JPH0434438A - 感光体の製造方法 - Google Patents
感光体の製造方法Info
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- JPH0434438A JPH0434438A JP14246090A JP14246090A JPH0434438A JP H0434438 A JPH0434438 A JP H0434438A JP 14246090 A JP14246090 A JP 14246090A JP 14246090 A JP14246090 A JP 14246090A JP H0434438 A JPH0434438 A JP H0434438A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(al産業上の利用分野
この発明は、複写機等の画像形成装置に使用される電了
写真怒光体の製造方法に関する。
写真怒光体の製造方法に関する。
(′b)従来の技術
電子写真窓光体としては現在、有機感光体(OPC)が
広(用いられ、特に電荷発生層と電荷輸送層を積層する
機能9J離型感光体や、硬く耐剛性が優れているアモル
ファスシリコン(a−3i)を成膜した感光体が一般に
使用されている。
広(用いられ、特に電荷発生層と電荷輸送層を積層する
機能9J離型感光体や、硬く耐剛性が優れているアモル
ファスシリコン(a−3i)を成膜した感光体が一般に
使用されている。
前者は従来、槽の中に収容された感光液の中に感光体の
基体を浸漬し引き上げ乾燥させて成膜する浸漬塗布方法
で製造され、機能分離型の場合は電荷発生層の塗工、電
荷輸送層の塗工と2回の塗布を行っていた。また、最近
では、リング状容器の中に感光液を収容し、そのリング
状の容器の内径側に基体を通過さゼて塗布する基体移動
方式も開発されている。
基体を浸漬し引き上げ乾燥させて成膜する浸漬塗布方法
で製造され、機能分離型の場合は電荷発生層の塗工、電
荷輸送層の塗工と2回の塗布を行っていた。また、最近
では、リング状容器の中に感光液を収容し、そのリング
状の容器の内径側に基体を通過さゼて塗布する基体移動
方式も開発されている。
後者は、水素またはハロゲンを含むシリコン化合物の原
料ガスが収容された堆積室に置かれた基体にプラズマに
より成膜するプラズマCVD法や、反応性スパッタリン
グ法等が一般的である。
料ガスが収容された堆積室に置かれた基体にプラズマに
より成膜するプラズマCVD法や、反応性スパッタリン
グ法等が一般的である。
(C1発明が解決しようとする課題
しか巳ながら、上述の浸漬塗布方式ては、感光液のボッ
トライフ等の理由により廃棄する星が多く、感光液の使
用効率が20 ’y6〜70%と低い。
トライフ等の理由により廃棄する星が多く、感光液の使
用効率が20 ’y6〜70%と低い。
特に、電荷発生層は一本当たりの塗布量が数■であるの
に感光液の量は3〜4i必要である。また装置が大型に
なる等の欠点があった。一方基体移動方式は感光液の使
用効率は高いが(30′76以上)、基体にリング状容
器との摺接部で傷がつき易く、塗布ムラが多く感光体と
して品質が悪くなるという欠点があった。
に感光液の量は3〜4i必要である。また装置が大型に
なる等の欠点があった。一方基体移動方式は感光液の使
用効率は高いが(30′76以上)、基体にリング状容
器との摺接部で傷がつき易く、塗布ムラが多く感光体と
して品質が悪くなるという欠点があった。
また、アモルファスシリコンの膜を形成した感光体は、
その堆積膜厚が20〜40μmと厚くする必要があり、
成“膜に長時間を要する。さらに暗電流が大きいためブ
ロッキング層、表面層が必要となり、そのために多種の
ガスを必要とするとともに、CVD装置への流入ガス璽
の調整が煩わしい等の欠点があった。この他、膜を形成
する際に生じる粉状のSi8gポリマー、Siのフレー
クが成膜表面に付着して膜の異常成長を発生し、画像に
悪影響を及ぼすという欠点があった。
その堆積膜厚が20〜40μmと厚くする必要があり、
