JPH04363645A - 分光分析装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】［発明の目的］

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は、試料の光吸収率を測定
することにより試料中の特定元素の定量分析を行う赤外
分光分析装置等の分光分析装置に関する。

【０００３】

【従来の技術】従来、この種の分光分析装置として、例
えば赤外分光分析装置が半導体分野等で用いられている
。すなわち、半導体ウェーハ中の添加元素または不純物
元素の定量を行う場合等に使用されている。この装置に
おける赤外分光分析の原理は、ウェーハ等の板形状の試
料に赤外光を照射し、その透過光を検出して試料中の特
定元素に固有の吸収ピークの吸光度αを測定し、この元
素の濃度量ｃ（ｃ＝α／（ｋ・ｄ）、ただし、ｋは吸光
係数，ｄは試料の厚さを示す）を算出するものである。 しかし、入射光の一部は試料表面で反射し、試料内部で
多重反射を繰り返してから後に試料から出射するため、
高精度で分光分析を行うことは難しい。例えば、半導体
ウェーハの測定を行う場合には、理論的に完全平滑面ウ
ェーハでの多重反射の影響を考慮して測定値を補正した
上に、実際のウェーハの裏面が粗研摩面であるために生
じる理論式からの偏差を半経験的に補正した算出式を用
いて測定値を補正しているのが現状である。

【０００４】しかしながら、実際のウェーハの粗研摩の
状態はウェーハメーカにより、異なる上に、ユーザによ
る洗浄，エッチング処理によりウェーハ面の状態はプロ
セス中でも変化してしまう、従って、ウェーハの正確な
定量分析を行うためには、メーカ毎，処理工程毎に上記
算出式を検討する必要があった。そのため手間がかかり
、またこのような経験的な補正により高精度な分析を行
うことは難しかった。このような光の多重反射による定
量値の誤差を根本的に解決する方法として、図５に示す
ように、ウェーハ１００に対する反射面（この場合には
反射面はウェーハ１００から反射する光の光路を含む平
面を示し、図５においては紙面を示す）に平行な偏光状
態（Ｐ偏光）の赤外光を、ウェーハ１００に対して外反
射ブリュースター角θＢ　で入射することにより、ウェ
ーハ１００表面での反射率をほとんど０％とする方法が
知られている。このときウェーハ１００内の入射光とウ
ェーハ１００の光出射面とが成す角θＰ　は内反射ブリ
ュースター角である。例えばＳｉ　から成るウェーハの
場合には、Ｓｉ　に対する光の入射角θと反射率ｒとの
関係は図６に示すようになるので、同図における外反射
ブリュースター角θＢ　の入射角でＰ偏光の光をウェー
ハに入射させることにより、ウェーハにおける多重反射
がほとんど防止され、高精度な分光分析を行うことが可
能になる。

【０００５】しかし、一般に汎用されているＳｉやＧａ
Ａｓ等から成る半導体ウェーハの外反射ブリュースター
角θＢ　は７０〜８０°であるため、このような大きな
入射角で赤外光をウェーハに入射させると、図５に示す
ように、ウェーハ１００に対する赤外光の入射面積が大
きくなり、ウェーハ１００の面内の元素分布測定におけ
る面分解能が非常に低下する。またこの方法では、小さ
な試料の場合には赤外光を試料表面からはみ出さないよ
うに試料に入射させることが難しくなるので、測定が非
常に困難になる。例えば、図５においてウェーハ１００
に入射する前の光の幅をＷ，ウェーハ１００表面におけ
る入射光の幅をＷ′とすると、ウェーハ１００に対する
光の入射面積はウェーハ１００に垂直に光を入射させる
場合に比べてＷ′／Ｗ＝１／ｃｏｓ　θＢ　＝３倍以上
となり、ウェーハ１００に対する面分解能が大幅に低下
する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
技術の場合は、測定上の面分解能を低下させることなく
、簡単に高精度で試料の分光分析を行うことが難しいと
いう問題があった。

【０００７】本発明はこのような従来技術の課題を解決
するためになされたもので、その目的とするところは、
測定上の面分解能を低下させることなく、簡単に、高精
度で試料の分光分析を行うことができる分光分析装置を
提供することにある。

