JPH04351477A - Lighting device for discharge lamp - Google Patents

Lighting device for discharge lamp

Info

Publication number
JPH04351477A
JPH04351477A JP3124063A JP12406391A JPH04351477A JP H04351477 A JPH04351477 A JP H04351477A JP 3124063 A JP3124063 A JP 3124063A JP 12406391 A JP12406391 A JP 12406391A JP H04351477 A JPH04351477 A JP H04351477A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
turned
transistor
switching element
current
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3124063A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3121373B2 (en
Inventor
Naokage Kishimoto
直景 岸本
Katsumi Sato
勝己 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP03124063A priority Critical patent/JP3121373B2/en
Publication of JPH04351477A publication Critical patent/JPH04351477A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3121373B2 publication Critical patent/JP3121373B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent simultaneous turning on due to a change in the ON period of a self-excited switching element. CONSTITUTION:A transistor Q1 in an inverter circuit 1 is turned on and off in a self-excited manner in response to a current flowing to a load circuit including a discharge lamp La. FETQ2 is turned on and off in a separately excitated manner by the output from a control circuit 3. After the transistor Q1 is turned off, the control circuit 3 sets the FETQ2 to the state where ON is possible before the current flowing through the primary winding L1 of drive transformer T1 is inverted.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、一方のスイッチング素
子を自励式でオン,オフ制御すると共に、他方のスイッ
チングを他励式でオン,オフ制御するハーフブリッジ構
成のインバータ回路を用いた放電灯点灯装置に関するも
のである。
[Industrial Application Field] The present invention provides discharge lamp lighting using an inverter circuit with a half-bridge configuration in which one switching element is controlled on and off using a self-excitation type, and the other switching element is controlled on and off using a separately excited type. It is related to the device.

【0002】0002

【従来の技術】この種の放電灯点灯装置を図5に示す。 この放電灯点灯装置は、交流電源eから倍電圧整流回路
2で直流電源を得て、この直流電源を電源として動作す
るインバータ回路1から放電灯Laに高周波電力を供給
し、放電灯Laを高周波点灯するものである。
2. Description of the Related Art A discharge lamp lighting device of this type is shown in FIG. This discharge lamp lighting device obtains DC power from an AC power supply e through a voltage doubler rectifier circuit 2, and supplies high-frequency power to the discharge lamp La from an inverter circuit 1 that operates using this DC power supply as a power supply. It lights up.

【0003】倍電圧整流回路2は、ダイオードD1 ,
D2 及びコンデンサC1 ,C2 で構成され、交流
電源eの正の半サイクルにダイオードD1 を介してコ
ンデンサC1 を充電し、負の半サイクルでコンデンサ
C2 を充電することにより、直列接続されたコンデン
サC1 ,C2 の両端に通常のダイオードとコンデン
サとからなる整流平滑回路のほぼ倍の電圧を発生するも
のである。
[0003] The voltage doubler rectifier circuit 2 includes diodes D1,
D2 and capacitors C1 and C2, which are connected in series by charging the capacitor C1 through the diode D1 during the positive half cycle of the AC power supply e and charging the capacitor C2 during the negative half cycle. This generates a voltage approximately twice that of a normal rectifying and smoothing circuit consisting of a diode and a capacitor across C2.

【0004】インバータ回路1は、いわゆるハーフブリ
ッジ構成となっており、スイッチング素子としてトラン
ジスタQ1 とFETQ2 とを用いてある。トランジ
スタQ1 は抵抗R3 ,R4 を介して倍電圧整流回
路2の出力に接続され、コレクタ・エミッタ間にダイオ
ードD3 を逆並列に接続してある。また、FETQ2
 はトランジスタQ1 のベースと倍電圧整流回路2の
出力の負極側との間に接続してある。つまり、トランジ
スタQ1 ,FETQ2 は倍電圧整流回路2の出力に
略直列状態で接続してある。
The inverter circuit 1 has a so-called half-bridge configuration, and uses a transistor Q1 and a FET Q2 as switching elements. The transistor Q1 is connected to the output of the voltage doubler rectifier circuit 2 via resistors R3 and R4, and has a diode D3 connected in antiparallel between its collector and emitter. Also, FETQ2
is connected between the base of the transistor Q1 and the negative output side of the voltage doubler rectifier circuit 2. That is, the transistor Q1 and the FET Q2 are connected to the output of the voltage doubler rectifier circuit 2 in substantially series.

【0005】放電灯Laは直流カット用のコンデンサC
3 及び駆動トランスT1 の1次巻線L1 を介して
トランジスタQ1の両端に接続してあり、フィラメント
の非電源側に予熱用のコンデンサC4 を接続してある
。なお、上記コンデンサC3 ,C4 には夫々放電抵
抗R1 ,R2 を接続してある。また、駆動トランス
T1 の1次巻線L1 は限流要素として機能すると共
に、予熱コンデンサC4 と共に直列共振回路を構成す
る。
[0005] The discharge lamp La is equipped with a capacitor C for cutting direct current.
3 and the primary winding L1 of the drive transformer T1 to both ends of the transistor Q1, and a preheating capacitor C4 is connected to the non-power supply side of the filament. Note that discharge resistors R1 and R2 are connected to the capacitors C3 and C4, respectively. Further, the primary winding L1 of the drive transformer T1 functions as a current limiting element and forms a series resonant circuit together with the preheating capacitor C4.

【0006】駆動トランスT1 は2次巻線L2 に誘
起される電圧をベース抵抗R5 を介してトランジスタ
Q1 のベースに供給して、トランジスタQ1 にバイ
アスをかけるもので、放電灯La、コンデンサC3 ,
C4 及び1次巻線L1 からなる負荷回路に流れる電
流に応じて自励式でトランジスタQ1 をオン,オフ制
御する。なお、トランジスタQ1 のベース・エミッタ
間にはFETQ2 のオン時にトランジスタQ1 を逆
バイアスして確実にオフさせるダイオードD4 を接続
してある。
The drive transformer T1 supplies the voltage induced in the secondary winding L2 to the base of the transistor Q1 via the base resistor R5 to bias the transistor Q1, and connects the discharge lamp La, the capacitor C3,
The transistor Q1 is controlled to be turned on and off in a self-excited manner according to the current flowing through the load circuit consisting of C4 and the primary winding L1. Note that a diode D4 is connected between the base and emitter of the transistor Q1 to reverse bias the transistor Q1 to ensure that it is turned off when the FET Q2 is turned on.

【0007】上記トランジスタQ1 に直列接続された
抵抗R3 ,R4 は、トランジスタQ1 のオン状態
を検出するもので、FETQ2 のオン,オフ制御を行
う制御回路3に検出出力を与える。制御回路3は、汎用
タイマIC(例えば、NEC製のμPC1555等)4
を用いて構成した無安定マルチバイブレータ5と、Dフ
リップフロップ用IC6を用いて構成したTフリップフ
ロップ7と、抵抗R3 ,R4 で分圧した電圧である
トランジスタQ1 のオン検知出力をインバータゲート
G2 で反転した出力とTフリップフロップ7の出力と
のアンドをとるアンドゲートG1 とで構成してある。
Resistors R3 and R4 connected in series with the transistor Q1 detect the on state of the transistor Q1, and provide a detection output to a control circuit 3 that controls on/off of the FET Q2. The control circuit 3 includes a general-purpose timer IC (for example, μPC1555 manufactured by NEC) 4
An astable multivibrator 5 constructed using an IC 6, a T flip-flop 7 constructed using a D flip-flop IC 6, and an on-detection output of a transistor Q1, which is a voltage divided by resistors R3 and R4, are connected to an inverter gate G2. It consists of an AND gate G1 that ANDs the inverted output and the output of the T flip-flop 7.