成“膜に長時間を要する。さらに暗電流が大きいためブ
ロッキング層、表面層が必要となり、そのために多種の
ガスを必要とするとともに、CVD装置への流入ガス璽
の調整が煩わしい等の欠点があった。この他、膜を形成
する際に生じる粉状のSi8gポリマー、Siのフレー
クが成膜表面に付着して膜の異常成長を発生し、画像に
悪影響を及ぼすという欠点があった。
そこでこの発明の目的;よ、良質の感光体を短時間で効
率良く製造する方法を提供することにあるfd)課題を
解決するための手段 この発明の感光体の装造方法ては、導電性の基体上に電
荷発生層と電荷輸送層とを積層巳てなる感光体において
、 前記基体上に前記電荷発生層としてアモルファスシリコ
ン層を形成し、 前記アモルファスシリコン層の形成された基体を、リン
グ状容器に収容された電荷輸送物性の感光液の中を、基
体の外周面を前記リング状容器の内径側に摺接さセなが
ら軸方向に移動させることにより、前記アモルファスシ
リコン層の上に電荷輸送層を形成することを特徴とする
。
率良く製造する方法を提供することにあるfd)課題を
解決するための手段 この発明の感光体の装造方法ては、導電性の基体上に電
荷発生層と電荷輸送層とを積層巳てなる感光体において
、 前記基体上に前記電荷発生層としてアモルファスシリコ
ン層を形成し、 前記アモルファスシリコン層の形成された基体を、リン
グ状容器に収容された電荷輸送物性の感光液の中を、基
体の外周面を前記リング状容器の内径側に摺接さセなが
ら軸方向に移動させることにより、前記アモルファスシ
リコン層の上に電荷輸送層を形成することを特徴とする
。
(81作用
この発明に係る感光体の製造方法では、電荷発生層とし
てアモルファスシリコン層を基体上に形成し、その上に
電荷輸送層を、リング状容器内の感光液中を、リング状
の内径側に基体の外周面を摺接さ一1!なから通過さ−
Uることにより形成する。
てアモルファスシリコン層を基体上に形成し、その上に
電荷輸送層を、リング状容器内の感光液中を、リング状
の内径側に基体の外周面を摺接さ一1!なから通過さ−
Uることにより形成する。
このため、アモルファスシリコン膜のみを形成する場合
はど膜厚を必要とゼず(2μmn以下)、短時間にアモ
ルファスシリコン膜を形成できる。アモルファスシリコ
ン膜は非常に硬く傷つき歎(・ので、その上に電荷輸送
層を形成に際して、リング状容器に収容された電荷輸送
物性の感光液の中を、基体の外周面を前記リング状容器
の内径側に摺接さモながら軸方向に移動さセ塗布しても
、基体に傷がつくことがない。従って、感光液の使用効
率が亮く、短時間で良質の感光体を製造することができ
る。
はど膜厚を必要とゼず(2μmn以下)、短時間にアモ
ルファスシリコン膜を形成できる。アモルファスシリコ
ン膜は非常に硬く傷つき歎(・ので、その上に電荷輸送
層を形成に際して、リング状容器に収容された電荷輸送
物性の感光液の中を、基体の外周面を前記リング状容器
の内径側に摺接さモながら軸方向に移動さセ塗布しても
、基体に傷がつくことがない。従って、感光液の使用効
率が亮く、短時間で良質の感光体を製造することができ
る。
(f)実施例
第1図は、この発明の実施例である感光体の製造方法に
より製造した感光体の円筒状の外壁の一部の概略図であ
る。感光体ドラム100の回りにはアモルファスシリコ
ン膜101よりなる電荷発生層が形成されており、その
上に電荷輸送層102が形成されている。アモルファス
シリコン膜101は電子ザイクロン共鳴(ECR)プラ
ズマCVD装置にて膜厚はぼ0.2μIi’l C0、
2〜0゜5μ口゛Lが最適膜厚)に成膜し、その上に後
述の塗布装置により電荷輸送層102を厚みほぼ15μ
m11に形成した。
より製造した感光体の円筒状の外壁の一部の概略図であ
る。感光体ドラム100の回りにはアモルファスシリコ
ン膜101よりなる電荷発生層が形成されており、その
上に電荷輸送層102が形成されている。アモルファス
シリコン膜101は電子ザイクロン共鳴(ECR)プラ
ズマCVD装置にて膜厚はぼ0.2μIi’l C0、
