JPH0433193B2

JPH0433193B2 -

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Publication number: JPH0433193B2
Application number: JP60235844A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Kashiwagi
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1985-10-22
Filing date: 1985-10-22
Publication date: 1992-06-02
Also published as: KR900002333B1; JPS6295073A; KR870004607A; GB8625288D0; GB2182213B; US4801852A; GB2182213A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は水平偏向回路に関する。

（従来の技術）第３図は水平偏向コイルに流す水平偏向電流の
大きさの調節ができるような構成を備えた従来の
水平偏向回路の一例を示したものであり、この第
３図において１は水平出力トランジスタであつ
て、この水平出力トランジスタ１には図示されて
いない前段から励振パルスＰが供給され、それに
より水平出力トランジスタ１はダンパダイオード
２と共にスイツチング動作を行なう。

３は帰線共振コンデンサ、４は水平偏向コイ
ル、５は水平振幅調整コイル、６はＳ字補正コン
デンサ、７はフライバツクトランスであり、７ａ
はフライバツクトランス７の１次巻線、７ｂはフ
ライバツクトランス７の２次巻線、７ｃはフライ
バツクトランス７の３次巻線である。

前記したフライバツクトランス７の１次巻線７
ａには水平偏向回路の動作用直流電源Ebが接続
されており、また、フライバツクトランス７の２
次巻線７ｂではフライバツクパルスを昇圧して、
それを受像管の陽極電圧を発生する直流高圧発生
回路８（受像管の陽極電圧発生用の高圧整流回
路）に供給する。前記した直流高圧発生回路８で
は直流電圧EHTを発生して、それを受像管の陽
極に供給する。また、フラバツクトランス７の３
次巻線７ｃで発生したパルスPoは、例えば、そ
れを整流平滑して他回路の直流電源として用い
る。

前記した構成の第３図示の水平偏向回路は、周
知の回路動作を行なつて水平偏向コイル４に鋸歯
状波電流Iyを流し、受像管の電子ビームを左右方
向に偏向する。前記した鋸歯状波電流Iyのピー
ク・ピーク値は、水平偏向回路の電源電圧をEb、
水平走査の周期をTs、水平偏向コイル４のイン
ダクタンスをLy、水平振幅調整コイル５のイン
ダクタンスをLaとすると、略々次式で表わされ
るものになる。

Iy＝Eb・Ts／（Ly＋La） ……(1) それで、水平振幅調整コイル５のインダクタン
スLaを大きくすれば、水平偏向コイル４に流れ
る鋸歯状波電流Iyが減少し、また、前記とは逆に
水平振幅調整コイル５のインダクタンスLaを小
さくすれば、水平偏向コイル４に流れる鋸歯状波
電流Iyは増加するから、前記した水平振幅調整コ
イル５のインダクタンス値を調整することによつ
て水平偏向コイル４に流れる鋸歯状波電流Iyの値
を調整することができる。

第３図に示した標準的な回路配置においては、
水平振幅の調整を行なうのに水平振幅調整コイル
５のインダクタンス値Laを直接に調節するよう
にしているが、機器の設計上の要求によつては前
記した水平振幅の調整を可変抵抗器等による直流
電圧の可変調整によつて行なうことが希望される
ことがあり、このような場合には第４図示のよう
に、前記した第３図示の回路配置中における水平
振幅調整コイル５の代わりに、可飽和リアクタ９
の被制御巻線９ａ，９a′を接続し、可飽和リアク
タ９の制御巻線９ｂに流す直流電流Idcの値を変
化させて可飽和リアクタ９の被制御巻線９ａ，９
a′のインダクタンス値を変化させるようにすれば
よく、第４図示の回路配置においては電源Ｅに接
続された可変抵抗器１１を調節することにより、
増幅器１０に接続されている可飽和リアクタ９の
制御巻線９ｂに流れる直流電流Idcを変化させて、
可飽和リアクタ９の被制御巻線９ａ，９a′のイン
ダクタンス値を変化させるようにしている。

