JPH04323942A - 光結合器回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、発光素子である発光ダ
イオード（ＬＥＤ）と受光素子であるフォトトランジス
タとを備える光結合器に関するものであり、特に、ドア
ホン等の弱電機器において、電気的に絶縁された回路間
に信号を伝達するのに用いられるフォトカプラの駆動用
回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】図９に示すような、従来のドアホンの親
機１と子機２を接続しているプラスとマイナスの２本の
接続ライン３ａ，３ｂにて、親機１から子機２への電源
電圧の供給、親機１・子機２間の音声信号の伝達を兼用
している。

【０００３】通常の待機状態において、接続ライン３ａ
，３ｂの２線間に、２．０［Ｖ］以下（１．５［Ｖ］程
度）の直流電圧が印加されている。子機２の呼出ボタン
４を押すと、この接続ライン３ａ，３ｂは１．０［ｋΩ
］の抵抗で短絡され、電圧レベルは０［Ｖ］近くまで下
がる。親機１はこれを検出し、チャイムをならす。

【０００４】次に、親機１の受話器５のオフフックによ
り、通話状態になると、子機２側のマイクロホン６等を
動作させるために、親機１からの供給電圧が切換えられ
、この接続ライン３ａ，３ｂは３．０［Ｖ］以上（５．
５［Ｖ］程度）になる。そして、通話終了後、受話器５
のオンフックにより、親機１からの供給電圧は元に戻り
、接続ライン３ａ，３ｂは待機状態の２．０［Ｖ］以下
になる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この従来のドアホンに
モニターＴＶ（カメラとモニターＴＶユニットで構成さ
れ、映像信号は別のラインで伝送される。）を取付ける
場合を考える。子機２の呼出ボタン４を押すと同時に、
モニターＴＶが動作を開始し、親機１の受話器５のオン
フックにより、モニターＴＶを停止させる必要がある。

【０００６】そこで、図１０に示す如く、モニターＴＶ
ユニット７を、親機１と子機２を接続している電源・信
号共通ライン３ａ，３ｂに接続し、この接続ライン３ａ
，３ｂの電圧変化を検出してモニターＴＶユニット７の
動作を制御する。この時、親機１とモニターＴＶユニッ
ト７は別電源になっているため、単に電気的に接続する
だけでは誘導ハムが発生してしまう。これを防止するた
め、フォトカプラ等を用いてアースラインのループを形
成しないようにする必要がある。

【０００７】モニターＴＶユニット７で必要なのは、電
圧変化の情報であるため、この回路は等価的に図１１の
如く考えることができる。

【０００８】簡単のため、親機１が通話状態から待機状
態になるタイミングである、オフフックからオンフック
になる瞬間を検出し、モニターＴＶユニット７を停止さ
せる場合についてのみ考える。

【０００９】インターホン親機１は、内部電圧Ｖｉ、電
圧降下抵抗Ｒｉを持ち、その出力電圧がＶ１となる直流
電源回路８と考えることができる。モニターＴＶユニッ
ト７側では、制限抵抗ＲＦを介してフォトカプラ９の発
光ダイオード９ａと接続されている。ここで、制限抵抗
ＲＦは接続ライン３ａ，３ｂ間の電位差が、待機状態で
ある１．５［Ｖ］では、発光ダイオード９ａは全く発光
しない程度に、その抵抗値が選定されている。発光ダイ
オード９ａが発光しなければ、フォトカプラ９のフォト
トランジスタ９ｂはオンせず、ＶｏｕｔはＨｉｇｈであ
る。

【００１０】親機１の受話器を取上げて通話状態になり
、接続ライン３ａ，３ｂ間の電位差が５．５［Ｖ］以上
になると、発光ダイオード９ａに電流ＩＦが流れ、フォ
トトランジスタ９ｂがオンしてコレクタ電流Ｉｏｕｔが
流れるため、ＶｏｕｔはＬｏｗになる。