【0008】無安定マルチバイブレータ5は、外付け抵
抗R7 及びコンデンサC5 の時定数により発振周期
が決まり、抵抗R6 の抵抗値により電流値が決まるト
ランジスタQ4 ,Q5 からなるカレントミラー回路
によりコンデンサC5 を定電流で充電している。この
無安定マルチバイブレータ5についてさらに詳述すると
、次のようになっている。カレントミラー回路から供給
される定電流でコンデンサC5 が充電され、このコン
デンサC5 の両端電圧がスレッショルド端子としての
■ピンに設定されているしきい値(2Vcc/3)に達
すると、出力端子である■の電位がハイレベルとなる。 そして、この際にはそれまでオープン状態にあった放電
端子である■ピンがローレベルとなるため、抵抗R7 
を介してコンデンサC5 の充電電荷が放電される。こ
の放電によりコンデンサC5 の両端電圧がVcc/3
まで低下すると、トリガ端子である■ピンにトリガがか
かり、■ピンがローレベルに反転し、同時に■ピンがオ
ープン状態になることにより、コンデンサC5 の充電
が開始される。以降、上記動作をコンデンサC5 の両
端電圧が2Vcc/3とVcc/3との間で繰り返され
る。この無安定マルチバイブレータ5の出力波形図を図
6(a)に示す。
In the astable multivibrator 5, the oscillation period is determined by the time constant of an external resistor R7 and a capacitor C5, and the capacitor C5 is determined by a current mirror circuit consisting of transistors Q4 and Q5 whose current value is determined by the resistance value of a resistor R6. Charging with current. The astable multivibrator 5 will be described in more detail as follows. Capacitor C5 is charged with a constant current supplied from the current mirror circuit, and when the voltage across this capacitor C5 reaches the threshold (2Vcc/3) set at the ■ pin as the threshold terminal, the output terminal The potential of (2) becomes high level. At this time, the ■ pin, which is the discharge terminal that had been in the open state, becomes low level, so the resistor R7
The charge in the capacitor C5 is discharged through the capacitor C5. Due to this discharge, the voltage across the capacitor C5 increases to Vcc/3
When the voltage drops to 1, a trigger is applied to the trigger terminal (■ pin), the ■ pin is inverted to a low level, and at the same time, the ■ pin becomes open, and charging of the capacitor C5 is started. Thereafter, the above operation is repeated until the voltage across capacitor C5 is between 2Vcc/3 and Vcc/3. An output waveform diagram of this astable multivibrator 5 is shown in FIG. 6(a).

【0009】Tフリップフロップ7は、Dフリップフロ
ップ用IC6の反転出力QB(QBはQの上付バーを示
す)をディレイ端子Dに接続して構成され、クロック入
力Cに無安定マルチバイブレータ5のハイレベル出力が
入力される(無安定マルチバイブレータ5の出力が立ち
上がる)毎に、出力Qが反転する。従って、Tフリップ
フロップ7からはハイ,ローレベル期間が共に無安定マ
ルチバイブレータ5の1周期となったデューティ50%
の矩形波信号が出力される。このTフリップフロップ7
の出力波形を図6(b)に示す。
The T flip-flop 7 is constructed by connecting the inverted output QB (QB indicates the upper bar of Q) of the D flip-flop IC 6 to the delay terminal D, and connects the clock input C of the astable multivibrator 5 to the delay terminal D. Every time a high level output is input (the output of the astable multivibrator 5 rises), the output Q is inverted. Therefore, the high and low level periods from the T flip-flop 7 are both one period of the astable multivibrator 5, and the duty is 50%.
A square wave signal is output. This T flip-flop 7
The output waveform of is shown in FIG. 6(b).

【0010】以下、上記放電灯点灯装置の定常時の動作
を図6に基づいて説明する。いま、Tフリップフロップ
7の出力がローレベルとなる時点(図6中の時刻t0 
)で、アンドゲートG1 の出力がハイレベルからロー
レベルに反転しているとすると、FETQ2 がオフと
なる。 このとき、それまでFETQ2 のオンにより流れてい
た電流を流し続けるように駆動トランスT1 の1次巻
線L1 が働くため、この際には1次巻線L1 →ダイ
オードD3 →コンデンサC3 →放電灯Laの経路で
電流が流れる。このため、駆動トランスT1 の2次巻
線L2 には図6(d)に示すトランジスタQ1 を順
方向バイアスする電圧が誘起され、この電圧によりトラ
ンジスタQ1 にベース電流が流れてトランジスタQ1
 がオン可能状態となる。
[0010] The operation of the above-mentioned discharge lamp lighting device during normal operation will be explained below based on FIG. 6. Now, the point in time when the output of the T flip-flop 7 becomes low level (time t0 in FIG.
), and if the output of AND gate G1 is inverted from high level to low level, FET Q2 is turned off. At this time, the primary winding L1 of the drive transformer T1 works so that the current that had been flowing until then due to the ON of FET Q2 continues to flow. Current flows through the path. Therefore, a voltage that forward biases the transistor Q1 shown in FIG. 6(d) is induced in the secondary winding L2 of the drive transformer T1, and this voltage causes a base current to flow through the transistor Q1.
is ready to be turned on.

【0011】そして、1次巻線L1 に蓄積されたエネ
ルギが消費されると、トランジスタQ1 がオンとなる
。このようにトランジスタQ1 がオンすると、それま
でにコンデンサC3 に蓄積された電荷を電源として、
コンデンサC3 →トランジスタQ1 →1次巻線L1
 →放電灯Laの経路で図6(c)に示す電流が流れ、
コンデンサC3 の電荷が放電される。なお、トランジ
スタQ1 がオンするまでのダイオードD3 を介して
流れる電流を図6(c)中の負方向の電流で示す。
When the energy stored in the primary winding L1 is consumed, the transistor Q1 turns on. When the transistor Q1 turns on in this way, the charge accumulated in the capacitor C3 up to that point is used as a power source.
Capacitor C3 → Transistor Q1 → Primary winding L1
→The current shown in Fig. 6(c) flows in the path of the discharge lamp La,
The charge on capacitor C3 is discharged. Note that the current flowing through the diode D3 until the transistor Q1 is turned on is shown as a negative current in FIG. 6(c).

【0012】この経路の電流は駆動トランスT1 で正
帰還がかかるためトランジスタQ1 のオン状態が深ま
るにつれて図6(c)に示すように増加していく。そし
て、この電流により駆動トランスT1 の2次巻線L2
 に誘起される電圧が打ち消され、ついには2次巻線L
2に誘起される電圧が負方向の電圧となり、トランジス
タQ1 に逆バイアスがかかり、トランジスタQ1 は
オフとなる。 但し、この際にはトランジスタQ1 のスイッチング遅
れにより図6(c)に示す遅れを示す。
The current in this path increases as shown in FIG. 6(c) as the on state of the transistor Q1 deepens because positive feedback is applied to the drive transformer T1. This current causes the secondary winding L2 of the drive transformer T1 to
The voltage induced in the secondary winding L is canceled out, and finally the voltage induced in the secondary winding L
The voltage induced in the transistor Q1 becomes a negative voltage, and a reverse bias is applied to the transistor Q1, turning off the transistor Q1. However, in this case, the delay shown in FIG. 6(c) occurs due to the switching delay of the transistor Q1.

