JPH04357881A - Semiconductor pressure sensor wafer and manufacture thereof - Google Patents
Semiconductor pressure sensor wafer and manufacture thereofInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical group C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】この発明は、ダイヤフラム構造の
圧力センサ素子を複数個備え、前記圧力センサ素子に圧
力を導入するための圧力導入用貫通穴が複数個設けられ
た台座と接合される半導体圧力センサウエハ及びその製
造方法に関する。[Industrial Field of Application] The present invention relates to a semiconductor that is bonded to a pedestal that includes a plurality of pressure sensor elements having a diaphragm structure and is provided with a plurality of pressure introduction through holes for introducing pressure into the pressure sensor elements. The present invention relates to a pressure sensor wafer and a method for manufacturing the same.
【０００２】0002
【従来の技術】図６は従来の半導体圧力センサウエハの
平面図であり、図７はその底面図である。また、図８（
ａ） はその断面図である。これらの図に示すように、
半導体圧力センサウエハ１には、ダイヤフラム構造の圧
力センサ素子２がマトリックス状に設けられている。具
体的には、所定パターンを有する薄膜を半導体ウエハ１
の裏面に形成した後、その薄膜をマスクとしてエッチン
グ処理を施し、半導体ウエハ１の裏面側に複数のキャビ
ティ３を形成する（図８（ａ） ）。こうして、圧力セ
ンサ素子２のセンス領域として機能するダイヤフラム部
４が形成されて、半導体ウエハ１に複数の圧力センサ素
子２が設けられる。この明細書では、このように複数の
圧力センサ素子が設けられた半導体ウエハを半導体圧力
センサウエハと称する。2. Description of the Related Art FIG. 6 is a plan view of a conventional semiconductor pressure sensor wafer, and FIG. 7 is a bottom view thereof. Also, Figure 8 (
a) is a cross-sectional view thereof. As shown in these figures,
A semiconductor pressure sensor wafer 1 is provided with pressure sensor elements 2 having a diaphragm structure in a matrix. Specifically, a thin film having a predetermined pattern is placed on a semiconductor wafer 1.
After forming the thin film on the back surface of the semiconductor wafer 1, an etching process is performed using the thin film as a mask to form a plurality of cavities 3 on the back surface side of the semiconductor wafer 1 (FIG. 8(a)). In this way, the diaphragm portion 4 functioning as a sensing region of the pressure sensor element 2 is formed, and a plurality of pressure sensor elements 2 are provided on the semiconductor wafer 1. In this specification, a semiconductor wafer provided with a plurality of pressure sensor elements in this manner is referred to as a semiconductor pressure sensor wafer.
【０００３】図９はガラス台座の平面図であり、図８（
ｂ） はその断面図である。これらの図に示すように、
ガラス台座５には、キャビティ３に対応する位置に貫通
穴６がそれぞれ設けられている。この貫通穴６は、後述
するようにして半導体圧力ウエハ１と接合されると、外
圧を圧力センサ素子２に導く圧力導入用貫通穴として機
能する。FIG. 9 is a plan view of the glass pedestal, and FIG.
b) is a cross-sectional view thereof. As shown in these figures,
The glass pedestal 5 is provided with through holes 6 at positions corresponding to the cavities 3, respectively. When this through hole 6 is bonded to the semiconductor pressure wafer 1 as will be described later, it functions as a pressure introduction through hole for guiding external pressure to the pressure sensor element 2.