【０００８】［発明の構成］

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明にあっては、板形状の試料に光を照射し、そ
の透過光を検出して該試料の光吸収率を測定する分光分
析装置において、試料と同じ屈折率を有する材質から成
り、かつ該試料の内反射ブリュースター角と等しい頂角
を有するプリズムが該試料の光入射面側に設けられ、試
料に対する反射面に平行な偏光状態の光が前記プリズム
を透過した後に試料に入射するようにされたことを特徴
とする。

【００１０】上記装置において、光を偏光状態にするた
めの手段としては、例えば試料に照射される光の光路中
に偏光素子を設けてもよいし、上記プリズムの光入射面
にワイヤグリッド方式の偏光素子をプリズムと一体的に
設けてもよい。

【００１１】

【作用】上記構成を有する本発明の分光分析装置におい
ては、上記プリズムの光出射面の法線方向とプリズムへ
の入射光とが成す角がプリズムの内反射ブリュースター
角と等しくなるように、光をプリズムの光入射面に垂直
に入射させることができる。このとき、光はプリズム内
でほとんど反射することなくプリズムから出射する。そ
して、試料の光入射面とプリズムの光出射面との間に間
隙が設けられる場合には、試料の光入射面とプリズムの
光出射面とを平行に配置することにより、プリズムから
外反射ブリュースター角で出射した光を外反射ブリュー
スター角で試料に入射させることができる。すなわち、
この場合には、Ｐ偏光の光が試料に対して外反射ブリュ
ースター角で入射，出射するので、光が試料表面で反射
することはほとんどなく、試料内部での光の多重反射が
防止される。一方、試料の光入射面とプリズムの光出射
面とが密着する場合には、試料とプリズムの屈折率が等
しいのでプリズムから出射した光はそのまま試料に入射
して直進し、試料の光出射面の法線方向と入射光とが成
す角は試料の内反射ブリュースター角と等しくなり、光
は外反射ブリュースター角で試料から出射する。すなわ
ち、この場合にも上記の場合と同様に、試料表面で光が
反射することはほとんどなく、試料内部での光の多重反
射が防止される。

【００１２】従って、本発明装置を用いれば、従来のよ
うに測定値の補正に手間をかけることなく簡単に、高精
度で試料の分光分析を行うことができる。また、本発明
装置の場合には、上記プリズムにおける出射光の幅、す
なわち試料の光入射面における入射光の幅は試料に垂直
に光を入射させる場合に比べて１／ｃｏｓ　θＰ　（た
だしθＰ　はプリズム及び試料の内反射ブリュースター
角を示す）倍となる。一方、プリズムを設けずに直接光
を外反射ブリュースター角θＢ　で試料に入射させる場
合には、試料の光入射面における入射光の幅は垂直入射
の場合に比べて１／ｃｏｓ　θＢ　倍となる。通常１／
ｃｏｓ　θＰ　＜１／ｃｏｓ　θＢ　なので、本発明に
おいては試料に対する光の入射面積の拡大が抑制され、
測定上の面分解能の低下を防止することが可能となる。

【００１３】

【実施例】以下に、本発明の実施例について図を用いて
説明する。まず、本発明の原理について図１を用いて説
明する。

【００１４】本発明の分光分析装置では、例えば図１に
示すように、板形状の試料１の光入射面１ａ側にプリズ
ム２が設けられている。このプリズム２は試料１と同じ
屈折率を有する材質からなり、かつ、プリズム２の頂角
２Ａは試料１の内反射ブリュースター角θＰ　と等しく
されている。このプリズム２は、頂角２Ａを挟む面２ａ
，２ｂのいずれかが試料の光入射面１ａ側に位置し、か
つこの面が試料の光入射面１ａと平行になるように配置
されている。ただし、このプリズムの面と試料の光入射
面１ａとは、間に間隙を設けてもよいし、あるいは密着
させてもよい。そして、プリズム２においてこの面に対
して頂角２Ａを挟むもう一方の面がプリズム２の光入射
面とされる。