【0013】トランジスタQ1 がオフすると、1次巻
線L1 が同一方向の電流を維持するように働くため、
1次巻線L1 →放電灯La→コンデンサC3 →コン
デンサC1 →コンデンサC2 →FETQ2 (寄生
ダイオード)→2次巻線L2 の経路で電流が流れる。 この際には、図6(f)に示すように、トランジスタQ
1 のオン時にはFETQ2 のドレイン・ソース間に
倍電圧整流回路2の出力電圧Eが印加されていたものが
、FETQ2 の寄生ダイオード(ダンパダイオード)
の順方向電圧まで下がる。
When the transistor Q1 is turned off, the primary winding L1 works to maintain the current in the same direction.
Current flows through the following path: primary winding L1 → discharge lamp La → capacitor C3 → capacitor C1 → capacitor C2 → FET Q2 (parasitic diode) → secondary winding L2. In this case, as shown in FIG. 6(f), the transistor Q
1 is on, the output voltage E of the voltage doubler rectifier circuit 2 is applied between the drain and source of FETQ2, but the parasitic diode (damper diode) of FETQ2
The forward voltage drops to .

【0014】このとき、抵抗R3 ,R4 の分圧電圧
が低くなるために、同図(h)に示すようにインバータ
ゲートG2 の出力がハイレベルとなり、このインバー
タゲートG2 と同図(b)に示すTフリップフロップ
7の出力とのアンドをとるアンドゲートG1 の出力が
同図(i)に示すようにハイレベルとなり、FETQ2
 がオン可能状態となる。
At this time, since the divided voltages of the resistors R3 and R4 become low, the output of the inverter gate G2 becomes high level as shown in FIG. The output of AND gate G1, which takes an AND with the output of T flip-flop 7 shown in FIG.
is ready to be turned on.

【0015】ところで、インバータゲートG2 の入力
の立上りと立下りとが緩やかになっているのは、インバ
ータゲートG2 の入力容量によるもので、この際の立
上りと立下りとの遅れ時間は、入力容量と抵抗R3,R
4 の値で決まる。よって、この立上りと立下りとの遅
れ時間に相当するだけ、同図(h)に示すインバータゲ
ートG2 の出力の変化に遅れを生じる。
By the way, the gradual rise and fall of the input to inverter gate G2 is due to the input capacitance of inverter gate G2, and the delay time between the rise and fall in this case is due to the input capacitance. and resistance R3,R
It is determined by the value of 4. Therefore, there is a delay in the change in the output of the inverter gate G2 shown in FIG.

【0016】ここで、抵抗R3 ,R4 、インバータ
ゲートG2 及びアンドゲートG1 は、トランジスタ
Q1 のオンの際にFETQ2 がオンしないために設
けてある。そして、1次巻線L1 に蓄積されたエネル
ギが消費されると、図6(e)に示すようにFETQ2
 がオンとなって電流方向が反転する。FETQ2 が
オンとなると、倍電圧整流回路2→コンデンサC3 →
放電灯La→1次巻線L1 →ダイオードD4 →FE
TQ2 の経路で電流が流れる。なお、図6(e)の負
方向の電流はFETQ2 の寄生ダイオードを介して流
れる電流を示す。
Here, resistors R3, R4, inverter gate G2, and AND gate G1 are provided to prevent FET Q2 from being turned on when transistor Q1 is turned on. Then, when the energy stored in the primary winding L1 is consumed, the FET Q2
is turned on and the current direction is reversed. When FETQ2 turns on, voltage doubler rectifier circuit 2 → capacitor C3 →
Discharge lamp La → Primary winding L1 → Diode D4 → FE
Current flows through the path of TQ2. Note that the negative current in FIG. 6(e) indicates the current flowing through the parasitic diode of FETQ2.

【0017】ここで、FETQ2 がオンして、上記経
路で電流が流れた際には、ダイオードD4 がオンとな
ることにより、トランジスタQ1 のベース・エミッタ
間が逆バイアスされ、FETQ2 がオンしているとき
にトランジスタQ1 が確実にオフするようにしてある
。以下、上述の動作を繰り返すことにより、トランジス
タQ1 とFETQ2 とを交互にオン,オフさせて、
倍電圧整流回路2の出力をインバータ回路1が高周波に
変換し、放電灯Laを高周波点灯する。
Here, when FETQ2 is turned on and current flows through the above path, diode D4 is turned on, so that the base-emitter of transistor Q1 is reverse biased, and FETQ2 is turned on. It is ensured that transistor Q1 is turned off at certain times. Thereafter, by repeating the above operation, transistor Q1 and FET Q2 are turned on and off alternately,
The inverter circuit 1 converts the output of the voltage doubler rectifier circuit 2 into a high frequency signal, and lights up the discharge lamp La at high frequency.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来例
の場合には、いわゆる自励他励式のインバータ回路1を
用い、駆動トランスT1 の1次巻線L1 に流れる振
動電流により2次巻線L2 に誘起される電圧をトラン
ジスタQ1 のベースに帰還して、トランジスタQ1 
を自励制御している。このため、交流電源eが減少する
方向に変動した場合や、トランジスタQ1 の増幅率(
hFE)のばらつき、あるいは周囲温度の変化により、
1次巻線L1 に流れる振動電流の位相が進むことがあ
る。この場合には、図7(d)に示すように2次巻線L
2 に誘起される電圧の位相も進むため、同図(c)に
示すようにトランジスタQ1 のオン期間が短くなり、
以下のような問題を生じる。
However, in the case of the above-mentioned conventional example, the so-called self-excited and separately excited type inverter circuit 1 is used, and the secondary winding L2 is caused by the oscillating current flowing in the primary winding L1 of the drive transformer T1. The voltage induced in the transistor Q1 is fed back to the base of the transistor Q1.
is under self-excitation control. Therefore, if the AC power supply e fluctuates in a decreasing direction, or the amplification factor of the transistor Q1 (
hFE) or changes in ambient temperature,
The phase of the oscillating current flowing through the primary winding L1 may advance. In this case, as shown in FIG. 7(d), the secondary winding L
Since the phase of the voltage induced in Q2 also advances, the on-period of transistor Q1 becomes shorter, as shown in (c) of the same figure.
The following problems arise.

【0019】いま、図7(a)に示す時刻t0 でFE
TQ2 がオフし、上述した動作でトランジスタQ1 
がオンとなり、時刻t1 でトランジスタQ1 がオフ
したとする。なお、この場合のトランジスタQ1 のオ
フ時点は、上述した理由で早くなっている。このように
トランジスタQ1 がオフすると、上述したように1次
巻線L1 →放電灯La→コンデンサC3 →コンデン
サC1→コンデンサC2 →FETQ2 (寄生ダイオ
ード)→2次巻線L2 の経路で電流が流れ、FETQ
2 のドレイン・ソース間の電圧が図7(f)に示すよ
うにFETQ2 の寄生ダイオード(ダンパダイオード
)の順方向電圧まで下がる。 そして、時刻t2 でインバータゲートG2 の入力電
圧がインバータゲートG2 のしきい値電圧Vth以下
に低下し、インバータゲートG2 の出力は同図(h)
に示すようにハイレベルとなる。
Now, at time t0 shown in FIG. 7(a), FE
TQ2 is turned off and transistor Q1 is turned off by the operation described above.
Assume that transistor Q1 is turned on and transistor Q1 is turned off at time t1. In this case, the transistor Q1 is turned off earlier for the reason mentioned above. When the transistor Q1 is turned off in this way, a current flows through the path of the primary winding L1 → discharge lamp La → capacitor C3 → capacitor C1 → capacitor C2 → FET Q2 (parasitic diode) → secondary winding L2, as described above. FETQ
The voltage between the drain and source of FET Q2 drops to the forward voltage of the parasitic diode (damper diode) of FET Q2, as shown in FIG. 7(f). Then, at time t2, the input voltage of inverter gate G2 drops below the threshold voltage Vth of inverter gate G2, and the output of inverter gate G2 becomes as shown in (h) in the figure.
The level becomes high as shown in .