【０００４】次に、半導体圧力センサの製造方法につい
て図８を参照しつつ説明する。まず、半導体圧力センサ
ウエハ１（同図（ａ） ）とガラス台座５（同図（ｂ）
）とを準備する。そして、キャビティ３と貫通穴６と
を対応させながら、半導体圧力センサウエハ１とガラス
台座５とを重ね合わせた後、従来より周知の陽極接合に
よって接合する（同図（ｃ） ）。その後で、スクライ
ブライン７（図６の実線および図７の点線）に沿って半
導体体圧力センサウエハ１とガラス台座５との接合体（
同図（ｃ） ）をワイヤソーなどによって切断し、半導
体圧力センサチップに分離する。さらに、その半導体圧
力センサチップにアッセンブリ処理を施して半導体圧力
センサを組み立てる。Next, a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor will be explained with reference to FIG. First, the semiconductor pressure sensor wafer 1 ((a) in the same figure) and the glass pedestal 5 ((b) in the same figure)
) and prepare. Then, the semiconductor pressure sensor wafer 1 and the glass pedestal 5 are placed one on top of the other, with the cavity 3 and the through hole 6 corresponding to each other, and then they are bonded together by conventionally well-known anodic bonding (FIG. 4(c)). Thereafter, the bonded body of the semiconductor pressure sensor wafer 1 and the glass pedestal 5 (
(c) of the same figure is cut using a wire saw or the like to separate semiconductor pressure sensor chips. Furthermore, the semiconductor pressure sensor chip is subjected to an assembly process to assemble a semiconductor pressure sensor.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】半導体圧力センサウエ
ハ１とガラス台座５との重ね合わせ処理においては、キ
ャビティ３と貫通穴６とが１対１で対応するように位置
決めする必要がある。そこで、従来より、オペレータが
この作業を目視観察によって行っている。すなわち、オ
ペレータは、全てのキャビティ３についてキャビティ３
が貫通穴６と一致するように、半導体圧力センサウエハ
１とガラス台座５との位置合わせを行っている。そのた
め、その作業に多くの労力と時間が費やされていた。In the process of overlapping the semiconductor pressure sensor wafer 1 and the glass pedestal 5, it is necessary to position the cavities 3 and the through holes 6 in one-to-one correspondence. Therefore, conventionally, operators have performed this work through visual observation. That is, the operator selects cavity 3 for all cavities 3.
The semiconductor pressure sensor wafer 1 and the glass pedestal 5 are aligned so that the through hole 6 coincides with the through hole 6. Therefore, a lot of effort and time were spent on this work.
【０００６】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたもので、半導体圧力センサの製造を容易に行うこと
ができる半導体圧力センサウエハ及びその製造方法を得
ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a semiconductor pressure sensor wafer and a method for manufacturing the same, which facilitate the manufacture of semiconductor pressure sensors.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ダイ
ヤフラム構造の圧力センサ素子を複数個備え、前記圧力
センサ素子に圧力を導入するための圧力導入用貫通穴が
複数個設けられた台座と接合される半導体圧力センサウ
エハであって、上記目的を達成するために、前記台座に
設けられた位置決め用貫通穴に対応する位置に位置決め
用貫通穴を設け、前記位置決め用貫通穴同士を重ね合わ
せることにより、前記圧力センサ素子と前記圧力導入用
貫通穴とが１対１で対応するようにしている。[Means for Solving the Problems] The invention as claimed in claim 1 provides a pedestal that includes a plurality of pressure sensor elements having a diaphragm structure and is provided with a plurality of pressure introduction through holes for introducing pressure into the pressure sensor elements. A semiconductor pressure sensor wafer is bonded to a semiconductor pressure sensor wafer, and in order to achieve the above object, a positioning through hole is provided at a position corresponding to a positioning through hole provided in the pedestal, and the positioning through holes are overlapped with each other. As a result, the pressure sensor element and the pressure introduction through hole correspond to each other on a one-to-one basis.
【０００８】また、請求項２の発明は、ダイヤフラム構
造の圧力センサ素子を複数個備え、前記圧力センサ素子
に圧力を導入するための圧力導入用貫通穴が複数個設け
られた台座と接合される半導体圧力センサウエハの製造
方法であって、上記目的を達成するために、（ａ） 半
導体ウエハの一方主面側に圧力センサ素子のセンス領域
を形成する第１の工程と、（ｂ） センス領域に対応す
る前記半導体ウエハの他方面側を除去してダイヤフラム
構造の圧力センサ素子を形成する一方、前記台座に設け
られた位置決め用貫通穴に対応する位置に位置決め用貫
通穴を設ける第２の工程と、（ｃ） 前記半導体ウエハ
と前記台座とを接合する第３の工程とを備えている。[0008] Furthermore, the invention according to claim 2 is provided with a plurality of pressure sensor elements having a diaphragm structure, and is joined to a pedestal provided with a plurality of pressure introduction through holes for introducing pressure into the pressure sensor elements. A method for manufacturing a semiconductor pressure sensor wafer, in order to achieve the above object, includes (a) a first step of forming a sense region of a pressure sensor element on one main surface side of a semiconductor wafer, and (b) forming a sense region in the sense region. a second step of removing the other side of the corresponding semiconductor wafer to form a pressure sensor element having a diaphragm structure, while providing a positioning through hole at a position corresponding to the positioning through hole provided in the pedestal; , (c) a third step of bonding the semiconductor wafer and the pedestal.
