JPH04352375A - 半導体レーザ - Google Patents

半導体レーザ

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JPH04352375A
JPH04352375A JP15389991A JP15389991A JPH04352375A JP H04352375 A JPH04352375 A JP H04352375A JP 15389991 A JP15389991 A JP 15389991A JP 15389991 A JP15389991 A JP 15389991A JP H04352375 A JPH04352375 A JP H04352375A
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JP
Japan
Prior art keywords
laser
semiconductor laser
wavelength
face
optical path
Prior art date
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Pending
Application number
JP15389991A
Other languages
English (en)
Inventor
Norio Tabuchi
田渕 規夫
Hiroshi Tsuchiya
博 土屋
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光通信、光情報処理
、光加工等に用いられる多波長マルチビームの半導体レ
ーザに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光空間通信は単一波長のシングル
ビームレーザで行われている。この光源として多波長レ
ーザとして多重光空間通信を行う場合、発振波長の異な
るマルチビームレーザが必要である。図6に示すように
、複数、この例の場合2個の半導体レーザビームを出射
するように、波長の異なるレーザストライプ2、3を設
けた半導体レーザ6が用いられ、この半導体レーザ6の
出射端面7より、発振波長の異なるレーザビームが出射
される。
【0003】しかし、図7に示すように、この発振波長
の異なるマルチビーム15を1個のガラスレンズ16を
介して合成すると、ガラスレンズ16での色収差により
、ビームを平行光にして飛ばすことはできない。
【0004】すなわち、通常のガラスレンズ16の屈折
率は光の波長によって異なるため、焦点距離も異なって
くる。これを色収差と言い、波長が短いほど焦点距離が
短くなる。
【0005】そのため、図7に示すように、従来の構造
の多波長マルチビームレーザのビーム15を短い波長の
光に焦点距離を合わせたガラスレンズ16に通すと、短
波長ビーム17(例えば、青色レーザビーム)は平行光
になるが長波長ビーム18(例えば、赤色レーザビーム
)は広がってしまう。これでは、波長の異なる2本のレ
ーザ光を長い距離にわたって同時に伝送することは困難
である。
【0006】前述したように、マルチビーム半導体レー
ザからのレーザビームを1つのレンズで合成すると、焦
点上に、レーザとレンズの焦点位置の光路長に比例して
分離され、同一場所に焦点を結ぶことはできない。
【0007】そこで、本願出願人は先に特願昭2−22
9844号として、レーザ素子からの光路長に光学ガラ
ス等からなる光路長補正手段を設け、焦点距離を調整す
る方法を提案している。しかしながらこの方法では、位
置合わせ、光学部品の厚み等の調整が困難である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上述した難
点を解消するべくなされたものにして、光路長を制御し
、1つのガラスレンズで平行光又は焦点を結ぶことを可
能にした半導体レーザを提供することをその目的とする
【0009】
【課題が解決するための手段】この発明の第1の発明に
係る半導体レーザは、多波長で発振するマルチビーム半
導体レーザにおいて、波長の短いレーザの出射端面が波
長の長いレーザの出射端面に対して前方になるように、
レーザの光軸方向に出射端面を異ならしめたことを特徴
とする。
【0010】また、この発明の第2の発明に係る半導体
レーザは、同一基板上に異なる波長で発振する複数の半
導体レーザ素子を形成し、各半導体レーザの出射端面を
レーザの光軸方向に異ならしめて光路長を補正し且つ、
半導体レーザ素子からのレーザビームを選択的に反射又
は透過するダイクロックミラーを光路側に配設し、前記
各半導体レーザ素子からのレーザビームの焦点を同一軸
上、且つ同一地点に結んだことを特徴とする。
【0011】
【作用】第1の発明によれば、多波長マルチビームレー