【0020】そして、時刻t3 で1次巻線L1 に流
れる電流が反転する。なお、この1次巻線L1 の電流
反転時点はトランジスタQ1 のオン期間が短くなって
いるので、正常時よりも早くなっている。この電流の反
転時には、正常な場合には、FETQ2 がオンするの
で、上述したように倍電圧整流回路2→コンデンサC3
 →放電灯La→1次巻線L1 →ダイオードD4 →
FETQ2 の経路で電流が流れる。
[0020] Then, at time t3, the current flowing through the primary winding L1 is reversed. Note that the current reversal point in the primary winding L1 is earlier than in normal conditions because the on period of the transistor Q1 is shortened. When this current is reversed, normally FET Q2 is turned on, so as mentioned above, voltage doubler rectifier circuit 2 → capacitor C3
→Discharge lamp La→Primary winding L1 →Diode D4 →
Current flows through the path of FETQ2.

【0021】しかし、この場合には同図(b)に示すよ
うにTフリップフロップ7の出力はまだローレベルの状
態にあり、従ってアンドゲートG1 の出力がローレベ
ルで、FETQ2 はオン可能状態にない。従って、こ
の場合には、1次巻線L1 →ダイオードD3 →コン
デンサC3 →放電灯Laの経路で電流が流れる。この
際には、FETQ2 のドレイン・ソース間電圧(つま
りは抵抗R3 ,R4 の両端電圧)が図7(f)に示
すように倍電圧整流回路2の出力電圧Eまで上昇するた
め、インバータゲートG2 の入力電圧は図7(g)に
示すように立ち上がるのであるが、この入力電圧の立ち
上がりの遅れにより、Tフリップフロップ7の出力がハ
イレベルとなった時刻t4 でも、インバータゲートG
2 の入力電圧はしきい値電圧Vthに達せず、よって
アンドゲートG1 の入力が共にハイレベルとなり、出
力がハイレベルとなる。
However, in this case, the output of the T flip-flop 7 is still at a low level as shown in FIG. do not have. Therefore, in this case, current flows through the path of primary winding L1 -> diode D3 -> capacitor C3 -> discharge lamp La. At this time, the drain-source voltage of FET Q2 (that is, the voltage across resistors R3 and R4) rises to the output voltage E of voltage doubler rectifier circuit 2 as shown in FIG. 7(f), so inverter gate G2 The input voltage of the inverter gate G rises as shown in FIG.
The input voltage of G1 does not reach the threshold voltage Vth, so both inputs of AND gate G1 become high level, and the output becomes high level.

【0022】従って、この際にはダイオードD3 の逆
回復時間だけ、倍電圧整流回路2→ダイオードD3 →
ダイオードD2 →FETQ2 の経路で、短絡電流が
流れることになる。ここで、上記ダイオードD3 の逆
回復時間の経過後は一旦は正常動作に戻るが、上述の動
作は図7に示すように繰り返されることになる。つまり
、スイッチング素子が完全に直列接続されたこの種のハ
ーフブリッジ構成のインバータ回路等で問題となるスイ
ッチング素子の同時オンによる電源短絡状態と同様の状
態が生じるのである。このため、上記過大な短絡電流の
ために、FETQ2 等に大きなストレスが加わり、場
合によってはFETQ2 等を破損するということがあ
った。なお、以下の説明では上記従来例の問題となる動
作も同時オンと呼ぶことにする。
Therefore, in this case, the voltage doubler rectifier circuit 2 → diode D3 →
A short circuit current will flow through the path from diode D2 to FET Q2. Here, after the reverse recovery time of the diode D3 has elapsed, the normal operation is temporarily resumed, but the above-mentioned operation is repeated as shown in FIG. In other words, a situation similar to the power supply short-circuit condition caused by simultaneous turning on of the switching elements occurs, which is a problem in this type of half-bridge inverter circuit in which switching elements are completely connected in series. Therefore, due to the above-mentioned excessive short circuit current, a large stress is applied to FETQ2 etc., and in some cases, FETQ2 etc. may be damaged. In the following description, the problematic operation of the conventional example described above will also be referred to as simultaneous on.

【0023】本発明は上述の点に鑑みて為されたもので
あり、その目的とするところは、自励式のスイッチング
素子のオン期間の変化で、同時オンを起こすことがない
放電灯点灯装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and its object is to provide a discharge lamp lighting device that does not cause simultaneous on-on by changing the on-period of a self-excited switching element. It is about providing.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するために、第1のスイッチング素子がオフした後
の負荷回路の振動電流が反転する前に制御回路が第2の
スイッチング素子をオン可能状態にしてある。なお、上
記第1のスイッチング素子がオフした後の負荷回路の振
動電流が反転する前に制御回路が第2のスイッチング素
子をオン可能状態とする制御を、第1のスイッチング素
子のオン状態に応じて可変することが好ましい。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, in the present invention, the control circuit switches the second switching element on before the oscillating current in the load circuit is reversed after the first switching element is turned off. It is enabled to be turned on. Note that the control circuit controls the second switching element to be turned on before the oscillating current in the load circuit is reversed after the first switching element is turned off, depending on the on state of the first switching element. It is preferable to vary it.

【0025】[0025]

【作用】本発明は、上述のように第1のスイッチング素
子がオフした後の負荷回路の振動電流が反転する前に制
御回路が第2のスイッチング素子をオン可能状態にする
ので、第1のスイッチング素子のオフ時点が早くなって
も、負荷回路の振動電流が反転した時点で、第2のスイ
ッチング素子がオンとなり、同時オンを起こすことがな
いようにしたものである。
[Operation] As described above, the control circuit enables the second switching element to turn on before the oscillating current in the load circuit is reversed after the first switching element is turned off. Even if the switching element turns off earlier, the second switching element turns on when the oscillating current in the load circuit is reversed, thereby preventing simultaneous turning on.

【0026】[0026]

【実施例】【Example】

(実施例1)図1に本発明の一実施例を示す。本実施例
の放電灯点灯装置は、回路構成的には、図5で説明した
従来の放電灯点灯装置とほぼ同じものであり、本実施例
の特徴とするところは、制御回路3の構成及びその動作
にある。
(Embodiment 1) FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. The circuit configuration of the discharge lamp lighting device of this embodiment is almost the same as the conventional discharge lamp lighting device explained in FIG. It's in the action.

