JPH04362923A - Liquid crystal display element - Google Patents

Liquid crystal display element

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Publication number
JPH04362923A
JPH04362923A JP2779191A JP2779191A JPH04362923A JP H04362923 A JPH04362923 A JP H04362923A JP 2779191 A JP2779191 A JP 2779191A JP 2779191 A JP2779191 A JP 2779191A JP H04362923 A JPH04362923 A JP H04362923A
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JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
pixel
conductive layer
crystal display
display element
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Application number
JP2779191A
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Japanese (ja)
Inventor
Noboru Warashina
藁科 登
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To increase the contrast and reduce the irregularity by covering the outsides of insulating layers of an address conductor and a data conductor with conductive layers. CONSTITUTION:A thin film transistor substrate for an active matrix liquid crystal display element is manufactured. A pixel 1 and the conductors 3 and 4 are formed in a process similar to a normal active matrix. Then a chromium film of 100nm in thickness is further formed by sputtering and then the conductive layer of chromium is formed on a source conductor 3 (data line) and a gate conductor 4 (address line) by dry etching using photolithography. After the TFT substrate is thus manufactured, an LCD which has a color filter as a counter electrode is manufactured. Namely, a lateral electric field produced between the conductors 3 and 4 and pixel 1 or counter electrode is canceled by the electromagnetic shield effect of the conductive layer.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子に関し、
特に、表示画面内にディスクリネ−ションの少ない液晶
表示素子に関する。
[Industrial Application Field] The present invention relates to a liquid crystal display element.
In particular, it relates to a liquid crystal display element with less disclination within the display screen.

【0002】0002

【従来の技術】液晶表示素子(LCD)は、数μmの液
晶層を挾んで対向する2枚のガラス板によって構成され
、それぞれのガラス板の内面は、ITO(インジウム・
スズオキサイド)等の透明電極により被覆されている。 表示画面内の透明電極は、表示対象に応じた形状及びサ
イズのピクセル(画素)に分割されており、これらの各
ピクセルは、ガラス表面上を走る配線を通じて外部から
駆動される。
BACKGROUND OF THE INVENTION A liquid crystal display (LCD) is composed of two glass plates facing each other with a liquid crystal layer of several micrometers in between.The inner surface of each glass plate is made of ITO (indium metal).
It is coated with a transparent electrode such as tin oxide). The transparent electrode within the display screen is divided into pixels of a shape and size depending on the display object, and each of these pixels is driven from the outside through wiring running on the glass surface.

【0003】液晶表示素子の中でもカラ−表示、高画質
表示を特徴とするアクティブマトリクス型表示素子にお
いては、通常、片方のガラス上では、数十〜数百μmの
サイズのピクセルに分割され、各ピクセルは、それぞれ
に接続したTFT(薄膜トランジスタ)によって駆動さ
れる。
[0003] Among liquid crystal display elements, active matrix type display elements, which are characterized by color display and high-quality display, are usually divided into pixels each having a size of several tens to hundreds of micrometers on one side of the glass. The pixels are driven by TFTs (thin film transistors) connected to each other.

【0004】その対向電極上には、全面一体の透明電極
が形成されており、カラ−表示の場合には、更に透明電
極に接してカラ−フィルタ−が形成されている。このT
FTを駆動するために、TFT側基板上には、デ−タ配
線(ソ−ス配線)及びアドレス配線(ゲ−ト配線)が設
置されている。このアドレス配線で走査線を順次アドレ
ス指定し、デ−タ配線にてピクセルに所定の電圧を印加
することにより、全てのピクセルに所定の電圧が書き込
まれる。こうして書き込まれた電圧に応じて、おのおの
のピクセルと対向電極との間の液晶が駆動され、それに
応じて光透過率が各ピクセルで変化することによって希
望する画面が表示される。
A transparent electrode is formed integrally over the entire surface of the counter electrode, and in the case of color display, a color filter is further formed in contact with the transparent electrode. This T
In order to drive the FT, data wiring (source wiring) and address wiring (gate wiring) are installed on the TFT side substrate. By sequentially addressing the scanning lines using the address wiring and applying a predetermined voltage to the pixels using the data wiring, a predetermined voltage is written to all pixels. According to the voltage written in this way, the liquid crystal between each pixel and the counter electrode is driven, and the desired screen is displayed by changing the light transmittance of each pixel accordingly.

