JPH043476A - 超伝導装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はジョセフソン効果を利用した高速トランジスタ
や微小電磁場センサなどに使用される超伝導装置に関す
るものである。

（従来の技術） 近年発見されたＣｕ酸化物系超伝導体は転移温度が高い
ので応用上重要であるが、大きな結晶異方性を持ってお
り、応用上大きな障害になっている。たとえば、（ＲＥ
）Ｂａ２Ｃｕ、０７−ｘ系超伝導体［但し、（ＲＥ）は
、Ｙ、Ｌａ等の希土類元素；Ｘ＝Ｑ−０，５］は、斜方
晶系で、Ｃ軸方向のコヒーレンス長が数オングストロー
ム、それに垂直方向のコヒーレンス長が数十オングスト
ロームと報告されている（ユウジマツダ（Ｙ　ｕｊｉ　
Ｍａｔｕｄａ）他：フィジカル・レビュー（Ｐｈｙｓｉ
ｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ）８４０巻、第７号ベージ５］７
６−５］７９．　（１９８９））。Ｂｉ、　Ｓｒ。

Ｃａ、Ｃｕからなる酸化物超伝導体は、正方晶のペロブ
スカイト構造であり、また、Ｔ６．　Ｂａ、　Ｃａ。

Ｃｕの酸化物超伝導体も、正方晶系で、（ＲＥ）Ｂａ２
Ｃｕ、ｏ、−ｘ系超伝導体（ＲＥは希土類元素）と類似
の結晶構造をもち、同様のコヒーレンス長を有している
と推定される。そこで、これら超伝導体の（００１）面
上にジョセフソン接合を形成する場合、膜厚が数オング
ストロームの絶縁層を大面積で再現性よく作製せねばな
らず、実現は不可能である。そこで、ジョセフソン接合
の形成には、Ｃ軸が基板面に平行に配向した薄膜の作成
が必要である。薄膜の基板には、磁器、単結晶、アモル
ファス物質、金属等が用いられるが、酸化物の薄膜を作
成した場合、一般に基板の種類と作成条件ムこよって、
結晶の方位が変わりやすい、溶融石英は耐熱性に優れ熱
膨張係数が非常に小さいので基板としては優れているが
、アモルファス型であり、結晶性酸化物をその上に配向
させることは一般に困難である。またＳｌは半導体集積
回路基板として大量に使用されているが、共有結合の非
酸化物であるので、その上に酸化物をエピタキシャル的
に成長させることは困難である。上記の超伝導材料に関
しては、溶融石英およびＳｉ上に特定の結晶軸が配向し
たという報告はない。

（発明が解決しようとする課題） 基板にＳｉやＳｉＯ□を用いると基板に平行にＣ軸が配
向した超伝導薄膜は容易には得られない。

Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ○、単結晶を基板に用いると基板に平行
に（ＲＥ）Ｂａ２Ｃｕ３０７−Ｘの（１１０）面が、す
なわちＣ軸が基板面に平行に配向した超伝導薄膜が得ら
れることは、よく知られている。（ＲＥ　）　Ｂ　ａ　
２　Ｃ１１］０７−８の場合と同様にｆ３ｉ２５ｒ２Ｃ
ａＣｕｚＯ，＋ｘ＋ＢｉｚＳｒ’ｚＣａ２Ｃｕ３０ｉｏ
＊ｘ＋　Ｔｌ１−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の超伝導薄膜
が得られるものと推定できる。しかし、Ｓ　ｒ　Ｔ　１
０１単結晶は高価であるト、加工が困難である。Ｓｉｏ
２やＳｌは安価で加工も容易である。特にＳｉ基板上に
作製することは既存の半導体デバイスとの結合が容易に
なり、産業上の利用価値は高い。