ザのビーム出射端面をガラスレンズの色収差だけずらせ
ることにより、波長の異なるビームを1つのガラスレン
ズで同時に平行光にすることができる。
【0012】また、第2の発明によれば、各半導体レー
ザの出射端面をレーザの光軸方向に異ならしめることで
、光路長が補正され、同一場所に焦点が結ばれる。そし
て、ダイクロイックミラーにより、特定の波長域のレー
ザビームが選択的に反射並びに透過され、同一光軸上に
レーザビームが合成される。
【0013】
【実施例】以下、この発明の実施例につき図面を参照し
て説明する。
【0014】まず、図1および図2に従い第1の発明に
つき説明する。図1は第1の発明の第1の実施例、図2
は第1の発明の第2の実施例を夫々示す概略各側面図で
ある。
【0015】図1に示すように、この実施例においては
、同一基板上に異なる波長で発振する2つの半導体レー
ザ素子10、11を設け、レーザ素子10のレーザスト
ライプ2からは波長830nmのレーザビームが出射端
面4から出射される。
【0016】また、レーザ素子11のレーザストライプ
からは波長820nmのレーザビームが出射端面5から
出射される。
【0017】さて、前述したように、多波長マルチビー
ムレーザのビームを例えば、短い波長の焦点距離を合わ
せたガラスレンズに通すと、短波長ビームは平行になる
が長波長ビームは広がってしまう。
【0018】これでは波長の異なるレーザ光を長い距離
に亘って同時に伝送することは困難である。そこで、こ
の発明は、図1に示すように、長波長のビームの出射端
面4を色収差だけ後方にずらせることにより、1つのガ
ラスレンズで同時に平行光にするものである。
【0019】ここで、色収差をΔf、ガラスレンズの焦
点距離をf、ガラスレンズの屈折率をn、波長変化によ
る屈折率変化をΔnとすると、各関係は(1)式のよう
に表せる。   たとえば、波長820nmに対して、f=200m
mのBK7のレンズを使うと、屈折率は820nmで1
.5098、830nmで1.5097となり、Δn=
0.0001であるので、(1)式より色収差Δfは約
39μmになる。
【0020】従って、830nmのレーザの出射端面4
を820nmのレーザの出射端面5に対して39μm後
方にすれば、1つのガラスレンズで2つの波長の異なっ
たビームを平行光にすることができる。
【0021】そして、出射端面を異ならしめるためには
、例えば、長波長側のレーザの一方出射端面4をエッチ
ングによって、他方の出射端面5より後方に形成すれば
よい。
【0022】図2示す実施例は、波長の異なる2つのレ
ーザチップ20、21をハイブリッドに集積したもので
あり、2つのビーム出射端面24、25を図1の関係に
なるように配置することにより、同様の効果が得られる
【0023】次に、この発明の第2の発明について、図
3ないし図5に従い説明する。
【0024】図3はこの発明の半導体レーザ装置の一実
施例を示す模式図、図3は各素子の発振波長を示す特性
図、図5はこの実施例における各半導体レーザ素子の波
長とダイクロイックミラーの反射率との関係を示す特性
図である。
【0025】図3に示すように、この実施例においては
、同一基板上に異なる波長で発振する3つの次半導体レ
ーザ素子30、31、32が設けられる。この半導体レ
ーザ素子30からは波長λ1のレーザビームが、半導体
レーザ31からは波長λ2のレーザビームが、半導体レ
ーザ32からは波長λ3のレーザビームが夫々発振され
る。
【0026】半導体レーザ素子30からのレーザビーム
は全反射ミラー35にてプリズム型の第1のダイクロイ
ックミラー40の方向に反射される。そして、このダイ
クロイックミラー40は半導体レーザ素子30の波長域
に対して100%反射する特性を有しており、ダイクロ
イックミラー40で反射された半導体レーザ素子20の
レーザビームはプリズム型の第2のダイクロイックミラ
ー41へ導かれる。このダイクロイックミラー41は半
導体レーザ素子30の波長域を透過する特性を有してお
り、半導体レーザ素子30のレーザビームはダイクロイ
ックミラー41を透過し、図示しないレンズへ集光され
る。
【0027】また、半導体レーザ素子31の出射端面は
、上記半導体レーザ30の出射端面よりl1だけ後ろに
なるように、へき開面を化学エッチング等により除去す
ることにより、半導体レーザ素子31からのレーザビー
ムは光路長を補正され、第1、第2のダイクロイックミ
ラー40、41へ導かれる。この第1、第2のダイクロ
イックミラー40、41は半導体レーザ素子31の波長
域を透過する特性を有しており、半導体レーザ素子11
からのレーザビームが両ダイクロイックミラー40、4
1を透過してレンズへ集光される。
【0028】更に半導体レーザ素子32の出射端面は、
上記半導体レーザ31の出射端面よりl3だけ前方にな
るように、へき開面を化学エッチング等により処理する