【0005】このような駆動方式を用いるアクティブマ
トリクス方式は、応答速度が速い、コントラストが良い
、視野が広い、クロスト−クがない、中間調表示が可能
、など画質上の優位性を有している。また、特に近年注
目されているカラ−表示においては、高い画質が求めら
れるために、アクティブマトリクス方式が主流になつて
いる。
The active matrix method using such a driving method has advantages in image quality, such as fast response speed, good contrast, wide field of view, no crosstalk, and the ability to display halftones. There is. In addition, especially in color display, which has been attracting attention in recent years, the active matrix method has become mainstream because high image quality is required.

【0006】ピクセルの光透過率を制御するために、透
明電極間に挟まれた液晶は、特定の方向に配向している
必要があり、この目的で透明電極表面上には配向膜が形
成される。配向膜は、有機ポリマ−、無機蒸着膜などに
より形成される厚さ数十〜数百μmの薄膜であり、最近
ではポリイミドがよく用いられる。配向膜は、液晶を所
定の方向に配向させるための処理が施されており、ポリ
マ−配向膜の場合には、ラビングが、また、無機蒸着膜
の場合には、蒸着方向の制御が代表的な手法として用い
られる。ラビングとは、ポリマ−表面を布等の材質にて
特定の方向にこする操作のことであり、液晶分子は、配
向膜との界面において、界面と平行にラビングされた方
向に配向する。
In order to control the light transmittance of pixels, the liquid crystal sandwiched between transparent electrodes must be oriented in a specific direction, and for this purpose, an alignment film is formed on the surface of the transparent electrodes. Ru. The alignment film is a thin film with a thickness of several tens to hundreds of μm formed of an organic polymer, an inorganic vapor deposited film, or the like, and recently polyimide is often used. Alignment films are processed to orient the liquid crystal in a predetermined direction, and in the case of polymer alignment films, rubbing is typical, and in the case of inorganic vapor-deposited films, control of the vapor deposition direction is typical. It is used as a method. Rubbing is an operation in which the polymer surface is rubbed in a specific direction with a material such as cloth, and the liquid crystal molecules are aligned in the rubbed direction parallel to the interface at the interface with the alignment film.

【0007】アクティブマトリクス方式の場合の液晶の
配向モ−ドは、ツイスト・ネマティックモ−ドが一般的
であり、この場合、例えばポリイミド配向膜は、ピクセ
ル側と対向電極側とで互いに直交するような方向にラビ
ング処理を受け、それに応じて、液晶分子は、ピクセル
面と対向電極面とにおいて、それぞれ界面と平行で互い
に直交するように配向し、両面の中間では、界面に平行
で連続的にその方向が変わって行く。液晶分子は、ピク
セル・対向電極間に電圧が掛からない場合に上記のよう
な配向をとり、電圧が高くなって行くに従って電極面に
対して次第に垂直な方向に向くようになる。
[0007] The alignment mode of the liquid crystal in the active matrix method is generally twisted nematic mode, and in this case, for example, the polyimide alignment film is arranged so that the pixel side and the counter electrode side are perpendicular to each other. Accordingly, the liquid crystal molecules are oriented parallel to the interface and perpendicular to each other on the pixel surface and the counter electrode surface, respectively, and in the middle of both surfaces, they are aligned continuously parallel to the interface. That direction will change. The liquid crystal molecules are oriented as described above when no voltage is applied between the pixel and the counter electrode, and as the voltage increases, they gradually become oriented in a direction perpendicular to the electrode plane.

【0008】電圧無印加の場合、液晶内に入射した偏光
は、液晶分子の向きに対応して連続的に旋光し、出射す
るときには入射光に対して90度旋光している。電圧を
印加した場合、液晶分子が垂直になるに従って出射光の
旋光度は小さくなり、電圧が十分に大きい場合には、出
射光の偏光方向は、入射光のそれと同一になる。ガラス
板の両側に偏光板を設置することにより、印加電圧の大
きさに応じて光の透過率を制御することができ、偏光板
の光軸を互いに直交させた場合がノ−マリ−ホワイトモ
−ド(電圧無印加時白)、平行にさせた場合がノ−マリ
−ブラックモ−ド(電圧無印加時黒)になる。
[0008] When no voltage is applied, the polarized light that enters the liquid crystal is continuously rotated in accordance with the orientation of the liquid crystal molecules, and when it exits, it is rotated by 90 degrees with respect to the incident light. When a voltage is applied, the optical rotation of the emitted light decreases as the liquid crystal molecules become vertical, and when the voltage is sufficiently large, the polarization direction of the emitted light becomes the same as that of the incident light. By installing polarizing plates on both sides of the glass plate, the light transmittance can be controlled according to the magnitude of the applied voltage. Normally white mode is achieved when the optical axes of the polarizing plates are orthogonal to each other. - mode (white when no voltage is applied), and normally black mode (black when no voltage is applied) when parallel.

【0009】なお、図3は、従来の液晶表示素子のTF
T側ピクセル周辺の拡大図を示し、1は、ピクセルであ
り、2は、TFTである。また、7は、ソ−ス線とゲ−
ト線との交差部であり、このソ−ス線(デ−タ線)及び
ゲ−ト線(アドレス線)は、共に導電層被覆の無いソ−
ス線8及び導電層被覆の無いゲ−ト線9である。
Note that FIG. 3 shows the TF of a conventional liquid crystal display element.
An enlarged view of the T-side pixel periphery is shown, where 1 is a pixel and 2 is a TFT. In addition, 7 is the source line and the gate.
This source line (data line) and gate line (address line) are both source lines with no conductive layer coating.
These are a gate line 9 without a conductive layer coating.

【0010】0010

【発明が解決しょうとする課題】アクティブマトリクス
液晶表示素子(AM−LCD)は、その駆動のためにT
FT側にアドレス線及びデ−タ線が配してあり、また、
ピクセルには書き込み電圧が残留しており、更には、対
抗電極側も全面一体のコモン電極が形成されている。こ
れらの電極は、それぞれ異なるレベルの電圧が印加され
ており、従って、これらの各電極間には、電圧と電極形
状に対応した電場が形成されている。これらの電場の中
で、ピクセル−対抗電極間に形成されるピクセル面に対
して垂直方向の電場(縦電場)は、液晶分子を駆動する
ために本来意図されたものであるが、その他の電場は、
液晶分子の駆動とは関係ないものである。
[Problems to be Solved by the Invention] Active matrix liquid crystal display elements (AM-LCDs) have T
Address lines and data lines are arranged on the FT side, and
A write voltage remains in the pixel, and furthermore, a common electrode is formed over the entire surface of the opposing electrode. Voltages of different levels are applied to these electrodes, and therefore, an electric field corresponding to the voltage and electrode shape is formed between each of these electrodes. Among these electric fields, the electric field perpendicular to the pixel plane (vertical electric field) formed between the pixel and counter electrode is originally intended to drive liquid crystal molecules, but other electric fields teeth,
This has nothing to do with driving liquid crystal molecules.

【0011】図3に示すように、アドレス線、デ−タ線
の幅は、ピクセルの幅に比べてかなり狭いので、これか
ら発する電場の領域は、ピクセル面に対して小さい比率
になる筈である。しかし、アドレス線の電圧レベルが相
対的に大きいことや、ピクセル及びTFTの形状が複雑
であることなどに起因して、実際にピクセル内に形成さ
れる電場の姿は複雑になり、このため、時としてピクセ
ル面に対して平行な方向ベクトル要素が電場ベクトルに
加えられる(横電場)。
As shown in FIG. 3, the width of the address line and data line is considerably narrower than the width of the pixel, so the area of the electric field generated from them should be a small ratio to the pixel surface. . However, due to the relatively large voltage level of the address line and the complicated shapes of the pixels and TFTs, the electric field actually formed within the pixel becomes complicated. Sometimes a directional vector component parallel to the pixel plane is added to the electric field vector (transverse electric field).

【0012】このような横電場が形成されると、液晶分
子には横向きに配向させるような力が加わり、このため
、液晶の一部において液晶分子の配向方向が著しく変動
する場所が発生する。このような分子配向の変動が著し
く大きい場所は、幅数μm程度の連続線として見える場
合が多く、表示ピクセル内で、例えばノ−マリ−ホワイ
トモ−ドの場合には、全点灯の場合で周囲が黒色表示状
態の時、輝線として現れる。
[0012] When such a transverse electric field is formed, a force is applied to the liquid crystal molecules to cause them to align laterally, resulting in a portion of the liquid crystal where the alignment direction of the liquid crystal molecules changes significantly. Places where such fluctuations in molecular orientation are extremely large often appear as a continuous line with a width of several μm, and within a display pixel, for example, in normally white mode, when all lights are on, Appears as a bright line when the surrounding area is black.