【００１５】例えば図１に示すように、プリズムの面２
ａと試料の光入射面１ａとを、間に間隙を設けて対向配
置させた場合について説明する。まず、赤外光ＩＲを、
不図示の偏光素子により試料１に対する反射面（図１に
おける紙面）に平行な偏光状態（Ｐ偏光）として、プリ
ズム２の光入射面２ｂに垂直に（入射角度０°で）入射
させる。上記偏光素子はプリズム２とは別に光路上に設
けてもよいし、あるいはブリズム２として、その光入射
面にワイヤグリッド方式の偏光素子を形成したプリズム
状偏光素子を用いてもよい。後者の場合にはプリズムと
偏光素子が一体化されているので、前者の場合に比べて
、偏光素子及びプリズムへの光入射時の光損失を１／２
に低減し、測定上の感度を高めることができる。プリズ
ム２に入射した光とプリズムの光出射面２ａの法線方向
とが成す角は上記内反射ブリュースター角θＰ　と等し
くなり、光は外反射ブリュースター角θＢ　でプリズム
の面２ａから出射する。プリズムの面２ｂを光出射面と
する場合にも、光をプリズムの斜面２ａに垂直に入射さ
せることにより、光を外反射ブリュースター角θＢ　で
プリズム２から出射させることができる。

【００１６】プリズム２から外反射ブリュースター角θ
Ｂ　で出射した光は、この光出射面と平行な試料の光入
射面１ａに外反射ブリュースター角θＢ　で入射し、試
料の光出射面１ｂから外反射ブリュースター角θＢで出
射する。このとき試料１内の入射光と試料の光出射面１
ｂの法線方向とが成す角は、内反射ブリュースター角θ
Ｐ　となる。プリズム２と試料１とを密着させる場合に
は、プリズム２と試料１の屈折率が等しいので、プリズ
ム２に入射した光はそのまま直進して試料１内を進み、
内反射ブリュースター角θＰ　の角度で試料の光出射面
１ｂに到達するので、上記間隙を設ける場合と同様に、
光は外反射ブリュースター角θＢ　で試料１から出射す
る。

【００１７】従って、光がプリズム２及び試料１を通過
する際には、プリズム２への垂直入射時に反射が生じる
のみで、プリズム２及び試料１の表面での光の内反射，
外反射はほとんど生じす、すなわち光の多重反射現象は
生じない。そのため、従来のような測定値の補正式を作
成する必要がなく、簡単に、高精度で試料１の分光分析
を行うことができる。

【００１８】また、この場合には、プリズム２の光出射
面２ａにおける出射光の幅、すなわち試料の光入射面１
ａにおける入射光の幅は、試料に光を垂直入射させる場
合に比べて１／ｃｏｓ　θＰ　倍となる。一方、プリズ
ム２を介さずに直接光を外反射ブリュースター角θＢ　
で試料１に入射させる場合には、光入射面１ａにおける
入射光の幅は垂直入射時の１／ｃｏｓ　θＢ　倍となる
。通常１／ｃｏｓ　θＰ　＜１／ｃｏｓθＢ　であり、
特に角θＰ　が２０°より小さい汎用の半導体ウェーハ
の場合には、１／ｃｏｓ　θＢ　は３〜５．５となるが
、１／ｃｏｓ　θＰ　は１．１未満となるので、ウェー
ハに対する光の入射面積の拡大が大幅に抑制されること
になる。従って、測定上の面分解能の低下を防止するこ
とか可能となる。

【００１９】また、試料１の光出射側にプリズムやミラ
ーを設けることにより、試料１からの出射光の光路をほ
ぼ元の光路の延長線上に修正することができる。例えば
図１の場合には、試料１の光出射側にプリズム２と同様
な材質，形状のプリズム４が設けられている。このプリ
ズム４も、プリズム２と同様に、斜面４ａが試料の光出
射面１ｂに対して所定の間隙を介して平行に対向配置さ
れ、かつ、内反射ブリュースター角θＰ　と等しい頂角
４Ａを挟むもう一方の面４ｂが、ブリズム４の光出射面
となるように配置されている。すなわち、試料１から出
射した光は、プリズム４の光入射面４ａに外反射ブリュ
ースター角θＢで入射した後、プリズム４の光出射面４
ｂから垂直に出射して検出器に向かう。従って、プリズ
ム４からの出射光の光路が、プリズム２に入射する前の
元の光路のほぼ延長線上にあるように、光路が軌道修正
されることになる。

【００２０】次に、本発明の実施例の分光分析装置につ
いて図２を用いて説明する。同図において、１０は本発
明の一実施例の分光分析装置としての赤外分光分析装置
を示しており、概略赤外光を発生する光源１１が設けら
れた光源部１２と、光源部１２から送られる光を測光す
るための干渉計１３と、板形状の試料が配置されるサン
プル室１４と、サンプル室１４から送られる光を検出す
る検出器１５とから成る。試料の分光分析を行う際には
、光源１１から発生した赤外光が、光源部１２に設けら
れたミラー１６，１７、スリット１８、ミラー１９，２
０，２１を介して干渉計１３に送られ、干渉計１３によ
り測光が行われる。

【００２１】干渉計１３を経て、さらにミラー２２，２
３，２４を介してサンプル室１４に送られた赤外光は、
サンプル室１４内に設けられる不図示の偏光素子により
、試料の反射面に平行な偏光状態のＰ偏光とされた後に
、サンプル室１４内に配置される試料を透過する。この
透過光がミラー２５，２６，２７を介して検出器１５に
送られ、検出器１５によりこの光を検出して上記試料の
光吸収率を測定し、試料中の特定元素の定量分析を行う
。

【００２２】ここで、本実施例の分光分析装置１０のサ
ンプル室１４においては、前述したように、試料と同じ
屈折率を有する材質から成り、かつ試料の内反射ブリュ
ースター角と等しい頂角を有するプリズムが、少なくと
も試料の光入射面側に設けられている。次に、この分光
分析装置１０のプリズム部分の構成を具体的に示した例
について詳しく説明する。

【００２３】実施例１ 上記サンプル室１４内に、図３に示すように、板形状の
試料としてのウェーハ３０と、三角柱形状のプリズム３
１，３２をそれぞれ保持する２板の基板３３，３４とを
、互いに所定の間隙を介して平行に配置した。プリズム
３１，３２は同一形状であり、ウェーハ３０と同じ屈折
率の材質から成り、それぞれウェーハ３０の内反射ブリ
ュースター角θＰ　と等しい頂角３１Ａ，３２Ａを有す
る。これらのプリズム３１，３２は、それぞれの斜面３
１ａ，３２ａが基板３３，３４の表面に平行になるよう
に各基板内に固定され、斜面３１ａ，３２ａがそれぞれ
ウェーハ３０の光入射面３０ａ，光出射面３０ｂに対向
配置されるように、基板３３，３４及びウェーハ３０を
配置した。

【００２４】ウェーハ３０及び基板３３，３４を配置す
る際には、まず、赤外光ＩＲがプリズム３１の光入射面
３１ｂに垂直に入射するように、基板３３，３４の表面
を赤外光ＩＲの光路に対して上記内反射ブリュースター
角θＰ　だけ傾斜させ、かつ２板の基板３３，３４の間
にウェーハ３０の厚さより数百μｍ厚く間隙を設けて、
基板３３，３４を光路上に互いに平行に配置させる。次
に、ウェーハ３０を基板３３，３４の間隙に挿入して、
ウェーハ３０が基板３３，３４に対して平行になるよう
に固定させる。このときウェーハ３０と基板３３，３４
との間隙ｄがほぼ数百μｍとなるようにする。

【００２５】基板３３，３４には多数個の孔３５が形成
されており、ウェーハ３０の測定時には、この孔３５を
通してＮ２　やＡｒ等の不活性ガスＧをウェーハ３０に
吹き付けることにより、ウェーハ３０が基板３３，３４
と接触しないいようにする。これは基板３３，３４との
接触によるウェーハ３０の表面汚染を防止するためであ
る。さらに、このガス吹付には、光を吸収する空気中の
ガス（ＣＯ２　，Ｈ２　Ｏ等）を排除して、測定精度を
高める効果もある。

【００２６】また、サンプル室１４内には不図示の偏光
素子が設けられており、サンプル室１４に送られた赤外
光がウェーハ３０に対する反射面に平行な偏光状態（Ｐ
偏光）とされた後、このＰ偏光の赤外光ＩＲがプリズム
３１に入射するようになっている。プリズム３１に垂直
に入射した赤外光は図３に示すように、プリズム３１の
光出射面３１ａの法線方向に対して上記内反射ブリュー
スター角θＰ　を成しながら、外反射ブリュースター角
θＢ　で光出射面３１ａから出射する。そして、この出
射光がウェーハ３０に外反射ブリュースター角θＢ　で
入射した後、外反射ブリュースター角θＢ　でウェーハ
３０から出射し、さらに、外反射ブリュースター角θＢ
　でプリズム３２に入射した後、このプリズムの光出射
面３２ｂから垂直に出射する。この光が前記検出器１５
に送られ検出される。