2〜0゜5μ口゛Lが最適膜厚)に成膜し、その上に後
述の塗布装置により電荷輸送層102を厚みほぼ15μ
m11に形成した。
第2図は、同窓光体のアモルファスシリコンより成る電
荷発生層を形成するための電子リイクコトロン共鳴(E
CR>プラズマC’v’ D装置の概略構成図である。
荷発生層を形成するための電子リイクコトロン共鳴(E
CR>プラズマC’v’ D装置の概略構成図である。
本装置は、プラズマの生成を行うプラズマ室11と、成
膜が行われる堆積室12により構成されている。プラズ
マ室11と堆積室12は図示セぬターボ分子ポンプおよ
び油回転ポンプにより矢印の方に真空排気される。プラ
ズマ室11は空洞共振器構造となっており、導波管14
を通して2゜45GHzのマイクロ波が透過できる石英
で構成されている。プラズマ室11にはガス導入管17
が接続されており、)(2,He、Ar等のガスが導入
される。プラズマ室11の周囲には磁気コイル16が配
置され、プラズマ室11内の適当な領域てECR条件を
満たす磁界を発生さセるとともに、堆積室12内にプラ
ズマを引き出す発散磁界を形成している。なお、プラズ
マはプラズマ引き出し窓13を介して堆積室′L2に引
き出される。堆積室12内に−ま感光体の基体100が
装着される。基体lOOは導電性材料、例えばアルミニ
ウム(AI)より構成されている。基体100は均一に
成膜が行われるように支持機構(図示セぬ)により回転
可能に支持されている。堆積室12には原料ガス5iH
aを導入するガス導入管19が設けられている。
膜が行われる堆積室12により構成されている。プラズ
マ室11と堆積室12は図示セぬターボ分子ポンプおよ
び油回転ポンプにより矢印の方に真空排気される。プラ
ズマ室11は空洞共振器構造となっており、導波管14
を通して2゜45GHzのマイクロ波が透過できる石英
で構成されている。プラズマ室11にはガス導入管17
が接続されており、)(2,He、Ar等のガスが導入
される。プラズマ室11の周囲には磁気コイル16が配
置され、プラズマ室11内の適当な領域てECR条件を
満たす磁界を発生さセるとともに、堆積室12内にプラ
ズマを引き出す発散磁界を形成している。なお、プラズ
マはプラズマ引き出し窓13を介して堆積室′L2に引
き出される。堆積室12内に−ま感光体の基体100が
装着される。基体lOOは導電性材料、例えばアルミニ
ウム(AI)より構成されている。基体100は均一に
成膜が行われるように支持機構(図示セぬ)により回転
可能に支持されている。堆積室12には原料ガス5iH
aを導入するガス導入管19が設けられている。
以上のような装置にて、まずプラズマ室11および堆積
室12が排気され、次にプラズマ室12に20SCCM
のガスArが、堆積室12には原料ガス5ilt (1
203CCM)が導入される。このときの圧力は通常1
0−4〜10−3Torr程度に設定されており、本実
施例では6.4 Xl0−3である。磁気コイル16に
は予め電流が印加され磁場が形成7゜ されており、eラズマ室11にマイクロ波(マイクロ波
電力2.5kW)を導入することによってプラズマの生
成を行う。生成されたプラズマはプラズマ引き出し窓1
3を介して堆積室12に輸送され、基体100上に膜を
形成する。このとき基体100は回転されていて均一に
膜が形成される。プラズマ引き出し窓13の形状、プラ
ズマ引き出し窓13から基体100まての距離を調整し
て膜の均一化を図ることができる。本実施例では0.2
μmnの膜厚に成膜した。 プラズマ室12に導入する
ガスはHz、He、Ar等が用いられ、原料ガスとして
は5itla、5iz)16.SiF4,5iH2C1
□等の水素またはハロゲンを含むシリコン化合物が用い
られる。
室12が排気され、次にプラズマ室12に20SCCM
のガスArが、堆積室12には原料ガス5ilt (1
203CCM)が導入される。このときの圧力は通常1
0−4〜10−3Torr程度に設定されており、本実
施例では6.4 Xl0−3である。磁気コイル16に