本発明は、溶融石英およびＳｌを用いて、基板に平行に
、（１１０）面が配向した、すなわち、基板に平行に［
００１］軸が配向した組成式（ＲＥ）Ｂａ２Ｃｕ３０．
−ｘ、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔｆｆ２Ｂａ７
Ｃｕ○Ｇ＋ＸＩ　Ｔｆｆ２Ｂａ７ＣａＣｕ２０９０Ｘ　
Ｉ　Ｔ　（ｂ、　Ｂ　ａｚＣａ２Ｃｕ、Ｏ，。５］、Ｔ
ｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ９＋ｘ、Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃ
ｕ５］、Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ９＋ｘＯ，５］、Ｔ
ｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ９＋ｘ５］、Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ９＋ｘ、あるいはＴｉＮ３ａ２Ｃａ３Ｃｕ４０
ｘｏ、ｓ＊ｘの超伝導薄膜を作製し、さらにはそれら超
伝導薄膜を用いた超伝導装置を得ることを目的とする。

（課題を解決するための手段） 基板の表面に（１１０）配向したペロブスカイト構造の
酸化物薄膜を成長させたものを用いる。これは複合基板
であるがＳ　ｒ　Ｔ　ｉ　Ｏ３単結晶に比へると非常に
安価である。その基板に平行に（１１０）面が配向した
（ＲＥ）Ｂａ２Ｃｕ：＋０ｔ−ｘ系、　Ｂ１−５ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０系＋　ＴＣ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−○系超伝
導体を成膜させるものである。

（作　用） 非晶質、多結晶、およびＳ１単結晶単体の上に成膜した
（ＲＥ）Ｂａ２Ｃｕ、０７−Ｘ薄膜は、Ｂ　ｉ−Ｓ　ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔ＆−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超
伝導薄膜では、はとんど配向せず等方向である。しかし
ながら、非晶質５］０２、あるいはＳｉ単結晶上に作成
した（１１０）配向した５ｒＴｉＯ，等のペロブスカイ
ト酸化物薄膜上に薄膜を作成すると、その結晶軸に沿っ
て、エピタキシャル的に結晶軸がそろい、基板に平行に
（１１０）面が、すなわち［００１］軸が配向した（Ｒ
Ｅ）Ｂａ２Ｃｕ、０７−５］、Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２
Ｏ９＋ｘＢ１−５ｒＣａ−Ｃｕ−○系、　Ｔｌ２−Ｂａ
−Ｃａ−Ｃｕ−○系超伝導薄膜が得られる。その結果、
高性能の超伝導装置を再現性よく安価に提供することが
できる。

（実施例） 基板として溶融石英およびＳｉを用いた。基板の大きさ
は１５Ｘ１０ｍｍ２で厚さは０．５ｍｎである。表面を
鏡面研磨したのち５ｒＴｉ○３薄膜をＲＦ−マグ不トロ
ンスパンタリング法により作成した。

５ｒＴｉ○、のターゲットには市販の高純度粉末を用い
た。超伝導体の結晶構造から、基板に平行に［００１］
軸を配向させるには５ｒＴｉＯ，の（１１０）面が基板
に平行に配向していることが望ましい。基板温度を４５
０〜７５０℃の範囲で変え、スパッタリングガスに９０
％のアルゴン（Ａｒ）と１０％の酸素（０２）の混合ガ
スを用い、ガス圧力が４０ｍＴ、入力電力が２００Ｗで
Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ　Ｏ３を４時間スパッタリングした。タ
ーゲットの直径は５インチ（１２，７■）である。５ｒ
Ｔｉ○、薄膜の結晶構造をＸ線回折によってしらべた。

６００℃以下で作成すると基板に垂直に（１１０）面が
優勢に配向した薄膜が得られた。

この結果は溶融石英、Ｓｊで同しであった。超伝導薄膜
の作成には、ＳｒＴｉＯ３を５００℃で作成した基板を
用いた。

超伝導薄膜を５ｒＴｉＯ，が付いた基板と付いてない基
板の両方の表面にＲＦマグネトロンスパッタリング法で
作成し、５ｒＴｉＯ，薄膜の存在の効果をしらべた。タ
ーゲットの第１の組成は、　（ＲＥ）Ｂａ２Ｃｕ、０７
である。ただし、（ＲＥ）はＹ。

Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＥＩＪＩ　　Ｇｄ＋　　ＤＹ＋　　
Ｈａ、Ｅｒｒ　　Ｔｍ。

Ｙｂ、Ｌｕのうちの一種類以上を含む。原料のＹ２Ｏ］
　＋　Ｌ　ａ　２０．、Ｎｄ２０ｖ＋　Ｓｍ２０．ｔ＋
　Ｅｕ２Ｏ３゜Ｇｄ、Ｏ，５］、Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ
２Ｏ９＋ｘＤｙｚ○５］、Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ９
＋ｘＨａ、○ｙ＋Ｅｒ、○Ｊ　Ｉ　Ｔｍ７　ｏ３１Ｙｂ
２０．、Ｌｕ、０３．ＢａＣ○５］、Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ９＋ｘＣｕＯを所定量。

配合、混合し、９００℃で１２時間、空気中で焼成した
。

ターゲットの第２の組成は、Ｂｉ２５ｒ２ＣａＣｕｚＯ
Ｒ＋　Ｂｉ２５ｒ２Ｃａ２Ｃｕ、Ｏ□、である。Ｂｉ２
Ｏ，。

５ｒＣＯ，、ＣａＣ０，、ＣｕＯを所定量、配合、混合
し、８００℃で１２時間、空気中で焼成した。これらは
焼成後、粉砕、混合しターゲットとした。ターゲットの
第３の組成は、ＴＱ２Ｂａ２Ｃｕｂ６゜Ｔ（ｉ２Ｂａ２
ＣａＣｕ２０１１．Ｔ１２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ、○、。。

Ｔ１２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ、０８．５．およびＴｌ２Ｂａ
２ｃａ３ｃｕ４０、。、５である。原料（７）’ｒ２２
０．．ＢａＣ○、。

ＣａＣ○５］、Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ９＋ｘＣｕＯ
を所定量、配合、混合し、ターゲットとした。ターゲッ
ト粉末は、銅皿に入れ、２００ｋｇ／ｃｎｆの圧力でプ
レスした。

溶融石英およびＳｌ上に種々のスパッタリング条件で超
伝導薄膜を作成し、Ｘ線回折パターンの反射強度から最
適なスパッタリング条件を求めた。

試みた条件は、（ＲＥ）Ｂａ２ＣｕｌＯｔ−ｘ系は基板
温度が６００〜８００℃、アルゴン／酸素が９５］５〜
５０１５０　。

ガス圧力が４０４０−２５Ｏ，入力パワーは２　Ｗ／ａ
＋ｆである。最適条件は基板温度が７００℃、アルゴン
／酸素が９０／ｌｏ、ガス圧力が１６０ｎ＋　Ｔであっ
た。Ｂ　ｉ−Ｓ　ｒＣａ−Ｃｕ−〇系は基板温度が６０
０〜８００℃、アルゴン／酸素が９５／　５−５０１５
０　、ガス圧力が４０〜２５０ｍＴ。

入力パワーが２Ｗ／ａ＃でスパッタリングを行なった。

またＴｆｆ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系は基板温度が４０
０〜６００℃、アルゴン／酸素が９０／１０　、ガス圧
力が８０〜２００ｍＴ、入力パワーはＩＷ／ｄでスパッ
タリングした。時間はすべて６時間である。この条件で
Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ○３の付いていない基板と付いている基
板に超伝導薄膜を成膜して１両者のＸ線回折から配向性
の比較を行なった。なお酸素量は格子定数の値からＸの
値を次のように推定した。すなわち、（ＲＥ）Ｂａ２Ｃ
ｕ、０７−、（Ｘ＝Ｏ−０，５）、　Ｂｉ２５ｒ２Ｃａ
ＣＩＪ、○５］、Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ９＋ｘ５］
、Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ９＋ｘ（Ｘ　＝０〜ｌ）　
、　　Ｂ　ｉ２Ｓ　ｒ、　Ｃａ、Ｃｕ、○、。１（Ｘ　
〜０〜１．．５）　、　　”ＩＪ２Ｂ　ａ、Ｃｕ０，４
．（Ｘ　〜０−０．５）　。

