JPH04333659A - 炭化ケイ素被覆法 - Google Patents

炭化ケイ素被覆法

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JPH04333659A
JPH04333659A JP3355108A JP35510891A JPH04333659A JP H04333659 A JPH04333659 A JP H04333659A JP 3355108 A JP3355108 A JP 3355108A JP 35510891 A JP35510891 A JP 35510891A JP H04333659 A JPH04333659 A JP H04333659A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、炭化ケイ素コーティン
グを炭素質基体上に形成するための方法および炭化ケイ
素を内部ベースコーティングとし且つ一炭化物を外部コ
ーティングとして二重耐火金属コーティングを単一反応
で炭素質基体上に形成するための方法に関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】複雑
な形状の炭素またはグラファイトを炭化ケイ素の単一層
または炭化ケイ素のベースコーティングと一炭化物の外
部コーティングとを有する二重コーティングで被覆する
ためのニーズが存在する。コーティング層は、炭素また
はグラファイト体を不良環境から保護する。このことは
、物体が複雑な幾何学的形状を有するかマルチフィラメ
ント糸の形態である場合に特に真実である。後者の場合
には、マルチフィラメント糸の1繊維が他の繊維用スク
リーンとして作用する傾向があるので、スパッタリング
、化学蒸着、気相反応または重合体転化を含めた各種の
通常の照準線の被覆法は、均一なコーティング分布を与
えることができない。
【0003】炭化ケイ素は、グラファイトと同様の熱膨
張特性を有するので、グラファイト用コーティング組成
物として特に有利である。
【0004】
【課題を解決するための手段】炭化ケイ素の均一に分布
され且つよく結合されたコーティングは、炭素質基体を
、ケイ素金属と、金属炭化物を生成するようには炭素と
反応しない酸可溶性金属とを含有する溶融浴に浸漬し、
浴の温度を少なくとも1550℃の最小反応温度に昇温
し、炭素質基体を浴から取り出し、未反応酸可溶性金属
を表面から溶解することを特徴とする本発明の方法によ
って炭素質基体上に形成できることが発見された。
【0005】本発明によれば、均一に分布され且つよく
結合された二重コーティングは、炭素質基体を、炭素の
存在下で熱力学的に不安定であるケイ化物(該ケイ化物
はTiSi2 、ZrSi2 、CrSi2 およびH
fSi2 からなる群から選ばれる)と、金属炭化物を
生成するようには炭素と反応しない酸可溶性金属とを含
有する溶融浴に浸漬し、浴の温度を少なくとも1550
℃の最小反応温度に昇温し、炭素質基体を浴から取り出
し、未反応酸可溶性金属を表面から溶解することを特徴
とする方法によって炭化ケイ素を内部ベースコーティン
グとし且つ一炭化物を外部コーティングとして炭素質基
体上に形成できることが更に発見された。
【0006】本発明は、いかなる炭素またはグラファイ
ト体も炭化ケイ素で被覆するか炭化ケイ素のベースコー
トと外部一炭化物コーティングとを有する二重コーティ
ングを形成するために使用してもよい。炭素またはグラ
ファイト体は、一体構造物または可撓性モノフィラメン
トまたはマルチフィラメント糸であってもよい。炭素糸
を高分子繊維状物質から成形するための1方法は、米国
特許第3,503,703号明細書に開示されている。
【0007】本発明の方法によれば、炭素またはグラフ
ァイト体は、処理して炭化ケイ素のコーティングをその
表面上に付着する。このことは、炭素またはグラファイ
ト体を、ケイ化物と、ケイ素金属と合金化することがで
きるが金属炭化物を生成するようには炭素と反応しない
酸可溶性金属とを含有する溶湯に浸漬することによって
達成される。1550℃の最小臨界的反応温度がある。 好ましい溶湯温度は、1600℃である。金属炭化物を
生成するようには炭素と反応しない酸可溶性金属、例え
ば、インジウム、ゲルマニウム、ガリウム、スズ、アン
チモン、ビスマス、銀、銅などは、使用してもよい。冷
却後、炭化ケイ素被覆体は、HClなどの酸性溶液に浸
漬して未反応酸可溶性金属を表面から溶解する。
【0008】二重コーティングは、本発明に従って、炭
素の存在下で熱力学的に不安定であるケイ化物と、該ケ
イ化物と合金化することができるが金属炭化物を生成す
るようには炭素と反応しない酸可溶性金属とを含有する
溶湯を調製し、溶湯の温度を少なくとも1550℃、好
ましくは1600℃の温度に昇温し、炭素またはグラフ
ァイト体を溶湯に浸漬することによって、炭化ケイ素の
ベースコートと一炭化物外部コーティングとを有するよ
うにして形成してもよい。好ましいケイ化物は、TiS
i2 、ZrSi2 、CrSi2 およびHfSi2
 からなる群から選ばれる。炭素またはグラファイト体
は、ケイ化物と炭素体との反応を生ずるのに十分な時間
溶融浴に浸漬して保持して、炭化ケイ素のベース層およ
び炭化ケイ素コーティング上の外部一炭化物コーティン
グを同じ反応で形成する。一炭化物コーティングは、ケ
イ化物中の金属に対応する金属炭化物を有する。従って
、TiSi2 を使用する時には、一炭化物は、TiC
である一方、ZrSi2 を使用する時には、一炭化物
はZrCであろう。
【0009】外部一炭化物コーティングは、その後に、
1989年10月10日出願の米国特許出願第4193
31号明細書に教示され且つ記載されたように炭化物コ
ーティング中の金属とホウ素含有化合物中のホウ素との
反応を生ずるような条件下でホウ素含有化合物と反応し
て、ホウ化物または二ホウ化物外部コーティングを製造
してもよい。ホウ素含有化合物は、例えば、B、H3 
BO3 、BPO4 、B2 O3 、B4 C、BN
、BCl3 などであってもよい。金属炭化物は、少な
くとも1200℃であるが好ましくは1400℃よりも
高い閾値温度以上の反応条件下で非反応性または本質上
不活性雰囲気中で金属ホウ化物または金属二ホウ化物に
転化する。
【0010】
【実施例】下記例は、本発明を説明する。
【0011】モノリシックグラファイト、マルチフィラ
メント糸および織成炭素繊維布は、In−SiおよびS
n−Siの溶融合金に約1550℃において不活性雰囲
気中で10分間さらすことによってSiCで被覆した。 例1 直径1.6mmのインジウムワイヤー2.28gと−3
25メッシュのケイ素粉末0.12g〔全混合物の5重
量%(w/o)〕とからなる混合物を直径3/4インチ
(約19.1mm)のグラファイトルツボに入れ、アル
ゴン雰囲気中で30分間1600℃に加熱した。成分は
溶融し、グラファイトルツボを完全にぬらした。純粋な
溶融インジウムは、典型的にはグラファイトをぬらさな
い。ルツボを2片に切断した。一方の半分を50%HC
lに溶解し、別の半分を金属組織マウントに装着し、研
磨し、光学顕微鏡測定法により、走査電子顕微鏡測定法
(SEM)により、そしてKevex により調べて元
素含量を測定した。酸処理セクションのX線回折は、ぬ
れが生じた場合にSiCが生成したことを示した。光学
顕微鏡測定法およびSEMは、ケイ素を含有する反応生
成物の存在を示した。 例2 −325メッシュのスズ粉末1.90gと−325メッ
シュのケイ素粉末0.10g(5w/o)とからなる混
合物を直径3/4インチ(約19.1mm)のグラファ
イトルツボに入れ、1600℃においてアルゴン雰囲気
中で30分間加熱した。溶融合金は、グラファイトルツ
ボを完全にぬらした。溶融スズは、通常、グラファイト
の表面をぬらさない。例1に記載のようなルツボのぬれ
た部分の分析は、SiCが生成したことを示した。 例3 −325メッシュのスズ粉末1.90gと−325メッ
シュのZrSi2 粉末0.10g(5w/o)とから
なる混合物を直径3/4インチ(約19.1mm)のグ
ラファイトルツボに入れ、1600℃においてアルゴン
雰囲気中で30分間加熱した。溶融合金は、ルツボを完
全にぬらした。例1に記載のようなルツボのぬれた部分
の分析は、二重反応層の存在を示した。グラファイトに
最も近いゾーンはSiCであり且つZrCはグラファイ
トから最も離れていた。若干のケイ素(多分SiCとし
て)は、ZrC層に分散された。 例4 スズ94.72w/oとケイ素4.98w/oと無定形
ホウ素0.30w/oとからなるよくブレンドされた混
合物を炭素布の上部に置き、1500℃においてアルゴ
ン中で10分間加熱した。優秀なぬれが得られ、ホウ素
は酸素を捕捉することによって合金外観を改善した。そ
の後の研究は、溶湯による優秀な繊維浸透および良好な
SiCコーティング均一性を確認した。
【0012】同様の実験を行った。この実験では、イン
ジウム96.71w/oとケイ素2.99w/oとホウ
素0.30w/oとからなるわずかに異なる粉末混合物
を炭素布との接触状態で加熱した。ケイ素はスズの例と
比較して本例ではあまり使用されないとしても、ぬれお
よび繊維束への溶湯浸透は、優秀であった。図1の顕微
鏡写真は、SiCコーティングが均一であり且つ約1μ
m厚であることを示す。
【0013】最大繊維強度は、繊維を反応前に犠牲炭素
コーティングで予備被覆することによって保持される。 このようなコーティングは、例えば、繊維を溶融ピッチ
に浸漬し、ピッチを炭化することにより、或いは、繊維
を熱分解炭素で被覆することにより適用してもよい。 例5 本例においては、スズ粉末(−325メッシュ)0.9
7gとTiSi2 粉末(−325メッシュ)0.03
gとのブレンドされた混合物を小さいグラファイトホル
ダーに配置された炭素繊維布の上部に置いた。この炭素
繊維布は、直径9/16インチ(約14.29mm)×
深さ3/16インチ(約4.76mm)のキャビティー
を有していた。この組立体をグラファイトルツボサスセ
プター(susceptor)に入れ、アルゴン中で1
500℃に10分間誘導加熱した。
【0014】繊維は、溶融合金によって完全にぬれ、こ
のことは界面炭化物の生成を示した。スズは、HCl中
での溶解によって完全に除去された。被覆繊維のX線回
折は、TiCおよびSiCの存在を確認した。図2の複
合顕微鏡写真は、電子分散X線(EDX)により測定し
た時のC、SiおよびTiの元素分布を示す。右下の映
像は、コーティングの特徴を示すSEM顕微鏡写真であ
る。これらのデータに従って、SiCは炭素繊維に隣接
し且つTiCはSiC上に溶着すると結論できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】炭素繊維を囲む炭化ケイ素の形成を示す炭素繊
維布の試験セクションの顕微鏡写真(倍率500倍)

図2】C、SiおよびTiの元素分布を示す炭素繊維布
の電子分散X線によって得られた複合顕微鏡写真である

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ケイ素金属と、金属炭化物を生成するよう
    には炭素と反応しない酸可溶性金属とを含有する溶融浴
    を調製し、炭素質基体を前記溶融浴に浸漬し、浴の温度
    をケイ素金属と炭素質基体との反応を生ずるのに十分な
    時間少なくとも1550℃に昇温して炭化ケイ素コーテ
    ィングを前記基体上に形成し、炭素質基体を浴から取り
    出し、未反応酸可溶性金属を表面から溶解することを特
    徴とする炭化ケイ素コーティングを炭素質基体上に形成
    するための方法。
  2. 【請求項2】前記酸可溶性金属が、インジウム、ゲルマ
    ニウム、ガリウム、スズ、アンチモン、ビスマス、銀、
    銅などからなる群から選ばれる、請求項1に記載の方法
  3. 【請求項3】前記温度を少なくとも1600℃に昇温す
    る、請求項2に記載の方法。
  4. 【請求項4】前記炭素質基体が、炭素繊維の可撓性マル
    チフィラメント糸である、請求項3に記載の方法。
  5. 【請求項5】前記炭素繊維を犠牲炭素コーティングで被
    覆する、請求項4に記載の方法。
  6. 【請求項6】炭素の存在下で熱力学的に不安定であるケ
    イ化物と、前記ケイ化物と合金化することができるが金
    属炭化物を生成するようには炭素と反応しない酸可溶性
    金属とを含有する溶融浴を調製し、溶湯の温度を少なく
    とも1550℃の温度に昇温し、炭素質基体を前記ケイ
    化物と前記炭素質基体との反応を生ずるのに十分な時間
    前記溶融浴に浸漬し、炭素質基体を浴から取り出し、未
    反応酸可溶性金属を表面から溶解することを特徴とする
    炭化ケイ素のベースコートと一炭化物外部コーティング
    とからなる二重耐火金属炭化物コーティングを炭素質基
    体上に形成するための方法。
  7. 【請求項7】前記ケイ化物が、TiSi2 、ZrSi
    2 、CrSi2 およびHfSi2 からなる群から
    選ばれる、請求項6に記載の方法。
  8. 【請求項8】前記酸可溶性金属が、インジウム、ゲルマ
    ニウム、ガリウム、スズ、アンチモン、ビスマス、銀、
    銅などからなる群から選ばれる、請求項7に記載の方法
  9. 【請求項9】前記温度を少なくとも1600℃に昇温す
    る、請求項8に記載の方法。
  10. 【請求項10】前記外部一炭化物コーティングをホウ素
    含有化合物と反応させて外部ホウ化物または二ホウ化物
    コーティングを製造する工程を更に含む、請求項8に記
    載の方法。
JP3355108A 1990-12-21 1991-12-20 炭化ケイ素被覆法 Pending JPH04333659A (ja)

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US63341090A 1990-12-21 1990-12-21
US633410 1990-12-21

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