【０００９】また、請求項３の発明は、前記第２の工程
（ｂ） を、（ｂ−１） 前記センス領域が形成された
前記半導体ウエハの前記一方主面上に第１マスク材を形
成する一方、他方面上に第２マスク材を形成する工程と
、（ｂ−２） 前記台座に設けられた位置決め用貫通穴
に対応して前記第１マスク材に位置決め貫通穴用の第１
開口を設け、第１マスクを形成する工程と、（ｂ−３）
前記第２マスク材に、前記第１開口に対応する位置に
位置決め貫通穴用の第２開口と、前記センス領域に対応
する位置に第３開口とをそれぞれ設け、第２マスクを形
成する工程と、（ｂ−４） 前記第１及び第２マスクを
マスクとして、前記第３開口に対応する前記半導体ウエ
ハの一部をエッチング除去してダイヤフラム構造の圧力
センサ素子を形成すると同時に、前記第１及び第２開口
に対応する前記半導体ウエハの一部をエッチング除去し
て位置決め用貫通穴を形成する工程とで構成している。[0009] Furthermore, the invention of claim 3 is characterized in that the second step (b) is performed by (b-1) forming a first mask material on the one principal surface of the semiconductor wafer on which the sense region is formed. (b-2) forming a second mask material on the other surface; (b-2) forming a first positioning through hole in the first mask material corresponding to the positioning through hole provided in the pedestal;
(b-3) providing an opening and forming a first mask;
forming a second mask by providing a second opening for a positioning through hole in the second mask material at a position corresponding to the first opening, and a third opening at a position corresponding to the sense region; , (b-4) using the first and second masks as masks, etching and removing a portion of the semiconductor wafer corresponding to the third opening to form a pressure sensor element having a diaphragm structure; The method includes a step of etching away a portion of the semiconductor wafer corresponding to the second opening to form a positioning through hole.
【００１０】0010
【作用】この発明では、位置決め用貫通穴が台座に設け
られた位置決め用貫通穴に対応して半導体圧力センサウ
エハに設けられている。したがって、前記半導体圧力セ
ンサウエハに設けられた位置決め用貫通穴が前記台座に
設けられた位置決め用貫通穴に重ね合わされると、圧力
センサ素子と圧力導入用貫通穴とが１対１で対応する。According to the present invention, positioning through holes are provided in the semiconductor pressure sensor wafer in correspondence with positioning through holes provided in the pedestal. Therefore, when the positioning through hole provided in the semiconductor pressure sensor wafer is overlapped with the positioning through hole provided in the pedestal, the pressure sensor element and the pressure introduction through hole correspond one to one.
【００１１】[0011]
【実施例】図１はこの発明にかかる半導体圧力センサウ
エハの一実施例を示す平面図であり、図２はその底面図
である。また、図３（ａ） はその断面図である。この
実施例が従来例と大きく相違する点は、この実施例では
本来圧力センサ素子２が設けられる位置に位置決め用の
貫通穴１０が半導体ウエハ１に設けられている点である
。なお、その他の構成については、従来例のそれと同一
であるため、ここではその説明は省略する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a semiconductor pressure sensor wafer according to the present invention, and FIG. 2 is a bottom view thereof. Further, FIG. 3(a) is a sectional view thereof. The major difference between this embodiment and the conventional example is that in this embodiment, a through hole 10 for positioning is provided in the semiconductor wafer 1 at the position where the pressure sensor element 2 is originally provided. Note that the other configurations are the same as those of the conventional example, so the explanation thereof will be omitted here.