【0027】本実施例の制御回路3は、汎用タイマ用I
C(例えば、NEC製のμPC1555等)を用いて構
成した無安定マルチバイブレータ5と、アンドゲートG
1 及びインバータゲートG2 で構成してある。ここ
で、無安定マルチバイブレータ5はカレントミラー回路
を用いていないが、実質的には図5の従来例回路と同様
にコンデンサC5 がVcc/3と2Vcc/3との間
で充放電されて発振動作する。ここで、上記無安定マル
チバイブレータ5の出力である■ピンの出力のハイレベ
ル期間をTH ,ローレベル期間をTL とした場合、
TH =0.693(R6 +R7 )・C5 TL 
=0.693R7 ・C5  となる。
The control circuit 3 of this embodiment includes a general-purpose timer I
An astable multivibrator 5 configured using C (for example, μPC1555 manufactured by NEC, etc.) and an AND gate G
1 and an inverter gate G2. Although the astable multivibrator 5 does not use a current mirror circuit, it oscillates by charging and discharging the capacitor C5 between Vcc/3 and 2Vcc/3, substantially the same as the conventional circuit shown in FIG. Operate. Here, if the high level period of the output of pin ■, which is the output of the astable multivibrator 5, is TH, and the low level period is TL, then
TH = 0.693 (R6 + R7)・C5 TL
=0.693R7・C5.

【0028】そして、本実施例の場合には無安定マルチ
バイブレータ5の出力のローレベル期間TL を、トラ
ンジスタQ1 のオン期間をT1 とした場合、TL 
<T1                   …(1
)となるように設定してある。なお、この条件は、交流
電源eの電圧変動や、トランジスタQ1 のhFEのば
らつき、あるいは周囲温度変化などの要因によってトラ
ンジスタQ1 のオン期間T1 が変動しても必ず成立
するようにしてある。
In the case of this embodiment, if the low level period TL of the output of the astable multivibrator 5 is taken as T1 and the on period of the transistor Q1 is taken as T1, then TL
<T1...(1
). Note that this condition is made sure to hold even if the on-period T1 of the transistor Q1 fluctuates due to factors such as voltage fluctuations of the AC power source e, variations in hFE of the transistor Q1, or changes in ambient temperature.

【0029】また、上記無安定マルチバイブレータ5の
出力のローレベル期間TL は、FETQ2 が完全に
オフし、抵抗R3 ,R4 の分圧電圧がインバータゲ
ートG2 のしきい値電圧を越える期間をT2 とした
場合、TH >T2                
   …(2)となるように設定してある。
Furthermore, the low level period TL of the output of the astable multivibrator 5 is defined as T2, which is the period during which the FET Q2 is completely turned off and the divided voltage of the resistors R3 and R4 exceeds the threshold voltage of the inverter gate G2. If TH > T2
...(2) is set.

【0030】これは言い換えれば、交流電源eの電圧変
動や、トランジスタQ1 のhFEのばらつき、あるい
は周囲温度変化などによって、トランジスタQ1 のオ
ン期間が短くなっても、例えば図2(c)に示すトラン
ジスタQ1 がターンオフする時刻t1 には、必ず同
図(b)に示すように無安定マルチバイブレータ5の出
力がハイレベルとなるようにしてある。
In other words, even if the on period of transistor Q1 is shortened due to voltage fluctuations in AC power supply e, variations in hFE of transistor Q1, or changes in ambient temperature, the transistor shown in FIG. 2(c), for example, At time t1 when Q1 is turned off, the output of the astable multivibrator 5 is always at a high level, as shown in FIG. 4(b).

【0031】以下、本実施例の動作を説明する。いま、
図2(i)に示すアンドゲートG1 の出力で時刻t0
 でFETQ2 がオフし、図5の従来例回路で説明し
た動作でトランジスタQ1 がオンとなり、時刻t1 
でトランジスタQ1 がオフしたとする。なお、この場
合のトランジスタQ1 のオフ時点は、上述した理由で
早くなっているものとする。
The operation of this embodiment will be explained below. now,
At the output of AND gate G1 shown in FIG. 2(i), time t0
At time t1, FET Q2 is turned off, and transistor Q1 is turned on by the operation explained in the conventional example circuit of FIG.
Assume that transistor Q1 is turned off. In this case, it is assumed that the transistor Q1 is turned off earlier for the reason mentioned above.

【0032】トランジスタQ1 がオフすると、1次巻
線L1 →放電灯La→コンデンサC3 →コンデンサ
C1 →コンデンサC2 →FETQ2 (寄生ダイオ
ード)→2次巻線L2 の経路で電流が流れ、FETQ
2 のドレイン・ソース間の電圧が図2(f)に示すよ
うにFETQ2 の寄生ダイオード(ダンパダイオード
)の順方向電圧まで下がる。そして、時刻t2 で図2
(g)に示すようにインバータゲートG2 の入力電圧
がインバータゲートG2 のしきい値電圧Vth以下に
低下し、インバータゲートG2 の出力は同図(h)に
示すようにハイレベルとなる。
When transistor Q1 is turned off, a current flows through the path of primary winding L1 → discharge lamp La → capacitor C3 → capacitor C1 → capacitor C2 → FETQ2 (parasitic diode) → secondary winding L2, and FETQ
The voltage between the drain and source of FET Q2 drops to the forward voltage of the parasitic diode (damper diode) of FET Q2, as shown in FIG. 2(f). Then, at time t2,
As shown in (g), the input voltage of inverter gate G2 falls below the threshold voltage Vth of inverter gate G2, and the output of inverter gate G2 becomes high level as shown in (h) of the same figure.

【0033】そして、その後1次巻線L1 に流れる電
流が反転する。この電流の反転時には、上述したように
トランジスタQ1 がターンオフする時刻t1 には必
ず無安定マルチバイブレータ5の出力がハイレベルとな
るようにしてあるので、FETQ2 がオンする。従っ
て、倍電圧整流回路2→コンデンサC3 →放電灯La
→1次巻線L1 →ダイオードD4 →FETQ2 の
経路で電流が流れる。
Then, the current flowing through the primary winding L1 is reversed. When this current is reversed, the output of the astable multivibrator 5 is always at a high level at time t1 when the transistor Q1 is turned off as described above, so the FET Q2 is turned on. Therefore, voltage doubler rectifier circuit 2 → capacitor C3 → discharge lamp La
Current flows through the following path: → primary winding L1 → diode D4 → FET Q2.

【0034】つまり、本実施例の場合には、1次巻線L
1 の電流が反転したとき、必ずFETQ2 がオンす
るようにしてあり、換言するとFETQ2 の寄生ダイ
オードがオンしている際に必ずアンドゲートG1 の出
力がFETQ1 をオン可能とするハイレベル状態とな
っているようにしてある。従って、従来回路のように1
次巻線L1 の電流の反転時にまだアンドゲートG1 
の出力がローレベルで、FETQ2 はオン可能状態に
なく、1次巻線L1 →ダイオードD3 →コンデンサ
C3 →放電灯Laの経路で電流が流れ、その後FET
Q2 がオンとなり、ダイオードD3 の逆回復時間だ
け、倍電圧整流回路2→ダイオードD3 →ダイオード
D2 →FETQ2 の経路で、短絡電流が流れるとい
うことがないのである。
That is, in the case of this embodiment, the primary winding L
When the current in G1 is reversed, FETQ2 is always turned on. In other words, when the parasitic diode of FETQ2 is on, the output of AND gate G1 is always at a high level that enables FETQ1 to be turned on. It's made to look like it's there. Therefore, like the conventional circuit, 1
When the current in the next winding L1 is reversed, the AND gate G1 remains
The output of FET Q2 is at low level, FET Q2 is not in a state where it can be turned on, and current flows through the path of primary winding L1 → diode D3 → capacitor C3 → discharge lamp La, and then FET
Q2 is turned on, and no short-circuit current flows in the path from voltage doubler rectifier circuit 2 to diode D3 to diode D2 to FET Q2 for the reverse recovery time of diode D3.