ことにより、半導体レーザ素子32からのレーザビーム
は光路長を補正され、全反射ミラー36にてプリズム型
の第2のダイクロイックミラー41の方向に反射される
。そして、このダイクロイックミラー41は半導体レー
ザ32の波長域に対して100%反射する特性を有して
おり、ダイクロイックミラー32で反射された半導体レ
ーザ32のレーザビームはレンズへ集光される。
【0029】このように、第1、第2のダイクロイック
ミラー40、41は特定の波長のレーザビームを選択的
に反射並びに透過させるように構成されており、各半導
体レーザ素子から発振されたレーザビームは同一光軸上
に導かれる。
【0030】次に、この発明による光路長を等しくする
方法図3を参照して更に説明する。
【0031】各半導体レーザ素子30、31、32の間
隔を1d、ダイクロイックミラー40、41の一辺の長
さを1m、その屈折率をnmとすると、各半導体レーザ
素子30、31、32からλ1、λ2、λ3のレーザ光
を発する位置から、A点までの距離はそれぞれ次式で示
す、Lλ1、Lλ2、Lλ3になる。
【0032】 Lλ1=(ls−2lm)+1/2・lm+(ld−1
/2・lm)+2nmlm−lλ=2nmlm+(ls
−2lm)+ld−l1=ls+(ld−l1)+2(
nm−1)lmLλ2=(ls−2lm)+2nmlm
=ls+2(nm−1)lmLλ3=(ls−1/2・
l3)+1(ld−1/2・lm)+nmlm−l3=
ls+(ld−l3)+(nm−1)lm
【0033】ここで、各光路長は等しいから、Lλ1=
Lλ2−Lλ3  となる。よって、ld−l1=0 
 となり、l1=ld  となる。
【0034】また、(nm−1)lm=ld−l3  
となり、従って、l3=ld−(nm−1)lm  と
なる。
【0035】このことから、λ1、λ3のレーザを発す
るレーザ端面をld,ld−(nm−1)lm前方に位
置させるように、へき開面を化学エッチングなどにより
処理すれば良い。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の第1の
発明によると、多波長マルチビームレーザのビーム出射
端面をガラスレンズの色収差だけずらせることにより、
波長の異なるビームを1つのガラスレンズで同時に平行
光にすることができる。
【0037】また、第2の発明によれば、各半導体レー
ザの出射端面をレーザの光軸方向に異ならしめることで
、光路長が補正され、同一場所に焦点が結ばれる。そし
て、ダイクロイックミラーにより、特定の波長域のレー
ザビームが選択的に反射並びに透過され、同一光軸上に
レーザビームを合成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】  この発明の第1の発明の第1の実施例を示
す概略側面図である。
【図2】  この発明の第1の発明の第2の実施例を示
す概略側面図である。
【図3】  この発明の第2の発明に係る実施例を示す
模式図である。
【図4】  各レーザ素子の発振波長を示す特性図であ
る。
【図5】  各半導体レーザの波長に対するダイクロイ
ックミラーの反射率を示す特性図である。
【図6】  従来のマルチビーム半導体レーザを示す概
略側面図である。
【図7】  ガラスレンズの色収差を示す模式図である
【符号の説明】
2  レーザストライプ 3  レーザストライプ 4  出射端面 5  出射端面 30  半導体レーザ素子 31  半導体レーザ素子 32  半導体レーザ素子 35  全反射ミラー 36  全反射ミラー 40  第1のダイクロイックミラー 41  第2のダイクロイックミラー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  多波長で発振するマルチビーム半導体
    レーザにおいて、波長の短いレーザの出射端面が、波長
    の長いレーザの出射端面に対して前方になるように、レ
    ーザの光軸方向に出射端面を異ならしめたことを特徴と
    する半導体レーザ。
  2. 【請求項2】  同一基板上に異なる波長で発振する複
    数の半導体レーザ素子を形成し、各半導体レーザの出射
    端面をレーザの光軸方向に異ならしめて、光路長を補正
    し、且つ半導体レーザ素子からのレーザビームを選択的
    に反射又は透過するダイクロックミラーを光路側に配設
    し、前記各半導体レーザ素子からのレーザビームの焦点
    を同一軸上且つ同一地点に結んだことを特徴とする半導
    体レーザ。
JP15389991A 1991-05-29 1991-05-29 半導体レーザ Pending JPH04352375A (ja)

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