’１２Ｂａ２ＣａＣｕ、Ｏ１ｌ５］、Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ
Ｃｕ２Ｏ９＋ｘ（Ｘ＝Ｏ−１）、Ｔ１２Ｂａ２Ｃａ２Ｃ
ｕ、０．ｏ、ｘ（Ｘ、＝Ｑ　〜ｔ、ｓ）、　　Ｔ（ｌＢ
ａ２Ｃａ２ＣｕＪ○５］、Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ９
＋ｘ６．ＡＸ　＝Ｏ〜Ｌ、５）およびＴｌ２Ｂａ２ｃａ
、ｃｕ４０１５］、Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ９＋ｘ．
５．ｘ（Ｘ　＝Ｏ〜２）となった。

超伝導薄膜の成膜は、５ｍｎＸ１５ｎｎの形状で行い、
Ｘ線回折パターンを観測したのち、ＲＦ−マグネトロン
スパッタリング法で超伝導薄膜上にＰｔ電極を付けた。

電気抵抗は４端子法で測定した。電気抵抗と帯磁率の測
定から、（ＲＥ　）Ｂａ２Ｃｕ３０ｔ−ｘ系は約９０′
に以下で超伝導現象を示すことを確認した。Ｂ　ｉ２　
Ｓ　ｒｚ　Ｃａ　Ｃｕ２０　ｌｌ＋ｘは約８０’Ｋ。

Ｂ　ｉ２Ｓ　ｒ２Ｃａ２Ｃｕ、　０１ｏ＋ｘは約１１０
　’に以下で超伝導状態になった。また、Ｔｌ２２Ｂａ
２ＣｕＯＧ＊ｘ約８５玉。

Ｔ１２Ｂａ２Ｃａ２ｕ２０．、ｘは約１００　’に、　
Ｔｌ２２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３０ｉｏ＋ｘは約１２５χ、
　Ｔｌ２Ｂａ２ＣａｚＣｕ３０１１．ｓ＋ｘは約１１５
　’に、そしてＴ６Ｂａ２Ｃａ、Ｃｕ４０ｔｏ、ｓ＋ｘ
は約１２０Ｘ以下で超伝導状態になった。

Ｙ　Ｂ　８２　Ｃｕ３０　？−Ｘの粉末のＸ線回折パタ
ーンを標準として測定し、薄膜の結果と比較する。粉末
の場合、（１１０）反射は３２．８５°にあり、（００
５）反射の２０は３８．５４°にあり、その強度比は約
１０：１であった。（１１０）面が基板に平行に配向し
ている度合を配向率とよび、０．ＩＸ　Ｉ　（１１０）
／［０，１ｘ　Ｉ　（１１０）＋　Ｉ　（００５）コと
した。配向率は、粉体のときは０．５となり、Ｉ（００
５）がゼロで１となる。したがって、薄膜の（１１０）
面が基板面に対して優勢に配向しているならば、配向率
は０．５より大きくなるはずである。また完全に（１１
０）に配向しているならば、この値は１になる。Ｂ１−
８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系およびＴｌ１−Ｂａ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−○糸材料の場合にも同様の評価を行った一０第１表
に溶融石英について５ｒＴｉ○３が付いている場合と付
いていない場合の各組成の超伝導薄膜の配向率の比較を
示す。また第２表にＳｉを用いた場合の同様の結果を示
す。

溶融石英およびＳｉ表面に直接超伝導薄膜を作成すると
、配向率は約０．５以下であるが、溶融石英およびＳｉ
にＳｒＴｉＯ３を作成してその上に超伝導薄膜を作成す
ると配向率は著しく増加することがわかる。