【0035】但し、図2の(c),(h)に示すように
、トランジスタQ1のオフ時点t1 とインバータゲー
トG2 の出力がハイレベルとなる時点t2 との間に
は図中Tで示す遅れがある。しかし、上記遅れ時間Tは
トランジスタQ1 がオフした後に1次巻線L1の電流
が反転する時間よりも短いので、何等問題はなく、無視
することができる。
However, as shown in FIGS. 2(c) and 2(h), there is a delay indicated by T in the figure between the time t1 when the transistor Q1 is turned off and the time t2 when the output of the inverter gate G2 becomes high level. There is. However, since the delay time T is shorter than the time required for the current in the primary winding L1 to reverse after the transistor Q1 is turned off, there is no problem and it can be ignored.

【0036】(実施例2)図3に本発明の他の実施例を
示す。本実施例では上記実施例1の無安定マルチバイブ
レータ5を別構成としたもので、動作的には上述した実
施例1の場合と同様に動作し、従って実施例1の場合と
同様に同時オンが生じないようになっている。
(Embodiment 2) FIG. 3 shows another embodiment of the present invention. In this embodiment, the astable multivibrator 5 of the above-mentioned embodiment 1 has a different structure, and operates in the same manner as in the above-mentioned embodiment 1. is designed to prevent this from occurring.

【0037】以下、本実施例の無安定マルチバイブレー
タ5の構成について説明する。この無安定マルチバイブ
レータ5は、オペアンプOP1 、インバータゲートG
3 、トランジスタQ3 〜Q8 、コンデンサC5 
、及び抵抗R6 〜R13で構成してある。ここで、オ
ペアンプOP1 はコンパレータとして用いられ、この
コンパレータの基準電圧を抵抗R6 〜R8 により駆
動電圧Vccを分圧して作成してある。そして、この基
準電圧はオペアンプOP1 の出力で切り換える構成と
してある。つまり、抵抗R8 の両端に接続されたトラ
ンジスタQ3 をコンパレータの出力を反転するインバ
ータゲートG3 の出力でオン,オフして切り換える。
The configuration of the astable multivibrator 5 of this embodiment will be explained below. This astable multivibrator 5 includes an operational amplifier OP1, an inverter gate G
3, transistors Q3 to Q8, capacitor C5
, and resistors R6 to R13. Here, the operational amplifier OP1 is used as a comparator, and the reference voltage of this comparator is created by dividing the drive voltage Vcc using resistors R6 to R8. The reference voltage is switched by the output of the operational amplifier OP1. That is, the transistor Q3 connected to both ends of the resistor R8 is turned on and off by the output of the inverter gate G3 which inverts the output of the comparator.

【0038】ここで、抵抗R6 〜R8 による分圧電
圧は、       (R7 +R8 )・Vcc/(R6 +
R7 +R8 )=2Vcc/3としてある。また、抵
抗R6 ,R7 による分圧電圧は、R7 ・Vcc/
(R6 +R7 )=Vcc/3としてある。
Here, the voltage divided by the resistors R6 to R8 is (R7 +R8)·Vcc/(R6 +
R7 +R8)=2Vcc/3. Also, the voltage divided by the resistors R6 and R7 is R7 ・Vcc/
(R6 +R7)=Vcc/3.

【0039】上記コンパレータの比較入力はコンデンサ
C5 の両端電圧となっている。このコンデンサC5 
は、トランジスタQ4 〜Q6 及び抵抗R9 〜R1
1,R14からなる第1のカレントミラー回路から供給
される電流I0 で充電され、トランジスタQ7 ,Q
8 及び抵抗R12,R13からなる第2のカレントミ
ラー回路により放電される。そして、第2のカレントミ
ラー回路の動作制御をコンパレータの出力でオン,オフ
されるトランジスタQ9 で行っている。
The comparison input of the comparator is the voltage across the capacitor C5. This capacitor C5
are transistors Q4 to Q6 and resistors R9 to R1
The transistors Q7, Q
8 and a second current mirror circuit consisting of resistors R12 and R13. The operation of the second current mirror circuit is controlled by a transistor Q9 which is turned on and off by the output of the comparator.

【0040】なお、上記第1のカレントミラー回路のミ
ラー比は、抵抗R14に流れる電流をI0 とし、トラ
ンジスタQ4 〜Q6 に流れる電流をIQ4〜IQ6
とした場合に、 IQ4=IQ5=IQ6=I0  としてある。また、第2のカレントミラー回路のミラー
比は、トランジスタQ7 ,Q8 に流れる電流を I
Q7,IQ8とした場合、 IQ7=2IQ8+IX  としてある。ここで、IQ8=I0 であるから、IQ
7=2I0 +IX  となる。
Note that the mirror ratio of the first current mirror circuit is such that the current flowing through the resistor R14 is I0, and the current flowing through the transistors Q4 to Q6 is IQ4 to IQ6.
In this case, IQ4=IQ5=IQ6=I0. Moreover, the mirror ratio of the second current mirror circuit is such that the current flowing through the transistors Q7 and Q8 is
In the case of Q7 and IQ8, IQ7=2IQ8+IX. Here, since IQ8=I0, IQ
7=2I0+IX.

【0041】以下、この無安定マルチバイブレータ5の
動作について説明する。いま、コンパレータの出力はハ
イレベルであるとすると、トランジスタQ3はオフで、
トランジスタQ9 がオンである。このため、コンパレ
ータの基準電圧は2Vcc/3となり、第2のカレント
ミラー回路の不動作に制御される。従って、コンデンサ
C5 が電流I0 で充電される。
The operation of this astable multivibrator 5 will be explained below. Now, assuming that the output of the comparator is at a high level, transistor Q3 is off,
Transistor Q9 is on. Therefore, the reference voltage of the comparator becomes 2Vcc/3, and the second current mirror circuit is controlled to be inoperative. Therefore, capacitor C5 is charged with current I0.

【0042】そして、コンデンサC5 の両端電圧が2
Vcc/3に達すると、コンパレータの出力がハイレベ
ルからローレベルに反転する。このようにコンパレータ
の出力がローレベルとなると、トランジスタQ3 がオ
ンとなって、基準電圧がVcc/3となり、トランジス
タQ9 がオフとなるため、第2のカレントミラー回路
が動作する。このため、コンデンサC5 の充電電荷は
、第2のカレントミラー回路に供給される電流2I0 
+IX から第1のカレントミラー回路から供給される
電流I0 を引いた電流I0 +IX で放電されるこ
とになる。
Then, the voltage across the capacitor C5 is 2
When Vcc/3 is reached, the output of the comparator is inverted from high level to low level. When the output of the comparator becomes low level in this way, the transistor Q3 is turned on, the reference voltage becomes Vcc/3, and the transistor Q9 is turned off, so that the second current mirror circuit operates. Therefore, the charge in the capacitor C5 is increased by the current 2I0 supplied to the second current mirror circuit.
It is discharged with a current I0 +IX obtained by subtracting the current I0 supplied from the first current mirror circuit from +IX.

