JPH04340932A - Liquid crystal display device and its driving method - Google Patents

Liquid crystal display device and its driving method

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JPH04340932A
JPH04340932A JP3113324A JP11332491A JPH04340932A JP H04340932 A JPH04340932 A JP H04340932A JP 3113324 A JP3113324 A JP 3113324A JP 11332491 A JP11332491 A JP 11332491A JP H04340932 A JPH04340932 A JP H04340932A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display device
crystal display
photoconductive
scanning line
Prior art date
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Pending
Application number
JP3113324A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Norio Ozawa
徳郎 小澤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH04340932A publication Critical patent/JPH04340932A/en
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Abstract

PURPOSE:To realize the large-area active matrix display device by eliminating the deficient writing of liquid crystal due to the delay of a scanning line signal. CONSTITUTION:The active matrix type liquid crystal display device is constituted by providing plural scanning lines 101 and picture element electrode arrays on a 1st substrate, providing nonlinear elements between the scanning lines and picture element electrodes, and charging liquid crystal in the gap between the 1st and 2nd substrates. A photoconductive film 104 is sandwiched between the picture element electrodes and scanning lines, photoconductive layers 102 and 102' are provided nearby the photoconductive film 104, and light beams LZ1 and LZ2 are propagated to the photoconductive films 102 and 102' to irradiate the photoconductive film 104 from the photoconductive layers 012 and 102'; and thus the resistance of the photoconductive film 104 is varied and this variation is utilized to apply a voltage to the picture element electrodes, thereby writing data in picture elements. Consequently, rate determination based upon the delay of the scanning lines of a conventional active matrix type liquid crystal display device is eliminated and the writing to the liquid crystal is performed at a high speed.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス型
の液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device.

【0002】0002

【従来の技術】従来の液晶表示装置は、液晶の書き込み
を行うために各画素を電気的に選択するものが主流であ
る。アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては
、液晶に印加する電圧を制御する薄膜素子をマトリクス
状に配置している。前記制御素子として、薄膜トランジ
スタや薄膜ダイオードを用いるものがある。この従来例
については「カラー液晶ディスプレイ  小林駿介編著
  産業図書刊  p137〜181」等に記載されて
いる。
2. Description of the Related Art In conventional liquid crystal display devices, each pixel is electrically selected in order to perform writing on the liquid crystal. In an active matrix type liquid crystal display device, thin film elements that control voltage applied to liquid crystal are arranged in a matrix. Some control elements use thin film transistors or thin film diodes. This conventional example is described in "Color Liquid Crystal Display, edited by Shunsuke Kobayashi, published by Sangyo Tosho, pp. 137-181."

【0003】薄膜トランジスタ素子を用いた液晶表示装
置は、ビデオカメラ用のビューファインダ、液晶プロジ
ェクタ用のライトバルブ等の高画質、高精細を要求され
る表示装置に用いられる。しかし、前記薄膜トランジス
タ素子を用いた液晶表示装置は製造工程が複雑であり、
歩留まりが悪く、そのため高価格にならざるを得ない。
Liquid crystal display devices using thin film transistor elements are used in display devices that require high image quality and high definition, such as viewfinders for video cameras and light valves for liquid crystal projectors. However, the manufacturing process of the liquid crystal display device using the thin film transistor element is complicated;
Yield is poor and therefore the price must be high.

【0004】これに対し薄膜ダイオ−ド素子を用いた液
晶表示装置では、前記薄膜トランジスタ素子を用いた液
晶表示装置に比べ、多少画質は見劣りするものの、製造
工程が簡易であり、低価格かつ大画面の液晶表示装置を
提供できる。
On the other hand, although the image quality of liquid crystal display devices using thin film diode elements is somewhat inferior to that of liquid crystal display devices using thin film transistor elements, the manufacturing process is simple, the manufacturing process is simple, the price is low, and the screen size is large. can provide a liquid crystal display device.