【００１２】次に、この半導体圧力センサウエハ１の製
造方法について図４を参照しつつ説明する。まず、同図
（ａ） に示すように、半導体ウエハ１ａの表面側に圧
力センサ素子２のセンス領域２０を複数個一定間隔をも
って形成する。この実施例では各センス領域２０に複数
の拡散抵抗２１を形成している。なお、センス領域２０
の形成手順については従来より周知であるため、ここで
はその手順についての説明は省略する。Next, a method of manufacturing this semiconductor pressure sensor wafer 1 will be explained with reference to FIG. First, as shown in FIG. 5A, a plurality of sensing regions 20 of pressure sensor elements 2 are formed at regular intervals on the front surface side of a semiconductor wafer 1a. In this embodiment, a plurality of diffused resistors 21 are formed in each sense region 20. Note that the sense area 20
Since the procedure for forming is well known, a description of the procedure will be omitted here.
【００１３】そして、上記半導体ウエハ１ａの両面にシ
リコン酸化膜を形成した後、写真製版法を用いて、半導
体ウエハ１ａの表面に形成されたシリコン酸化膜に開口
３１を設けてマスク３０を形成する一方、半導体ウエハ
１ａの裏面に形成されたシリコン酸化膜に開口３２，３
３を設けてマスク３４を形成する（図４（ｂ） ）。こ
こで、開口３１，３２はガラス台座５の位置決め用貫通
穴（後で説明する）に対応する位置に、しかも互いに対
向するように設けられる。一方、開口３３はそれぞれセ
ンス領域２０に対応して設けられている。After silicon oxide films are formed on both sides of the semiconductor wafer 1a, a mask 30 is formed by providing openings 31 in the silicon oxide film formed on the surface of the semiconductor wafer 1a using photolithography. On the other hand, openings 32 and 3 are formed in the silicon oxide film formed on the back surface of the semiconductor wafer 1a.
3 to form a mask 34 (FIG. 4(b)). Here, the openings 31 and 32 are provided at positions corresponding to positioning through holes (described later) of the glass pedestal 5, and facing each other. On the other hand, the openings 33 are provided corresponding to the sense regions 20, respectively.
【００１４】ついで、エッチング処理を実行する。これ
によって、開口３３に対応した半導体ウエハ１ａの裏面
側にキャビティ３が形成されて（図４（ｃ） ）、圧力
センサ素子２のダイヤフラム部４が形成される。また、
それと同時に、開口３１，３２に対応する領域もそれぞ
れエッチングされて、同図（ｃ） に示すように、位置
決め用貫通穴１０が形成される。したがって、新たにエ
ッチング工程を設けることなく、キャビティ３以外に位
置決め用貫通穴１０を同時に形成することができる。[0014] Next, an etching process is performed. As a result, a cavity 3 is formed on the back side of the semiconductor wafer 1a corresponding to the opening 33 (FIG. 4(c)), and a diaphragm portion 4 of the pressure sensor element 2 is formed. Also,
At the same time, the regions corresponding to the openings 31 and 32 are also etched, forming a positioning through hole 10, as shown in FIG. 2(c). Therefore, the positioning through hole 10 can be simultaneously formed in areas other than the cavity 3 without providing a new etching process.
【００１５】最後に、マスク３０，３４を除去して、図
３（ａ） に示す半導体圧力センサウエハ１が得られる
。Finally, the masks 30 and 34 are removed to obtain the semiconductor pressure sensor wafer 1 shown in FIG. 3(a).
【００１６】次に、再度図３に戻って、半導体圧力セン
サの製造手順について説明する。まず、上記のようにし
て製造された半導体圧力センサウエハ１（同図（ａ）
）と、ガラス台座５（同図（ｂ） 及び図９）とを準備
する。
なお、半導体圧力センサウエハ１の製造に先立って、ガ
ラス台座５に設けられた圧力導入用貫通穴のうち、適当
な４つを位置決め用貫通穴６ａとして設定しておく。Next, referring back to FIG. 3, the manufacturing procedure of the semiconductor pressure sensor will be explained. First, the semiconductor pressure sensor wafer 1 manufactured as described above (see FIG.
) and a glass pedestal 5 (FIG. 9(b) and FIG. 9) are prepared. Note that, prior to manufacturing the semiconductor pressure sensor wafer 1, suitable four of the pressure introduction through holes provided in the glass pedestal 5 are set as positioning through holes 6a.
【００１７】そして、位置決め用貫通穴６ａ，１０が互
いに一致するように、半導体圧力センサウエハ１とガラ
ス台座５とを重ね合わせる（同図（ｃ） ）。例えば、
ガラス台座５上に半導体圧力センサウエハ１を搭載した
後、オペレータがそれらの上方から位置決め用貫通穴６
ａ，１０のずれの様子を観察しながら、半導体圧力セン
サウエハ１とガラス台座５とを相対的移動させる。そし
て、位置決め用貫通穴１０，６ａを介してガラス台座５
の下方側が観察された時点、すなわち両貫通穴６ａ，１
０が一致してずれ量がゼロになった時点でその移動を停
止させる。こうすることによって、簡単にキャビティ３
と貫通穴６とが１対１で対応するように、半導体圧力セ
ンサウエハ１とガラス台座５とを位置決めすることがで
きる。Then, the semiconductor pressure sensor wafer 1 and the glass pedestal 5 are placed on top of each other so that the positioning through holes 6a and 10 are aligned with each other (FIG. 2(c)). for example,
After mounting the semiconductor pressure sensor wafer 1 on the glass pedestal 5, the operator inserts the positioning through hole 6 from above.
The semiconductor pressure sensor wafer 1 and the glass pedestal 5 are moved relative to each other while observing the deviation of the points a and 10. Then, the glass pedestal 5 is inserted through the positioning through holes 10 and 6a.
The point in time when the lower side of the through holes 6a, 1 is observed
The movement is stopped when the values match and the amount of deviation becomes zero. By doing this, you can easily open the cavity 3.
The semiconductor pressure sensor wafer 1 and the glass pedestal 5 can be positioned such that the through holes 6 and 6 correspond to each other on a one-to-one basis.
【００１８】それに続いて、半導体圧力センサウエハ１
とガラス台座５とを陽極接合した後、スクライブライン
７に沿って切断して半導体圧力チップ４０（図５）を分
離する。さらに、こうして分離された半導体圧力チップ
４０を、図５に示すように、圧力導入口５１を備えた外
装ケ―ス５２に取付けるとともに、接続ワイヤ５３によ
って半導体圧力チップ４０の電極端子（図示省略）と外
部端子５４とを電気的に接続する。そして、最後に、キ
ャップ５５をケース５２に取り付けることによって、半
導体圧力センサが完成する。Subsequently, semiconductor pressure sensor wafer 1
After anodic bonding is performed to the glass pedestal 5, the semiconductor pressure chip 40 (FIG. 5) is separated by cutting along the scribe line 7. Furthermore, as shown in FIG. 5, the semiconductor pressure chip 40 separated in this way is attached to an exterior case 52 equipped with a pressure introduction port 51, and an electrode terminal (not shown) of the semiconductor pressure chip 40 is attached by a connecting wire 53. and the external terminal 54 are electrically connected. Finally, by attaching the cap 55 to the case 52, the semiconductor pressure sensor is completed.
【００１９】以上のように、この実施例によれば、ガラ
ス台座５の位置決め用貫通穴６ａに対応して半導体圧力
センサウエハ１に位置決め用貫通穴を設けているので、
単に位置決め用貫通穴１０，６ａを一致させるだけで、
キャビティ３と圧力導入用の貫通穴６とが１対１で対応
する。したがって、短時間で、しかも容易に半導体圧力
センサウエハ１とガラス台座５との位置合わせを行うこ
とができ、半導体圧力センサの製造を容易に行うことが
できる。As described above, according to this embodiment, since the semiconductor pressure sensor wafer 1 is provided with a positioning through hole corresponding to the positioning through hole 6a of the glass pedestal 5,
By simply aligning the positioning through holes 10 and 6a,
The cavity 3 and the pressure introduction through hole 6 correspond to each other on a one-to-one basis. Therefore, the semiconductor pressure sensor wafer 1 and the glass pedestal 5 can be aligned easily in a short time, and the semiconductor pressure sensor can be manufactured easily.
【００２０】なお、上記実施例では、半導体圧力センサ
ウエハ１には４個の貫通穴１０が設けられているが、貫
通穴１０の個数はこれに限定されるものではない。ただ
し、位置決めの精度などを考慮すれば、複数個の貫通穴
１０を対角線上に設けることが望ましい。In the above embodiment, the semiconductor pressure sensor wafer 1 is provided with four through holes 10, but the number of through holes 10 is not limited to this. However, in consideration of positioning accuracy, it is desirable to provide a plurality of through holes 10 diagonally.
【００２１】また、近年同一半導体チップ上に圧力セン
サと電子回路とが組み込まれた装置が提案されているが
、本発明をこのような装置にも適用することが可能であ
る。Furthermore, in recent years, devices have been proposed in which a pressure sensor and an electronic circuit are incorporated on the same semiconductor chip, and the present invention can also be applied to such devices.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、位置決め用貫通穴を台座に設けられた位置決め
用貫通穴に対応して半導体圧力センサウエハに設けるよ
うにしたので、前記半導体圧力センサウエハに設けられ
た位置決め用貫通穴を前記台座に設けられた位置決め用
貫通穴に重ね合わせるだけで、圧力センサ素子と圧力導
入用貫通穴とを１対１で対応させることができ、半導体
圧力センサを容易に製造することができる。As explained above, according to the first aspect of the invention, the positioning through holes are provided in the semiconductor pressure sensor wafer in correspondence with the positioning through holes provided in the pedestal. By simply overlapping the positioning through hole provided on the pressure sensor wafer with the positioning through hole provided on the pedestal, the pressure sensor element and the pressure introduction through hole can be matched one-to-one, allowing semiconductor pressure The sensor can be easily manufactured.
【００２３】また、請求項２の発明によれば、台座に設
けられた位置決め用貫通穴に対応して半導体圧力センサ
ウエハに位置決め用貫通穴を設けているので、前記半導
体圧力センサウエハに設けられた位置決め用貫通穴を前
記台座に設けられた位置決め用貫通穴に重ね合わせるだ
けで、圧力センサ素子と圧力導入用貫通穴とを１対１で
対応させることができ、半導体圧力センサを容易に製造
することができる。Further, according to the second aspect of the invention, since the semiconductor pressure sensor wafer is provided with a positioning through hole corresponding to the positioning through hole provided in the pedestal, the positioning hole provided in the semiconductor pressure sensor wafer is By simply overlapping the through hole for positioning with the through hole for positioning provided in the pedestal, the pressure sensor element and the through hole for pressure introduction can be made to correspond one to one, and the semiconductor pressure sensor can be manufactured easily. Can be done.
【００２４】また、請求項３の発明に寄れば、前記第２
の工程（ｂ） を、（ｂ−１） 前記センス領域が形成
された前記半導体ウエハの前記一方主面上に第１マスク
材を形成する一方、他方面上に第２マスク材を形成する
工程と、（ｂ−２） 前記台座に設けられた位置決め用
貫通穴に対応して前記第１マスク材に位置決め貫通穴用
の第１開口を設け、第１マスクを形成する工程と、（ｂ
−３） 前記第２マスク材に、前記第１開口に対応する
位置に位置決め貫通穴用の第２開口と、前記センス領域
に対応する位置に第３開口とをそれぞれ設け、第２マス
クを形成する工程と、（ｂ−４） 前記第１及び第２マ
スクをマスクとして、前記第３開口に対応する前記半導
体ウエハの一部をエッチング除去してダイヤフラム構造
の圧力センサ素子を形成すると同時に、前記第１及び第
２開口に対応する前記半導体ウエハの一部をエッチング
除去して位置決め用貫通穴を形成する工程とで構成して
いるので、位置決め用貫通穴が正確に形成され、上記発
明と同様の効果を奏することができる。[0024] Furthermore, according to the invention of claim 3, the second
(b-1) forming a first mask material on the one main surface of the semiconductor wafer on which the sense region is formed, and forming a second mask material on the other surface; and (b-2) forming a first mask by providing a first opening for a positioning through hole in the first mask material corresponding to the positioning through hole provided in the pedestal;
-3) A second opening for a positioning through hole is provided in the second mask material at a position corresponding to the first opening, and a third opening is provided at a position corresponding to the sense region, thereby forming a second mask. (b-4) using the first and second masks as masks, etching away a portion of the semiconductor wafer corresponding to the third opening to form a pressure sensor element having a diaphragm structure; Since the method includes the step of etching away a portion of the semiconductor wafer corresponding to the first and second openings to form a positioning through hole, the positioning through hole can be formed accurately, similar to the above invention. It is possible to achieve the following effects.
【図１】この発明にかかる半導体圧力センサウエハの一
実施例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a semiconductor pressure sensor wafer according to the present invention.
【図２】その底面図である。FIG. 2 is a bottom view thereof.
【図３】半導体圧力センサの製造手順を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing procedure of a semiconductor pressure sensor.
【図４】半導体圧力センサウエハの製造方法を示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor wafer.
【図５】半導体圧力センサの構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the configuration of a semiconductor pressure sensor.
【図６】従来の半導体圧力センサウエハを示す平面図で
ある。FIG. 6 is a plan view showing a conventional semiconductor pressure sensor wafer.
【図７】その底面図である。FIG. 7 is a bottom view thereof.
【図８】従来の半導体圧力センサウエハの製造方法を示
す図である。FIG. 8 is a diagram showing a conventional method for manufacturing a semiconductor pressure sensor wafer.
【図９】ガラス台座を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a glass pedestal.
１ 半導体ウエハ ２ 圧力センサ素子 ５ ガラス台座 ６ 圧力導入用貫通穴 ６ａ，１０ 位置決め用貫通穴 ２０ センス領域 ３０，３４ マスク ３１，３２，３３ 開口 1 Semiconductor wafer 2 Pressure sensor element 5 Glass pedestal 6 Through hole for pressure introduction 6a, 10 Positioning through hole 20 Sense area 30, 34 Mask 31, 32, 33 Opening
Claims (3)
複数個備え、前記圧力センサ素子に圧力を導入するため
の圧力導入用貫通穴が複数個設けられた台座と接合され
る半導体圧力センサウエハにおいて、前記台座に設けら
れた位置決め用貫通穴に対応する位置に位置決め用貫通
穴が設けられ、前記位置決め用貫通穴同士を重ね合わせ
ることにより、前記圧力センサ素子と前記圧力導入用貫
通穴とが１対１で対応することを特徴とする半導体圧力
センサウエハ。1. A semiconductor pressure sensor wafer comprising a plurality of pressure sensor elements having a diaphragm structure and bonded to a pedestal provided with a plurality of pressure introduction through holes for introducing pressure to the pressure sensor elements, the pedestal comprising: A positioning through hole is provided at a position corresponding to the positioning through hole provided in the positioning through hole, and by overlapping the positioning through holes, the pressure sensor element and the pressure introduction through hole are arranged in a one-to-one relationship. A semiconductor pressure sensor wafer characterized by being compatible.
複数個備え、前記圧力センサ素子に圧力を導入するため
の圧力導入用貫通穴が複数個設けられた台座と接合され
る半導体圧力センサウエハの製造方法であって、（ａ）
半導体ウエハの一方主面側に圧力センサ素子のセンス
領域を形成する第１の工程と、（ｂ）センス領域に対応
する前記半導体ウエハの他方面側を除去してダイヤフラ
ム構造の圧力センサ素子を形成する一方、前記台座に設
けられた位置決め用貫通穴に対応する位置に位置決め用
貫通穴を設ける第２の工程と、（ｃ） 前記半導体ウエ
ハと前記台座とを接合する第３の工程とを備えたことを
特徴とする半導体圧力センサウエハの製造方法。2. A method for manufacturing a semiconductor pressure sensor wafer, which includes a plurality of pressure sensor elements having a diaphragm structure and is bonded to a pedestal provided with a plurality of pressure introduction through holes for introducing pressure into the pressure sensor elements. Yes, (a)
a first step of forming a sense region of a pressure sensor element on one main surface side of a semiconductor wafer; (b) forming a pressure sensor element with a diaphragm structure by removing the other surface side of the semiconductor wafer corresponding to the sense region; and (c) a third step of bonding the semiconductor wafer and the pedestal. A method for manufacturing a semiconductor pressure sensor wafer, characterized in that:
） 前記センス領域が形成された前記半導体ウエハの前
記一方主面上に第１マスク材を形成する一方、他方面上
に第２マスク材を形成する工程と、（ｂ−２） 前記台
座に設けられた位置決め用貫通穴に対応して前記第１マ
スク材に位置決め貫通穴用の第１開口を設け、第１マス
クを形成する工程と、（ｂ−３） 前記第２マスク材に
、前記第１開口に対応する位置に位置決め貫通穴用の第
２開口と、前記センス領域に対応する位置に第３開口と
をそれぞれ設け、第２マスクを形成する工程と、（ｂ−
４） 前記第１及び第２マスクをマスクとして、前記第
３開口に対応する前記半導体ウエハの一部をエッチング
除去してダイヤフラム構造の圧力センサ素子を形成する
と同時に、前記第１及び第２開口に対応する前記半導体
ウエハの一部をエッチング除去して位置決め用貫通穴を
形成する工程とで構成される請求項２の半導体圧力セン
サウエハの製造方法。3. The second step (b) comprises (b-1
) forming a first mask material on the one main surface of the semiconductor wafer on which the sense region is formed, and forming a second mask material on the other surface; (b-2) providing on the pedestal; (b-3) forming a first mask by providing a first opening for a positioning through hole in the first mask material corresponding to the positioning through hole formed in the second mask material; a step of forming a second mask by providing a second opening for a positioning through hole at a position corresponding to the first opening, and a third opening at a position corresponding to the sense region;
4) Using the first and second masks as masks, etching and removing a portion of the semiconductor wafer corresponding to the third opening to form a pressure sensor element having a diaphragm structure; 3. The method of manufacturing a semiconductor pressure sensor wafer according to claim 2, further comprising the step of etching away a corresponding part of said semiconductor wafer to form a positioning through hole.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13266191A JPH04357881A (en) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | Semiconductor pressure sensor wafer and manufacture thereof |
| DE19924211247 DE4211247C2 (en) | 1991-06-04 | 1992-04-03 | Semiconductor wafer equipped with membrane pressure sensor elements and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13266191A JPH04357881A (en) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | Semiconductor pressure sensor wafer and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357881A true JPH04357881A (en) | 1992-12-10 |
Family
ID=15086544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13266191A Pending JPH04357881A (en) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | Semiconductor pressure sensor wafer and manufacture thereof |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357881A (en) |
| DE (1) | DE4211247C2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2019144630A1 (en) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 杨松 | Sensor and manufacturing method therefor |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE4321804A1 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-12 | Ranco Inc | Process for the production of small components |
| US5604160A (en) * | 1996-07-29 | 1997-02-18 | Motorola, Inc. | Method for packaging semiconductor devices |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH073380B2 (en) * | 1983-05-31 | 1995-01-18 | 株式会社日立製作所 | Integrated pressure sensor |
| US4975390A (en) * | 1986-12-18 | 1990-12-04 | Nippondenso Co. Ltd. | Method of fabricating a semiconductor pressure sensor |
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1991
- 1991-06-04 JP JP13266191A patent/JPH04357881A/en active Pending
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1992
- 1992-04-03 DE DE19924211247 patent/DE4211247C2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4211247A1 (en) | 1992-12-10 |
| DE4211247C2 (en) | 1996-04-25 |
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