【0043】そして、コンデンサC5 の両端電圧がV
cc/3に達した時点でコンパレータの出力がハイレベ
ルに反転するというようにして発振動作する。つまり、
本実施例の場合には回路構成的には第1の実施例の無安
定マルチバイブレータ5と異なるが、動作的には全く同
じに動作する。ここで、上記電流IX の値を調整する
ことにより、上述した(1),(2)式を共に満足する
ように無安定マルチバイブレータ5の出力のローレベル
期間TL を設定してある。
Then, the voltage across the capacitor C5 is V
When cc/3 is reached, the output of the comparator is inverted to high level, thereby operating the oscillation. In other words,
Although the present embodiment differs in circuit configuration from the astable multivibrator 5 of the first embodiment, it operates in exactly the same way. Here, by adjusting the value of the current IX, the low level period TL of the output of the astable multivibrator 5 is set so as to satisfy both equations (1) and (2) above.

【0044】(実施例3)図4に本発明の他の実施例を
示す。上述の実施例の場合には無安定マルチバイブレー
タ5のローレベル期間TL を、交流電源eの電圧変動
などが生じているか否かに関係なく、式(1),(2)
を満足するように設定していた。しかし、本実施例の場
合には、交流電源eの電圧変動などが生じた際に、上記
式(1),(2)を満足するように設定したものである
(Embodiment 3) FIG. 4 shows another embodiment of the present invention. In the case of the above-mentioned embodiment, the low level period TL of the astable multivibrator 5 is determined by equations (1) and (2), regardless of whether or not there is a voltage fluctuation of the AC power supply e.
was set to satisfy. However, in the case of this embodiment, the settings are made so that the above equations (1) and (2) are satisfied when a voltage fluctuation or the like of the AC power supply e occurs.

【0045】なお、本実施例では交流電源eの電圧変動
があった場合に、無安定マルチバイブレータ5のローレ
ベル期間TL を上記式(1),(2)を満足するよう
に設定した場合について説明する。ここで、本実施例の
場合にはインバータ回路1に供給される電源、つまりは
倍電圧整流回路2の出力電圧Eの変動に応じて、コンデ
ンサC5 の放電電流を制御するために、トランジスタ
Q10,Q11及び抵抗R16からなる第3のカレント
ミラー回路を追加してあり、この第3のカレントミラー
回路で第2のカレントミラー回路のトランジスタQ8 
に流れる電流を制御するようにしてある。
In this embodiment, when there is a voltage fluctuation of the AC power supply e, the low level period TL of the astable multivibrator 5 is set to satisfy the above equations (1) and (2). explain. In this embodiment, transistors Q10, A third current mirror circuit consisting of Q11 and resistor R16 is added, and this third current mirror circuit connects the transistor Q8 of the second current mirror circuit.
It is designed to control the current flowing to the

【0046】この第3のカレントミラー回路のミラー比
は、トランジスタQ10,Q11に流れる電流を夫々I
Q10 ,IQ11 とした場合、           IQ10 =IQ11 =I1 
                        =
(E−VBE(Q11) )/R6         
                =(E−0.6)/
R6           …(3)としてある。但し
、Eは交流電源eから定格電力が倍電圧整流回路2に供
給された際の倍電整流回路2の出力電圧を示す。
The mirror ratio of this third current mirror circuit is such that the current flowing through transistors Q10 and Q11 is
If Q10 and IQ11, IQ10 = IQ11 = I1
=
(E-VBE(Q11) )/R6
=(E-0.6)/
R6...(3). However, E indicates the output voltage of the voltage doubler rectifier circuit 2 when the rated power is supplied to the voltage doubler rectifier circuit 2 from the AC power source e.

【0047】また、本実施例の場合には、第1のカレン
トミラー回路のミラー比を IQ4=IQ6=I0 ,  IQ5=I0 +I1 
としてある。以下、本実施例の動作について説明する。 いま、倍電圧整流回路2から定格出力が供給されている
(出力電圧Eとなっている)場合、トランジスタQ5 
から供給される電流I0 +I1 から第3のカレント
ミラー回路のトランジスタQ10に供給される電流I1
 を引いた電流、つまりはI0 がトランジスタQ8 
に供給され、このため第2のカレントミラー回路のトラ
ンジスタQ7 に供給される電流は2I0 +IX と
なり、このためコンデンサC5 は実施例2で説明した
と同様に、式(1),(2)を満足する無安定マルチバ
イブレータ5の出力のローレベル期間TL に設定され
る。
In the case of this embodiment, the mirror ratio of the first current mirror circuit is IQ4=IQ6=I0, IQ5=I0+I1
It is as follows. The operation of this embodiment will be explained below. Now, when the rated output is being supplied from the voltage doubler rectifier circuit 2 (the output voltage is E), the transistor Q5
Current I1 supplied to transistor Q10 of the third current mirror circuit from current I0 +I1 supplied from
The current minus I0, that is, I0, is the current flowing through transistor Q8.
Therefore, the current supplied to the transistor Q7 of the second current mirror circuit becomes 2I0 +IX, and therefore the capacitor C5 satisfies equations (1) and (2) as explained in Example 2. The low level period TL of the output of the astable multivibrator 5 is set.

【0048】なおここで、交流電源eの定格時にも、無
安定マルチバイブレータ5の出力のローレベル期間TL
 が式(1),(2)を満足するようにしてあるのは、
トランジスタQ1 の増幅率(hFE)のばらつき、あ
るいは周囲温度の変化などを考慮してのことである。上
述の場合は、交流電源eから定格電力が供給されている
場合であるが、交流電源eの電圧が減少すると、この際
には式(3)におけるEが小さくなるので、トランジス
タQ10,Q11に流れる電流が電流I1 よりも低下
する。つまり、 IQ10 =IQ11 <I1  となる。このため、トランジスタQ8 に流れる電流I
Q8は、 IQ8=IQ5−IQ10 =I0 +I1 −IQ1
0 >I0 となる。よって、トランジスタQ7 に流
れる電流が増加し、コンデンサC5 の放電電流が増加
する。従って、交流電源eの変動に応じて無安定マルチ
バイブレータ5の出力のローレベル期間TL をより短
くすることができ、さらに良好な同時オン防止効果を期
待できる。なお、このようにすれば、交流電源eの電圧
変動に関する限りは、定格時に無安定マルチバイブレー
タ5の出力のローレベル期間TL を短くしなくても済
むということになる。
Here, even when the AC power source e is rated, the low level period TL of the output of the astable multivibrator 5
The reason why is made to satisfy equations (1) and (2) is as follows.
This is done in consideration of variations in the amplification factor (hFE) of the transistor Q1, changes in ambient temperature, etc. In the above case, the rated power is being supplied from the AC power supply e, but when the voltage of the AC power supply e decreases, E in equation (3) becomes smaller, so the transistors Q10 and Q11 The flowing current becomes lower than the current I1. In other words, IQ10 = IQ11 < I1. Therefore, the current I flowing through the transistor Q8
Q8 is IQ8=IQ5-IQ10 =I0 +I1 -IQ1
0>I0. Therefore, the current flowing through transistor Q7 increases, and the discharge current of capacitor C5 increases. Therefore, the low level period TL of the output of the astable multivibrator 5 can be further shortened in accordance with fluctuations in the AC power source e, and an even better simultaneous-on prevention effect can be expected. In this case, as far as the voltage fluctuation of the AC power source e is concerned, there is no need to shorten the low level period TL of the output of the astable multivibrator 5 at the rated time.