【0005】以下、図2を用いて薄膜ダイオ−ド素子を
用いた液晶表示装置の構成を説明する。図2は前記薄膜
ダイオ−ド素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶
表示装置の等価回路図である。薄膜ダイオ−ド203、
203’の第1の電極には走査線201、201’が接
続されている。また、前記薄膜ダイオ−ド203、20
3’の第2の電極には画素電極が接続されている。対向
基板側の信号線202、202’と前記画素電極との間
隙には液晶が封入されている。図2の204および20
4’は前記液晶の容量を等価的に表したものである。
The structure of a liquid crystal display device using thin film diode elements will be explained below with reference to FIG. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of an active matrix type liquid crystal display device using the thin film diode element. thin film diode 203,
Scanning lines 201 and 201' are connected to the first electrode 203'. Moreover, the thin film diodes 203 and 20
A pixel electrode is connected to the second electrode 3'. Liquid crystal is sealed in the gap between the signal lines 202, 202' on the opposing substrate side and the pixel electrode. 204 and 20 in FIG.
4' is an equivalent representation of the capacity of the liquid crystal.

【0006】以上の構成を持った液晶表示装置の駆動方
法の一例について、前記図2および図3を用いて説明す
る。図3は薄膜ダイオ−ド素子を用いた液晶表示装置の
駆動方法の一例を説明する図である。
An example of a method for driving a liquid crystal display device having the above structure will be explained with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a method for driving a liquid crystal display device using thin film diode elements.

【0007】まず走査線201には一定期間毎に極性を
変えた交流波形の走査線信号304が入力される。一方
、信号線202には、画素に書き込むビデオ信号を有す
る交流波形の信号線信号305が入力されるこのとき薄
膜ダイオード203に印加される電圧は前記走査線信号
304と前記信号線信号305の差分である。
First, a scanning line signal 304 in the form of an alternating current waveform whose polarity is changed at regular intervals is input to the scanning line 201 . On the other hand, an AC waveform signal line signal 305 having a video signal to be written to the pixel is input to the signal line 202. At this time, the voltage applied to the thin film diode 203 is the difference between the scanning line signal 304 and the signal line signal 305. It is.

【0008】次に画素の選択期間307に、前記信号線
信号305と前記走査信号304との電位差が、前記薄
膜ダイオードが導通状態になる電圧以上になるようなパ
ルス波形が前記走査線304に入力される。このとき前
記薄膜ダイオ−ドは導通状態になり、これにより前記画
素に前記ビデオ信号を書き込む。
Next, during a pixel selection period 307, a pulse waveform is input to the scanning line 304 such that the potential difference between the signal line signal 305 and the scanning signal 304 becomes equal to or higher than the voltage at which the thin film diode becomes conductive. be done. At this time, the thin film diode becomes conductive, thereby writing the video signal into the pixel.

【0009】前記選択期間に前記ビデオ信号を書き込ん
だ画素は、再び前記選択期間に至るまで書き込んだ電圧
を保持する。
The pixels to which the video signal has been written during the selection period retain the written voltage until the selection period begins again.

【0010】以上の操作を水平走査方向で一斉に行うこ
とにより、前記ビデオ信号を水平走査方向の画素に書き
込むことができる。
By performing the above operations all at once in the horizontal scanning direction, the video signal can be written to pixels in the horizontal scanning direction.

【0011】また以上の操作を垂直走査方向に繰り返す
ことにより、全画素への書き込みを行い、画像を表示す
ることができる。
Furthermore, by repeating the above operations in the vertical scanning direction, it is possible to write to all pixels and display an image.

【0012】なお、図3中の前記駆動方法ではパルス幅
変調方式による階調表示を用いているが、パルス高さ変
調方式による階調表示を用いるものもある。
Although the driving method shown in FIG. 3 uses gradation display using a pulse width modulation method, there is also a method that uses gradation display using a pulse height modulation method.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】一般に非線形素子を用
いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、
走査線の配線容量には薄膜ダイオードの寄生容量が並列
に付加され、走査線の長さは信号線より長いため、走査
線の時定数は信号線の時定数よりも大きい。この走査線
の時定数が1水平走査期間に対して無視できない程大き
いときには、走査線入力信号の遅延により以下のような
問題が生じる。すなわち、前記走査線の走査線信号入力
端から遠い画素ほど薄膜ダイオードの導通状態での抵抗
が高くなり、画素に前記信号線の電圧を与えられず書き
込み不足になるという問題である。特に大面積のアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置においては、必然的に
走査線が長くなるために前記走査線の抵抗が大きくなっ
て、画素は書き込み不足になり画像を表示できない。こ
のため、従来の技術を用いてアクティブマトリクス型の
液晶表示装置を大面積化することは非常に困難である。 そこで、大面積化のためには前記走査線入力信号の遅延
による画素の書き込みの限界をなくすことが必要になる
[Problems to be Solved by the Invention] Generally, in an active matrix type liquid crystal display device using nonlinear elements,
The parasitic capacitance of the thin film diode is added in parallel to the wiring capacitance of the scanning line, and the length of the scanning line is longer than the signal line, so the time constant of the scanning line is larger than the time constant of the signal line. When the time constant of this scanning line is so large that it cannot be ignored with respect to one horizontal scanning period, the following problem occurs due to the delay of the scanning line input signal. That is, the farther a pixel is from the scanning line signal input end of the scanning line, the higher the resistance of the thin film diode in a conductive state becomes, and the voltage of the signal line cannot be applied to the pixel, resulting in insufficient writing. Particularly in a large-area active matrix type liquid crystal display device, the scanning lines are inevitably long, so the resistance of the scanning lines becomes large, and pixels are insufficiently written and images cannot be displayed. For this reason, it is extremely difficult to increase the area of an active matrix type liquid crystal display device using conventional techniques. Therefore, in order to increase the area, it is necessary to eliminate the limitation of pixel writing due to the delay of the scanning line input signal.