そして、前記した可飽和リアクタ９としては、
例えば第５図示のような構成のもの、例えば、Ｅ
−Ｅ型コア、あるいはＥ−Ｉ型コアにおける両側
脚に、図中に示されているような向きにそれぞれ
被制御巻線９ａ，９a′を巻回するとともに、中央
脚に制御巻線９ｂを巻回することにより、制御巻
線９ｂに流される直流電流によつて発生する磁束
φbの向きと、被制御巻線９ａ，９a′に流れる電
流によつて発生する磁束φa，φa′の磁束の向きと
が、前記したコアにおける両側脚の何れかにおい
て一致してコアが飽和し、被制御巻線９ａのイン
ダクタンス値と被制御巻線９a′のインダクタンス
値との和のインダクタンス値Lsが低下する。そ
れで、前記した制御巻線９ｂの直流電流Idcが増
加すれば被制御巻線９ａのインダクタンス値と被
制御巻線９a′のインダクタンス値との和のインダ
クタンス値Lsが低下する。

第６図は可飽和リアクタ９の制御巻線９ｂに流
される直流電流Idcの大きさの変化に対して可飽
和リアクタ９の被制御巻線９ａのインダクタンス
値と被制御巻線９a′のインダクタンス値との和の
インダクタンス値Lsがどのように変化するのか
の変化態様の一例を示したものである。

第６図からも明らかなように、可飽和リアクタ
９の制御巻線９ｂに流される直流電流Idcの大き
さが、例えば増加したとすれば、この状態におい
ては可飽和リアクタ９の被制御巻線９ａのインダ
クタンス値と被制御巻線９a′のインダクタンス値
との和のインダクタンス値Lsが減少するから、
この場合には第４図示の回路配置中において前記
した可飽和リアクタ９の被制御巻線９ａ，９a′に
直列的に接続されている水平偏向コイル４に流れ
る水平偏向電流Iyが増加し、それによつて水平振
幅が増加する。

（発明が解決しようとする問題点）ところが、前記した可飽和リアクタ９の被制御
巻線９ａのインダクタンス値と被制御巻線９a′の
インダクタンス値との和のインダクタンス値Ls
は、それ自身に流れる水平偏向電流Iyによつても
影響されるから、前記のインダクタンス値Lsは
第７図に示されているように水平偏向電流Iyが零
付近、すなわち、水平走査の中央付近で増大して
しまい、例えば格子縞信号を受像したときの受像
画面は、それの中央部付近が縮んでしまい勝ちと
なり、充分な振幅可変効果が得られないという欠
点があつた。

また、第３図及び第４図にそれぞれ示されてい
る水平偏向回路において、前記のように励振パル
スＰが供給されることによつてスイツチング動作
を行なう水平出力トランジスタ１のコレクタには
略々正弦半波のパルスVcが発生する。

そして、第３図示の回路配置において帰線共振
コンデンサ３の静電容量値をＣ、フライバツクト
ランス７の１次巻線７ａ側からみたインダクタン
スと、水平偏向コイル４のインダクタンスと、水
平振幅調整コイル５のインダクタンスとの合成の
インダクタンス値をＬとすると、前記のパルス
Vcの波高値は、次の(2)式によつて表わされるも
のになる｛第４図示の回路配置については、帰線
共振コンデンサ３の静電容量値をＣ、フライバツ
クトランス７の１次巻線７ａ側からみたインダク
タンスと、水平偏向コイル４のインダクタンス
と、可飽和リアクタ９の被制御巻線９ａのインダ
クタンス値と被制御巻線９a′のインダクタンス値
との和のインダクタンス値Lsとの合成のインダ
クタンス値をＬとすると、前記のパルスVcの波
高値は、次の(2)式によつて表わされるものにな
る｝。

Vc＝πEb・Ts／（2Tr）＋Eb ……(2) (2)式において、Trは水平走査の帰線時間であ
つて、Tr＝π√・……(3)で示される値をも
つている。したがつて、第３図示の回路配置にお
いて、例えば水平振幅調整コイル５のインダクタ
ンス値Laを小さくしたり、また、第４図示の回
路配置において可飽和リアクタ９の被制御巻線９
ａのインダクタンス値と被制御巻線９a′のインダ
クタンス値との和のインダクタンス値Lsを小さ
くしたりすれば、前記した(1)式に従つて水平偏向
コイル４に流れる鋸歯状波電流Iyの値が増加して
水平振幅が大になるが、水平振幅調整コイル５の
インダクタンス値Laを小さくしたり、可飽和リ
アクタ９の被制御巻線９ａのインダクタンス値と
被制御巻線９a′のインダクタンス値との和のイン
ダクタンス値Lsを小さくしたりすれば、前記し
た(3)式における合成のインダクタンス値Ｌが小さ
くなるので、(3)式に従つて水平走査の帰線時間
Trが短くなつて、水平出力トランジスタ１のコ
レクタに生じるコレクタパルスVcが大きくなる。