は予め電流が印加され磁場が形成7゜ されており、eラズマ室11にマイクロ波(マイクロ波
電力2.5kW)を導入することによってプラズマの生
成を行う。生成されたプラズマはプラズマ引き出し窓1
3を介して堆積室12に輸送され、基体100上に膜を
形成する。このとき基体100は回転されていて均一に
膜が形成される。プラズマ引き出し窓13の形状、プラ
ズマ引き出し窓13から基体100まての距離を調整し
て膜の均一化を図ることができる。本実施例では0.2
μmnの膜厚に成膜した。 プラズマ室12に導入する
ガスはHz、He、Ar等が用いられ、原料ガスとして
は5itla、5iz)16.SiF4,5iH2C1
□等の水素またはハロゲンを含むシリコン化合物が用い
られる。
またアモルファスシリコンの電荷発生層の形成は、通常
のプラズマCVD法、反応性スパッタリング法を用いて
もよい。
のプラズマCVD法、反応性スパッタリング法を用いて
もよい。
次にアモルファスシリコンの電荷発生層の形成された基
体に電荷輸送物性の感光液を塗布する。
体に電荷輸送物性の感光液を塗布する。
第3図は、同感光体に電荷輸送物性の感光液を塗布する
ための塗布装置である。
ための塗布装置である。
電荷輸送物性を有する感光液21が収容された塗工槽2
2の底面中央部には、基体100の外径大の侵入孔23
が形成されている。この侵入孔23には局面に弾性ゴム
からなるブレード24が設けられ、基体100やその上
下の保持部材が侵入孔23に位置しているときそれらに
密着して、内部の感光液21が漏れないようになってい
る。基体LOOの表面には、上述の装置によりアモルフ
ァスシリコンよりなる電荷発生層が形成されている。こ
の基体100を侵入孔23から塗工槽22−・と侵入さ
せ感光液21の中を通過さセる。これによって基体10
0の表面のアモルファスシリコン膜の上に電荷輸送物性
を有する感光液21が塗布される。なお、基体100の
押し上げは図示せぬ押上機構によって行われる。
2の底面中央部には、基体100の外径大の侵入孔23
が形成されている。この侵入孔23には局面に弾性ゴム
からなるブレード24が設けられ、基体100やその上
下の保持部材が侵入孔23に位置しているときそれらに
密着して、内部の感光液21が漏れないようになってい
る。基体LOOの表面には、上述の装置によりアモルフ
ァスシリコンよりなる電荷発生層が形成されている。こ
の基体100を侵入孔23から塗工槽22−・と侵入さ
せ感光液21の中を通過さセる。これによって基体10
0の表面のアモルファスシリコン膜の上に電荷輸送物性
を有する感光液21が塗布される。なお、基体100の
押し上げは図示せぬ押上機構によって行われる。
以上のような構成の塗布装置により塗布を施すと、従来
の電荷発生層は、前記侵入孔23のブレード24により
傷がつき易く、塗布膜にムラができてしまい実用には供
ゼないのであるが、本実施例では、電荷発生層をアモル
ファスシリコンとしたため極めて硬<、感光液使用量の
少ないリング状容器を備える塗布装置を用いても傷つく
ことがない。従って、浸漬塗布装置により塗布する場合
に比較して大幅に感光液を節約することがてきる本実施
例では、感光液として、ヒドラゾン系電荷輸送材(亜南
香料(株)製、ABPH)1重量ン8重量部に溶解し作
成じだ。この感光液により乾燥膜厚が15μmとなるよ
・)に塗布し、70゜Cて1時間の乾燥により製品とし
た。
の電荷発生層は、前記侵入孔23のブレード24により
傷がつき易く、塗布膜にムラができてしまい実用には供
ゼないのであるが、本実施例では、電荷発生層をアモル
ファスシリコンとしたため極めて硬<、感光液使用量の
少ないリング状容器を備える塗布装置を用いても傷つく
ことがない。従って、浸漬塗布装置により塗布する場合
に比較して大幅に感光液を節約することがてきる本実施
例では、感光液として、ヒドラゾン系電荷輸送材(亜南
香料(株)製、ABPH)1重量ン8重量部に溶解し作
成じだ。この感光液により乾燥膜厚が15μmとなるよ
・)に塗布し、70゜Cて1時間の乾燥により製品とし
た。