【００２７】図１を用いて前述したように、この場合に
は赤外光ＩＲがプリズム３１に垂直入射するとき及びプ
リズム３２から垂直出射するときにのみ反射が生じるだ
けで、これ以外にはプリズム３１，３２やウェーハ３０
の表面で反射が生じることはほとんどない。従って、光
の多重反射が防止されて、高精度でウェーハ３０の分光
分析を行うことができる。しかも、ウェーハの光入射面
３０ａにおける入射光のビームの広がりは垂直入射時に
比較すると１／ｃｏｓ　θＰ　となり、プリズム３１を
介さずに直接赤外光ＩＲを角θＢ　でウェーハ３０に入
射させる場合のビームの広がり１／ｃｏｓ　θＢ　に比
べて、ウェーハ３０に対する光の入射面積の拡大が抑制
され、測定上の面分解能の低下が防止される。また、ウ
ェーハ３０からの出射光は、ブリズム３２を透過するこ
とにより元の赤外光ＩＲの光路のほぼ延長線上に戻るの
で、ウェーハ３０の透過光の検出に支障を来したり構成
を複雑化することはない。

【００２８】実際に、この装置を用いてウェーハ３０と
してＳｉ　から成るウェーハの分光分析を行った。ここ
で、Ｓｉ　の場合の屈折率は３．４であり、外反射ブリ
ュースター角θＢ　＝ｔａｎ　−１（ｎ２　／ｎ１　）
、内反射ブリュースター角θＰ　＝９０°−θＢ　なの
で、内反射ブリュースター角θＰ　はほぼ１６°となる
。このとき、ウェーハ３９における垂直入射に比較した
赤外光ＩＲのビームの広がり（１／ｃｏｓ　θＰ　）は
１．０４となり、ウェーハ３０に対する光の入射面積の
拡大が大幅に抑制され、面分解能の低下がほとんどない
ことがわかった。

【００２９】実施例２ 上記サンプル室１４内に、図４に示すように、板形状の
試料としてのウェーハ４０と、三角柱形状のプリズム４
１を保持する基板４２とを配置した。プリズム４１はウ
ェーハ４０と同じ屈折率を有する材質から成り、かつウ
ェーハ４０の内反射ブリュースター角θＰ　と等しい頂
角４１Ａを有する。この頂角４１Ａを挟むプリズム４１
の２面のうち斜面４１ａを光入射面とし、もう一方の面
４１ｂがウェーハ４０の光入射面４０ａに密着するよう
に、ウェーハ４０を基板４２上に固定した。

【００３０】また、サンプル室１４内に送られた赤外光
は、不図示の偏光素子によりウェーハ４０に対する反射
面に平行な偏光状態のＰ偏光とされた後、この赤外光Ｉ
Ｒがミラー４４で反射してからプリズム４１に入射し、
プリズム４１及びウェーハ４０を透過した光がミラー４
５で反射してから前記検出器１５に送られるようになっ
ている。ここで、ウェーハ４０への入射光とミラー４４
で反射する前の光路とが成す角と、ウェーハ４０からの
出射光とミラー４５で反射した後の光路とが成す角とは
等しく（図４においてはこの角をθで示す）、かつミラ
ー４４で反射する前の光路とミラー４５で反射した後の
光路が一直線上にあるように、ミラー４４，４５が光路
上に配置される。

【００３１】上記したように光路を形成するためには、
上記角θを４５°−θＰ　とする必要があり、この場合
には、基板４２の法線方向と上記元の光路とが成す角θ
Ａ　が４５°となるように、基板４２を赤外光ＩＲの光
路に対して傾斜させて配置すればよい。また、上記実施
例１と同様にガスの吹付を行うことにより、ウェーハ４
０とプリズム４１及び基板４２とを非接触とすることも
可能である。

【００３２】この実施例の場合にも、Ｐ偏光の赤外光Ｉ
Ｒをプリズム４１の光入射面４１ａに垂直に入射させる
。プリズム４１とウェーハ４０の屈折率が等しいため、
プリズム４１に入射した光はそのまま直進してプリズム
４１及びウェーハ４０中を進み、ウェーハ４０の光出射
面４０ｂから外反射ブリュースター角θＢ　で出射する
。すなわち、赤外光ＩＲがプリズム４１に垂直入射する
ときにのみ反射が生じるだけで、これ以外にはプリズム
４１やウェーハ４０の表面で反射が生じることはほとん
どない。従って、上記実施例１の場合と同様に、光の多
重反射が防止され、高精度でウェーハ４０の分光分析を
行うことができる。