【0014】また薄膜ダイオ−ド素子を用いた液晶表示
装置において、薄膜ダイオ−ド自体が持つ寄生容量が、
液晶容量に比べ無視できないときには、前記液晶容量に
書き込んだ電圧が前記寄生容量との容量分割によりシフ
トし、液晶に十分な電圧を印加できないという問題があ
る。この前記シフト量を減少させる方法が2つ考えられ
る。1つの方法は、前記液晶容量に比べ無視できるほど
に前記薄膜ダイオード素子の寄生容量を小さくすること
である。具体的な方法としては、ラテラル型の薄膜ダイ
オードを用いること等が知られている。第2の方法は、
選択期間に薄膜ダイオードに印加される電圧を下げるこ
とである。しかし前記薄膜ダイオード素子は、高電圧印
加時に流れるプールフレンケル電流を導通状態として利
用する素子である。そのため薄膜ダイオード素子を用い
た液晶表示装置においては、前記第2の方法で前記選択
期間の前記印加電圧を下げるのは難しい。このため、前
記薄膜ダイオード素子に代わる制御素子が必要になる。
In addition, in a liquid crystal display device using a thin film diode element, the parasitic capacitance of the thin film diode itself is
When the capacitance is not negligible compared to the liquid crystal capacitance, there is a problem that the voltage written to the liquid crystal capacitor is shifted due to capacitance division with the parasitic capacitance, and a sufficient voltage cannot be applied to the liquid crystal. There are two possible ways to reduce this shift amount. One method is to reduce the parasitic capacitance of the thin film diode element so that it is negligible compared to the liquid crystal capacitance. As a specific method, using a lateral type thin film diode is known. The second method is
The idea is to lower the voltage applied to the thin film diode during the selection period. However, the thin film diode element is an element that utilizes the Poole-Frenkel current that flows when a high voltage is applied as a conductive state. Therefore, in a liquid crystal display device using a thin film diode element, it is difficult to lower the applied voltage during the selection period using the second method. Therefore, a control element is required to replace the thin film diode element.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】第1の基板上に複数の走
査線および画素電極アレイを備え、前記走査線と前記画
素電極間に非線形素子を備え、第2の基板上に複数の信
号線を備え、前記第1の基板と第2の基板の間隙に液晶
を挾持してなるアクティブマトリクス型の液晶表示装置
において、画素電極と走査線との間に光導電膜を挟み、
前記光導電膜に近接する光伝導層を設け、前記非線形素
子に光伝導膜を用い、前記光伝導層に光を伝播し、前記
光伝導層から前記光導電膜に前記光を照射することによ
って生じる前記光導電膜の抵抗の変化を利用して前記画
素電極に電圧を印加し、画素に書き込みを行うことによ
り上記課題を解決した。
[Means for Solving the Problem] A plurality of scanning lines and a pixel electrode array are provided on a first substrate, a nonlinear element is provided between the scanning line and the pixel electrode, and a plurality of signal lines are provided on a second substrate. In an active matrix liquid crystal display device comprising a liquid crystal sandwiched between the first substrate and the second substrate, a photoconductive film is sandwiched between the pixel electrode and the scanning line;
By providing a photoconductive layer close to the photoconductive film, using the photoconductive film as the nonlinear element, propagating light to the photoconductive layer, and irradiating the light from the photoconductive layer to the photoconductive film. The above problem was solved by applying a voltage to the pixel electrode using the resulting change in resistance of the photoconductive film and writing to the pixel.