【0013】このような配向の大きな変動による輝線の
ことを仮にディスクリネ−ションと呼ぶことにする。液
晶物性論における本来の意味でのディスクリネ−ション
は、液晶配向層の完全な不連続線のことを称するのであ
るが、本発明でいう「輝線」とは、本来のディスクリネ
−ションと液晶配向の大きな乱れとの両者を含めて呼ぶ
こととする。
[0013] The bright line caused by such a large change in orientation will be tentatively referred to as disclination. In the original meaning of the theory of liquid crystal physical properties, disclination refers to a completely discontinuous line in the liquid crystal alignment layer, but in the present invention, the term "emission line" refers to the difference between the original disclination and the liquid crystal alignment layer. We will refer to both as large disturbances in orientation.

【0014】ディスクリネ−ションの発生によって表示
画面の明度は変化し、例えばノ−マリ−ホワイトモ−ド
で黒画面表示の場合、ディスクリネ−ションの存在する
部分の画面は、本来の黒より明るくなり、このため、コ
ントラストの低下、画面のムラなどの現象が現れる。こ
のような現象は、LCDの画質にとって大きな欠点であ
る。
[0014] The brightness of the display screen changes due to the occurrence of disclination. For example, when a black screen is displayed in normally white mode, the part of the screen where disclination exists is darker than the original black. The screen becomes brighter, and as a result, phenomena such as a decrease in contrast and unevenness of the screen appear. This phenomenon is a major drawback to the image quality of LCDs.

【0015】本発明者等は、上記のディスクリネ−ショ
ンの発生を抑制すべく鋭意研究を重ねた結果、従来の液
晶表示素子は、前記したとおり、導電層被覆の無いソ−
ス線8及び導電層被覆の無いゲ−ト線9(図3参照)で
あるため、上記のディスクリネ−ションが発生する原因
となっていることを知見して、本発明を完成したもので
ある。
[0015] As a result of intensive research aimed at suppressing the occurrence of disclination, the inventors of the present invention found that conventional liquid crystal display elements do not have a conductive layer coating.
The present invention was completed based on the knowledge that the above-mentioned disclination occurs because the gate wire 9 (see FIG. 3) is not coated with a conductive layer or conductive layer. be.

【0016】即ち、本発明は、上記のディスクリネ−シ
ョンの発生を抑制する液晶表示素子ないし表示画面内に
ディスクリネ−ションの極めて少ない液晶表示素子を提
供することを目的とする。
That is, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display element that suppresses the occurrence of the above-mentioned disclination, or a liquid crystal display element that has extremely little disclination within the display screen.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
目的を達成するため、上述のディスクリネ−ションの発
生原因となっているアドレス配線及びデ−タ配線の絶縁
層の外側を導電性の層によって被覆することを特徴とす
る。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides electrical conductivity on the outside of the insulating layer of the address wiring and data wiring, which is the cause of the above-mentioned disclination. It is characterized by being covered with a layer of.

【0018】[0018]

【作用】このような配線の外側に形成された導電層の存
在によって、配線とピクセル或は対向電極との間で形成
される横電場は、導電層の電磁遮蔽効果によって打ち消
されることになる。
[Operation] Due to the presence of such a conductive layer formed outside the wiring, the transverse electric field formed between the wiring and the pixel or counter electrode is canceled by the electromagnetic shielding effect of the conductive layer.

【0019】このような導電層として用いられる材質と
しては、その体積固有抵抗の値が100Ω・cm以下で
あれば良く、このような材質としては、例えばクロム、
タンタル、アルミニウム、タングステン等の金属材質や
インジウム・スズオキサイド(ITO)、スズ・アンチ
モンオキサイド(NESA)等の酸化物導電体などを挙
げることができる。
The material used for such a conductive layer may have a volume resistivity of 100 Ω·cm or less, and examples of such material include chromium,
Examples include metal materials such as tantalum, aluminum, and tungsten, and oxide conductors such as indium tin oxide (ITO) and tin antimony oxide (NESA).