【0049】ところで、上述の場合には交流電源eの電
圧が定格時よりも上昇すると、無安定マルチバイブレー
タ5の出力のローレベル期間TL は長くなるが、この
場合にはトランジスタQ1 のオン期間T1 も長くな
るため、式(1)を満足し、何等問題はない。また、上
述の場合には交流電源eの変動のみを制御回路3に帰還
し、無安定マルチバイブレータ5の出力のローレベル期
間TL を制御した場合について説明したが、トランジ
スタQ1 の増幅率(hFE)のばらつき、あるいは周
囲温度の変化などに応じた出力を制御回路3に帰還し、
無安定マルチバイブレータ5の出力のローレベル期間T
L を制御してもよいことは言うまでもない。
By the way, in the above case, when the voltage of the AC power source e rises above the rated voltage, the low level period TL of the output of the astable multivibrator 5 becomes longer, but in this case, the on period T1 of the transistor Q1 becomes longer. is also long, so formula (1) is satisfied and there is no problem. Furthermore, in the above case, only the fluctuations in the AC power source e are fed back to the control circuit 3 to control the low level period TL of the output of the astable multivibrator 5, but the amplification factor (hFE) of the transistor Q1 The output is fed back to the control circuit 3 according to variations in the temperature or changes in the ambient temperature, etc.
Low level period T of the output of the astable multivibrator 5
It goes without saying that L may be controlled.

【0050】[0050]

【発明の効果】本発明は上述のように、1のスイッチン
グ素子がオフした後の負荷回路の振動電流が反転する前
に制御回路が第2のスイッチング素子をオン可能状態に
してあるので、第1のスイッチング素子のオフ時点が早
くなっても、負荷回路の振動電流が反転した時点で、第
2のスイッチング素子がオンとなり、同時オンを起こす
ことがない。
Effects of the Invention As described above, in the present invention, the control circuit enables the second switching element to be turned on before the oscillating current in the load circuit is reversed after the first switching element is turned off. Even if the first switching element turns off earlier, the second switching element turns on when the oscillating current in the load circuit is reversed, and simultaneous turning on does not occur.

【0051】また、上記第1のスイッチング素子がオフ
した後の負荷回路の振動電流が反転する前に制御回路が
第2のスイッチング素子をオン可能状態とする制御を、
第1のスイッチング素子のオン状態に応じて可変すると
、第2のスイッチング素子のスイッチングを適切に制御
できる。
[0051] Furthermore, the control circuit performs control to enable the second switching element to be turned on before the oscillating current in the load circuit is reversed after the first switching element is turned off.
By varying the on-state of the first switching element, switching of the second switching element can be appropriately controlled.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明の一実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】同上の動作説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of the same operation as above.

【図3】他の実施例の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment.

【図4】さらに他の実施例の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of still another embodiment.

【図5】従来例の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a conventional example.

【図6】同上の動作説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of the same operation as above.

【図7】同上の問題点の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of the problem same as above.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  インバータ回路 3  制御回路 e  交流電源 La  放電灯 Q1   トランジスタ Q2   FET T1   駆動トランス C3 ,C4   コンデンサ 1 Inverter circuit 3 Control circuit e AC power supply La discharge lamp Q1 Transistor Q2 FET T1 Drive transformer C3, C4 capacitor

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  直流電源と、この直流電源に直列的に
接続された第1及び第2のスイッチング素子と、第1の
スイッチング素子の両端に直流カット用コンデンサを介
して接続されLC共振回路と放電灯とからなる負荷回路
と、上記第2のスイッチング素子をオン,オフ制御する
制御回路とを備え、LC共振回路のチョークコイルに設
けてある2次巻線に誘起される電圧を第1のスイッチン
グ素子の制御端に帰還してオン,オフさせ、上記第1の
スイッチング素子のオフ状態を検知し、第2のスイッチ
ング素子を制御回路でオン,オフする放電灯点灯装置に
おいて、第1のスイッチング素子がオフした後の負荷回
路の振動電流が反転する前に制御回路が第2のスイッチ
ング素子をオン可能状態にして成ることを特徴とする放
電灯点灯装置。
Claim 1: A DC power supply, first and second switching elements connected in series to the DC power supply, and an LC resonant circuit connected to both ends of the first switching element via a DC cut capacitor. It is equipped with a load circuit consisting of a discharge lamp, and a control circuit that controls on/off the second switching element, and the voltage induced in the secondary winding provided in the choke coil of the LC resonant circuit is controlled by the first switching element. In the discharge lamp lighting device, the first switching element returns to a control terminal of the switching element to turn it on and off, detects the off state of the first switching element, and turns on and off the second switching element using a control circuit. A discharge lamp lighting device characterized in that a control circuit enables a second switching element to be turned on before an oscillating current in a load circuit is reversed after the element is turned off.
【請求項2】  上記第1のスイッチング素子がオフし
た後の負荷回路の振動電流が反転する前に制御回路が第
2のスイッチング素子をオン可能状態とする制御を、第
1のスイッチング素子のオン状態に応じて可変して成る
ことを特徴とする請求項1記載の放電灯点灯装置。
2. The control circuit performs control to enable the second switching element to be turned on before the oscillating current in the load circuit is reversed after the first switching element is turned off. 2. The discharge lamp lighting device according to claim 1, wherein the discharge lamp lighting device is variable depending on the state.
JP03124063A 1991-05-28 1991-05-28 Discharge lamp lighting device Expired - Fee Related JP3121373B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03124063A JP3121373B2 (en) 1991-05-28 1991-05-28 Discharge lamp lighting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03124063A JP3121373B2 (en) 1991-05-28 1991-05-28 Discharge lamp lighting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04351477A true JPH04351477A (en) 1992-12-07
JP3121373B2 JP3121373B2 (en) 2000-12-25

Family

ID=14876040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03124063A Expired - Fee Related JP3121373B2 (en) 1991-05-28 1991-05-28 Discharge lamp lighting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3121373B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP3121373B2 (en) 2000-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100503770B1 (en) Switching power supply unit
KR100790185B1 (en) Switching power supply device
JP3707436B2 (en) Switching power supply
US6690586B2 (en) Switching power source device
JP6424644B2 (en) Semiconductor device for power control
JPH06335241A (en) Transformer-coupled secondary dc power-supply forming device
JP2003224973A (en) Switching power supply
JP3381769B2 (en) Self-oscillation type switching power supply
JP2001238444A (en) Switching power supply unit
US6498735B2 (en) Switching power supply unit
JP3492882B2 (en) Switching power supply
JPH1155949A (en) Power unit
US6016259A (en) Power supply circuit
US20230009994A1 (en) Integrated circuit and power supply circuit
JP3488709B2 (en) Switching power supply
JPH04351477A (en) Lighting device for discharge lamp
US5838553A (en) Voltage stabilized self-oscillating power supply
JPH0315423B2 (en)
US20230010211A1 (en) Integrated circuit and power supply circuit
KR0130418Y1 (en) Electronic type low voltage natrium ballast
JPH03222671A (en) Switching power supply
JPH03207263A (en) Switching power supply
JP2721523B2 (en) Inverter circuit
JPH0757887A (en) Dischage lamp lighting device
JP3378509B2 (en) Power supply

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000926

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071020

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees