JPH0434438A - 感光体の製造方法 - Google Patents

感光体の製造方法

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JPH0434438A
JPH0434438A JP14246090A JP14246090A JPH0434438A JP H0434438 A JPH0434438 A JP H0434438A JP 14246090 A JP14246090 A JP 14246090A JP 14246090 A JP14246090 A JP 14246090A JP H0434438 A JPH0434438 A JP H0434438A
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JP
Japan
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amorphous silicon
layer
substrate
base body
charge
Prior art date
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Pending
Application number
JP14246090A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Matsumoto
雅則 松本
Masayuki Sakamoto
雅遊亀 坂元
Shiro Narukawa
成川 志郎
Hisashi Hayakawa
尚志 早川
Takao Nakai
中井 隆生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (al産業上の利用分野 この発明は、複写機等の画像形成装置に使用される電了
写真怒光体の製造方法に関する。
(′b)従来の技術 電子写真窓光体としては現在、有機感光体(OPC)が
広(用いられ、特に電荷発生層と電荷輸送層を積層する
機能9J離型感光体や、硬く耐剛性が優れているアモル
ファスシリコン(a−3i)を成膜した感光体が一般に
使用されている。
前者は従来、槽の中に収容された感光液の中に感光体の
基体を浸漬し引き上げ乾燥させて成膜する浸漬塗布方法
で製造され、機能分離型の場合は電荷発生層の塗工、電
荷輸送層の塗工と2回の塗布を行っていた。また、最近
では、リング状容器の中に感光液を収容し、そのリング
状の容器の内径側に基体を通過さゼて塗布する基体移動
方式も開発されている。
後者は、水素またはハロゲンを含むシリコン化合物の原
料ガスが収容された堆積室に置かれた基体にプラズマに
より成膜するプラズマCVD法や、反応性スパッタリン
グ法等が一般的である。
(C1発明が解決しようとする課題 しか巳ながら、上述の浸漬塗布方式ては、感光液のボッ
トライフ等の理由により廃棄する星が多く、感光液の使
用効率が20 ’y6〜70%と低い。
特に、電荷発生層は一本当たりの塗布量が数■であるの
に感光液の量は3〜4i必要である。また装置が大型に
なる等の欠点があった。一方基体移動方式は感光液の使
用効率は高いが(30′76以上)、基体にリング状容
器との摺接部で傷がつき易く、塗布ムラが多く感光体と
して品質が悪くなるという欠点があった。
また、アモルファスシリコンの膜を形成した感光体は、
その堆積膜厚が20〜40μmと厚くする必要があり、
成“膜に長時間を要する。さらに暗電流が大きいためブ
ロッキング層、表面層が必要となり、そのために多種の
ガスを必要とするとともに、CVD装置への流入ガス璽
の調整が煩わしい等の欠点があった。この他、膜を形成
する際に生じる粉状のSi8gポリマー、Siのフレー
クが成膜表面に付着して膜の異常成長を発生し、画像に
悪影響を及ぼすという欠点があった。
そこでこの発明の目的;よ、良質の感光体を短時間で効
率良く製造する方法を提供することにあるfd)課題を
解決するための手段 この発明の感光体の装造方法ては、導電性の基体上に電
荷発生層と電荷輸送層とを積層巳てなる感光体において
、 前記基体上に前記電荷発生層としてアモルファスシリコ
ン層を形成し、 前記アモルファスシリコン層の形成された基体を、リン
グ状容器に収容された電荷輸送物性の感光液の中を、基
体の外周面を前記リング状容器の内径側に摺接さセなが
ら軸方向に移動させることにより、前記アモルファスシ
リコン層の上に電荷輸送層を形成することを特徴とする
(81作用 この発明に係る感光体の製造方法では、電荷発生層とし
てアモルファスシリコン層を基体上に形成し、その上に
電荷輸送層を、リング状容器内の感光液中を、リング状
の内径側に基体の外周面を摺接さ一1!なから通過さ−
Uることにより形成する。
このため、アモルファスシリコン膜のみを形成する場合
はど膜厚を必要とゼず(2μmn以下)、短時間にアモ
ルファスシリコン膜を形成できる。アモルファスシリコ
ン膜は非常に硬く傷つき歎(・ので、その上に電荷輸送
層を形成に際して、リング状容器に収容された電荷輸送
物性の感光液の中を、基体の外周面を前記リング状容器
の内径側に摺接さモながら軸方向に移動さセ塗布しても
、基体に傷がつくことがない。従って、感光液の使用効
率が亮く、短時間で良質の感光体を製造することができ
る。
(f)実施例 第1図は、この発明の実施例である感光体の製造方法に
より製造した感光体の円筒状の外壁の一部の概略図であ
る。感光体ドラム100の回りにはアモルファスシリコ
ン膜101よりなる電荷発生層が形成されており、その
上に電荷輸送層102が形成されている。アモルファス
シリコン膜101は電子ザイクロン共鳴(ECR)プラ
ズマCVD装置にて膜厚はぼ0.2μIi’l C0、
2〜0゜5μ口゛Lが最適膜厚)に成膜し、その上に後
述の塗布装置により電荷輸送層102を厚みほぼ15μ
m11に形成した。
第2図は、同窓光体のアモルファスシリコンより成る電
荷発生層を形成するための電子リイクコトロン共鳴(E
CR>プラズマC’v’ D装置の概略構成図である。
本装置は、プラズマの生成を行うプラズマ室11と、成
膜が行われる堆積室12により構成されている。プラズ
マ室11と堆積室12は図示セぬターボ分子ポンプおよ
び油回転ポンプにより矢印の方に真空排気される。プラ
ズマ室11は空洞共振器構造となっており、導波管14
を通して2゜45GHzのマイクロ波が透過できる石英
で構成されている。プラズマ室11にはガス導入管17
が接続されており、)(2,He、Ar等のガスが導入
される。プラズマ室11の周囲には磁気コイル16が配
置され、プラズマ室11内の適当な領域てECR条件を
満たす磁界を発生さセるとともに、堆積室12内にプラ
ズマを引き出す発散磁界を形成している。なお、プラズ
マはプラズマ引き出し窓13を介して堆積室′L2に引
き出される。堆積室12内に−ま感光体の基体100が
装着される。基体lOOは導電性材料、例えばアルミニ
ウム(AI)より構成されている。基体100は均一に
成膜が行われるように支持機構(図示セぬ)により回転
可能に支持されている。堆積室12には原料ガス5iH
aを導入するガス導入管19が設けられている。
以上のような装置にて、まずプラズマ室11および堆積
室12が排気され、次にプラズマ室12に20SCCM
のガスArが、堆積室12には原料ガス5ilt (1
203CCM)が導入される。このときの圧力は通常1
0−4〜10−3Torr程度に設定されており、本実
施例では6.4 Xl0−3である。磁気コイル16に
は予め電流が印加され磁場が形成7゜ されており、eラズマ室11にマイクロ波(マイクロ波
電力2.5kW)を導入することによってプラズマの生
成を行う。生成されたプラズマはプラズマ引き出し窓1
3を介して堆積室12に輸送され、基体100上に膜を
形成する。このとき基体100は回転されていて均一に
膜が形成される。プラズマ引き出し窓13の形状、プラ
ズマ引き出し窓13から基体100まての距離を調整し
て膜の均一化を図ることができる。本実施例では0.2
μmnの膜厚に成膜した。 プラズマ室12に導入する
ガスはHz、He、Ar等が用いられ、原料ガスとして
は5itla、5iz)16.SiF4,5iH2C1
□等の水素またはハロゲンを含むシリコン化合物が用い
られる。
またアモルファスシリコンの電荷発生層の形成は、通常
のプラズマCVD法、反応性スパッタリング法を用いて
もよい。
次にアモルファスシリコンの電荷発生層の形成された基
体に電荷輸送物性の感光液を塗布する。
第3図は、同感光体に電荷輸送物性の感光液を塗布する
ための塗布装置である。
電荷輸送物性を有する感光液21が収容された塗工槽2
2の底面中央部には、基体100の外径大の侵入孔23
が形成されている。この侵入孔23には局面に弾性ゴム
からなるブレード24が設けられ、基体100やその上
下の保持部材が侵入孔23に位置しているときそれらに
密着して、内部の感光液21が漏れないようになってい
る。基体LOOの表面には、上述の装置によりアモルフ
ァスシリコンよりなる電荷発生層が形成されている。こ
の基体100を侵入孔23から塗工槽22−・と侵入さ
せ感光液21の中を通過さセる。これによって基体10
0の表面のアモルファスシリコン膜の上に電荷輸送物性
を有する感光液21が塗布される。なお、基体100の
押し上げは図示せぬ押上機構によって行われる。
以上のような構成の塗布装置により塗布を施すと、従来
の電荷発生層は、前記侵入孔23のブレード24により
傷がつき易く、塗布膜にムラができてしまい実用には供
ゼないのであるが、本実施例では、電荷発生層をアモル
ファスシリコンとしたため極めて硬<、感光液使用量の
少ないリング状容器を備える塗布装置を用いても傷つく
ことがない。従って、浸漬塗布装置により塗布する場合
に比較して大幅に感光液を節約することがてきる本実施
例では、感光液として、ヒドラゾン系電荷輸送材(亜南
香料(株)製、ABPH)1重量ン8重量部に溶解し作
成じだ。この感光液により乾燥膜厚が15μmとなるよ
・)に塗布し、70゜Cて1時間の乾燥により製品とし
た。
この感光体を複写機に実装して複写テストを行った結果
、画像に影響を及ぼす傷等がなく、大変良好であった。
(g)発明の効果 以上のように、この発明の感光体の製造方法によれば、
電荷発生層としてアモルファスシリコン膜を、基体上に
形成し、その上に電荷輸送物性を有する感光液を収容す
るリング状容器の内径部に基体を通過させて塗布を行・
)基体移動方式により電荷輸送層を形成する。これによ
り、アモルファスシリコン膜のみを形成する場合はど膜
厚を必要とセず(2μm〕−東以下)、短時間にアモル
ファスシリコン膜を形成できるとともに、アモルファス
シリコン膜は非常に硬(傷つき難いので、その上に電荷
輸送層をリング状容器に収容された感光液の中を、基体
の外周面を前記リング状容器の内径側に摺接させながら
軸方向に移動させ塗布しても、基体に傷がつくことがな
い。従って、感光液の使用効率が高く、短時間で良質の
感光体を製造することができ、感光体のコスト低減、品
質向上を図ることができた。
101−電荷発生層(アモルファスシリコン)、102
−電荷輸送層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性の基体上に電荷発生層と電荷輸送層とを積
    層してなる感光体において、 前記基体上に前記電荷発生層としてアモルファスシリコ
    ン層を形成し、 前記アモルファスシリコン層の形成された基体を、リン
    グ状容器に収容された電荷輸送物性の感光液の中を、基
    体の外周面を前記リング状容器の内径側に摺接させなが
    ら軸方向に移動させることにより、前記アモルファスシ
    リコン層の上に電荷輸送層を形成することを特徴とする
    感光体の製造方法。
JP14246090A 1990-05-30 1990-05-30 感光体の製造方法 Pending JPH0434438A (ja)

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