【0016】また、前記液晶表示装置において、前記画
素群が垂直走査方向に分けられた複数のブロックからな
り、前記走査線が前記ブロック毎に電気的に独立してい
る液晶表示装置を用い、前記ブロック毎に画素群に選択
を行い、前記選択期間が前記ブロック毎に重複せずに、
前記ブロック毎に前記走査線の入力信号の極性を反転し
、1フィールド毎に前記入力信号の極性を反転する駆動
方法を用いることで上記の課題を解決した。
Further, in the liquid crystal display device, the pixel group is composed of a plurality of blocks divided in the vertical scanning direction, and the scanning line is electrically independent for each block. Selection is made to a group of pixels for each block, and the selection period does not overlap for each block,
The above problem was solved by using a driving method in which the polarity of the input signal of the scanning line is inverted for each block and the polarity of the input signal is inverted for each field.

【0017】また、前記液晶表示装置において、光伝導
層の一部が走査線電極を兼ねることにより開口率を下げ
ること無く、高速かつ大画面の液晶表示装置を提供する
ことができる。
Furthermore, in the liquid crystal display device, a portion of the photoconductive layer also serves as a scanning line electrode, thereby making it possible to provide a high-speed, large-screen liquid crystal display device without lowering the aperture ratio.

【0018】[0018]

【作用】本発明は、前記光照射によって抵抗の変化する
前記光導電膜を、画素に印加する電圧の制御素子として
用いている。そのため前記走査線の遅延がほとんどなく
、非常に高速に前記画素に電圧を印加することができる
。これにより上述した走査線の遅延による大面積化の制
限がなくなり、アクティブマトリクス型の大面積液晶表
示装置を実現できる。
[Function] The present invention uses the photoconductive film whose resistance changes upon irradiation with light as a control element for the voltage applied to the pixel. Therefore, there is almost no delay in the scanning line, and voltage can be applied to the pixels at a very high speed. This eliminates the limitation on increasing the area due to the delay of the scanning line described above, and it is possible to realize an active matrix type large area liquid crystal display device.

【0019】また走査線がブロック毎に電気的に独立し
た前記液晶表示装置では、前記各ブロックの画素群の書
き込みをブロック間で重複しないようにすることによっ
て、前記各ブロックの保持期間を長くとることができ、
アクティブマトリクス型の大面積液晶表示装置を非常に
高速に駆動することができる。
Further, in the liquid crystal display device in which the scanning lines are electrically independent for each block, the retention period of each block is lengthened by ensuring that the writing of the pixel groups in each block does not overlap between blocks. It is possible,
It is possible to drive an active matrix type large area liquid crystal display device at extremely high speed.

【0020】また本発明の液晶表示装置および駆動方法
を用いると、従来の薄膜ダイオ−ドを用いた液晶表示装
置に比べ、前記走査線信号と前記信号線信号との電位差
を小さくして、前記液晶表示装置を駆動することができ
る。これにより、前記容量分割による書き込み電圧のシ
フト量を小さくすることができる。
Further, when the liquid crystal display device and the driving method of the present invention are used, the potential difference between the scanning line signal and the signal line signal is made smaller than that of a conventional liquid crystal display device using a thin film diode, and the potential difference between the scanning line signal and the signal line signal is reduced. A liquid crystal display device can be driven. This makes it possible to reduce the shift amount of the write voltage due to the capacitance division.

【0021】また、前記液晶表示装置において、光伝導
層の一部が走査線を兼ねることにより前記走査線を前記
光伝導層とは別に設ける必要がなくなるので、開口率を
下げることなく、光伝導層と走査線を設けることができ
る。
Further, in the liquid crystal display device, since a part of the photoconductive layer also serves as a scanning line, there is no need to provide the scanning line separately from the photoconductive layer, so that the photoconductive layer can be used without lowering the aperture ratio. Layers and scan lines can be provided.

【0022】[0022]

【実施例】以下図5を用いて本発明の液晶表示装置の製
造方法の一例について説明する。まず、石英、ガラス等
の第1の絶縁体基板501上にスパッタ等を用いてIT
O等の透明導電性薄膜を堆積し、フォトエッチングを行
い透明導電性薄膜502および502’を形成する。前
記透明導電性薄膜502は画素電極として、前記透明導
電性薄膜502’は光伝導層のコアおよび走査線として
用いられる。ここで、前記透明導電性薄膜502’は光
伝導層のコアとしての機能および走査線としての機能を
兼ね備えており、新たに光導電層のコアもしくは走査線
を設ける必要はない。
EXAMPLE An example of a method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention will be described below with reference to FIG. First, IT is deposited on a first insulating substrate 501 made of quartz, glass, etc. using sputtering or the like.
A transparent conductive thin film such as O is deposited and photoetched to form transparent conductive thin films 502 and 502'. The transparent conductive thin film 502 is used as a pixel electrode, and the transparent conductive thin film 502' is used as a core of a photoconductive layer and a scanning line. Here, the transparent conductive thin film 502' has both the function of the core of the photoconductive layer and the function of the scanning line, and there is no need to newly provide the core of the photoconductive layer or the scanning line.

【0023】次に、減圧化学気相成長法等を用いてSi
O2膜を堆積し、フォトエッチングを行い、光伝導層の
クラッドとして用いられるSiO2膜503を形成する
。前記SiO2膜503は前記透明導電性薄膜502’
よりも屈折率の小さい物質を代わりに用いても良い。
Next, Si is grown using a low pressure chemical vapor deposition method or the like.
An O2 film is deposited and photoetched to form a SiO2 film 503 used as a cladding of the photoconductive layer. The SiO2 film 503 is the transparent conductive thin film 502'
A substance with a refractive index smaller than that may be used instead.

【0024】次に、プラズマ化学気相成長法等を用いて
p型非晶質Si膜、非晶質Si膜、n型非晶質Si膜を
連続堆積した後、フォトエッチングを行い、非晶質Si
膜504を形成する。前記非晶質Si膜504は光導電
膜として用いられる。前記非晶質Si膜504の代わり
に、非晶質Se等の非晶質金属、CdSe等の化合物半
導体、有機金属等の光導電材料を用いても良い。
Next, after successively depositing a p-type amorphous Si film, an amorphous Si film, and an n-type amorphous Si film using plasma chemical vapor deposition, etc., photoetching is performed to form the amorphous silicon film. Quality Si
A film 504 is formed. The amorphous Si film 504 is used as a photoconductive film. Instead of the amorphous Si film 504, an amorphous metal such as amorphous Se, a compound semiconductor such as CdSe, or a photoconductive material such as an organic metal may be used.

【0025】次にTi膜をスパッタ等を用いて堆積した
後、フォトエッチングを行い、前記透明導電性薄膜50
2と前記非晶質Si膜504とに近接するTi膜505
を形成する。前記Ti膜には、代わりにAl、Cr、T
a、Cu等の金属を用いても構わない。
Next, after depositing a Ti film using sputtering or the like, photoetching is performed to form the transparent conductive thin film 50.
2 and the Ti film 505 adjacent to the amorphous Si film 504.
form. The Ti film contains Al, Cr, T instead.
Metals such as a, Cu, etc. may be used.

【0026】その後、スパッタ等を用いてSiO2膜5
06を堆積し、フォトエッチングを行う。この前記Si
O2膜506はパッシベーション膜として用いられ、S
iNX、ポリイミド等の絶縁膜を用いても良い。
After that, the SiO2 film 5 is formed using sputtering or the like.
06 is deposited and photo-etched. This Si
The O2 film 506 is used as a passivation film, and the S
An insulating film such as iNX or polyimide may also be used.

【0027】図4は前記液晶表示装置を前記第1の絶縁
体基板上方から見た図である。
FIG. 4 is a view of the liquid crystal display device viewed from above the first insulating substrate.

【0028】一方、第2の絶縁体基板にはITO等の透
明導電性膜をスパッタ等で堆積し、フォトエッチングを
行う。この前記ITOは信号線として用いられる。
On the other hand, a transparent conductive film such as ITO is deposited on the second insulating substrate by sputtering or the like, and then photo-etched. This ITO is used as a signal line.

【0029】この前記第2の絶縁体基板と前記第1の絶
縁体基板とを向かい合わせ、数μmの間隙を設けて配置
し、前記間隙に液晶を封入することで液晶表示装置が得
られる。
A liquid crystal display device is obtained by placing the second insulating substrate and the first insulating substrate facing each other with a gap of several μm between them, and filling the gap with liquid crystal.