ところで、フライバツクトランス７の１次巻線
７ａに加えられた前記のコレクタパルスVcは、
フライバツクトランス７の２次巻線７ｂで昇圧さ
れて、それが直流高圧発生回路８で整流されて受
像管の陽極電圧EHTとされるが、第３図示の回
路配置において前記のように水平振幅調整コイル
５のインダクタンス値Laを小さくしたり、第４
図示の回路配置において可飽和リアクタ９の被制
御巻線９ａのインダクタンス値と被制御巻線９
a′のインダクタンス値との和のインダクタンス値
Lsを小さくしたりすることによつて、前記した
(3)式における合成のインダクタンス値Ｌが小さく
なり、(3)式に従つて水平走査の帰線時間Trが短
くなつて、水平出力トランジスタ１のコレクタに
生じるコレクタパルスVcが大きくなると、それ
がフライバツクトランス７の２次巻線７ｂで昇圧
された後に、直流高圧発生回路８で整流されて得
られる受像管の陽極電圧EHTも大きくなる。

ところで、受像管の陽極電圧EHTの増加は、
周知のように受像管の偏向能率を低下させるの
で、前記のように水平振幅調整コイル５のインダ
クタンス値の調整、あるいは可飽和リアクタ９の
被制御巻線９ａ，９a′のインダクタンス値Lsの調
整によつて水平振幅が小さくなるように調整を行
なつても、その調整の効果が減殺される。このこ
とは水平振幅調整コイル５のインダクタンス値の
調整、あるいは可飽和リアクタ９の被制御巻線９
ａ，９a′のインダクタンス値Lsの調整によつて水
平振幅を大きくしようとする際についても同様で
ある。

また、前記のように水平振幅調整コイル５のイ
ンダクタンス値の調整、あるいは可飽和リアクタ
９の被制御巻線９ａ，９a′のインダクタンス値Ls
の調整によつて水平振幅の調整を行なう場合に生
じるコレクタパルスVcの変化は、フライバツク
トランス７の３次巻線７ｃに生じるパルスPoの
大きも変化させるから、前記したフライバツクト
ランス７の３次巻線７ｃに生じるパルスPoが受
像機における他の構成部分で利用するようにして
いる場合にも問題になる。

（問題点を解決するための手段）本発明は、スイツチング素子及び水平偏向コイ
ルなどを含んで構成されている回路が接続されて
いる１次巻線と、受像管の陽極電圧を発生する直
流高圧発生回路に昇圧したフライバツクパルスを
与える２次巻線と、２次巻線とを備えたフライバ
ツクトランスにおける１次巻線と直列に、制御巻
線を有する可飽和リアクタにおける被制御巻線の
一端を接続するとともに、前記した可飽和リアク
タにおける被制御巻線の他端と水平偏向回路の動
作用直流電源との間に設けられた電圧制御回路
に、フライバツクトランスの３次巻線に生じたパ
ルスを整流して得た直流電圧に基づいて発生させ
た制御用電圧を与えて前記した直流電圧が一定に
なるようにする手段と、前記した可飽和リアクタ
における制御巻線に流す電流の大きさを調整する
手段とを設けてなる水平偏向回路を提供するもの
である。

（実施例）以下、添付図面を参照して本発明の水平偏向回
路の具体的な内容を詳細に説明する。第１図は本
発明の水平偏向回路の一実施例のブロツク図であ
り、また、第２図は第１図示の実施例の具体的な
回路構成を示す回路図であつて、これらの各図に
おいて既述した第３図及び第４図について説明し
た水平偏向回路における各構成部分と対応する構
成部分には第３図及び第４図中で使用している図
面符号と同一の図面符号が使用されている。

第１図及び第２図において、１は水平出力トラ
ンジスタであつて、この水平出力トランジスタ１
には図示されていない前段から励振パルスＰが供
給され、それにより水平出力トランジスタ１はダ
ンパダイオード２と共にスイツチング動作を行な
う。３は帰線共振コンデンサ、４は水平偏向コイ
ル、６はＳ字補正コンデンサ、７はフライバツク
トランスである。また、７ａはフライバツクトラ
ンス７の１次巻線、７ｂはフライバツクトランス
７の２次巻線、７ｃはフライバツクトランス７の
３次巻線である。

前記したフライバツクトランス７の１次巻線７
ａには可飽和リアクタ９の被制御巻線９ａ，９ｂ
とダンピング抵抗器１６との並列接続回路の一端
が接続されており、また、前記した可飽和リアク
タ９の被制御巻線９ａ，９ｂとダンピング抵抗器
１６との並列接続回路の他端と、水平偏向回路の
動作用直流電源Ebとの間には、電圧制御回路１
５（電圧レギユレータ１５）が接続されている。

第１図及び第２図示の各回路配置において、フ
ライバツクトランス７の２次巻線７ｂではフライ
バツクパルスを昇圧して、それを受像管の陽極電
圧を発生する直流高圧発生回路８（受像管の陽極
電圧発生用の高圧整流回路）に供給する。第２図
に示されている回路配置においては、前記した直
流高圧発生回路８として、コンデンサ２１〜２３
とダイオード１７〜２０とからなる変形コツクク
ロフト回路が使用されているが、このような構成
の直流高圧発生回路８が使用されているときに
は、フライバツクトランス７の２次巻線７ｂに発
生したパルスPosの平均値からパルスPosのピー
ク値までの電圧をV1s、パルスPosの基底部から
平均値までの電圧をV2sとすると、直流高圧発生
回路８から出力される高圧出力EHTは、 EHT＝2V1s＋2V2sとなる。

直流高圧発生回路８で発生された直流電圧
EHTは受像管の陽極に供給される。また、フラ
イバツクトランス７の３次巻線７ｃで発生したパ
ルスPoは、例えば、それが他回路に供給される
とともに、パルス整流回路１２に供給されてい
る。第２図中に例示されているパルス整流回路１
２は、コンデンサ２６，２７と、ダイオード２
４，２５とによつて構成されている倍電圧整流回
路であり、フライバツクトランス７の３次巻線７
ｃに発生されるパルスPoの平均値からパルスピ
ークまでの電圧をV1cとし、パルスの基底部から
平均値までの電圧をV2cとすると、パルス整流回
路１２からの出力電圧Erは、 Er＝V1c＋V2cとなる。

前記したパルス整流回路１２で発生された直流
電圧Erは、比較器１４に比較電圧Erとして与え
られ、前記の比較器１４では、それに基準電圧源
１３から与えられている基準電圧Esと前記した
パルス整流回路１２の出力電圧Erとを比較し、
前記の比較結果として得られる前記の両電圧Er，
Esの差の信号Eoは電圧制御回路１５（電圧レギ
ユレータ１５）に対して制御信号Eoとして供給
される。

第２図に示されている基準電圧源１３は、抵抗
２８とツエナダイオード２９とからなる回路配置
のものであり、電源から＋Ｅの直流電圧が供給さ
れることにより基準電圧Esが発生されるように
なされている。

ここで、第１図と第２図とに示されている実施
例回路から、可飽和リアクタ１９とダンピング抵
抗器１４との並列接続回路、及び増幅器１０なら
びに可変抵抗器１１とを除いた状態の回路配置に
ついて、比較器１４に供給されている比較電圧
Erの方が基準電圧Esよりも大きくなつた場合に、
比較器１４から出力される制御信号Eoによる電
圧制御回路１５の動作によつて、電圧制御回路１
５からの出力電圧Eb′が低下するようになされて
いる場合を考えると、この場合にはフライバツク
トランス７の１次巻線７ａ→同３次巻線７ｃ→パ
ルス整流回路１２→比較器１４→電圧制御回路１
５→フライバツクトランス７の１次巻線７ａで示
されるような一巡の自動制御系によつて、フライ
バツクトランス７の３次巻線７ｃに生じるパルス
Poの大きさと、パルス整流回路１２の出力電圧
Erの大きさと常に一定になるように制御される。

そして、前記した直流高圧発生回路８を構成し
ている整流回路の形式と、パルス整流回路１２を
構成している整流回路の形式とが同一であれば、
直流高圧発生回路８から出力される直流高圧
EHT（受像管の陽極電圧EHT）も常に一定にな
されることになる。

次に、第１図と第２図とに示されている実施例
回路において、比較器１４に供給されている比較
電圧Erの方が基準電圧Esよりも大きくなつた場
合に、比較器１４から出力される制御信号Eoに
よる電圧制御回路１５の動作によつて、電圧制御
回路１５からの出力電圧Eb′が低下するようにな
されている場合を考えると、第１図と第２図とに
示されている実施例回路においては、水平出力ト
ランジスタ１のコレクタに生じるコレクタパルス
Vcが、フライバツクトランス７の１次巻線７ａ
と可飽和リアクタの被制御巻線９ａ，９a′とによ
りPc＝P1＋P2のように分圧されて、フライバツ
クトランス７の１次巻線７ａにはパルスＰ１が、
また、可飽和リアクタの被制御巻線９ａ，９a′に
はパルスＰ２が生じるから、フライバツクトラン
ス７の３次巻線７ｃに発生するパルスPoの大き
さが、前記した可飽和リアクタの被制御巻線９
ａ，９a′が接続されていない状態に比べて減少す
る筈なのであるが、前記した可飽和リアクタの被
制御巻線９ａ，９a′が、フライバツクトランス７
の１次巻線７ａ→同３次巻線７ｃ→パルス整流回
路１２→比較器１４→電圧制御回路１５→可飽和
リアクタの被制御巻線９ａ，９a′とダンピング抵
抗器１６との並列接続回路→フライバツクトラン
ス７の１次巻線７ａで示されるような一巡の自動
制御系中に入つているために、前記した一巡の自
動制御系の動作によつて、フライバツクトランス
７の３次巻線７ｃに生じるパルスPoの大きさと、
パルス整流回路１２の出力電圧Erの大きさとが
常に一定になるように制御される。

そして、前記した直流高圧発生回路８を構成し
ている整流回路の形式と、パルス整流回路１２を
構成している整流回路の形式とが同一であれば、
直流高圧発生回路８から出力される直流高圧
EHT（受像管の陽極電圧EHT）も常に一定にな
されることになる。すなわち、フライバツクトラ
ンス７の３次巻線７ｃに生じるパルスPoにおけ
る平均値とピーク値間の電圧Ｖ１ｃと、フライバ
ツクトランス７の２次巻線７ｂに生じるパルス
Posにおける平均値とピーク値間の電圧V1sとは
比例関係にあり、また、フライバツクトランス７
の３次巻線７ｃに生じるパルスPoにおける平均
値と基底部間の電圧V2cと、フライバツクトラン
ス７の２次巻線７ｂに生じるパルスPosにおける
平均値と基底部間の電圧V1sとは比例関係にある
から、前記したパルス整流回路１２からの出力電
圧Er＝V1C＋V2cの値を一定に抑えれば、たとえ
周波数の変化により前記したフライバツクトラン
ス７の３次巻線７ｃに生じるパルスPoにおける
平均値とピーク値間の電圧V1cと、パルスPoに
おける平均値と基底部間の電圧V2cとの比が変化
したとしても、直流高圧発生回路８から出力され
る直流高圧EHT（受像管の陽極電圧EHT）＝２
（V1s＋V2s）も常に一定になされるものである。

この場合に水平偏向コイル４に流れる水平偏向
電流Iyは、Iy＝Eb′・Ts／Lyで示されるから、回
路の動作用直流電圧Eb′が実質的に増加した分だ
け水平偏向電流Iyが増加し、それにより水平振幅
が広がることになる。したがつて、可飽和リアク
タの被制御巻線９ａ，９a′のインダクタンス値を
加減して、前記したフライバツクトランス７の１
次巻線７ａに生じるパルスＰ１と、可飽和リアク
タの被制御巻線９ａ，９a′に生じるパルスＰ２と
の比を変えてやれば、水平偏向電流Iyの電流値、
すなわち、水平偏向振幅を自在に調節することが
できる。

なお、前記のようにフライバツクトランス７の
１次巻線７ａに直列にインダクタが接続された場
合には、そのインダクタにパルスの基本周波数よ
りも周波数の高いリンギング成分が乗ることがあ
る。そして、前記のリンギング成分はフライバツ
クトランスの高次高調波同調作用に影響を及ぼす
ことがあるので、それを防ぐのには可飽和リアク
タの被制御巻線９ａ，９a′に並列にダンピング抵
抗１６が接続される。

第２図示の回路配置において、パルス整流回路
１２から出力された比較電圧Erは、比較器１４
における非反転入力端子に加えられ、また、基準
電圧源１３で発生された基準電圧Esは比較器１
４における反転入力端子に供給されており、比較
器１４による比較出力、すなわち、前記した２つ
の入力電圧Er，Esの差の信号Eoを電圧制御回路
１５（電圧レギユレータ１５）に対して制御信号
Eoとして供給する。

電圧制御回路１５はトランジスタ３１，３３と
抵抗３０，３２，３４とコンデンサ３５とによつ
て構成されており、前記した比較器１４から出力
された制御信号Eoは電圧制御回路１５における
トランジスタ３１のベース抵抗３０を介してトラ
ンジスタ３１のベースに入力される。トランジス
タ３１のコレクタ出力はトランジスタ３３のベー
ス回路の抵抗３２を経てトランジスタ３３のベー
スに供給される。抵抗３４はベースバイアス抵
抗、３５は平滑コンデンサである。

前記した電圧制御回路１５において、比較器１
４に入力されている比較電圧Erが、例えば基準
電圧Esより上昇しようとすると、比較器１４か
ら出力されている制御信号Eoが上昇し、それに
よりトランジスタ３１のコレクタ電流が増加して
トランジスタ３３のベース電流を低下させるの
で、トランジスタ３３のエミツタ電圧Eb′が低下
傾向となり、結果として電圧制御回路１５は、フ
ライバツクトランス７の３次巻線７ｃに生するパ
ルスPoが常に一定になるようにするような回路
動作を行なうのである。それにより、例えば、振
幅を小さくするために可飽和リアクタの被制御巻
線９ａ，９a′のインダクタンス値を低下させた場
合に、既述のように水平出力トランジスタ１のコ
レクタパルスVcが前記の可飽和リアクタの被制
御巻線９ａ，９a′とフライバツクトランス７の１
次巻線７ａとに分割されてフライバツクトランス
７の１次巻線７ａに生じるパルスＰ１が大きくな
ろうとしても、前記した一巡の自動制御系の動
作、すなわち、フライバツクトランス７の１次巻
線７ａ→同３次巻線７ｃ→パルス整流回路１２→
比較器１４→電圧制御回路１５→可飽和リアクタ
の被制御巻線９ａ，９a′とダンピング抵抗器１６
との並列接続回路→フライバツクトランス７の１
次巻線７ａで示されるような一巡の自動制御系の
動作によつて、電圧制御回路１５の出力電圧
Eb′が低下し、水平偏向電流Iyが低下して水平振
幅が小さくなるのである。

前記のように可飽和リアクタ９の被制御巻線９
ａ，９a′のインダクタンス値を制御するのための
制御巻線９ｂは、それの一端が電源Ｅに接続され
ているとともに、それの他端が増幅器１０のトラ
ンジスタ３９のコレクタに接続されている。増幅
器１０はPNPトランジスタ３７とNPNトランジ
スタ３９と抵抗３８，４０とによつて構成されて
おり、PNPトランジスタ３７のベースには振幅
調整用可変抵抗器１１の摺動子が接続されてい
る。そして、前記の振幅調整用可変抵抗器１１は
電源Ｅと接地間に接続されている。

前記した振幅調整用可変抵抗器１１の摺動子の
電圧Ewは、増幅器１０におけるNPNトランジス
タ３９のエミツタ電圧Eeに殆ど等しくなる。そ
れで、前記のNPNトランジスタ３９のエミツタ
抵抗４０の抵抗値をＲとすると、このエミツタ抵
抗４０に流れる電流Ieは、Ie＝Ee／Ｒ≒Ew／Ｒ
となり、前記した振幅調整用可変抵抗器１１の摺
動子の電圧Ewによつて決定される。前記の電流
Ieは前記のNPNトランジスタ３９のコレクタ電
流に殆んど等しく、それが可飽和リアクタ９の制
御巻線９ｂに流れる。したがつて、振幅調整用可
変抵抗器１１の摺動子を調節することによつて可
飽和リアクタ９の制御巻線９ｂに流れる電流が調
節でき、それにより、可飽和リアクタ９における
被制御巻線９ａ，９ｂのインダクタンスが第７図
に示されるように変化し、これに従つて水平偏向
回路における実質的な電源電圧Eb′が連続的に変
化し、その結果として水平偏向電流Iy、ひいては
水平偏向振幅を連続的に変化させることができる
のである。

前記の場合に可飽和リアクタ９の被制御巻線９
ａ，９a′とフライバツクトランス７の１次巻線７
ａに流れる電流は鋸歯状波電流であるが、この電
流自身でインダクタンスＬの値が変化して電流波
形が歪んでも、水平偏向電流Iyには何の影響もな
く、したがつて、第８図を参照して説明したよう
な問題点は生じない。

また第２図に示されている電圧制御回路１５と
しては、Ａ級増幅動作を行なうようなトランジス
タ回路によつて構成されたものが使用されている
が、この電圧制御回路としては例えばスイツチン
グレギユレータのような他の回路形式のものが使
用されてもよいことは勿論である。

（効果）以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の水平偏向回路はスイツチング素子及
び水平偏向コイルなどを含んで構成されている回
路が接続されている１次巻線と、受像管の陽極電
圧を発生する直流高圧発生回路に昇圧したフライ
バツクパルスを与える２次巻線と、３次巻線とを
備えたフライバツクトランスにおける１次巻線と
直列に、制御巻線を有する可飽和リアクタにおけ
る被制御巻線の一端を接続するとともに、前記し
た可飽和リアクタにおける被制御巻線の他端と水
平偏向回路の動作用直流電源との間に設けられた
電圧制御回路に、フライバツクトランスの３次巻
線に生じたパルスを整流して得た直流電圧に基づ
いて発生させた制御用電圧を与えて前記した直流
電圧が一定になるようにする手段と、前記した可
飽和リアクタにおける制御巻線に流す電流の大き
さを調整する手段とを設けてなる水平偏向回路で
あるから、この本発明の水平偏向回路では直流高
圧EHTの電圧を変化させない状態で、しかも、
画面に歪を生じさせないで効果的に水平振幅の調
整を行なうことができるのであり、また、フライ
バツクトランスの３次巻線に発生するパルスの波
高値が可飽和リアクタの被制御巻線のインダクタ
ンス値の変化によつて変化しないから、フライバ
ツクトランスの３次巻線に発生するパルスを受像
機内の他回路で使用する場合に従来回路で問題に
なつていた点も良好に解決できるのであつて、本
発明によれば既述した従来の問題点はすべて良好
に解決できるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の水平偏向回路の一実施例のブ
ロツク図、第２図は第１図示の水平偏向回路の回
路図、第３図及び第４図は従来の水平偏向回路の
回路図第５図は可飽和リアクタの一例構成の正面
図、第６図及び第７図は特性例図、第８図は画面
の説明図である。１……水平出力トランジスタ、２……ダンパダ
イオード、３……帰線共振コンデンサ、４……水
平偏向コイル、６……Ｓ字補正コンデンサ、７…
…フライバツクトランス、７ａ……フライバツク
トランスの１次巻線、７ｂ……フライバツクトラ
ンスの２次巻線、７ｃ……フライバツクトランス
の３次巻線、８……直流高圧発生回路、９……可
飽和リアクタ、９ａ，９a′……被制御巻線、９ｂ
……制御巻線、１０……増幅器、１１……振幅調
整用可変抵抗器、１２……パルス整流回路、１３
……基準電圧源、１４……比較器、１５……電圧
制御回路、１６……ダンピング抵抗。

Claims

【特許請求の範囲】

１スイツチング素子及び水平偏向コイルなどを
含んで構成されている回路が接続されている１次
巻線と、受像管の陽極電圧を発生する直流高圧発
生回路に昇圧したフライバツクパルスを与える２
次巻線と、３次巻線とを備えたフライバツクトラ
ンスにおける１次巻線と直列に、制御巻線を有す
る可飽和リアクタにおける被制御巻線の一端を接
続するとともに、前記した可飽和リアクタにおけ
る被制御巻線の他端と水平偏向回路の動作用直流
電源との間に設けられた電圧制御回路に、フライ
バツクトランスの３次巻線に生じたパルスを整流
して得た直流電圧に基づいて発生させた制御用電
圧を与えて前記した直流電圧が一定になるように
する手段と、前記した可飽和リアクタにおける制
御巻線に流す電流の大きさを調整する手段とを設
けてなる水平偏向回路。