【００３３】また、この実施例２の場合でも上記実施例
１と同様に、ウェーハの光入射面４０ａにおける入射光
のビームの広がりは垂直入射時に比較すると１／ｃｏｓ
　θＰ　となり、プリズム４１を介さずに直接赤外光Ｉ
Ｒを角θＢ　でウェーハ４０に入射させる場合のビーム
の広がり１／ｃｏｓ　θＢ　に比べて、ウェーハ４０に
対する光の入射面積の拡大が抑制され、測定上の面分解
能の低下が防止される。

【００３４】また、この実施例の場合には、光の反射損
失が生じるのは光がプリズムに垂直入射するとき１回だ
けなので、上記実施例１のように、光がプリズム３１に
垂直に入射し、さらにプリズム３２から垂直に出射する
場合に比べて、光の反射損失が１／２になるという効果
もある。

【００３５】実際に、この装置を用いて、ウェーハ４０
としてＧａＡｓから成るウェーハの分光分析を行った。 ここで、ＧａＡｓの場合の屈折率は３．３であり、内反
射ブリュースター角θＰ　は１７°である。このとき、
ウェーハ４０における垂直入射に比較した赤外光ＩＲの
ビームの広がり（１／ｃｏｓ　θＰ　）は１．０５とな
り、ウェーハ４０に対する光の入射面積の拡大が大幅に
抑制され、面分解能の低下がほとんどないこがわかった
。

【００３６】さらに、上記装置を用いてＧｅ，ＩｎＰ，
ＧａＰから成る３種類のウェーハの分光分析を行ったと
ころ、それぞれの場合のビームの広がり（１／ｃｏｓ　
θＰ　）は下記の表１に示すとおりであった。

【００３７】

【表１】

【００３８】上記の表１に示されるように、いずれの場
合にも、ウェーハに対する光の入射面積の拡大が抑制さ
れ、面分解能の低下がほとんどないことがわかった。

【００３９】なお、上記実施例１，２では、プリズム３
１，４１外に偏光素子を設ける場合を例にとったが、プ
リズム３１，４１の光入射面３１ｂ，４１ａに、ワイヤ
グリッド方式の偏光素子を形成してもよい。この場合に
は、プリズムと偏光素子とを一体化することにより、プ
リズムと偏光素子のそれぞれの表面に光が垂直入射する
場合に比べて光の反射損失を１／２に低減することがで
きる。また、上記実施例１，２では偏光素子をサンプル
室１４内に設けたが、赤外光がプリズムや試料に入射す
る前の光路上ならば、サンプル室１４外に配置してもよ
い。

【００４０】以上本発明の実施例について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、種々変形実施
が可能である。例えば上記実施例１，２においては赤外
分光分析装置を例にとったが、本発明は赤外分光分析装
置以外の分光分析装置にも適用可能である。

【００４１】

【発明の効果】本発明の分光分析装置は以上の構成及び
作用を有するもので、試料に対する光入射面積を増大さ
せることなく、Ｐ偏光状態の光をブリュースター角で試
料に入射させることができる。従って、測定値を補正す
るための手間をかけることなく、簡単に、定量精度が高
い光吸収率測定を行い、高精度で試料の分光分析を行う
ことができ、かつ、測定上の面分解能の低下を抑制する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の分光分析装置の原理を説明するための
説明図である。

【図２】本発明の一実施例の分光分析装置の構成を概略
的に示す図である。

【図３】本発明の実施例１におけるプリズム部分の構成
を示す断面図である。

【図４】本発明の実施例２におけるプリズム部分の構成
を示す断面図である。

【図５】従来の分光分析を説明するための断面図である
。

【図６】Ｓｉに対する光の入射角と反射率との関係を示
す図である。

【符号の説明】

１，３０，４０　　試料 １ａ，３０ａ，４０ａ　　試料の光入射面２，３１，４
１　　プリズム １０　　分光分析装置 １２　　光源部 １３　　干渉計 １４　　サンプル室 １５　　検出器

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　板形状の試料に光を照射し、その透過
   光を検出して該試料の光吸収率を測定する分光分析装置
   において、試料と同じ屈折率を有する材質から成り、か
   つ該試料の内反射ブリュースター角と等しい頂角を有す
   るプリズムが該試料の光入射面側に設けられ、試料に対
   する反射面に平行な偏光状態の光が前記プリズムを透過
   した後に試料に入射するようにされたことを特徴とする
   分光分析装置。