JPH04353831A - 液晶シャッター - Google Patents
液晶シャッターInfo
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- JPH04353831A JPH04353831A JP12968591A JP12968591A JPH04353831A JP H04353831 A JPH04353831 A JP H04353831A JP 12968591 A JP12968591 A JP 12968591A JP 12968591 A JP12968591 A JP 12968591A JP H04353831 A JPH04353831 A JP H04353831A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶シャッターに係わ
り、特に、交流電場の印加、遮断により光学的に透明な
状態と光散乱状態とを可逆的に発現する液晶シャッター
に関する。
り、特に、交流電場の印加、遮断により光学的に透明な
状態と光散乱状態とを可逆的に発現する液晶シャッター
に関する。
【0002】
【従来技術】液晶素子は、軽量で薄く出来るのでポケッ
タブルな電卓、テスター等の表示体あるいは装飾用、P
OP用として図形や文字を主として平面上に表示する装
置として広く利用され、さらに最近では薄膜トランジス
ターを用いてフルカラーで動画を表示する液晶テレビジ
ョンとしても実用化されるに至っている。これらにおけ
るシャッター動作の原理は、ツイステッドネマチックモ
ード(以降TN型)と言われるもので公知の技術である
(小林、岡野編著 ”液晶”1985年 培風館)
。
タブルな電卓、テスター等の表示体あるいは装飾用、P
OP用として図形や文字を主として平面上に表示する装
置として広く利用され、さらに最近では薄膜トランジス
ターを用いてフルカラーで動画を表示する液晶テレビジ
ョンとしても実用化されるに至っている。これらにおけ
るシャッター動作の原理は、ツイステッドネマチックモ
ード(以降TN型)と言われるもので公知の技術である
(小林、岡野編著 ”液晶”1985年 培風館)
。
【0003】しかしながら、液晶はこうした表示素子と
しての利用の他に様々な機能を発現する機能性材料とし
ての可能性をも秘めており、幅広い研究がされている。 こうした可能性の一つとしてより大面積の遮光性シャッ
ターの研究開発が試みられている。具体的には屋内用、
車裁用の大型ウィンドウ、プラスチックフィルムカーテ
ン、目隠し用ウィンドウなどへの展開が考えられている
。この観点からするとTN型はガラス基板上にポリイミ
ド等の有機物を用いた配向処理と2枚の偏光板を必要と
するため、大型でも軽量で薄いシャッターを製造する技
術としては必ずしも適したものでない。液晶には流動性
が残されており、自己支持性に欠けるので液晶自体の重
量を保持するのに平滑で剛性のある基板を必要とし、ガ
ラスや厚めのプラスチックが使われるからである。この
ため、大型化すると重くなるのみならず、液晶の注入と
配向処理に困難をきたし液晶相の配向自身も難しくなる
。加えて、偏光板は光透過率と耐久性を大きく低下させ
る原因となり、先述したような高い透明性と遮光性の両
方を要求される液晶用シャッター等には全く向かない。
しての利用の他に様々な機能を発現する機能性材料とし
ての可能性をも秘めており、幅広い研究がされている。 こうした可能性の一つとしてより大面積の遮光性シャッ
ターの研究開発が試みられている。具体的には屋内用、
車裁用の大型ウィンドウ、プラスチックフィルムカーテ
ン、目隠し用ウィンドウなどへの展開が考えられている
。この観点からするとTN型はガラス基板上にポリイミ
ド等の有機物を用いた配向処理と2枚の偏光板を必要と
するため、大型でも軽量で薄いシャッターを製造する技
術としては必ずしも適したものでない。液晶には流動性
が残されており、自己支持性に欠けるので液晶自体の重
量を保持するのに平滑で剛性のある基板を必要とし、ガ
ラスや厚めのプラスチックが使われるからである。この
ため、大型化すると重くなるのみならず、液晶の注入と
配向処理に困難をきたし液晶相の配向自身も難しくなる
。加えて、偏光板は光透過率と耐久性を大きく低下させ
る原因となり、先述したような高い透明性と遮光性の両
方を要求される液晶用シャッター等には全く向かない。
【0004】大面積でも薄く軽量なシャッターとしては