【００１１】ＶｏｕｔがＬｏｗからＨｉｇｈになるタイ
ミングをモニターＴＶユニット７において検知すれば、
モニターＴＶユニット７をオフできる。

【００１２】ＶｏｕｔがＬｏｗの時、発光ダイオード９
ａに流れる電流ＩＦは、 ＩＦ　＝　（Ｖ１−ＶＦ）／ＲＦ となる。ここで、ＶＦは発光ダイオード９ａの順方向電
圧降下であり、１［Ｖ］程度の値である。

【００１３】また、ＩＦとＩｏｕｔの関係は、フォトカ
プラ９の変換効率をＡとすると、 Ｉｏｕｔ　＝　Ａ・ＩＦ である。

【００１４】（問題点１）被検定電圧である、親機１の
出力電圧Ｖ１が、フォトカプラ９をオンするための閾値
であるＶＦ以下のＶａの時、 Ｉｏｕｔ（Ｖａ，Ａ）　＝　０ となり、ＶＦ以上では、図１２に示す如く、略一次関数
直線となる　待機状態と通話状態を検知するためには、
前述の如く、２．０［Ｖ］以下の電圧と、３．０［Ｖ］
以上の電圧を識別する必要がある。同図において、Ｖｂ
を２．０［Ｖ］、Ｖｃを３．０［Ｖ］とすれば、モニタ
ーＴＶユニット７において、ＶｂとＶｃを判別する必要
がある。

【００１５】ここで、 Ｖｂ／Ｉｏｕｔ（Ｖｂ，Ａ）≦　Ｒｏｕｔ　≦　Ｖｃ／
Ｉｏｕｔ（Ｖｃ，Ａ） と選定するだけで、Ｖ１がＶｃ以上の時はＶｏｕｔはＬ
ｏｗ、Ｖ１がＶｂ以下の時はＶｏｕｔがＨｉｇｈとなり
、判別を行うことができる。

【００１６】しかしながら、フォトカプラ９の変換効率
Ａは素子によるばらつきが大きく、簡単のために電流依
存性を無視すると、５０〜６００％程度になる。これを
考慮して、Ｖ１とＩｏｕｔの関係を図１３に示す。Ｉｏ
ｕｔ（Ｖ１，Ａ）は斜線部のようにばらついた分布を持
つ。

【００１７】Ｖ１がＶｂの時、フォトカプラ９の変換効
率Ａのばらつきを Ａｍｉｎ　≦　Ａ　≦　Ａｍａｘ とすると、Ｉｏｕｔ（Ｖ１，Ａ）は、 Ｉｏｕｔ（Ｖｂ，Ａｍｉｎ）≦　Ｉｏｕｔ（Ｖ１，Ａ）
≦　Ｉｏｕｔ（Ｖｂ，Ａｍａｘ） の間になる。

【００１８】同様に、Ｖ１がＶｃの時、Ｉｏｕｔ（Ｖ１
，Ａ）は、 Ｉｏｕｔ（Ｖｃ，Ａｍｉｎ）≦　Ｉｏｕｔ（Ｖ１，Ａ）
≦　Ｉｏｕｔ（Ｖｃ，Ａｍａｘ） となる。この時、フォトカプラ９のばらつきのため、Ｉ
ｏｕｔ（Ｖｃ，Ａｍｉｎ）＜Ｉｏｕｔ（Ｖｂ，Ａｍａｘ
）となる場合もあり、 Ｖｂ／Ｉｏｕｔ（Ｖｂ，Ａｍｉｎ）≦　Ｒｏｕｔ　≦　
Ｖｃ／Ｉｏｕｔ（Ｖｃ，Ａｍｉｎ） とする場合では、Ｒｏｕｔを選定するだけでは、Ｖｂと
Ｖｃの大小を正確に検定することはできなくなる。実際
の数値を当てはめてみると、ＶｃがＶｂの最低５倍程度
大きくなければ、ＶｂとＶｃの大小を検定する回路は、
Ｒｏｕｔを選定するだけでは実現できない。