この感光体を複写機に実装して複写テストを行った結果
、画像に影響を及ぼす傷等がなく、大変良好であった。
、画像に影響を及ぼす傷等がなく、大変良好であった。
(g)発明の効果
以上のように、この発明の感光体の製造方法によれば、
電荷発生層としてアモルファスシリコン膜を、基体上に
形成し、その上に電荷輸送物性を有する感光液を収容す
るリング状容器の内径部に基体を通過させて塗布を行・
)基体移動方式により電荷輸送層を形成する。これによ
り、アモルファスシリコン膜のみを形成する場合はど膜
厚を必要とセず(2μm〕−東以下)、短時間にアモル
ファスシリコン膜を形成できるとともに、アモルファス
シリコン膜は非常に硬(傷つき難いので、その上に電荷
輸送層をリング状容器に収容された感光液の中を、基体
の外周面を前記リング状容器の内径側に摺接させながら
軸方向に移動させ塗布しても、基体に傷がつくことがな
い。従って、感光液の使用効率が高く、短時間で良質の
感光体を製造することができ、感光体のコスト低減、品
質向上を図ることができた。
電荷発生層としてアモルファスシリコン膜を、基体上に
形成し、その上に電荷輸送物性を有する感光液を収容す
るリング状容器の内径部に基体を通過させて塗布を行・
)基体移動方式により電荷輸送層を形成する。これによ
り、アモルファスシリコン膜のみを形成する場合はど膜
厚を必要とセず(2μm〕−東以下)、短時間にアモル
ファスシリコン膜を形成できるとともに、アモルファス
シリコン膜は非常に硬(傷つき難いので、その上に電荷
輸送層をリング状容器に収容された感光液の中を、基体
の外周面を前記リング状容器の内径側に摺接させながら
軸方向に移動させ塗布しても、基体に傷がつくことがな
い。従って、感光液の使用効率が高く、短時間で良質の
感光体を製造することができ、感光体のコスト低減、品
質向上を図ることができた。
101−電荷発生層(アモルファスシリコン)、102
−電荷輸送層。
−電荷輸送層。
Claims (1)
- (1)導電性の基体上に電荷発生層と電荷輸送層とを積
層してなる感光体において、 前記基体上に前記電荷発生層としてアモルファスシリコ
ン層を形成し、 前記アモルファスシリコン層の形成された基体を、リン
グ状容器に収容された電荷輸送物性の感光液の中を、基
体の外周面を前記リング状容器の内径側に摺接させなが
ら軸方向に移動させることにより、前記アモルファスシ
リコン層の上に電荷輸送層を形成することを特徴とする
感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14246090A JPH0434438A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14246090A JPH0434438A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 感光体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0434438A true JPH0434438A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15315834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14246090A Pending JPH0434438A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 感光体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0434438A (ja) |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP14246090A patent/JPH0434438A/ja active Pending
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