Ｂａ２Ｃｕ、Ｏ。

８超伝導薄膜の（１ １０）配向率 第２表　Ｓｉ基板を用いた場合の（ＲＥ）Ｂ　ａ２Ｃｕ
、０７−１１超伝導薄膜の（１１０）配向率第３表に溶
融石英について、第４表にＳｉについて５ｒＴｉ○１が
付いている場合と付いていない場合の組成がＢ　ｉ、　
Ｓ　ｒ２ＣａＣｕ２０ｓｅｘの超伝導薄膜の配向率の比
較を示す。また第５表に溶融石英について、第６表にＳ
ｉについて５ｒＴｉ○３が付いている場合と付いていな
い場合の組成がＢ１□５ｒ２Ｃａ２Ｃｕ３０．。１の超
伝導薄膜の配向率の比較を示す。表の左端はスパッタリ
ング条件で、基板温度（℃）、アルゴン／酸素、ガス圧
力（ｍＴ）の順に示す。

配向率はスパッタリング条件にかなり依存する。

しかし、溶融石英およびＳｉ表面に直接超伝導薄膜を作
成すると、配向率は約０．５以下であるが、溶融石英お
よびＳｉ上に５ｒＴｉ○３を作成してその上に超伝導薄
膜を作成すると配向率は著しく増加することがわかる。

配向率が高い試料の室温における比抵抗は、かなり低い
。

第３表　溶融石英基板を用いた場合のＢ１２５ｒ２Ｃａ
Ｃｕ２０．５］、Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ９＋ｘ超伝
導薄膜の（１１０）配向率第５表　溶融石英基板を用い
た場合のＢ　ｉｚ　Ｓ　ｒ２Ｃａ２Ｃｕ３０、。１超伝
導薄膜の（１１０）配向率第・１表　８１基板を用いた
場合のＢｉ２５ｒ２ＣａＣｕ２０１０、超伝導薄膜の（
１１０）配向率第６表　８１基板を用いた場合のＢ　ｉ
、　Ｓ　ｒ、　Ｃａ２Ｃｕ３ｏ工。

や、超伝導薄膜の（１１０）配向率第７表に溶融石英と
８１について、５ｒＴｉＯ，が付けている場合と付いて
いない場合の組成がＴｉｔ、ＢａｚＣｕＯ６＊ｘの超伝
導薄膜の配向率の比較を示す。第８表はＴ　Ｑ２Ｂ　ａ
２Ｃａ　Ｃｕ２０８＋Ｋ、第９表はＴｄ２Ｂａ２Ｃａ、
Ｃｕ、○□。１第１０表はＴｌ１Ｂａ、Ｃａ２Ｃｕ３０
ｇ、ｓ＋ｘそして第１１表はＴｉ１Ｂａ２Ｃａ３Ｃｕ。

○ｌＱ、Ｓ＋Ｘについての配向率の比較を示す。表の左
端はスパッタリング条件で、基板温度（℃）、ガス圧力
（ｍＴ）の順に示す。

配向率はスパッタリング条件にかなり依存する。

しかし、溶融石英および５］表面に直接超伝導薄膜を作
成すると、配向率は０．３５以下であるが溶融石英およ
びＳｌ上にＳ　ｒ　Ｔ　ｉＯ３を作成してその上に超伝
導薄膜を作成すると配向率は著しく増加することがわか
る。

第７表　Ｔ（ｚＢａ２ＣｕＯ，ｘ超伝導薄膜の（１１０
）配向率 第８表　Ｔρ２Ｂａ２ＣａＣｕ、０６４．ｌ超伝導薄膜
の（１１０）配向率 第９表　ＴＱ、Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ、Ｏ，５］、Ｔｌ２Ｂ
ａ２ＣａＣｕ２Ｏ９＋ｘ、ｘ超伝導薄膜の（１１０）配
向率第１０表　Ｔ（！Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕｉ○ｈ、ｓ＋ｘ
超伝導薄膜の（１１０）配向率 第１）表　ＴＱＢａ２Ｃａ、Ｃｕ、○、。％４に超伝導
薄膜の（１１０）配向率 上記実施例により得られた超伝導薄膜と、比較のために
Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ　Ｏ１単結晶基板上に作製した（００１
）面が基板に平行に配向した超伝導薄膜を用いて５ＩＳ
Ｉ−ンネル接合を作製し特性を測定した。

その結果５ｒＴｉ○１ｍ結晶上に作製した物ではジョセ
フソン特性が得られなかったが、本発明に基づく超伝導
薄膜を用いた物ではいずれも良好なジョセフソン特性が
得られ１本発明が再現性よく高性能のジョセフソン素子
を提供するものであることがわかった。

上記実施例では基板上に形成されたペロブスカイト化合
物として５ｒＴｉ○、を用いた場合を示したが、これが
ＢａＴｉＯ２，あるいはＣａ　Ｔ　ｉ　Ｏ３゜ＮｄＧａ
０．、Ａ１１ＧａＯ，といったその他のペロブスカイト
化合物でも同様の結果が得られることは明白である。ま
た、溶融石英上で得られた結果は例えばＳｉ上に形成さ
れたＳｉ○２膜上でも同様に得られることも明白である
。

（発明の効果） 本発明によれば、非晶質Ｓｉ○２やＳｉ上に（１１Ｏ）
配向したペロブスカイト構造の薄膜を付着させたものを
基板として用いることによって、基板面に平行に（１１
０）配向した臨界温度が８０〜１２５Ｘの酸化物超伝導
薄膜を形成でき、さらにはこの構成を用いて超伝導装置
を容易に、かつ安価に提供でき、その実用上の効果は極
めて大である。

特許出願人　松下電器産業株式会社

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＳｉあるいはＳｉＯ＿２上に（１１０）面が基板
   面に平行に成長したペロブスカイト構造の酸化物薄膜と
   、前記酸化物薄膜上に作成した組成が（ＲＥ）Ｂａ＿２
   Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ［但し、（ＲＥ）はＹ、Ｌａ、
   Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
   ｂ、Ｌｕのうちの一種類以上を含む。Ｘ＝０〜０．５］
   からなる薄膜を有することを特徴とする超伝導装置。
2. （２）ＳｉあるいはＳｉＯ＿２上に（１１０）面が基板
   面に平行に成長したペロブスカイト構造の酸化物薄膜と
   、前記酸化物薄膜上に作製した組成がＢｉ＿２Ｓｒ＿２
   ＣａＣｕ＿２Ｏ＿８＿＋＿ｘ［Ｘ＝０〜１］あるいはＢ
   ｉ＿２Ｓｒ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿１＿０＿＋＿ｘ［
   Ｘ＝０〜１．５］からなる薄膜を有することを特徴とす
   る超伝導装置。
3. （３）ＳｉあるいはＳｉＯ＿２上に（１１０）面が基板
   面に平行に成長したペロブスカイト構造の酸化物薄膜と
   、前記酸化物薄膜上に作製した組成がＴｌ＿２、Ｂａ＿
   ２ＣｕＯ＿６＿＋＿ｘ［Ｘ＝０〜０．５］、Ｔｌ＿２Ｂ
   ａ＿２ＣａＣｕ＿２Ｏ＿９＿＋＿ｘ［Ｘ＝０〜１］、Ｔ
   ｌ＿２Ｂａ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿１＿０＿＋＿ｘ［
   Ｘ＝０〜１．５］、ＴｌＢａ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿
   ８＿．＿５＿＋＿ｘ［Ｘ＝０〜１．５］あるいはＴｌＢ
   ａ＿２Ｃａ＿３Ｃｕ＿４Ｏ＿１＿０＿．＿５＿＋＿ｘ［
   Ｘ＝０〜２］からなる薄膜を有することを特徴とする超
   伝導装置。
4. （４）請求項（１）、（２）または（３）記載のペロブ
   スカイト構造の薄膜がＳｒＴｉＯ＿３であることを特徴
   とする超伝導装置。