【００１９】個々のフォトカプラ９のばらつきに対して
、Ｒｏｕｔを調整すればよいが、生産性が非常に悪くな
ってしまう。

【００２０】（問題点２）また、被検定電圧Ｖ１は降下
抵抗Ｒｉと起電力Ｖｉより構成されているため、Ｒｉは
２［ｋΩ］と比較的大きな値を持つ。しかし、図１１の
如く接続した場合では、フォトカプラ９の発光ダイオー
ド９ａに流す電流ＩＦは１［ｍＡ］程度流れ、制限抵抗
ＲＦと発光ダイオード９ｂを接続すると、２［Ｖ］程度
の電圧降下が起き、本来検定すべき電圧（５．５［Ｖ］
）からずれてしまい、ドアホンの待機、通話の判別が正
確に行えない場合がある。

【００２１】制限抵抗ＲＦの値を大きくしてＩＦを小さ
くし、電圧降下を少なくすることはできるが、フォトト
ランジスタ９ｂ側に流れる電流Ｉｏｕｔの値も小さくな
り、Ｒｏｕｔを大きくして感度を上げる必要がある。逆
に、感度が上がると、暗電流（発光ダイオード９ａの非
点灯時にフォトトランジスタ９ｂに僅かに流れる電流）
のために、高温時（暗電流は温度に対して指数的に増大
する。）に誤動作する恐れがある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は、出力電圧が変
化する直流電源回路と、前記直流電源回路により駆動し
、且つ該直流電源回路の電圧変化を検定する電圧検定回
路と、前記電圧検定回路の検定により作動・停止する定
電流電源回路と、前記定電流電源回路の作動により発光
する発光素子と該発光素子の光を受光して作動する受光
素子とからなる光結合器と、前記光結合器の受光素子の
作動・停止により動作する出力検出回路と、を備える光
結合器回路である。

【００２３】そして、前記電圧検定回路はオペアンプを
備え、且つ該オペアンプは前記直流電源回路により駆動
させる光結合器回路であることが好ましい。

【００２４】また、前記電圧検定回路は差動アンプを備
える光結合器回路でもよい。

【００２５】さらに、前記電圧検定回路の基準電圧と前
規定電流電源回路の基準電圧を共用してもよい。

【００２６】また、出力電圧が変化する直流電源回路と
、定電流電源回路と、該定電流電源回路により発光する
発光素子と該発光素子の光を受光して動作する受光素子
とからなる光結合器と、前記光結合器の発光素子と受光
素子の間に位置し、且つ前記直流電源回路の出力電圧が
印加されることにより駆動して光を遮る遮光素子と、前
記光結合器の受光素子の出力を検出する出力検出回路と
、を備え、前記遮光素子は印加電圧の変化に応じて遮光
度が変化する光結合器回路とすることもできる。

【００２７】そして、発光素子と、該発光素子の光を受
光する受光素子と、前記発光素子と受光素子の間に位置
し、且つ電圧が印加されることにより駆動して光を遮る
遮光素子と、を備え、前記遮光素子は印加電圧の変化に
応じて遮光度が変化することを特徴とする光スイッチン
グ素子である。

【００２８】

【作用】本発明は上述の如く構成されているため、光結
合器の変換係数のばらつきがある場合においても、電圧
を正確に検定できる光結合器回路の設計が可能であり、
さらに、電圧検定回路の接続による電圧降下を防止する
回路を提供することができる。

【００２９】さらに、この電圧検定回路をオペアンプ若
しくは作動アンプで構成することにより、該電圧検定回
路の基準電圧と光結合器の発光素子を駆動するための定
電流電源回路との基準電圧を共用することができる。

【００３０】また、遮光素子を備える光スイッチング素
子を用いることにより、上述と同様の作用が得られる。

【００３１】

【実施例】図１は本発明の実施例である光結合器回路の
ブロック図である。

【００３２】この図において、８は親機１内の直流電源
回路、１０は電圧検定回路、１１は定電流電源回路、９
はフォトカプラ、１２は出力電流検出回路である。９〜
１２はモニターＴＶユニット７に内蔵されている。

【００３３】前述の従来例の如く、親機１のオンフック
を検出し、モニターＴＶユニット７をオフする場合につ
いてのみ考えることにし、ＶｏｕｔがＬｏｗからＨｉｇ
ｈになるタイミングをモニターＴＶユニット７において
検知する場合を考える。

