
US4912548A (en) * | 1987-01-28 | 1990-03-27 | National Semiconductor Corporation | Use of a heat pipe integrated with the IC package for improving thermal performance |
FR2638023B1 (fr) * | 1988-10-13 | 1992-07-31 | Telecommunications Sa | Dispositif cryostatique pour detecteur de rayonnements |
JP2629942B2 (ja) * | 1989-02-15 | 1997-07-16 | 三菱電機株式会社 | 赤外線イメージセンサ装置 |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP16892691A patent/JP3075777B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-10 DE DE69212397T patent/DE69212397T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-10 EP EP19920106223 patent/EP0518026B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-15 US US07/868,836 patent/US5296710A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0518026B1 (en) | 1996-07-24 |
US5296710A (en) | 1994-03-22 |
EP0518026A1 (en) | 1992-12-16 |
DE69212397T2 (de) | 1997-02-20 |
JP3075777B2 (ja) | 2000-08-14 |
DE69212397D1 (de) | 1996-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1333502B1 (en) | Surface-mount package for an optical sensing device | |
US5223741A (en) | Package for an integrated circuit structure | |
US20190068847A1 (en) | Optical sensor and imaging apparatus | |
US4044374A (en) | Semiconductor device header suitable for vacuum tube applications | |
US5260575A (en) | Infrared detector | |
JPH04364778A (ja) | 赤外線検出装置 | |
JP2010021219A (ja) | パッケージングデバイス装置およびパッケージ用ベース部材 | |
US11994440B2 (en) | High temperature protected wire bonded sensors | |
EP0570816B1 (en) | Infrared detector | |
JP2003139616A (ja) | 赤外線検出器及びその製造方法 | |
US11798895B2 (en) | Quantum device including shield part and method of manufacturing the same | |
JP2827631B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
USRE35333E (en) | Infrared detector | |
JPH0523066U (ja) | 赤外線検出器用デユワ | |
JPH08250651A (ja) | 半導体パッケージ | |
JPH07218335A (ja) | 赤外線検出器 | |
JP3422193B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
JPS58110069A (ja) | 集積回路に電気的接続を与える装置及び方法 | |
KR100305673B1 (ko) | 적외선 검출기 및 그 제조방법 | |
JPS60207023A (ja) | ジユワー装置 | |
JPH05157621A (ja) | 赤外線撮像装置 | |
JP2629942B2 (ja) | 赤外線イメージセンサ装置 | |
JP2513781B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3102404B2 (ja) | 赤外線検知器 | |
JPH11103038A (ja) | 撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080609 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080609 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090609 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |