JPH04328442A - 試料ホルダ - Google Patents
試料ホルダInfo
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- JPH04328442A JPH04328442A JP3097763A JP9776391A JPH04328442A JP H04328442 A JPH04328442 A JP H04328442A JP 3097763 A JP3097763 A JP 3097763A JP 9776391 A JP9776391 A JP 9776391A JP H04328442 A JPH04328442 A JP H04328442A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばイオンマイクロ
アナライザ(IMA)などの試料分析計に使用される試
料ホルダに関する。
アナライザ(IMA)などの試料分析計に使用される試
料ホルダに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種試料ホルダの例を図5に示
す。
す。
【0003】図5の(a)に示す試料ホルダは、試料搬
送台11に多数のねじ穴11aを配列させて、これらの
ねじ穴11aに試料台12をねじ機構を介して上下動可
能に装着する。試料搬送台11の上部には各ねじ穴11
aに対応して試料移動案内用のガイド穴15が上面に向
けて開口する。試料13は試料台12上に直接に支持さ
れつつガイド穴13にセットされ、穴14a付きの蓋1
4が搬送台11の上面に被着される。
送台11に多数のねじ穴11aを配列させて、これらの
ねじ穴11aに試料台12をねじ機構を介して上下動可
能に装着する。試料搬送台11の上部には各ねじ穴11
aに対応して試料移動案内用のガイド穴15が上面に向
けて開口する。試料13は試料台12上に直接に支持さ
れつつガイド穴13にセットされ、穴14a付きの蓋1
4が搬送台11の上面に被着される。
【0004】試料台12を搬送台11の下面側からねじ
機構を介して上下移動調整することで、試料13が蓋1
4の下面に接触して、試料が一定の高さに保持される。
機構を介して上下移動調整することで、試料13が蓋1
4の下面に接触して、試料が一定の高さに保持される。
【0005】図5の(b)に示す試料ホルダも、上記同
様の試料搬送台11,試料台12,蓋14,ガイド穴1
5などを備えるが、支持台12上端とばね16を介して
試料13を支持する。この従来例は、各ガイド穴15に
セットされる試料13の厚さにばらつきがあっても、ば
ね16の機能により試料13の位置を全て同レベルにの
高さに保持出来る利点がある。
様の試料搬送台11,試料台12,蓋14,ガイド穴1
5などを備えるが、支持台12上端とばね16を介して
試料13を支持する。この従来例は、各ガイド穴15に
セットされる試料13の厚さにばらつきがあっても、ば
ね16の機能により試料13の位置を全て同レベルにの
高さに保持出来る利点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の試
料ホルダには次のような改善すべき点があった。
料ホルダには次のような改善すべき点があった。
【0007】■各ガイド穴15に試料13をセットする
ため、ガイド穴の制約から、試料の寸法,形状などの多
様性に充分に対応できない。
ため、ガイド穴の制約から、試料の寸法,形状などの多
様性に充分に対応できない。
【0008】■試料装着時、試料が試料台12の回転に
より回転移動し、そのため、試料支持蓋14の下面で試
料がこすられて損傷,汚染の原因となり易い。
より回転移動し、そのため、試料支持蓋14の下面で試
料がこすられて損傷,汚染の原因となり易い。
【0009】■ガイド穴15の存在により装着試料の数
をあまり多くすることができない。そのため、分析の作
業能率に改善すべき点があり、また試料交換頻度が高く
なり試料室の真空度に低下をきたし再現性が困難であっ
た。
をあまり多くすることができない。そのため、分析の作
業能率に改善すべき点があり、また試料交換頻度が高く
なり試料室の真空度に低下をきたし再現性が困難であっ
た。
【0010】■半導体試料においては、試料と試料台ま
たは蓋との間の電気的コンタクトが取りにくい。
たは蓋との間の電気的コンタクトが取りにくい。
【0011】本発明は以上の種々の問題を解決し、しか
も構造が簡潔にして使い勝手のよい試料台支持装置を提
供することにある。
も構造が簡潔にして使い勝手のよい試料台支持装置を提
供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、基本的には次のような課題解決手段を提案する。
、基本的には次のような課題解決手段を提案する。
【0013】内容の理解を容易にするため実施例の符号
を引用して説明する。
を引用して説明する。
【0014】すなわち、試料台装着用の複数のねじ穴1
aを有する試料搬送台1と、ねじ機構を介してねじ穴1
aに上下動可能に装着される試料台2と、試料搬送台1
の上面に試料5の高さ位置を決定するために被着される
蓋4とを備え、試料台2の上端に試料台2の回転に対し
フリーな状態を保ち得る試料支持片3を設け、この試料
支持片3を介して試料台2上に試料5を取り付ける構造
とし、且つ試料台2上の試料5は試料搬送台1上面の空
間にセットされて試料分析に供されるよう設定した。
aを有する試料搬送台1と、ねじ機構を介してねじ穴1
aに上下動可能に装着される試料台2と、試料搬送台1
の上面に試料5の高さ位置を決定するために被着される
蓋4とを備え、試料台2の上端に試料台2の回転に対し
フリーな状態を保ち得る試料支持片3を設け、この試料
支持片3を介して試料台2上に試料5を取り付ける構造
とし、且つ試料台2上の試料5は試料搬送台1上面の空
間にセットされて試料分析に供されるよう設定した。
【0015】また、試料の取り付けの一例として、試料
5を試料支持片3にIn,Gaなどの低融点金属6を介
して溶着したものを提案する。
5を試料支持片3にIn,Gaなどの低融点金属6を介
して溶着したものを提案する。
【0016】
【作用】試料5は試料搬送台1上面の空間Sにセットさ
れる。このセットは、まず、試料5を試料台2上の試料
支持片3に取り付けた後、試料搬送台1上の空間Sに試
料を位置させた後、蓋4を被着する。ついで、試料5が
蓋4の下面に接触するまで試料台2をねじ機構を利用し
て上方向に移動させると試料5の高さ位置が決定される
。この場合、試料台2が回転状態にあって試料5が蓋4
下面に接触しても、試料支持片3が試料台2の回転に対
しフリーの状態を保つことと、蓋4からの押さえ力によ
っての協働により回転することはなく、試料5が蓋4の
下面にこすれることはない。
れる。このセットは、まず、試料5を試料台2上の試料
支持片3に取り付けた後、試料搬送台1上の空間Sに試
料を位置させた後、蓋4を被着する。ついで、試料5が
蓋4の下面に接触するまで試料台2をねじ機構を利用し
て上方向に移動させると試料5の高さ位置が決定される
。この場合、試料台2が回転状態にあって試料5が蓋4
下面に接触しても、試料支持片3が試料台2の回転に対
しフリーの状態を保つことと、蓋4からの押さえ力によ
っての協働により回転することはなく、試料5が蓋4の
下面にこすれることはない。
【0017】試料のセット後は、蓋4を取り去っても、
あるいは被着したまま試料の分析を行うことも可能であ
る。そして、いずれの場合も、従来のように試料をガイ
ド穴に設けて分析することがなく、その分、試料のセッ
トスペースの自由度を大きくして、形状,寸法が種々様
々な試料の装着を可能にする。1つの支持台2では支持
しきれない大きな試料の場合には、複数の試料台2によ
り支持することもできる。
あるいは被着したまま試料の分析を行うことも可能であ
る。そして、いずれの場合も、従来のように試料をガイ
ド穴に設けて分析することがなく、その分、試料のセッ
トスペースの自由度を大きくして、形状,寸法が種々様
々な試料の装着を可能にする。1つの支持台2では支持
しきれない大きな試料の場合には、複数の試料台2によ
り支持することもできる。
【0018】さらに、試料支持片3上に低融点金属金属
6を介して試料5を溶着させた場合には、その固定の安
定化と試料と試料支持片との間に電気的コンタクトがと
れる。この電気的コンタクトの必要性については、実施
例の項の第4使用例に詳述してあるので、参照されたい
。
6を介して試料5を溶着させた場合には、その固定の安
定化と試料と試料支持片との間に電気的コンタクトがと
れる。この電気的コンタクトの必要性については、実施
例の項の第4使用例に詳述してあるので、参照されたい
。
【0019】
【実施例】本発明の実施例を図1から図4により説明す
る。
る。
【0020】図1から図3に示す実施例(試料台ホルダ
)の説明に先立ち、図4により適用対象の一例としてI
MAについて説明する。
)の説明に先立ち、図4により適用対象の一例としてI
MAについて説明する。
【0021】IMAは、1次イオン光学系41,42,
43,44,45と、試料ホルダAと、2次イオン光学
系46,47,48及びデータ処理ユニット49などで
構成される。
43,44,45と、試料ホルダAと、2次イオン光学
系46,47,48及びデータ処理ユニット49などで
構成される。
【0022】イオン源41で発生した1次イオンビーム
42はレンズ43,45及び偏向電極44を通り、細束
ビームとなり試料ホルダAに支持された試料の表面を照
射する。その結果、試料表面から飛び出した2次イオン
46は質量分析計47で質量分離され、検出器48で検
出された後、データ処理ユニット49にデータ入力され
る。
42はレンズ43,45及び偏向電極44を通り、細束
ビームとなり試料ホルダAに支持された試料の表面を照
射する。その結果、試料表面から飛び出した2次イオン
46は質量分析計47で質量分離され、検出器48で検
出された後、データ処理ユニット49にデータ入力され
る。
【0023】試料ホルダAは超真空(5×10 ̄ 5T
a)を維持する試料室にセットされる。試料交換は予備
室(1×10 ̄ 7Ta)を介して行われが、試料の出
し入れは試料室の真空を劣化させ、装置性能の低下によ
り測定データの再現性の低下原因となり易く、好ましく
ない。
a)を維持する試料室にセットされる。試料交換は予備
室(1×10 ̄ 7Ta)を介して行われが、試料の出
し入れは試料室の真空を劣化させ、装置性能の低下によ
り測定データの再現性の低下原因となり易く、好ましく
ない。
【0024】図2は本実施例における試料ホルダAの部
品構成のうち試料搬送台1,試料台2,試料支持片3な
どを示し、図2の(a)が試料搬送台1の上面図、(b
)がその縦断面図を示す。
品構成のうち試料搬送台1,試料台2,試料支持片3な
どを示し、図2の(a)が試料搬送台1の上面図、(b
)がその縦断面図を示す。
【0025】試料搬送台1には多数のねじ穴1aが整列
状態で配設してあり、ねじ穴1aに試料台2がねじ機構
により上下移動可能に装着される。
状態で配設してあり、ねじ穴1aに試料台2がねじ機構
により上下移動可能に装着される。
【0026】試料台2の上端には試料支持片3がゆるい
状態で凹凸嵌合し、これにより支持片3は試料台2が回
転した場合でもフリーの関係を保つ。試料支持片3の上
端には穴(あるいは溝)3aが形成され、この穴3aに
は試料取り付け時に試料固着用の低融点金属(例えばI
n,Ga)が充填される。なお、図2(c)の3´は試
料支持片の別の例を示し、その上端を平面としてある。
状態で凹凸嵌合し、これにより支持片3は試料台2が回
転した場合でもフリーの関係を保つ。試料支持片3の上
端には穴(あるいは溝)3aが形成され、この穴3aに
は試料取り付け時に試料固着用の低融点金属(例えばI
n,Ga)が充填される。なお、図2(c)の3´は試
料支持片の別の例を示し、その上端を平面としてある。
【0027】図3は試料ホルダAの部品構成のうち試料
の高さ(位置決め)を行う蓋4で、ビーム透過用の穴4
aが多数配設してある。
の高さ(位置決め)を行う蓋4で、ビーム透過用の穴4
aが多数配設してある。
【0028】図1は試料ホルダAの使用状態を示す縦断
面図である。
面図である。
【0029】使用時には、試料台2の少なくとも上端及
び試料支持片3は試料搬送台1の上面に突出し、試料5
は穴3aに装填した低融点金属6を介して試料支持片3
に溶着される。試料5は、試料搬送台1及び試料台2に
試料支持片3を装着した状態で取り付けるか、或いは試
料支持片3を単独に取り出して取り付けもよい。また、
実施にあたり試料5の区別を明確にする目的で試料支持
片3に数字やアルファベットなどの刻印を取り付けるこ
ともできる。
び試料支持片3は試料搬送台1の上面に突出し、試料5
は穴3aに装填した低融点金属6を介して試料支持片3
に溶着される。試料5は、試料搬送台1及び試料台2に
試料支持片3を装着した状態で取り付けるか、或いは試
料支持片3を単独に取り出して取り付けもよい。また、
実施にあたり試料5の区別を明確にする目的で試料支持
片3に数字やアルファベットなどの刻印を取り付けるこ
ともできる。
【0030】試料5付きの試料台2を搬送台1に装着し
た後に蓋4が被着される。この状態で試料5が蓋4下面
に接触するまで、試料台2をねじ機構を介して上方向に
移動させると、個々の試料5の分析面の高さが同レベル
となり、試料ごとの測定データの再現性を確保する。試
料5の高さ位置を設定した後は、蓋4は取り外してもよ
いし、取付けたままのビーム照射も可能である。
た後に蓋4が被着される。この状態で試料5が蓋4下面
に接触するまで、試料台2をねじ機構を介して上方向に
移動させると、個々の試料5の分析面の高さが同レベル
となり、試料ごとの測定データの再現性を確保する。試
料5の高さ位置を設定した後は、蓋4は取り外してもよ
いし、取付けたままのビーム照射も可能である。
【0031】ここで、具体的使用例を説明する。
【0032】(第1の使用例)多数個の試料5を取り付
けた場合である。
けた場合である。
【0033】試料5としてはシリコンウエハを用い、分
析目的はウエハ表面の汚染場所による差を評価すること
にある。試料ホルダAとしては、図1〜図3に占めすも
のを用い40個の試料を一度にセットした。
析目的はウエハ表面の汚染場所による差を評価すること
にある。試料ホルダAとしては、図1〜図3に占めすも
のを用い40個の試料を一度にセットした。
【0034】測定は質量スペクトルモードで測定し、1
試料の分析測定に約10分を費やした。したがって、全
試料測定には、40個×10すなわち400分(約7時
間)で全試料の測定が可能となる。
試料の分析測定に約10分を費やした。したがって、全
試料測定には、40個×10すなわち400分(約7時
間)で全試料の測定が可能となる。
【0035】一方、従来の試料の装着はガイド穴のスペ
ースの制約から試料の装着は最大8個程度であり、5回
にわたる真空排気サイクルを試料の装着作業に強いられ
る。
ースの制約から試料の装着は最大8個程度であり、5回
にわたる真空排気サイクルを試料の装着作業に強いられ
る。
【0036】すなわち、測定時間として、従来は約3倍
程度の長時間を要した。さらに、各真空排気サイクル後
の真空度及び真空の室に差が生じ、従来はデータの再現
性がなくバッチごとの定量値比較は困難であった。
程度の長時間を要した。さらに、各真空排気サイクル後
の真空度及び真空の室に差が生じ、従来はデータの再現
性がなくバッチごとの定量値比較は困難であった。
【0037】これに対し、本実施例によれば、測定時間
が従来方式に比較して1/3程度短縮されるばかりでな
く、データの再現性が著しく改善された。
が従来方式に比較して1/3程度短縮されるばかりでな
く、データの再現性が著しく改善された。
【0038】さらに試料交換の回数が従来の1/3と少
なくてすみ、常に真空条件として良好な状態で分析がで
きる利点がある。
なくてすみ、常に真空条件として良好な状態で分析がで
きる利点がある。
【0039】(第2の使用例)試料サイズの大幅に異な
る試料の分析を実施した。ここでは、従来困難であった
30mm×30mmの分析対象試料と大きさが1mm×
1mmサイズの標準試料を同時装着し、分析対象試料の
重金属汚染分布を測定し、良好な結果を得た。大きいサ
イズの試料のセットは、試料台2(試料支持片3を含め
)として必要な本数(例えば1本,2本,3本または4
本)のもを利用して支え、ほかの試料台2はひっこめて
試料5に触れないよう設定する。また、微小サイズの標
準試料は、試料台2の1本で支持し、できるだけ大きい
試料の近傍にセットするようにした。
る試料の分析を実施した。ここでは、従来困難であった
30mm×30mmの分析対象試料と大きさが1mm×
1mmサイズの標準試料を同時装着し、分析対象試料の
重金属汚染分布を測定し、良好な結果を得た。大きいサ
イズの試料のセットは、試料台2(試料支持片3を含め
)として必要な本数(例えば1本,2本,3本または4
本)のもを利用して支え、ほかの試料台2はひっこめて
試料5に触れないよう設定する。また、微小サイズの標
準試料は、試料台2の1本で支持し、できるだけ大きい
試料の近傍にセットするようにした。
【0040】本使用例によれば、大小様々な試料群が存
在する場合でも、適用可能である。
在する場合でも、適用可能である。
【0041】(第3の使用例)形状が複雑な鉄隕石を試
料5として試料支持片3に低融点金属6を介して溶着し
て試料の分析を実施した。すなわち、試料を3次元的な
自由な空間で支持できるので、試料形状の多様性に対応
できる。
料5として試料支持片3に低融点金属6を介して溶着し
て試料の分析を実施した。すなわち、試料を3次元的な
自由な空間で支持できるので、試料形状の多様性に対応
できる。
【0042】(第4の使用例)半導体材料分析の適用例
である。
である。
【0043】一般に半導体材料、特に高抵抗材料と試料
台などの金属との間においては、電気的なコンタクトが
とりにくく、電気容量分をもった接触となる。このよう
な状態で1次イオンビーム7を試料5に照射すると、試
料表面に電荷が蓄積し、表面電位が変化し、良好な分析
ができない。この分野の応用例として、Siをイオン注
入したGaAs試料におけるSiの深さ方向分析を試み
た。試料支持片3をGaAs試料との電気的コンタクト
は低融点金属で仕事関数の大きいInを加熱溶融するこ
とでとった。
台などの金属との間においては、電気的なコンタクトが
とりにくく、電気容量分をもった接触となる。このよう
な状態で1次イオンビーム7を試料5に照射すると、試
料表面に電荷が蓄積し、表面電位が変化し、良好な分析
ができない。この分野の応用例として、Siをイオン注
入したGaAs試料におけるSiの深さ方向分析を試み
た。試料支持片3をGaAs試料との電気的コンタクト
は低融点金属で仕事関数の大きいInを加熱溶融するこ
とでとった。
【0044】これにより1次イオンビーム照射による帯
電は完全に避けられ、精度の高いSiの深さ方向濃度プ
ロファイルが得られた。得られたプロファイルから、1
017atoms/cm3領域における横方向広がりは
、理論性に対して5%しかずれておらず、従来の10〜
15%に対して著しく改善された。
電は完全に避けられ、精度の高いSiの深さ方向濃度プ
ロファイルが得られた。得られたプロファイルから、1
017atoms/cm3領域における横方向広がりは
、理論性に対して5%しかずれておらず、従来の10〜
15%に対して著しく改善された。
【0045】本使用例によれば、比抵抗の高い半導体材
料に対しても、試料台との間に良好な電気的コンタクト
が得られた。
料に対しても、試料台との間に良好な電気的コンタクト
が得られた。
【0046】(第5の使用例)試料5と接する上面が平
らな試料支持片3´を持つ試料ホルダを採用する。応用
例として、微粒子を分析する場合、試料支持片3´上面
にIn膜を形成させ、その膜に微粒子を散布し、半田こ
てでInを加熱して微粒子を固定する。
らな試料支持片3´を持つ試料ホルダを採用する。応用
例として、微粒子を分析する場合、試料支持片3´上面
にIn膜を形成させ、その膜に微粒子を散布し、半田こ
てでInを加熱して微粒子を固定する。
【0047】本使用例によれば、試料支持片3´は微粒
子を均一に散布した状態で固定でき、1次イオン照射が
容易である。さらに、微粒子が絶縁物であってもIn膜
との間に良好な電気的コンタクトがとれ、安定なプロフ
ァイルが得られた。
子を均一に散布した状態で固定でき、1次イオン照射が
容易である。さらに、微粒子が絶縁物であってもIn膜
との間に良好な電気的コンタクトがとれ、安定なプロフ
ァイルが得られた。
【0048】(第6の使用例)ICに代表される各種デ
バイスの解析評価に本発明を適用した。
バイスの解析評価に本発明を適用した。
【0049】本使用例では、試料支持片3或いは3´を
絶縁物材料で作製して試料を電気的に絶縁して、IC素
子における各機能部の電位分布の2次電子像をよび2次
イオン像を撮影するのに成功した。その結果、IMAに
おいてもIC素子などの電気的特性の評価が可能になり
、IMAの新しい分野が拓けた。
絶縁物材料で作製して試料を電気的に絶縁して、IC素
子における各機能部の電位分布の2次電子像をよび2次
イオン像を撮影するのに成功した。その結果、IMAに
おいてもIC素子などの電気的特性の評価が可能になり
、IMAの新しい分野が拓けた。
【0050】なお、本発明はIMAに適用対象を限定す
るものではない。
るものではない。
【0051】
【発明の効果】■従来法に比較して、試料サイズを大き
くできると共に、大小様々な試料を形状,寸法を問わず
同一試料搬送台にセットできる。
くできると共に、大小様々な試料を形状,寸法を問わず
同一試料搬送台にセットできる。
【0052】■従来法に比較して試料装着数を大幅に増
加でき、分析能率が著しく改善される。また試料交換頻
度を少なくできるので、真空度の向上および一定性が確
保される。その結果、データの再現性,信頼性が向上す
る。試料交換頻度の減少は、真空排気時間の減少を意味
し、実行分析時間を短縮させる。
加でき、分析能率が著しく改善される。また試料交換頻
度を少なくできるので、真空度の向上および一定性が確
保される。その結果、データの再現性,信頼性が向上す
る。試料交換頻度の減少は、真空排気時間の減少を意味
し、実行分析時間を短縮させる。
【0053】■試料支持片の利用により、試料装着時、
試料台の回転運動に対して、試料が独立可動になってい
るので、蓋下面に試料表面をこすることがなく試料の破
損,汚染などを防止できる。
試料台の回転運動に対して、試料が独立可動になってい
るので、蓋下面に試料表面をこすることがなく試料の破
損,汚染などを防止できる。
【0054】■試料支持片が独立して取り外しできるの
で、加熱が容易になり、試料と試料支持片との間の電気
的コンタクトが容易にとれる。その結果、半導体材料一
般の測定精度が著しく向上した。
で、加熱が容易になり、試料と試料支持片との間の電気
的コンタクトが容易にとれる。その結果、半導体材料一
般の測定精度が著しく向上した。
【図1】本発明の一実施例たる試料ホルダの使用状態を
示す縦断面図。
示す縦断面図。
【図2】上記試料ホルダの構成要素の一部を示す平面図
及び縦端面図。
及び縦端面図。
【図3】上記試料ホルダの構成要素の一部を示す平面図
及び縦断面図。
及び縦断面図。
【図4】本発明の適用対象となるIMAを示す説明図。
【図5】IMAに使用される従来の試料ホルダの一例を
示す縦断面図。
示す縦断面図。
A…試料ホルダ、S…試料セット空間、1…試料搬送台
、1a…ねじ穴、2…試料台、3…試料支持片、4…蓋
、5…試料、6…低融点金属。
、1a…ねじ穴、2…試料台、3…試料支持片、4…蓋
、5…試料、6…低融点金属。
Claims (4)
- 【請求項1】 試料台装着用の複数のねじ穴を有する
試料搬送台と、ねじ機構を介して前記ねじ穴に上下動可
能に装着される試料台と、試料搬送台の上面に試料の高
さ位置を決定するために被着される蓋とを備え、前記試
料台の上端に該試料台の回転に対しフリーな状態を保ち
得る試料支持片を設け、この試料支持片を介して試料台
上に試料を取り付ける構造とし、且つ試料台上の試料は
試料搬送台上面の空間にセットされて試料分析に供され
るよう設定したことを特徴とする試料ホルダ。 - 【請求項2】 請求項1において、前記試料は前記試
料支持片にIn,Gaなどの低融点金属を介して溶着さ
れるよう設定したことを特徴とする試料ホルダ。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2において、前記
試料台と前記試料支持片とは、相対的な回転が可能なよ
うに凹凸嵌合させたことを特徴とする試料ホルダ。 - 【請求項4】 請求項1,2,3のいずれか1項にお
いて、前記試料支持片を絶縁物材料で形成したことを特
徴とする試料ホルダ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3097763A JPH04328442A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 試料ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3097763A JPH04328442A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 試料ホルダ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04328442A true JPH04328442A (ja) | 1992-11-17 |
Family
ID=14200911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3097763A Pending JPH04328442A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 試料ホルダ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04328442A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08254488A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Nec Corp | 二重収束型二次イオン質量分析装置用試料ホルダー |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP3097763A patent/JPH04328442A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08254488A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Nec Corp | 二重収束型二次イオン質量分析装置用試料ホルダー |
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