【0030】次に以上の構造を有する本発明の液晶表示
装置の駆動方法について図1および図6を用いて説明す
る。図1は本発明の液晶表示装置の等価回路図である。 図6は前記液晶表示装置の駆動方法を説明する図である
。なお、図1の103は前記液晶の液晶容量を等価的に
表したものである。
Next, a method for driving the liquid crystal display device of the present invention having the above structure will be explained with reference to FIGS. 1 and 6. FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal display device of the present invention. FIG. 6 is a diagram illustrating a method of driving the liquid crystal display device. Note that 103 in FIG. 1 equivalently represents the liquid crystal capacity of the liquid crystal.

【0031】一般に液晶は交流で駆動する必要がある。 このため信号線105には、一定期間毎に極性を反転し
たビデオ信号607を入力している。一方走査線101
には、液晶の光学的閾値を示す電圧値と前記ビデオ信号
の最大振幅の1/2の電圧値の和の電圧値よりも、少な
くとも振幅が大きい走査線信号608を入力する。前記
走査線信号の周期は1フィールドの2倍である。前記走
査線信号は、1フィールド毎に極性を反転することによ
り、前記走査線から液晶への直流成分の漏洩を無くすこ
とができる。
Generally, liquid crystals need to be driven with alternating current. For this reason, a video signal 607 whose polarity is inverted at regular intervals is input to the signal line 105. On the other hand, scanning line 101
A scanning line signal 608 whose amplitude is at least larger than the sum of the voltage value indicating the optical threshold of the liquid crystal and the voltage value of 1/2 of the maximum amplitude of the video signal is input. The period of the scanning line signal is twice that of one field. By inverting the polarity of the scanning line signal every field, leakage of DC components from the scanning line to the liquid crystal can be eliminated.

【0032】このとき光伝導層102、102’にはレ
ーザ光LZ1およびLZ2が伝播され、光導電膜104
に照射されている。前記レーザ光によって抵抗の下がっ
た前記光導電膜104は、前記走査線101の電圧を前
記液晶に印加する。これにより前記液晶には前記ビデオ
信号が書き込まれる。なお、前記レーザ光は前記光導電
膜に光エネルギーを伝播して与えることさえできれば、
代わりに他のコヒーレント光やインコヒーレント光を用
いても構わない。
At this time, the laser beams LZ1 and LZ2 are propagated to the photoconductive layers 102 and 102', and the photoconductive film 104
is irradiated. The photoconductive film 104, whose resistance has been lowered by the laser beam, applies the voltage of the scanning line 101 to the liquid crystal. As a result, the video signal is written into the liquid crystal. In addition, as long as the laser beam can propagate and give optical energy to the photoconductive film,
Other coherent light or incoherent light may be used instead.

【0033】次に、表示するビデオ信号が前記画素に書
き込まれた後、前記レーザ光LZ1の照射を止める。こ
のとき前記光導電膜104は高抵抗になるため、前記走
査線101の電圧は前記液晶に印加されない。これによ
り、前記画素の保持を開始する。
Next, after the video signal to be displayed is written into the pixel, the irradiation of the laser beam LZ1 is stopped. At this time, since the photoconductive film 104 has a high resistance, the voltage of the scanning line 101 is not applied to the liquid crystal. This starts holding the pixel.

【0034】次に、光導電層102’に近接した画素に
ついて以上の操作を繰り返すことで、第1のブロックの
画素群に前記ビデオ信号を書き込み、保持を開始するこ
とができる。前記画素群は、再びレーザ光LZ1および
LZ2が照射されるまで、前記ビデオ信号を保持し続け
る。
Next, by repeating the above operations for pixels close to the photoconductive layer 102', it is possible to write the video signal to the pixel group of the first block and start holding it. The pixel group continues to hold the video signal until it is irradiated with the laser beams LZ1 and LZ2 again.

【0035】次に第2のブロックの画素群に対して上記
の操作と同様の操作を行い、前記画素群にビデオ信号を
書き込み、保持を開始することができる。前記画素群は
、再びレーザ光LZ1およびLZ2が照射されるまで、
前記ビデオ信号を保持し続ける。ただし、走査線の電位
は前記第1のブロックの走査線の電位と極性が反対であ
る。
Next, operations similar to those described above are performed on the pixel group of the second block, and a video signal can be written to the pixel group and retention can be started. Until the pixel group is irradiated with laser beams LZ1 and LZ2 again,
Continue to hold the video signal. However, the polarity of the potential of the scanning line is opposite to that of the scanning line of the first block.

【0036】以上のようにして、順次各ブロックに前記
ビデオ信号を書き込み、前記ビデオ信号を保持し、画像
を表示する。
As described above, the video signal is sequentially written into each block, the video signal is held, and an image is displayed.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明の液晶表示装置を用いることで、
薄膜ダイオ−ド素子を用いた液晶表示装置に比べ特に構
造が複雑になることはないため、低価格の液晶表示装置
を提供できる。および本発明の駆動方法を用いることに
より、従来では実現できなかった大面積かつ高速のアク
ティブマトリクス型の液晶表示装置を提供できる。
[Effect of the invention] By using the liquid crystal display device of the present invention,
Since the structure is not particularly complicated compared to a liquid crystal display device using thin film diode elements, a low-cost liquid crystal display device can be provided. Furthermore, by using the driving method of the present invention, it is possible to provide a large-area, high-speed active matrix liquid crystal display device that could not be realized conventionally.

【0038】また、従来の電気的に走査するアクティブ
マトリクス液晶表示装置では走査線の断線があると、前
記走査線の遅延のために断線部の左右での電位が異なり
表示ムラとなる。本発明の液晶表示装置を用いてレーザ
光を光伝導層の両側から同時に入力することで、光伝導
層1本に対して断線部が1箇所であるならば前述の様な
表示ムラは生じない。
Furthermore, in a conventional electrically scanned active matrix liquid crystal display device, when a scanning line is broken, the potentials on the left and right sides of the broken line are different due to the delay in the scanning line, resulting in display unevenness. By simultaneously inputting laser light from both sides of the photoconductive layer using the liquid crystal display device of the present invention, display unevenness as described above will not occur if there is only one disconnection for one photoconductive layer. .

【0039】また、前記液晶表示装置の前記透明導電性
薄膜は光伝導層のコアとしての機能および走査線として
の機能を兼ね備えており、新たに光導電層のコアもしく
は走査線を設ける必要はない。そのため工程が簡易にな
り、なおかつ開口率を減少させることなく大画面かつ高
速の液晶表示装置を実現できる。
[0039] Furthermore, the transparent conductive thin film of the liquid crystal display device has both the function of the core of the photoconductive layer and the function of the scanning line, so there is no need to newly provide the core of the photoconductive layer or the scanning line. . Therefore, the process is simplified, and a large-screen, high-speed liquid crystal display device can be realized without reducing the aperture ratio.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】  本発明の液晶表示装置の等価回路図。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】  従来の薄膜ダイオ−ド素子を用いた液晶表
示装置の等価回路図。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal display device using a conventional thin film diode element.

【図3】  従来の薄膜ダイオ−ド素子を用いた液晶表
示装置の駆動方法を説明する図。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method of driving a liquid crystal display device using a conventional thin film diode element.

【図4】  本発明の液晶表示装置を第1の絶縁体基板
上方から見た図。
FIG. 4 is a diagram of the liquid crystal display device of the present invention viewed from above the first insulator substrate.

【図5】  図4のA−A’断面図。FIG. 5 is a sectional view taken along line A-A' in FIG. 4.

【図6】  本発明の液晶表示装置の駆動方法を説明す
る図。
FIG. 6 is a diagram illustrating a method for driving a liquid crystal display device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101  走査線 102、102’  光伝導層 103  液晶容量 104  光導電膜 105  信号線 106  走査線 107  光伝導層 108、108’  走査線電圧源 201、201’  走査線 202、202’  信号線 203、203’  薄膜ダイオ−ド 204、204’  液晶容量 301  時間を表す軸 302  電圧を表す軸 303  接地電位 304  走査線信号 305  信号線信号 306  画素に印加される信号 307  選択期間 401  ITO膜 402  ITO膜 403  SiO2膜 404  光導電膜 405  Ti膜 501  絶縁体基板 502、502’  ITO膜 503  SiO2膜 504  光導電膜 505  Ti膜 506  SiO2膜 601  時間を表す軸 602  信号線の電圧を表す軸 603  走査線の電圧を表す軸 604  画素に印加される電圧を表す軸605  レ
ーザ光の光強度を表す軸 606  接地電位 607  信号線信号 608、608’  走査線信号 609  レーザ光 610  画素に印加される信号
101 Scanning line 102, 102' Photoconductive layer 103 Liquid crystal capacitor 104 Photoconductive film 105 Signal line 106 Scanning line 107 Photoconductive layer 108, 108' Scanning line voltage source 201, 201' Scanning line 202, 202' Signal line 203, 203 'Thin film diodes 204, 204' Liquid crystal capacitor 301 Axis representing time 302 Axis representing voltage 303 Ground potential 304 Scanning line signal 305 Signal line signal 306 Signal applied to pixel 307 Selection period 401 ITO film 402 ITO film 403 SiO2 Film 404 Photoconductive film 405 Ti film 501 Insulator substrate 502, 502' ITO film 503 SiO2 film 504 Photoconductive film 505 Ti film 506 SiO2 film 601 Axis 602 representing time Axis 603 representing signal line voltage Voltage of scanning line Axis 604 representing the voltage applied to the pixel 605 Axis representing the light intensity of the laser beam 606 Ground potential 607 Signal line signals 608, 608' Scanning line signal 609 Laser light 610 Signal applied to the pixel

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  第1の基板上に複数の走査線および画
素電極アレイを備え、前記走査線と前記画素電極間に非
線形素子を備え、第2の基板上に複数の信号線を備え、
前記第1の基板と第2の基板の間隙に液晶を挾持してな
るアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、画
素電極と走査線との間に光導電膜を挟み、前記光導電膜
に近接する光伝導層を設け、前記非線形素子に光伝導膜
を用い、前記光伝導層に光を伝播し、前記光伝導層から
前記光導電膜に前記光を照射することによって生じる前
記光導電膜の抵抗の変化を利用して前記画素電極に電圧
を印加し、画素に書き込みを行うことを特徴とする液晶
表示装置。
1. A plurality of scanning lines and a pixel electrode array are provided on a first substrate, a nonlinear element is provided between the scanning line and the pixel electrode, and a plurality of signal lines are provided on a second substrate,
In an active matrix liquid crystal display device in which a liquid crystal is sandwiched between the first substrate and the second substrate, a photoconductive film is sandwiched between a pixel electrode and a scanning line, and a photoconductive film is disposed adjacent to the photoconductive film. The resistance of the photoconductive film is generated by providing a photoconductive layer, using the photoconductive film as the nonlinear element, propagating light to the photoconductive layer, and irradiating the photoconductive film with the light from the photoconductive layer. 1. A liquid crystal display device characterized in that a voltage is applied to the pixel electrode using changes in the pixel electrode to write data to the pixel.
【請求項2】  請求項1に記載された液晶表示装置に
おいて、前記画素群が垂直走査方向に分けられた複数の
ブロックからなり、前記走査線が前記ブロック毎に電気
的に独立していることを特徴とする液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel group is composed of a plurality of blocks divided in a vertical scanning direction, and the scanning line is electrically independent for each block. A liquid crystal display device featuring:
【請求項3】  請求項2に記載された液晶表示装置の
駆動方法において、前記ブロック毎に画素群に選択を行
い、前記選択期間が前記ブロック毎に重複しないことを
特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
3. The method for driving a liquid crystal display device according to claim 2, wherein a pixel group is selected for each block, and the selection period does not overlap for each block. Driving method.
【請求項4】  請求項3に記載された液晶表示装置の
駆動方法において、前記ブロック毎に前記走査線の入力
信号の極性を反転し、1フィールド毎に前記入力信号の
極性を反転することを特徴とする液晶表示装置の駆動方
法。
4. The method for driving a liquid crystal display device according to claim 3, further comprising inverting the polarity of the input signal of the scanning line for each block and inverting the polarity of the input signal for each field. A method for driving a liquid crystal display device.
【請求項5】  請求項1に記載された液晶表示装置に
おいて、光伝導層の一部が走査線を兼ねることを特徴と
した液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a part of the photoconductive layer also serves as a scanning line.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0599462A1 (en) * 1992-11-25 1994-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
EP0621645A1 (en) * 1993-04-19 1994-10-26 Sharp Kabushiki Kaisha Optical switching element and optical scanning display using it
US7489383B2 (en) 2005-04-22 2009-02-10 Ricoh Company, Ltd. Optical axis deflecting method, optical axis deflecting element, optical path deflecting unit, method of driving optical axis deflecting element, and image display apparatus

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