【0020】このような導電層の厚さは、LCDのギャ
ップ間距離(通常数μm程度)の中に収まる程度で十分
であり、例えば配線層やピクセル層と同等の厚みの数十
〜数百nm程度で十分にディスクリネ−ション抑制効果
を現わすことができる。従って、配線やピクセルの膜を
形成する工程と共通のプロセスによって、本発明の導電
層のための膜の形成を実施することができる。このよう
なプロセスとして最もよく用いられるのは、スパッタリ
ング法である。こうして成膜された導電層は、やはり配
線やピクセルと同様のプロセスによってパタンが形成さ
れる。このようなプロセスとして最も一般的な手段は、
ウェット・エッチング、ドライ・エッチング等のフォト
リソグラフィ−プロセスである。
[0020] The thickness of such a conductive layer is sufficient to be within the gap distance of the LCD (usually about several μm), and for example, it is sufficient to have a thickness of several tens to hundreds of layers, which is equivalent to the thickness of a wiring layer or a pixel layer. A sufficient disclination suppressing effect can be exhibited with a thickness of about nm. Therefore, the film for the conductive layer of the present invention can be formed by a process common to that for forming wiring and pixel films. The most commonly used such process is sputtering. The conductive layer thus formed is patterned by the same process as wiring and pixels. The most common means of such a process is
Photolithography processes such as wet etching and dry etching.

【0021】本発明の導電層と配線層との間は、絶縁さ
れている必要があり、このような目的を達成するために
は、配線層の外側に従来法においても形成されていた既
存の絶縁層を用いれば、十分にその目的は達成される。
The conductive layer of the present invention and the wiring layer must be insulated, and in order to achieve this purpose, the existing insulation layer, which is formed outside the wiring layer in the conventional method, must be insulated. Using an insulating layer satisfactorily achieves this purpose.

【0022】[0022]

【実施例】以下、図1及び図2(本発明の実施例である
液晶表示素子のTFT側ピクセル周辺の拡大図)に基づ
いて、本発明を詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to FIGS. 1 and 2 (enlarged views of the periphery of pixels on the TFT side of a liquid crystal display element according to an embodiment of the present invention).

【0023】(実施例1)図1は、本発明の一実施例で
ある液晶表示素子のTFT側ピクセル周辺の拡大図であ
って、図中、1は、ピクセル、2は、TFT、3は、上
部にクロム導電層が形成されたソ−ス線、4は、上部に
クロム導電層が形成されたゲ−ト線、7は、ソ−ス線と
ゲ−ト線との交差部である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is an enlarged view of the periphery of a pixel on the TFT side of a liquid crystal display element according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a pixel, 2 is a TFT, and 3 is a , a source line on which a chromium conductive layer is formed, 4 a gate line on which a chromium conductive layer is formed, and 7 an intersection between the source line and the gate line. .

【0024】この液晶表示素子の製造法を説明すると、
まず、図1に示した拡大図で表されるアクティブ・マト
リクスLCD用のTFT基板を作製した。ここでピクセ
ル1及び各配線3、4は、通常のアクティブ・マトリク
スと同様のプロセスによって形成されている。その後、
更にスパッタリングにより厚み100nmのクロム膜を
形成し、次いで、フォトリソグラフィ−によるドライ・
エッチングにより、ソ−ス配線(デ−タ線)及びゲ−ト
配線(アドレス線)上に導電層を形成した。本実施例の
場合クロム層が導電層に相当する。
[0024] The manufacturing method of this liquid crystal display element will be explained as follows.
First, a TFT substrate for an active matrix LCD, which is shown in the enlarged view shown in FIG. 1, was manufactured. Here, the pixel 1 and each wiring 3, 4 are formed by a process similar to that of a normal active matrix. after that,
Furthermore, a chromium film with a thickness of 100 nm was formed by sputtering, and then a dry film was formed by photolithography.
A conductive layer was formed on the source wiring (data line) and the gate wiring (address line) by etching. In this embodiment, the chromium layer corresponds to the conductive layer.

【0025】このようにしてTFT基板を作製した後、
カラ−フィルタを対向電極としたLCDを作製した。L
CDの作製工程は、従来の作製工程と全く同様にして実
施した。
After producing the TFT substrate in this way,
An LCD using a color filter as a counter electrode was manufactured. L
The CD manufacturing process was carried out in exactly the same manner as the conventional manufacturing process.

【0026】次いで、このLCDを60℃にて240時
間実駆動した後室温に戻し、表示画面を観察した。肉眼
で観察した場合、このLCDにはムラが認められず、ま
た、そのコントラスト比は、最高部で170であった。 更に、表示画面を顕微鏡にて拡大観察したところ、ピク
セル内のディスクリネ−ションは、100ピクセル当た
り6個がピクセル内で端のあたりに認められたのみであ
った。
Next, this LCD was actually driven at 60° C. for 240 hours, then returned to room temperature, and the display screen was observed. When observed with the naked eye, this LCD showed no unevenness, and its contrast ratio was 170 at the highest point. Furthermore, when the display screen was observed under a microscope, only 6 disclinations per 100 pixels were observed near the edges of the pixels.

【0027】(実施例2)図2は、本発明の他の実施例
である液晶表示素子のTFT側ピクセル周辺の拡大図で
あって、図中、1、2及び7は、図1と同様、ピクセル
、TFT及びソ−ス線とゲ−ト線との交差部を示し、5
は、上部にITO導電層が形成されたソ−ス線であり、
また、6は、上部にITO導電層が形成されたゲ−ト線
である。
(Embodiment 2) FIG. 2 is an enlarged view of the TFT side pixel periphery of a liquid crystal display element according to another embodiment of the present invention. In the figure, 1, 2, and 7 are the same as in FIG. , indicates the pixel, TFT, and the intersection of the source line and the gate line, 5
is a source line on which an ITO conductive layer is formed,
Moreover, 6 is a gate line on which an ITO conductive layer is formed.

【0028】この液晶表示素子の製造法を説明すると、
まず、図2に示した拡大図で表されるアクティブ・マト
リクスLCD用のTFT基板を作製した。ここでピクセ
ル1及び各配線5、6は、通常のアクティブ・マトリク
スと同様のプロセスによつて形成されている。次いで、
厚さ140nmのピクセル用ITOをスパッタリングに
よつて形成した後、従来のエッチング・パタンと違って
、ピクセルの他にソ−ス配線の上部及びゲ−ト配線の上
部もエッチングによって残るようなエッチング・パタン
を用いてドライ・エッチングを行なった。本実施例の場
合ITO層が導電層に相当する。
[0028] The manufacturing method of this liquid crystal display element will be explained as follows.
First, a TFT substrate for an active matrix LCD, which is shown in the enlarged view shown in FIG. 2, was manufactured. Here, the pixel 1 and each wiring 5, 6 are formed by a process similar to that of a normal active matrix. Then,
After forming ITO for pixels with a thickness of 140 nm by sputtering, an etching pattern was used that, unlike conventional etching patterns, left the upper part of the source wiring and the upper part of the gate wiring in addition to the pixel. Dry etching was performed using the pattern. In this example, the ITO layer corresponds to the conductive layer.

【0029】このようにしてTFT基板を作製した後、
カラ−フィルタを対向電極としたLCDを作製した。L
CDの作製工程は、従来の作製工程と全く同様にして実
施した。
After producing the TFT substrate in this way,
An LCD using a color filter as a counter electrode was manufactured. L
The CD manufacturing process was carried out in exactly the same manner as the conventional manufacturing process.

【0030】次いで、このLCDを60℃にて240時
間実駆動した後室温に戻し、表示画面を観察した。肉眼
で観察した場合、このLCDにはムラが認められず、ま
た、そのコントラスト比は、最高部で150であった。 更に、表示画面を顕微鏡にて拡大観察したところ、ピク
セル内のディスクリネ−ションは、100ピクセル当た
り9個がピクセル内の端のあたりに認められたのみであ
った。
Next, this LCD was actually driven at 60° C. for 240 hours, then returned to room temperature, and the display screen was observed. When observed with the naked eye, this LCD showed no unevenness, and its contrast ratio was 150 at the highest point. Furthermore, when the display screen was observed under a microscope, only 9 disclinations per 100 pixels were observed near the edges of the pixels.

【0031】(比較例)比較のため、図3に基づく前記
した従来の液晶表示素子を挙げて説明すると、図3中の
8及び9は、前述したとおり、導電層被覆の無いソ−ス
線及び導電層被覆の無いゲ−ト線である。
(Comparative Example) For comparison, the above-mentioned conventional liquid crystal display element based on FIG. 3 will be explained. As mentioned above, 8 and 9 in FIG. and a gate line without conductive layer coating.

【0032】まず、  図3に示した拡大図で表される
アクティブ・マトリクスLCD用のTFT基板を作製し
た。ここで、ピクセル1及び各配線8、9は、通常のア
クティブ・マトリクスと同様のプロセスによつて形成さ
れている。このようにしてTFT基板を作製した後、カ
ラ−フィルタを対向電極としたLCDを作製した。LC
Dの作製工程は、従来の作製工程と全く同様にして実施
した。
First, a TFT substrate for an active matrix LCD as shown in the enlarged view shown in FIG. 3 was fabricated. Here, the pixel 1 and each wiring 8, 9 are formed by the same process as a normal active matrix. After producing a TFT substrate in this manner, an LCD was produced using a color filter as a counter electrode. L.C.
The manufacturing process of D was carried out in exactly the same manner as the conventional manufacturing process.

【0033】次いで、このLCDを60℃にて240時
間実駆動した後室温に戻し、表示画面を観察した。肉眼
で観察した場合、このLCDにはムラが極めて多く、ま
た、そのコントラスト比は、最高部で120であった。 更に、表示画面を顕微鏡にて拡大観察したところ、ピク
セル内のディスクリネ−ションは、100ピクセル当た
り94個がピクセル内で端のあたりないしは中央部に認
められた。
Next, this LCD was actually driven at 60° C. for 240 hours, then returned to room temperature, and the display screen was observed. When observed with the naked eye, this LCD had an extremely large amount of unevenness, and its contrast ratio was 120 at the highest point. Furthermore, when the display screen was observed under a microscope, 94 disclinations per 100 pixels were observed at the edges or in the center of the pixels.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
素子は、アドレス配線及びデ−タ配線の絶縁層の外側を
導電性の層によって被覆した構成からなり、これによっ
て、画面内のディスクリネ−ションが極めて少なく、従
ってコントラストが高く、ムラが少ない良質の画面を与
える効果が生ずる。
As explained above, the liquid crystal display element of the present invention has a structure in which the outside of the insulating layer of the address wiring and data wiring is covered with a conductive layer. This produces an effect of providing a high-quality screen with extremely little lination, and therefore high contrast and little unevenness.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】図1は、本発明の一実施例である液晶表示素子
のTFT側ピクセル周辺の拡大図である。
FIG. 1 is an enlarged view of the TFT-side pixel periphery of a liquid crystal display element according to an embodiment of the present invention.

【図2】図2は、本発明の他の実施例である液晶表示素
子のTFT側ピクセル周辺の拡大図である。
FIG. 2 is an enlarged view of the TFT-side pixel periphery of a liquid crystal display element according to another embodiment of the present invention.

【図3】図3は、従来の液晶表示素子のTFT側ピクセ
ル周辺の拡大図である。
FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of a pixel on the TFT side of a conventional liquid crystal display element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  ピクセル 2  TFT 3  上部にクロム導電層が形成されたソ−ス線4  
上部にクロム導電層が形成されたゲ−ト線5  上部に
ITO導電層が形成されたソ−ス線6  上部にITO
導電層が形成されたゲ−ト線7  ソ−ス線とゲ−ト線
との交差部 8  導電層被覆の無いソ−ス線 9  導電層被覆の無いゲ−ト線
1 Pixel 2 TFT 3 Source line 4 on which a chromium conductive layer is formed
Gate line 5 with a chromium conductive layer formed on the top Source line 6 with an ITO conductive layer formed on the top ITO on the top
Gate line 7 with a conductive layer formed Intersection of source line and gate line 8 Source line without conductive layer coating 9 Gate line without conductive layer coating

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  表示画面内配線の外側を導電性の材料
で被覆してなることを特徴とする液晶表示素子。
1. A liquid crystal display element characterized in that the outside of wiring within a display screen is coated with a conductive material.
【請求項2】  導電性の材料は、その体積固有抵抗値
が100Ω・cm以下である金属材料又は酸化物導電体
である請求項1に記載の液晶表示素子。
2. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the conductive material is a metal material or an oxide conductor having a volume resistivity of 100 Ω·cm or less.
【請求項3】  導電性の材料がクロムである請求項1
に記載の液晶表示素子。
[Claim 3]Claim 1, wherein the conductive material is chromium.
The liquid crystal display element described in .
【請求項4】  導電性の材料がインジウム・スズオキ
サイドである請求項1に記載の液晶表示素子。
4. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the conductive material is indium tin oxide.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100289648B1 (en) * 1998-06-25 2001-05-02 박종섭 LCD Display
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