、液晶の完全な配向が不要で偏光板がいらない動作モー
ドが必要で、かつ自己支持性のある素材であって、製造
上でも印刷技術やラミネート技術が使えることが望まれ
る。こうした要望に答えるもので最近注目されているも
のに、液晶と高分子バインダーの複合体がある。これは
高分子分散液晶フィルム(以下単にPDLCという、J
.W.DOANE et al.,Mol.Cryst
.Liq.Cryst.,vol 165,533(1
988)、特開昭60ー252687号公報)と呼ばれ
ている。これの構造的な特徴は、図4の(イ)に示すよ
うに、高分子バインダー中に液晶が可視波長程度の大き
さの粒、あるいはより複雑であるがネットワーク状に分
散したものであるということである。どのような分散状
態になるかは製造方法に依存する。シャッター性の起源
は、光散乱状態と透明状態が交互に顕れることでなされ
る。図4の(ロ)に示すように、交流電場を印加すると
、バインダーと分散した液晶の屈折率が略一致した状態
となり、光を散乱せず透明となる。不一致の場合は、図
4の(イ)に示すように、不均一な屈折率分布により光
が散乱されるということである。
、液晶の完全な配向が不要で偏光板がいらない動作モー
ドが必要で、かつ自己支持性のある素材であって、製造
上でも印刷技術やラミネート技術が使えることが望まれ
る。こうした要望に答えるもので最近注目されているも
のに、液晶と高分子バインダーの複合体がある。これは
高分子分散液晶フィルム(以下単にPDLCという、J
.W.DOANE et al.,Mol.Cryst
.Liq.Cryst.,vol 165,533(1
988)、特開昭60ー252687号公報)と呼ばれ
ている。これの構造的な特徴は、図4の(イ)に示すよ
うに、高分子バインダー中に液晶が可視波長程度の大き
さの粒、あるいはより複雑であるがネットワーク状に分
散したものであるということである。どのような分散状
態になるかは製造方法に依存する。シャッター性の起源
は、光散乱状態と透明状態が交互に顕れることでなされ
る。図4の(ロ)に示すように、交流電場を印加すると
、バインダーと分散した液晶の屈折率が略一致した状態
となり、光を散乱せず透明となる。不一致の場合は、図
4の(イ)に示すように、不均一な屈折率分布により光
が散乱されるということである。
【0005】しかし、PDLCの欠点として2相複合体
であるので、 (1)液晶部分に印加される実効的な電圧が低下する、
(2)液晶に未反応のバインダー分子が残存して純度が
低下し、これにより動作電圧が上昇する、(3)液晶と
バインダー間の相互作用のため液晶に対する束縛が通常
のTNセルより強い、等を補償するため、一般に純粋な
TN動作より駆動電圧が大きく増加する。また液晶とバ
インダーの分離が完全でないので、屈折率の調整が難し
く霞がかかったようになり完全な透明性が得られない。 これらは本質的にはPDLCが相分離した2相系である
ことに起因するものである。
であるので、 (1)液晶部分に印加される実効的な電圧が低下する、
(2)液晶に未反応のバインダー分子が残存して純度が
低下し、これにより動作電圧が上昇する、(3)液晶と
バインダー間の相互作用のため液晶に対する束縛が通常
のTNセルより強い、等を補償するため、一般に純粋な
TN動作より駆動電圧が大きく増加する。また液晶とバ
インダーの分離が完全でないので、屈折率の調整が難し
く霞がかかったようになり完全な透明性が得られない。 これらは本質的にはPDLCが相分離した2相系である
ことに起因するものである。
【0006】他方、軽量で大面積向きのフィルム化が可
能な液晶性材料として自己支持性に富む高分子液晶があ
る。遮光性シャッターとしてはTN型での動作が試みら
れているが、現在のところ合成された液晶は粘性が高く
応答速度が遅い、動作温度域が高いなどの理由で期待さ
れた特性は得られていない。これらが解決されたとして
もTNモードでは先述した問題により大面積化は困難で
ある。
能な液晶性材料として自己支持性に富む高分子液晶があ
る。遮光性シャッターとしてはTN型での動作が試みら
れているが、現在のところ合成された液晶は粘性が高く
応答速度が遅い、動作温度域が高いなどの理由で期待さ
れた特性は得られていない。これらが解決されたとして
もTNモードでは先述した問題により大面積化は困難で
ある。
【0007】特開昭64ー6008号公報には、強誘電
性のメソゲンを側鎖としたシロキサンタイプの高分子液
晶でフィルムシャッターを製造する試みもあるが、液晶
配向の問題などで、やはり大面積シャッターの実用化に
は程遠いのが現状である。総じて高分子液晶では大面積
のシャッター性をどんなメカニズムで発現するかの枠組
みが明確になっておらず、暗中模索の状態である。
性のメソゲンを側鎖としたシロキサンタイプの高分子液
晶でフィルムシャッターを製造する試みもあるが、液晶
配向の問題などで、やはり大面積シャッターの実用化に
は程遠いのが現状である。総じて高分子液晶では大面積
のシャッター性をどんなメカニズムで発現するかの枠組
みが明確になっておらず、暗中模索の状態である。
【0008】本発明者らは、コレステリック相を呈する
高分子液晶/低分子液晶混合系も、低分子コレステリッ
ク液晶と同様に、図1に示すグランジャン状態、図2に
示すフォーカルコニック状態(以下単にFC状態という
)、図3に示すホメオトロピック状態をとることが可能
であり、特にFC状態が低分子液晶に比べて非常に強い
光散乱能を有し経時的にも安定であることを見いだした
。これは交流電場印加で光学的に透明なホメオトロピッ
ク状態を形成できるので、可逆的な光シャッターとして
利用できることを意味する。FC状態は、PDLCに劣
らず強い光散乱能を有するが、PDLCにおけるように
完全な安定状態でないため、電場遮断後、概ね数分程度
で光散乱能が劣化する、すなわち透明性の若干高い状態
に移行して安定化する。この様子は図6の(a)のグラ
フ変化に示す。
高分子液晶/低分子液晶混合系も、低分子コレステリッ
ク液晶と同様に、図1に示すグランジャン状態、図2に
示すフォーカルコニック状態(以下単にFC状態という
)、図3に示すホメオトロピック状態をとることが可能
であり、特にFC状態が低分子液晶に比べて非常に強い
光散乱能を有し経時的にも安定であることを見いだした
。これは交流電場印加で光学的に透明なホメオトロピッ
ク状態を形成できるので、可逆的な光シャッターとして
利用できることを意味する。FC状態は、PDLCに劣
らず強い光散乱能を有するが、PDLCにおけるように
完全な安定状態でないため、電場遮断後、概ね数分程度
で光散乱能が劣化する、すなわち透明性の若干高い状態
に移行して安定化する。この様子は図6の(a)のグラ
フ変化に示す。
【0009】この最終的な状態の光散乱能は、液晶の厚
みを増せば比例して増大するが、駆動電圧が増加するな
どの問題がある。要求される白濁の程度は、使用される
目的により異なるが、非常に強い遮光性が必要な場合も
考えられ、この場合、厚みを増すのが好ましくない場合
は、緩和する前の白濁度(光透過率)を図6に示す点(
M)の位置程度に維持することが必要である。
みを増せば比例して増大するが、駆動電圧が増加するな
どの問題がある。要求される白濁の程度は、使用される
目的により異なるが、非常に強い遮光性が必要な場合も
考えられ、この場合、厚みを増すのが好ましくない場合
は、緩和する前の白濁度(光透過率)を図6に示す点(
M)の位置程度に維持することが必要である。
【0010】また平衡状態での光散乱能も、図1のグラ
ンジャン状態に近い状態に移行するか、またはFC状態
のラセン軸が基板と平面なフィンガープリント状態から
少し傾いたFC状態に移行するため、長期的には劣化す
る。これは温度が高くなると促進される傾向が強く、液
晶の粘性が低下するためと考えられる。また応答速度を
増して低電圧動作が要求される場合には高分子液晶成分
を減らして低分子液晶を増す必要がある。この場合、光
散乱状態の保持が難しい場合が多い。したがって、図6
に示す点(M)の位置程度の強い光散乱状態を、広い温
度領域で一定に保持することが必要である。
ンジャン状態に近い状態に移行するか、またはFC状態
のラセン軸が基板と平面なフィンガープリント状態から
少し傾いたFC状態に移行するため、長期的には劣化す
る。これは温度が高くなると促進される傾向が強く、液
晶の粘性が低下するためと考えられる。また応答速度を
増して低電圧動作が要求される場合には高分子液晶成分
を減らして低分子液晶を増す必要がある。この場合、光
散乱状態の保持が難しい場合が多い。したがって、図6
に示す点(M)の位置程度の強い光散乱状態を、広い温
度領域で一定に保持することが必要である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、コレステリ
ック相を示す高分子液晶/低分子液晶混合系において、
電場遮断後の強い光散乱性フォーカルコニック状態の安
定性を保持して、広い温度領域で光シャッターとしての
遮光時の白濁度(光散乱強度)を一定にする駆動方法を
提供しようとするものである。
ック相を示す高分子液晶/低分子液晶混合系において、
電場遮断後の強い光散乱性フォーカルコニック状態の安
定性を保持して、広い温度領域で光シャッターとしての
遮光時の白濁度(光散乱強度)を一定にする駆動方法を
提供しようとするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、低
分子液晶と高分子液晶の混合物、もしくは低分子液晶と
高分子液晶と光学活性物質の混合物を、コレステリック
相を呈する温度域で少なくとも一方が透明な電極付基板
間に挟持したものであって、高電圧の交流電場の印加に
より光学的に透明な状態を形成し、直流電圧に交流電場
を重畳した電場の印加により光散乱状態を保持するよう
にしたこと特徴とする液晶シャッターである。
分子液晶と高分子液晶の混合物、もしくは低分子液晶と
高分子液晶と光学活性物質の混合物を、コレステリック
相を呈する温度域で少なくとも一方が透明な電極付基板
間に挟持したものであって、高電圧の交流電場の印加に
より光学的に透明な状態を形成し、直流電圧に交流電場
を重畳した電場の印加により光散乱状態を保持するよう
にしたこと特徴とする液晶シャッターである。
【0013】
【作用】高分子液晶が臨界濃度以上を占める低分子液晶
との混合系では、図1のグランジャン状態から図3のホ
メオトロピック状態へ移行する途上(電圧印加)、もし
くはこの逆に変化する途上(電場遮断)に相当経時的に
安定な強い光散乱性を示す状態が存在しうるのであるが
、本発明はこの状態を広い温度範囲で半永久的に保持出
来るようにしたのである。
との混合系では、図1のグランジャン状態から図3のホ
メオトロピック状態へ移行する途上(電圧印加)、もし
くはこの逆に変化する途上(電場遮断)に相当経時的に
安定な強い光散乱性を示す状態が存在しうるのであるが
、本発明はこの状態を広い温度範囲で半永久的に保持出
来るようにしたのである。
【0014】
【発明の詳述】本発明は、印刷適性を有しフィルム化が
可能であって、かつ高速応答性と経時的に安定な光散乱
状態を呈する液晶系の電気光学的応答を詳細に調べた結
果に基づいている。高分子液晶と低分子液晶の混合系で
コレステリック相を呈する系は下記の実施例に述べるよ
うに容易に形成出来る。混合系の最初の状態を、図5の
位置(f)としてこの状態に対して、1Vrms/20
sec(周波数100ヘルツのサインカーブ)の昇圧速
度でゆっくりと交流電圧を印加すると、図5の(a)に
示すように、光透過率が(f)から始まって変化し、一
定値(e)に達する。
可能であって、かつ高速応答性と経時的に安定な光散乱
状態を呈する液晶系の電気光学的応答を詳細に調べた結
果に基づいている。高分子液晶と低分子液晶の混合系で
コレステリック相を呈する系は下記の実施例に述べるよ
うに容易に形成出来る。混合系の最初の状態を、図5の
位置(f)としてこの状態に対して、1Vrms/20
sec(周波数100ヘルツのサインカーブ)の昇圧速
度でゆっくりと交流電圧を印加すると、図5の(a)に
示すように、光透過率が(f)から始まって変化し、一
定値(e)に達する。
【0015】重要なことは、図1のグランジャン状態が
図3の垂直配向したホメオトロピック状態に変化する途
上に、ラセン軸が電場と略垂直(面内ではラセン軸の向
きはランダムで、フィンガープリントと呼ばれる)なF
C状態があって、これが強い光散乱性を呈して透過率が
最小を示す電圧領域Vmin 〜Vmax (図5参照
)があるということである。光学的に透明なホメオトロ
ピック状態から同じ速度で電圧を降下させると、(b)
のルートで透過率が低下し、最終的には(s)になる。 すなわち、上昇時のルートとは一致せずヒステリシスを
示す。 ヒステリシスは組成に依存し高分子液晶の含有量が増す
につれて強くなる。この場合、透明状態が一度形成され
た後、保持電圧を低下させることも可能である。ホメオ
トロピック状態で電場を遮断すると、図5に示す(m)
の白濁度に近い状態が得られるが、これは見かけ上Vm
in からVmaxまでの範囲の電圧印加に対応する状
態である。
図3の垂直配向したホメオトロピック状態に変化する途
上に、ラセン軸が電場と略垂直(面内ではラセン軸の向
きはランダムで、フィンガープリントと呼ばれる)なF
C状態があって、これが強い光散乱性を呈して透過率が
最小を示す電圧領域Vmin 〜Vmax (図5参照
)があるということである。光学的に透明なホメオトロ
ピック状態から同じ速度で電圧を降下させると、(b)
のルートで透過率が低下し、最終的には(s)になる。 すなわち、上昇時のルートとは一致せずヒステリシスを
示す。 ヒステリシスは組成に依存し高分子液晶の含有量が増す
につれて強くなる。この場合、透明状態が一度形成され
た後、保持電圧を低下させることも可能である。ホメオ
トロピック状態で電場を遮断すると、図5に示す(m)
の白濁度に近い状態が得られるが、これは見かけ上Vm
in からVmaxまでの範囲の電圧印加に対応する状
態である。
【0016】問題は、図6の(M)の状態の白濁の程度
が、図6の(a)で示したように時間的に緩和して、最
終的には透明度の高い一定値(s)に達することである
。最終的な白濁度はセルの厚みによるが、この厚みは動
作電圧に影響を与える。家庭での使用では余り高い電圧
は好ましくない。本発明者等は図5の低電圧印加部分の
応答に強い光散乱を示す領域Vmin 〜Vmax が
あることに着目して、電場を遮断した後、引き続いてこ
の電圧領域内の弱い電場を印加して緩和のない高い白濁
度が維持できないか調べた。
が、図6の(a)で示したように時間的に緩和して、最
終的には透明度の高い一定値(s)に達することである
。最終的な白濁度はセルの厚みによるが、この厚みは動
作電圧に影響を与える。家庭での使用では余り高い電圧
は好ましくない。本発明者等は図5の低電圧印加部分の
応答に強い光散乱を示す領域Vmin 〜Vmax が
あることに着目して、電場を遮断した後、引き続いてこ
の電圧領域内の弱い電場を印加して緩和のない高い白濁
度が維持できないか調べた。
【0017】この実験によると概してVmin 以下の
余り低い電圧印加では十分長い時間を経過すると徐々に
透明性が増した。これはこの電圧では図6の(a)の平
衡状態への移行を止められないことを示している。但し
、余り高い電圧(Vmax より数V低電圧)でも透明
性が増すことがあり、これは徐々にホメオトロピック状
態に変化するためと考えられる。一般には、この中間の
電圧V(Vmin <V<Vmax )の印加で白濁度
の保持が可能であった。
余り低い電圧印加では十分長い時間を経過すると徐々に
透明性が増した。これはこの電圧では図6の(a)の平
衡状態への移行を止められないことを示している。但し
、余り高い電圧(Vmax より数V低電圧)でも透明
性が増すことがあり、これは徐々にホメオトロピック状
態に変化するためと考えられる。一般には、この中間の
電圧V(Vmin <V<Vmax )の印加で白濁度
の保持が可能であった。
【0018】しかしながら、この場合では緩和量は減少
するが完全には抑止できなかった。そこで直流定電圧に
交流を重畳させた電場を印加して同じく緩和挙動を調べ
た。直流電圧と交流電圧の割合を変化させて見たところ
、交流電圧としてVmin 近傍の値を採用するとかな
り幅広い直流電圧範囲で緩和が完全に抑止されることが
分かった。この傾向は高分子液晶と低分子液晶の組成比
によらず、また交流の周波数によらない普遍的な効果で
あった。これが請求項1の内容である。低分子コレステ
リック液晶では同じ抑止効果は見られなかったので何等
かの高分子性に由来するか、使用した材料に依存する効
果と考えられるが詳しい機構は不明である。抑止効果に
周波数依存性が見られないこと、組織の流動が見られな
いことなどから動的散乱現象ではないと考えられる。以
下実施例により詳しく説明する。
するが完全には抑止できなかった。そこで直流定電圧に
交流を重畳させた電場を印加して同じく緩和挙動を調べ
た。直流電圧と交流電圧の割合を変化させて見たところ
、交流電圧としてVmin 近傍の値を採用するとかな
り幅広い直流電圧範囲で緩和が完全に抑止されることが
分かった。この傾向は高分子液晶と低分子液晶の組成比
によらず、また交流の周波数によらない普遍的な効果で
あった。これが請求項1の内容である。低分子コレステ
リック液晶では同じ抑止効果は見られなかったので何等
かの高分子性に由来するか、使用した材料に依存する効
果と考えられるが詳しい機構は不明である。抑止効果に
周波数依存性が見られないこと、組織の流動が見られな
いことなどから動的散乱現象ではないと考えられる。以
下実施例により詳しく説明する。
【0019】
【実施例】下記の構造式で化1で表されるアクリル骨格
の共重合コレステリック型側鎖型高分子液晶と、化2で
示される低分子ネマチック液晶5CBを重量比で1:9
から7:3の範囲で混合した。化1は、光学活性なコレ
ステリル残基とシアノビフェニル残基からなるコポリマ
ー型の高分子液晶である。図10にその相図を示したが
、実線の下側ではコレステリック相を呈した。
の共重合コレステリック型側鎖型高分子液晶と、化2で
示される低分子ネマチック液晶5CBを重量比で1:9
から7:3の範囲で混合した。化1は、光学活性なコレ
ステリル残基とシアノビフェニル残基からなるコポリマ
ー型の高分子液晶である。図10にその相図を示したが
、実線の下側ではコレステリック相を呈した。
【0020】
【化1】
【0021】
【化2】
【0022】ここでn:m=1:2、k=l=5である
。これらの値はここに記された値に限らず、コレステリ
ック相を示す範囲であればよい。化1の重量平均分子量
は、約1.5万であった。(分子量約11万の高分子液
晶でも以下の結果に本質的な違いは無かった。) こ
の混合系に25ミクロンのガラススペーサーを分散し均
一なインキとした後、電極付き透明フィルム上にコーテ
ィングした。その後、対向電極付きフィルムで狭持し液
晶セルとした。
。これらの値はここに記された値に限らず、コレステリ
ック相を示す範囲であればよい。化1の重量平均分子量
は、約1.5万であった。(分子量約11万の高分子液
晶でも以下の結果に本質的な違いは無かった。) こ
の混合系に25ミクロンのガラススペーサーを分散し均
一なインキとした後、電極付き透明フィルム上にコーテ
ィングした。その後、対向電極付きフィルムで狭持し液
晶セルとした。
【0023】高分子液晶の重量分率が増すと粘性が高く
透明なホメオトロピック配向を得るのが高電圧であり、
かつオフしてもコレステリックに戻るのに時間がかかっ
た。逆に低分子量成分が増すにつれて光散乱強度が弱く
なり、かつ先述したFC状態の緩和が速くなる傾向であ
った。好ましい組成は3:7から5:5である。混合比
が4:6(高分子:低分子)の系に1V/20sec
の速度で電場を印加した場合の透過率の変化を図5に示
したた。3:7の組成では65V、4:6では90Vの
電圧で完全な透明状態を示した。
透明なホメオトロピック配向を得るのが高電圧であり、
かつオフしてもコレステリックに戻るのに時間がかかっ
た。逆に低分子量成分が増すにつれて光散乱強度が弱く
なり、かつ先述したFC状態の緩和が速くなる傾向であ
った。好ましい組成は3:7から5:5である。混合比
が4:6(高分子:低分子)の系に1V/20sec
の速度で電場を印加した場合の透過率の変化を図5に示
したた。3:7の組成では65V、4:6では90Vの
電圧で完全な透明状態を示した。
【0024】この状態で電圧を遮断すると非常に強い光
散乱状態を呈し、いづれの組成でもヘイズ値で95程度
の白濁度であった。3:7の組成では図6(a)で示す
ように、徐々に緩和して約10分後に平衡状態に達し、
この時のヘイズ値は約80(図6の(s)参照)であっ
た。この状態からでは光散乱状態の緩和は見られなかっ
た。時間変化はHe−Neレーザービームをセルに照射
して透過量をフォトダイオードで電圧に変換して測定し
たものである。次に遮断後再び弱い電場を印加しての緩
和の抑止効果を調べた。
散乱状態を呈し、いづれの組成でもヘイズ値で95程度
の白濁度であった。3:7の組成では図6(a)で示す
ように、徐々に緩和して約10分後に平衡状態に達し、
この時のヘイズ値は約80(図6の(s)参照)であっ
た。この状態からでは光散乱状態の緩和は見られなかっ
た。時間変化はHe−Neレーザービームをセルに照射
して透過量をフォトダイオードで電圧に変換して測定し
たものである。次に遮断後再び弱い電場を印加しての緩
和の抑止効果を調べた。
【0025】図6(b)と(b)’に遮断後引き続いて
20V及び30V(いずれも100Hz)の交流を印加
した結果を示した。緩和は印加しない場合より抑制され
てはいるが、完全ではない。一般に交流だけの印加では
完全な抑止は不可能であった。そこで直流電圧10Vに
Vmin より若干低い電圧10Vを重畳したものを印
加した結果を図6の(c)の変化で示した。この場合に
は遮断直後の白濁度の緩和が起こらずほぼ完全な抑止効
果が見られた。効果的な直流電圧の範囲を調べるために
交流電圧を一定にして直流電圧を変化させて1000秒
後の平衡透過率を組成が3:7交流電圧10V)と4:
6(同20V)の場合について調べた結果を図7と図8
に示した。いずれの場合にも相当広い電圧範囲で透過率
の極小が得られている。高分子量が多いほど極小を与え
る電圧範囲は広く、交流電圧を増やすと直流電圧は低め
にシフトする傾向である。
20V及び30V(いずれも100Hz)の交流を印加
した結果を示した。緩和は印加しない場合より抑制され
てはいるが、完全ではない。一般に交流だけの印加では
完全な抑止は不可能であった。そこで直流電圧10Vに
Vmin より若干低い電圧10Vを重畳したものを印
加した結果を図6の(c)の変化で示した。この場合に
は遮断直後の白濁度の緩和が起こらずほぼ完全な抑止効
果が見られた。効果的な直流電圧の範囲を調べるために
交流電圧を一定にして直流電圧を変化させて1000秒
後の平衡透過率を組成が3:7交流電圧10V)と4:
6(同20V)の場合について調べた結果を図7と図8
に示した。いずれの場合にも相当広い電圧範囲で透過率
の極小が得られている。高分子量が多いほど極小を与え
る電圧範囲は広く、交流電圧を増やすと直流電圧は低め
にシフトする傾向である。
【0026】次に4:6の組成について直流30Vに交
流20Vを重畳した電圧を印加して最低の平衡透過率を
得た後、温度を上げて透過率の変化を調べた。結果は図
9に示した。この組成では約48度まで殆ど変化が見ら
れず温度変化に対して非常に安定であることが分かった
。最後に付け加えると直流電圧は同じ極性である必要は
なく、適当な時間間隔、例えば5分等で極性を切り替え
てもよい。
流20Vを重畳した電圧を印加して最低の平衡透過率を
得た後、温度を上げて透過率の変化を調べた。結果は図
9に示した。この組成では約48度まで殆ど変化が見ら
れず温度変化に対して非常に安定であることが分かった
。最後に付け加えると直流電圧は同じ極性である必要は
なく、適当な時間間隔、例えば5分等で極性を切り替え
てもよい。
【0027】
【発明の効果】本発明により低電圧で動作する、大面積
でも軽量で極めて強い遮光性を有する温度変化に対して
安定な液晶シャッターの提供が可能である。これは、偏
光板と液晶の完全な配向が不必要であり、大型の直視型
ディスプレイおよびプロジェクション型ディスブレイの
液晶表示体としても利用できる。
でも軽量で極めて強い遮光性を有する温度変化に対して
安定な液晶シャッターの提供が可能である。これは、偏
光板と液晶の完全な配向が不必要であり、大型の直視型
ディスプレイおよびプロジェクション型ディスブレイの
液晶表示体としても利用できる。
【0028】
【図1】本発明でコレステリック相が取り得る、ラセン
軸が基板面に略垂直なグランジャン状態を示す模式図で
ある。
軸が基板面に略垂直なグランジャン状態を示す模式図で
ある。
【図2】本発明でコレステリック相が取り得る、経時的
に安定なフォーカルコニック状態を示す模式図である。
に安定なフォーカルコニック状態を示す模式図である。
【図3】本発明でコレステリック相が取り得る、ホメオ
トロピック状態を示す模式図である。
トロピック状態を示す模式図である。
【図4】高分子分散液晶の液晶シヤッターの一例であっ
て、(イ)は電圧無印加時に光散乱状態を呈することを
示す説明図、(ロ)は電圧印加時に光透過状態を呈する
ことを示す説明図である。
て、(イ)は電圧無印加時に光散乱状態を呈することを
示す説明図、(ロ)は電圧印加時に光透過状態を呈する
ことを示す説明図である。
【図5】本発明の液晶シヤッターの駆動方法の原理を示
す説明図である。
す説明図である。
【図6】本発明の液晶シヤッターにおける初期の白濁状
態の緩和を時間の関数として示すグラフ図である。
態の緩和を時間の関数として示すグラフ図である。
【図7】高分子液晶と低分子液晶の組成比が3:7であ
る本発明の液晶シヤッターにおける白濁状態の平衡透過
率を交流電圧が一定の場合に直流電圧の関数として表示
したグラフ図である。
る本発明の液晶シヤッターにおける白濁状態の平衡透過
率を交流電圧が一定の場合に直流電圧の関数として表示
したグラフ図である。
【図8】高分子液晶と低分子液晶の組成比が4:6であ
る本発明の液晶シヤッターにおける白濁状態の平衡透過
率を交流電圧が一定の場合に直流電圧の関数として表示
した図である。
る本発明の液晶シヤッターにおける白濁状態の平衡透過
率を交流電圧が一定の場合に直流電圧の関数として表示
した図である。
【図9】直流に交流を重畳して得られる白濁状態の光透
過率の温度変化を示すグラフ図である。
過率の温度変化を示すグラフ図である。
【図10】実施例に用いた高分子液晶と低分子液晶の混
合系が示す相図である。
合系が示す相図である。
400 透明電極
401 バインダーポリマー
402 ランダム配向した液晶
403 透明基板
404 ホメオトロピック配向した液晶405 液
晶粒 410 入射光 411 散乱光または反射光 412 透過光
晶粒 410 入射光 411 散乱光または反射光 412 透過光
Claims (1)
- 【請求項1】低分子液晶と高分子液晶の混合物、もしく
は低分子液晶と高分子液晶と光学活性物質の混合物を、
コレステリック相を呈する温度域で少なくとも一方が透
明な電極付基板間に挟持したものであって、高電圧の交
流電場の印加により光学的に透明な状態を形成し、直流
電圧に交流電場を重畳した電場の印加により光散乱状態
を保持するようにしたこと特徴とする液晶シャッター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12968591A JPH04353831A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 液晶シャッター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12968591A JPH04353831A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 液晶シャッター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04353831A true JPH04353831A (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=15015653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12968591A Pending JPH04353831A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 液晶シャッター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04353831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369868B1 (en) * | 1998-06-05 | 2002-04-09 | Reveo, Inc. | Liquid crystal polarizer with electrically controllable bandwidth |
| US6473143B2 (en) * | 1991-11-27 | 2002-10-29 | Reveo, Inc. | Broadband switchable polarizer |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP12968591A patent/JPH04353831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6473143B2 (en) * | 1991-11-27 | 2002-10-29 | Reveo, Inc. | Broadband switchable polarizer |
| US6369868B1 (en) * | 1998-06-05 | 2002-04-09 | Reveo, Inc. | Liquid crystal polarizer with electrically controllable bandwidth |
| US6697133B2 (en) | 1998-06-05 | 2004-02-24 | Reveo, Inc. | Controllable bandwidth polarizer |
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