【００３４】接続ライン３ａ，３ｂの２線間の電位差で
ある被検定電圧Ｖ１は低消費電流の電圧検定回路１０で
検定される。これが所定の電圧Ｖｂより小さければ、フ
ォトカプラ９の発光ダイオード９ａには電流が流れず、
また、所定の電圧Ｖｃ（Ｖｂ＜Ｖｃ）より大きければ、
定電流電源回路１１をオンして発光ダイオード９ａに必
要最小限の電流を流すようになっている。この時、フォ
トトランジスタ９ｂ側には小さいけれども暗電流に比べ
て十分大きな電流が流れるようになる。この電流は単純
な負荷抵抗では暗電流との区別が難しいので、フォトト
ランジスタ９ｂの出力電流検出回路１２を用いて、Ｖｃ
＜Ｖ１のときにＶｏｕｔが確実にＬｏｗになるようにす
る。

【００３５】この回路のＶ１とＩｏｕｔの関係のグラフ
を図２に示す。Ｖ１が大きくなるにしたがって、ＶＴＬ
とＶＴＨの間（約０．２［Ｖ］の幅）で急にＩｏｕｔが
増加する。 ＩＦの値は定電流回路１１の定数によって設定され、Ｖ
１がＶＴＨより上昇しても一定値を取る。Ｉｏｕｔ（Ｖ
ｃ，Ａ）は、Ａのばらつきにより、 Ｉｏｕｔ（Ｖｃ，Ａｍｉｎ）≦　Ｉｏｕｔ（Ｖｃ，Ａ）
≦　Ｉｏｕｔ（Ｖｃ，Ａｍａｘ） の間の値となるが、ＩＦは一定となるため、Ｉｏｕｔの
範囲も一定する。Ｉｏｕｔの最大値、最小値はＩＦによ
ってコントロールでき、Ｉｏｕｔの最小値が暗電流より
十分大きい値をとるように設定する。

【００３６】（実施例１）図３に実施例１の回路図を示
す。

【００３７】被検定電圧Ｖ１はまず、抵抗Ｒ１を経て基
準電圧発生用の定電圧ダイオードＤ１のアノードに印加
され、ＶＡが約０．５［Ｖ］のＶｒｅｆに固定され、オ
ペアンプ（コンパレータ）Ｏｐの負入力に印加される。 一方、被検定電圧Ｖ１はまた、抵抗Ｒ２，Ｒ３で分圧さ
れ、電圧ＶＢがオペアンプＯｐの正入力に印加される。 さらに、Ｖ１はＲ４を経てオペアンプＯｐの電源となる
。オペアンプＯｐは非常に自己消費電力が小さく、低電
圧でも動作するマイクロパワーオペアンプ（例えば、Ｎ
ＥＣ社製μｐｃ４２５０Ｇ）を用いることが好ましい。

【００３８】なお、トランジスタのエミッタ−ベース間
の電圧ＶＥＢは全て０．５［Ｖ］である。

【００３９】ＶＡ＞ＶＢの時、オペアンプＯｐの出力Ｖ
ＣはＬｏｗであり、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が共に
オフになるのでフォトカプラ９の発光ダイオード９ａに
電流は流れない。

【００４０】ＶＡ＜ＶＢの時、ＶＣがＨｉｇｈ（オペア
ンプＯｐの動作電圧Ｖｃｃは０．８［Ｖ］程度）でトラ
ンジスタＴｒ１、Ｔｒ２が共にオンになり、フォトカプ
ラ９の発光ダイオード９ａのアノードにＶ１が印加され
る。この時、抵抗Ｒ８を経て、定電圧ダイオードＤ２，
Ｄ３に電圧が印加され、ＶＤは約１．０［Ｖ］に固定さ
れる。ＶＤ，ＶＥ間はトランジスタＴｒ３のエミッタ−
ベース間の電圧ＶＥＢ３（≒０．５［Ｖ］）で一定とな
り、ＶＥは約０．５［Ｖ］に固定される。トランジスタ
Ｔｒ３のエミッタ電流であるＩＥは、 ＩＥ　＝　ＶＥ／Ｒ９ となり、略コレクタ電流に等しいので、発光ダイオード
９ａにＩＥの電流が流れる。

【００４１】なお、実施例１の抵抗値は、例えば、Ｒ１
＝５６［ｋΩ］，Ｒ２＝１００［ｋΩ］，Ｒ３＝２２［
ｋΩ］、Ｒ４＝１［ｋΩ］，Ｒ５＝１００［ｋΩ］，Ｒ
６＝２２０［ｋΩ］，Ｒ７＝２２０［ｋΩ］，Ｒ８＝１
００［ｋΩ］，Ｒ９＝１．５［ｋΩ］，Ｒ１０＝５６０
［ｋΩ］，Ｒ１１＝４６［ｋΩ］，Ｒ１２＝２３［ｋΩ
］，Ｒ１３＝１０［ｋΩ］である。これらの抵抗値では
、発光ダイオード９ａに０．１８［ｍＡ］の電流が流れ
、また全消費電流は０．３［ｍＡ］程度である。

【００４２】そのため、フォトカプラ９のフォトトラン
ジスタ９ｂに少なくとも１０［μＡ］の電流が流れるた
め、出力電流検出回路１２において、フォトトランジス
タ９ｂに流れる電流値が５［μＡ］以下ではＶＧがＨｉ
ｇｈ、１０［μＡ］以上ではＶＧがＬｏｗ、となるよう
に上述の如く、抵抗値が選定されている。

【００４３】従って、Ｖ１＜２．０［Ｖ］でＶＡ＞ＶＢ
となり、ＶＧはＨｉｇｈ（ＶＨはＬｏｗ）　、Ｖ１＞３
．０［Ｖ］でＶＡ＜ＶＢとなり、ＶＧはＬｏｗ（ＶＨは
Ｈｉｇｈ）となる。

【００４４】（実施例２）図４に実施例２の回路図を示
す。

【００４５】この回路では、トランジスタＴｒ８，抵抗
Ｒ１９，定電圧ダイオードＤ４は電圧検定回路１０と定
電流電源回路１１において、共用の基準電圧となってい
る。

【００４６】被検定電圧Ｖ１は抵抗Ｒ１９とダイオード
Ｄ４に印加され、基準電圧ＶＢは定電圧ダイオードＤ４
の順方向電圧降下分の約０．５［Ｖ］に固定される。一
方、Ｖ１はまた、抵抗Ｒ１４，Ｒ１５で分圧され、ＶＡ
を得る。

【００４７】なお、トランジスタのエミッタ−ベース間
の電圧ＶＥＢは全て０．５［Ｖ］である。

【００４８】ｉ）ＶＡ　＜　ＶＢのときトランジスタＴ
ｒ７のエミッタ−ベース間の電圧をＶＥＢ７とすると、
ＶＣ　＝　ＶＡ　＋　ＶＥＢ７ であり、ＶＥＢ７は０．５［Ｖ］であるため、ＶＣ　＝
　ＶＡ　＋　０．５ であるから、トランジスタＴｒ８のエミッタ−ベース間
の電圧をＶＥＢ８とすると、 ＶＣ　−　ＶＢ　＝　ＶＥＢ８　＜　０．５である。即
ち、ＶＥＢ８は０．５［Ｖ］よりも小さくなるため、ト
ランジスタＴｒ８，Ｔｒ９は共にオフとなり、フォトカ
プラ９の発光ダイオード９ａに電流は流れない。そして
この時、フォトカプラ９のフォトトランジスタ９ｂはオ
フしており、トランジスタＴｒ１１のエミッタ−ベース
間、トランジスタＴｒ１０のエミッタ−ベース間を通っ
て抵抗Ｒ２１に電流が流れるので、トランジスタＴｒ１
０，Ｔｒ１１がオンし、ＶＧはＨｉｇｈになり、トラン
ジスタＴｒ１２がオンするので、ＶＨはＬｏｗになる。

【００４９】ｉｉ）ＶＡ　＞　ＶＢのときＶＣ　＝　Ｖ
Ｂ　＋　０．５ となり、逆にトランジスタＴｒ７がオフする。ＶＣは約
１．０［Ｖ］であり、トランジスタＴｒ７はオンしてい
るから、トランジスタＴｒ８のコレクタとエミッタは同
電位となるため、 ＶＤ　≒　１．０ になる。よってＶＥはトランジスタＴｒ９のエミッタ−
ベース間の電圧ＶＥＢ９を引いた値で、略０．５［Ｖ］
になり、 ＩＦ　＝　ＶＥ／Ｒ２０ の電流がトランジスタＴｒ９のエミッタ及びコレクタに
流れて発光ダイオードをオンする。

【００５０】この時、フォトカプラ９のフォトトランジ
スタ９ｂに少なくとも１０［μＡ］の電流が流れ、ＶＦ
がほぼ５［Ｖ］になる。すると、トランジスタＴｒ１０
，Ｔｒ１１のエミッタ−ベース間に電流が流れないので
、トランジスタＴｒ１０，Ｔｒ１１はオフになり、ＶＧ
はＬｏｗ、ＶＨはＨｉｇｈになる。

【００５１】なお、実施例２の抵抗値は、例えば、Ｒ１
４＝２４０［ｋΩ］，Ｒ１５＝５６［ｋΩ］，Ｒ１６＝
２７０［ｋΩ］，Ｒ１７＝２２０［ｋΩ］，Ｒ１８＝２
２０［ｋΩ］，Ｒ１９＝１００［ｋΩ］，Ｒ２０＝１．
８［ｋΩ］，Ｒ２１＝５６０［ｋΩ］，Ｒ２２＝４６［
ｋΩ］，Ｒ２３＝２３［ｋΩ］である。

【００５２】（実施例３）上述に実施例では、図５（ａ
）（ｂ）に示す如く、発光ダイオード９ａとフォトトラ
ンジスタ９ｂを有するフォトカプラ９を用いている。本
実施例の特徴は、このフォトカプラ９の代わりに、請求
項６及び図６に記載の光スイッチング素子１３を用いた
点にある。この光スイッチング素子１３は発光ダイオー
ド１３ａとフォトトランジスタ１３ｂの間に液晶板１３
ｃが挿入される構造になっている。この液晶板１３ｃは
印加電圧値に応じて光を遮る割合（遮光度）が変化する
ため、図７の如く、親機１の電源部分８とモニターＴＶ
ユニット７の接合部に、この光スイッチング素子１３を
用い、接続ライン３ａ，３ｂに５．５［Ｖ］が印加され
る場合は、光を遮断し、１．５［Ｖ］では、光を透過す
るよう、抵抗Ｒ１，Ｒ２の値を調節すればよい。ＩＦは
１．０［μＡ］以下でも十分であるから、（Ｒ１＋Ｒ２
）は十分大きな値にすればよい。

【００５３】図６の光スイッチング素子１３は液晶板１
３ｃもモ−ルドした一体型であるが、図８に示すように
、発光ダイオード１３ａとフォトトランジスタ１３ｂの
間に空間を設けた素子（例えば、フォトインタラプタ）
に液晶板１３ｃを出入自在とする構造にしてもよい。こ
のようにすることで、液晶板１３ｃが劣化した場合でも
、容易に交換することができる。

【００５４】さらに、この光スイッチング素子１３の発
光ダイオード１３ａを点滅させてディジタル若しくはア
ナログ信号をフォトトランジスタ１３ｂ側へ伝え、液晶
板１３ｃでマスキングを行うというような使用も可能で
ある。

【００５５】なお、本実施例では、作動しているモニタ
ーＴＶユニット７を停止させる場合を例示したが、作動
させるときも同様である。例えば、子機２で呼出ボタン
４が押されると、接続ライン３ａ，３ｂの２線間は短絡
され、電圧が下がる。この時の電圧降下を検出するため
の回路を、上述の実施例と同様に構成し、モニターＴＶ
ユニット７を作動させればよい。

【００５６】

【発明の効果】本発明は上述の如く構成されているため
、比較的出力インピーダンスが大きい直流電源電圧回路
の出力電圧が、高レベル点と低レベル点に変化し、フォ
トカプラを介してこの電圧変化を検定する場合において
、従来はフォトカプラ素子のばらつきにより、この２点
間が４〜５［Ｖ］程度必要であったが、本発明では、０
．５［Ｖ］程度の差でも検出することができ、しかもフ
ォトカプラ素子のばらつきによらない。さらにフォトカ
プラの発光ダイオードに流す電流は、被検定電圧の変化
によらず一定で、必要最低限でよく、被検定電圧の電圧
降下は殆どなくすことができる。

【００５７】例えば、ドアホンにモニターＴＶユニット
等の機器を接続する場合に、子機と親機を接続している
ラインの電圧変化を検出して、この機器を作動・停止さ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光結合器回路のブロック図である。

【図２】被検定電圧Ｖ１と検出電流Ｉｏｕｔの関係であ
る。

【図３】光結合器回路の実施例１である。

【図４】光結合器回路の実施例２である。

【図５】フォトカプラの（ａ）要部断面図、（ｂ）要部
透過斜視図である。

【図６】光スイッチング素子の要部断面図である。

【図７】光結合器回路の実施例３である。

【図８】光スイッチング素子の要部断面図である。

【図９】ドアホンの要部概略図である。

【図１０】ドアホンとＴＶモニターユニットとの要部接
続図である。

【図１１】親機とＴＶモニターユニットとの要部接続回
路図である。

【図１２】被検定電圧Ｖ１と検出電流Ｉｏｕｔの関係で
ある。

【図１３】変換効率Ａを考慮した被検定電圧Ｖ１と検出
電流Ｉｏｕｔの関係である。

【符号の説明】

１　　ドアホン親機 ２　　ドアホン子機 ３ａ，３ｂ　　接続ライン ４　　呼出ボタン ５　　受話器 ６　　マイクロホン ７　　モニターＴＶユニット ８　　直流電源回路（親機内） ９　　フォトカプラ ９ａ　　発光ダイオード（発光素子） ９ｂ　　フォトトランジスタ（受光素子）１０　　電圧
検定回路 １１　　定電流電源回路 １２　　出力検出回路 １３　　光スイッチング素子 １３ｃ　　液晶板

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　出力電圧が変化する直流電源回路と、
   前記直流電源回路により駆動し、且つ該直流電源回路の
   電圧変化を検定する電圧検定回路と、前記電圧検定回路
   の検定により作動・停止する定電流電源回路と、前記定
   電流電源回路の作動により発光する発光素子と該発光素
   子の光を受光して作動する受光素子とからなる光結合器
   と、前記光結合器の受光素子の作動・停止により動作す
   る出力検出回路と、を備える光結合器回路。
2. 【請求項２】　　前記電圧検定回路はオペアンプを備え
   、且つ該オペアンプは前記直流電源回路により駆動され
   ることを特徴とする請求項１に記載の光結合器回路。
3. 【請求項３】　　前記電圧検定回路は差動アンプを備え
   ることを特徴とする請求項１に記載の光結合器回路。
4. 【請求項４】　　前記電圧検定回路の基準電圧と前記定
   電流電源回路の基準電圧を共用することを特徴とする請
   求項１〜３に記載の光結合器回路。
5. 【請求項５】　　出力電圧が変化する直流電源回路と、
   定電流電源回路と、該定電流電源回路により発光する発
   光素子と該発光素子の光を受光して動作する受光素子と
   からなる光結合器と、前記光結合器の発光素子と受光素
   子の間に位置し、且つ前記直流電源回路の出力電圧が印
   加される遮光素子と、前記光結合器の受光素子の出力を
   検出する出力検出回路と、を備え、前記遮光素子は印加
   電圧の変化に応じて遮光度が変化することを特徴とする
   光結合器回路。
6. 【請求項６】　　発光素子と、該発光素子の光を受光す
   る受光素子と、前記発光素子と受光素子の間に位置し、
   且つ電圧が印加される遮光素子と、を備え、前記遮光素
   子は印加電圧の変化に応じて遮光度が変化することを特
   徴とする光スイッチング素子。