JPH04313882A - Record control system for memory card - Google Patents

Record control system for memory card

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Publication number
JPH04313882A
JPH04313882A JP3106434A JP10643491A JPH04313882A JP H04313882 A JPH04313882 A JP H04313882A JP 3106434 A JP3106434 A JP 3106434A JP 10643491 A JP10643491 A JP 10643491A JP H04313882 A JPH04313882 A JP H04313882A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory card
storage
storage area
eeprom
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3106434A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mikio Watanabe
幹夫 渡辺
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP3106434A priority Critical patent/JPH04313882A/en
Publication of JPH04313882A publication Critical patent/JPH04313882A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a storage control system for a memory card being contrived the holding of the life of the memory card using an EEPROM and the simplification of the system structure. CONSTITUTION:The data region 17 of the EEPROM is divided into a storage unit consisting of a cluster 18 being a minimum control region of an image data recording and a header 20 storing a control information of respective data and the header 20 is written at a data writing time to the cluster 18. In the case of the data read-out, the data of the cluster 18 is read-out by retrieving each header 20. At the data writing time, the rewriting of the control region, namely the rewriting accompanied with the erase is not present, so such an inconvenience does not occur that the rewriting number of the control region is larger than it of the data region and the life of the memory card can be held. Besides a large capacity of memory at the erase time at the system side can be omitted and the processing step can be simplified.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、たとえば、画像データ
や文字データ等のデータを記憶するメモリカードの記憶
管理方式に係り、特に、EEPROMを備えたメモリカ
ードの記録管理方式に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a storage management system for a memory card that stores data such as image data and character data, and more particularly to a storage management system for a memory card equipped with an EEPROM.

【0002】0002

【従来の技術】近年、電子スチルカメラ等の画像データ
やワードプロセッサ等の文字データを記録する媒体とし
て、フロッピディスクに代わり半導体メモリを用いた、
より小型なメモリカードが使用されるようになってきた
[Prior Art] In recent years, semiconductor memories have been used in place of floppy disks as media for recording image data in electronic still cameras and character data in word processors.
Smaller memory cards have come into use.

【0003】従来、このようなメモリカードには、高速
な読み出しおよび書き込みを行なうことができるスタテ
ィックRAM(以下、SRAMと記す) が用いられて
いた。しかしながら、このSRAMは、揮発性の半導体
メモリであるので、メモリカード内にバックアップ用の
電池が必要となり、また、画像データのように大容量の
データを記憶するものになると高価となって、メモリカ
ードの値段が高くなるという問題があった。
Conventionally, such memory cards have used static RAM (hereinafter referred to as SRAM) which can perform high-speed reading and writing. However, since this SRAM is a volatile semiconductor memory, it requires a backup battery inside the memory card, and when storing large amounts of data such as image data, it becomes expensive and the memory The problem was that the card prices were high.

【0004】そこで、近年、安価でしかもバックアップ
電池の必要がない不揮発性の半導体メモリであるEEP
ROM(電気的に消去・再書き込み可能な読出専用メモ
リ)をメモリカードに採用することが検討されている。 このEEPROMは、その記憶期間が電池無しで10年
間以上と優れており、近年ではSRAMに匹敵する読み
出しおよび書き込み速度を備えるようになって、しかも
その値段がSRAMの4分の1程度のものが開発されて
いる。
Therefore, in recent years, EEP, which is a non-volatile semiconductor memory that is inexpensive and does not require a backup battery, has been developed.
The use of ROM (electrically erasable/rewritable read-only memory) in memory cards is being considered. This EEPROM has an excellent storage life of more than 10 years without batteries, and in recent years has come to have read and write speeds comparable to SRAM, and is about one-fourth the price of SRAM. being developed.

【0005】ところで、メモリカードの記憶媒体に記憶
されたデータを効率良く読み出しおよび書き込みを行な
うために、各種のメモリカードの記憶管理方式が提案さ
れていた。たとえば、特願平1−317796号のメモ
リカードの記憶管理方式や、特願平1−326118号
の画像記録および再生装置に適用された記憶管理方式等
があった。
By the way, various memory card storage management systems have been proposed in order to efficiently read and write data stored in the storage medium of a memory card. For example, there is a storage management system for a memory card disclosed in Japanese Patent Application No. 1-317796, and a storage management system applied to an image recording and reproducing apparatus disclosed in Japanese Patent Application No. 1-326118.

【0006】これらの記憶管理方式では、記録媒体の記
憶領域が、データを記憶するためのデータ記憶領域と、
これらの管理情報を記憶するための管理情報記憶領域と
に区分されていた。この方式において、データの読み出
しを行なう場合には、管理情報記憶領域から管理情報を
読み出して参照し、これによりデータ記憶領域の該当ア
ドレスにアクセスしてデータを読み出していた。さらに
データの書き込みを行なう場合には、管理情報を管理領
域から読み出して参照することにより、データ領域の空
き領域を探して、これにより所望の空き領域のアドレス
にデータを書き込み、データの書き込み後に管理情報を
書き換えて、その書き換えた管理情報を記録媒体の管理
領域に記憶させていた。
[0006] In these storage management systems, the storage area of the recording medium is divided into a data storage area for storing data, and
It was divided into a management information storage area for storing this management information. In this method, when reading data, the management information is read out from the management information storage area and referenced, and the corresponding address in the data storage area is accessed and the data is read out. In addition, when writing data, the management information is read from the management area and referenced to search for an empty area in the data area, and the data is written to the address of the desired empty area, and the data is managed after writing the data. The information was rewritten and the rewritten management information was stored in the management area of the recording medium.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
記憶管理方式では、管理領域に一括して複数データの管
理情報が書き込まれているため、データを書き込むたび
ごとに管理情報を書き換えなければならず、管理領域の
書き換え回数がデータ領域の書き換え回数に比べて多く
なる。したがって、書き換え回数に制限があるEEPR
OMをメモリカードに採用した場合、メモリカードの寿
命が管理領域の書き換え回数によって制限されてしまい
、メモリカードの寿命がきわめて短くなるという問題が
あった。特に、ブロック消去型のEEPROMでは、デ
ータ領域が書き換え回数に達していない使用可能状態で
あるにもかかわらず、管理領域が先に書き換え制限回数
に達してしまい、データの書き込みを行なったが管理情
報の書き込みが行なえず、そのデータを読み出せない無
駄な処理をしてしまうという問題があった。
[Problem to be Solved by the Invention] However, in conventional storage management systems, management information for multiple data is written in a management area at once, so the management information must be rewritten every time data is written. , the number of times the management area is rewritten is greater than the number of times the data area is rewritten. Therefore, EEPR has a limit on the number of rewrites.
When OM is employed in a memory card, the lifespan of the memory card is limited by the number of times the management area can be rewritten, resulting in a problem that the lifespan of the memory card becomes extremely short. In particular, in a block erase type EEPROM, even though the data area is in a usable state where the number of rewrites has not been reached, the management area reaches the rewrite limit first, and although data is written, the management information There was a problem in that the data could not be written and the data could not be read, resulting in unnecessary processing.

【0008】さらに、従来の記憶管理方式においてEE
PROMをメモリカードに採用した場合、EEPROM
では書き換えの際に消去が行なわれるので、管理情報を
システム側にて一時記憶してから管理領域の消去を行な
い、その間にシステム側にて格納した管理情報を書き換
えてから、この管理情報をデータの書き込みにともなっ
てEEPROMに書き込むことが行なわれる。したがっ
て、従来の記憶管理方式にてEEPROMを採用すると
、管理情報の記憶、書き換え等の処理にともなうシステ
ム側の処理工程の複雑化が生じ、またシステムの制御に
も負担がかかるという問題があった。この場合、システ
ム側にEEPROMと同じ容量または管理領域と同じ容
量のバックアップ用のメモリを備え、その書き換えを行
なうための回路を設けるなど、システム側の回路構成が
複雑になるという問題が生じる。 特に、書き換え時に全消去を行なうフラッシュ型EEP
ROMを採用した場合、管理情報の書き換え時に主デー
タもバックしなければならず、処理効率が悪いという問
題があった。
Furthermore, in the conventional storage management system, EE
When PROM is used as a memory card, EEPROM
Since deletion is performed during rewriting, the management information is temporarily stored on the system side, and then the management area is deleted. During this time, the management information stored on the system side is rewritten, and then this management information is transferred to the data. Along with the writing, writing to the EEPROM is performed. Therefore, when EEPROM is used in the conventional storage management method, there is a problem in that the process of storing and rewriting management information on the system side becomes complicated, and it also places a burden on system control. . In this case, a problem arises in that the circuit configuration on the system side becomes complicated, such as by providing a backup memory with the same capacity as the EEPROM or the same capacity as the management area on the system side, and providing a circuit for rewriting the memory. In particular, flash type EEP that performs all erasing when rewriting
When a ROM is used, the main data must also be backed up when rewriting the management information, resulting in a problem of poor processing efficiency.

【0009】本発明はこのような従来技術の欠点を解消
し、EEPROMを用いたメモリカードの寿命を長く保
持することができ、かつシステム側における処理の負担
の軽減、回路構成の簡単化を図ることができるメモリカ
ードの記憶管理方式を提供することを目的とする。
[0009] The present invention eliminates these drawbacks of the prior art, makes it possible to extend the lifespan of a memory card using EEPROM, and reduces the processing burden on the system side and simplifies the circuit configuration. The purpose of the present invention is to provide a memory card storage management method that allows for the storage management of memory cards.

【0010】0010

【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、記憶素子として電気的に消去および再書
込可能なEEPROMを備えたメモリカードに、データ
とともにその管理情報を記憶させるメモリカードの記憶
管理方式において、EEPROMの記憶領域は、所定の
記憶容量を有する複数の記憶領域に区分されて、これら
区分されたそれぞれの記憶領域には、その記憶領域に記
憶されるデータの管理情報を記憶するためのヘッダ部が
それぞれ形成されて、それぞれの記憶領域のデータをア
クセスする場合には、それぞれの記憶領域の前記ヘッダ
部を検索して参照することにより、データをアクセスす
るための情報を得て、この情報に基づいて、それぞれの
ヘッダ部を含む記憶領域ごとにアクセスすることを特徴
とする。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the above-mentioned problems, the present invention stores management information together with data in a memory card equipped with an electrically erasable and rewritable EEPROM as a storage element. In a memory card storage management system, the storage area of an EEPROM is divided into a plurality of storage areas each having a predetermined storage capacity, and each of these storage areas has a management function for data stored in that storage area. When a header section for storing information is formed and data in each storage area is accessed, the header section for accessing the data is searched and referenced for each storage area. The method is characterized in that information is obtained and, based on this information, each storage area including each header section is accessed.

【0011】この場合、ヘッダ部を含む記憶領域のそれ
ぞれの容量はブロック消去型EEPROMの消去単位と
同一容量を有するように構成するとよい。
In this case, it is preferable that each storage area including the header section has the same capacity as the erase unit of the block erase type EEPROM.

【0012】また、ヘッダ部には、データの記録に際し
てそれぞれの記憶領域ごとにそのデータを識別するため
のデータナンバーを随時書き込むとよい。
[0012] Furthermore, it is preferable to write a data number in the header section at any time to identify the data for each storage area when recording data.

【0013】一方、この発明のメモリカードシステムは
、記憶素子として電気的に消去および再書込可能なEE
PROMを備えたメモリカードを記録媒体として用いる
メモリカードシステムにおいて、メモリカードのEEP
ROMの記憶領域が、それぞれ管理情報が書き込まれる
ヘッダ部を含む所定の容量の複数の記憶エリアに区分さ
れて、このメモリカードが装着されるシステムが、メモ
リカードに送り出すデータ量がEEPROMにおける区
分された記憶エリアのそれぞれのデータ記憶容量に達し
たか否かをカウントするデータ量カウント手段と、この
データ量カウント手段のカウント結果に基づいて、それ
ぞれの記憶エリアのヘッダ部へ管理情報を書き込むヘッ
ダ書込手段とを備えたことを特徴とする。
On the other hand, the memory card system of the present invention uses electrically erasable and rewritable EE as a memory element.
In a memory card system that uses a memory card equipped with a PROM as a recording medium, the EEP of the memory card is
The storage area of the ROM is divided into a plurality of storage areas of a predetermined capacity each including a header section in which management information is written, and the system into which this memory card is installed determines the amount of data to be sent to the memory card according to the division in the EEPROM. data amount counting means for counting whether the data storage capacity of each storage area has been reached; and a header writing for writing management information into the header section of each storage area based on the count result of the data amount counting means. It is characterized by comprising a means for loading.

【0014】さらに、この発明のメモリカードは、記憶
素子として電気的に消去および再書込可能なEEPRO
Mを備え、データとともにその管理情報を記憶するメモ
リカードにおいて、EEPROMが、ヘッダ部をそれぞ
れ含む所定の記憶容量を有する複数の記憶エリアに区分
された記憶領域を有し、システム側から供給された制御
信号およびアドレスに基づいて、記憶エリアのスタート
アドレスを選択するためのスタートアドレス選択信号を
発生する制御手段を備え、このスタートアドレス選択信
号に基づいて、以降のアドレスを歩進することにより、
記憶領域の各記憶エリアごとにデータをアクセスことを
特徴とする。
Furthermore, the memory card of the present invention uses electrically erasable and rewritable EEPRO as a storage element.
In the memory card which stores management information along with data, the EEPROM has a storage area divided into a plurality of storage areas each having a predetermined storage capacity including a header section, and is supplied from the system side. The storage area includes a control means for generating a start address selection signal for selecting a start address of the storage area based on the control signal and the address, and increments subsequent addresses based on the start address selection signal.
It is characterized in that data is accessed for each storage area of the storage area.

【0015】[0015]

【作用】本発明におけるメモリカードの記憶管理方式に
よれば、メモリカードのEEPROMのデータ領域は、
たとえば、画像データの最小管理領域であるクラスタと
、クラスタの管理情報が書き込まれるヘッダ部とからな
る記憶単位で構成される。データを書き込む場合は、既
に書き込まれているほかのクラスタのヘッダ部を順に検
索して、ヘッダ部が書き込まれていない領域を検出する
ことにより、その領域にデータを書き込む。これにとも
ないその領域のヘッダ部に管理情報を書き込む。これに
より、管理領域の消去をともなわないデータの書き込み
を行ない得る。
[Operation] According to the memory card storage management system of the present invention, the data area of the EEPROM of the memory card is
For example, it is composed of a storage unit consisting of a cluster, which is the minimum management area for image data, and a header section in which management information for the cluster is written. When writing data, the header sections of other clusters that have already been written are searched in order to find an area where no header section has been written, and then the data is written to that area. Along with this, management information is written in the header section of that area. Thereby, data can be written without erasing the management area.

【0016】データを読み出す場合は、ヘッダ部を検索
することにより、所望のデータの領域を検出して、その
データを読み出す。この場合、データ識別のためのデー
タナンバーを検索することによりさらに短時間にデータ
を検索し得る。
When reading data, a desired data area is detected by searching the header section, and the data is read out. In this case, data can be retrieved in a shorter time by searching for a data number for data identification.

【0017】[0017]

【実施例】次に添付図面を参照して本発明によるメモリ
カードの記録管理方式の一実施例を詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of a memory card record management system according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0018】図4は、本発明の一実施例におけるメモリ
カードシステムの概略構成を示す図である。この図にお
いてホスト装置12は、電子スチルカメラなどの画像記
録装置であり、メモリカード10を記録媒体として使用
する。メモリカード10は、フラッシュ消去型のEEP
ROM(電気的に消去および再書き込み可能なメモリ)
を記憶素子として備えている。ホスト装置12は、メモ
リカード10にデータを書き込み、メモリカード10に
記録したデータを読み出すためのインタフェース部14
を備えている。ホスト装置12のインタフェース部14
とメモリカード10との間は、バス16を介して接続さ
れるI/O バス方式が採用されている。たとえば、J
EIDA (日本電子工業振興協会)のICメモリカー
ドガイドラインにて提案されている24ピン構成のI/
Oバス等が採用されている。
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a memory card system according to an embodiment of the present invention. In this figure, a host device 12 is an image recording device such as an electronic still camera, and uses a memory card 10 as a recording medium. The memory card 10 is a flash erase type EEP.
ROM (Electrically Erasable and Rewritable Memory)
is provided as a memory element. The host device 12 includes an interface unit 14 for writing data to the memory card 10 and reading data recorded in the memory card 10.
It is equipped with Interface unit 14 of host device 12
An I/O bus method is adopted in which the memory card 10 and the memory card 10 are connected via a bus 16. For example, J
The 24-pin configuration proposed in the IC memory card guidelines of EIDA (Japan Electronics Industry Promotion Association)
O bus etc. are adopted.

【0019】メモリカード10は、EEPROMチップ
上に、図1に示すフォーマットの記憶領域17を有する
。記憶領域17は、画像データ記録の最小の管理単位で
あるクラスタ18ごとに、その管理情報が書き込まれる
管理領域であるクラスタ・ヘッド20をそれぞれ備えた
記憶単位MUごとに区分された構成となっている。クラ
スタ1、2、3...には通常一枚の画像を形成する画
像データがそれぞれ格納されるが、一クラスタに格納し
きれない場合は、図1に示すように2つまたは3つの複
数のクラスタに格納される。
The memory card 10 has a storage area 17 in the format shown in FIG. 1 on an EEPROM chip. The storage area 17 is divided into storage units MU each having a cluster head 20, which is a management area in which management information is written, for each cluster 18, which is the smallest management unit for recording image data. There is. Cluster 1, 2, 3. .. .. Normally, image data forming one image is stored respectively, but if it cannot be stored in one cluster, it is stored in two or three clusters as shown in FIG.

【0020】クラスタ・ヘッド20には、それぞれ16
バイトの容量が割り当てられている。その内容は、2バ
イトの画像番号(”0000 ” 〜”FFFE”)と
、各1バイトのカード番号、データ種別、リザーブ領域
、および次のクラスタ番号などが書き込まれる。画像デ
ータ書き込みの際には、1画像内のデータは、クラスタ
番号の若い順番に書き込まれ、画像の再生時には、画像
番号を指定してクラスタ番号順に読み出される。クラス
タ・ヘッド20における次のクラスタNOは、ブロック
消去型のEEPROMにおいて消去範囲をジヤンプさせ
る場合に用いられる。
Each cluster head 20 has 16
Byte capacity is allocated. The contents include a 2-byte image number ("0000" to "FFFE"), a 1-byte card number, data type, reserve area, next cluster number, etc. When writing image data, the data within one image is written in the order of the smallest cluster number, and when reproducing the image, the image number is specified and the data is read out in the order of the cluster numbers. The next cluster number in the cluster head 20 is used to jump the erase range in a block erase type EEPROM.

【0021】EEPROMのデータ領域17は、カード
10がホスト装置12に装着されてホスト装置12の消
去ボタンが押されると、既存の記録を一括消去するフラ
ッシュ消去、または一部分を消去するブロック消去が前
述の記憶単位で行なわれ、EEPROMの特性上、その
初期状態では各ビットがオール”1”である「FFFF
」が書き込まれる。本実施例では、データが書き込まれ
るクラスタ18と、その管理領域であるクラスタ・ヘッ
ド20が、記憶単位MUとして同時に消去される。また
消去範囲はクラスタ・サイズの約数であるので、ブロッ
ク消去の場合に、従来例のように隣接するブロック消去
が重なって、消去回数の多くなる箇所が生じてEEPR
OMの寿命を短くするようなことは起らない。
When the card 10 is inserted into the host device 12 and the erase button of the host device 12 is pressed, the data area 17 of the EEPROM is erased by flash erase, which erases existing records all at once, or block erase, which erases a portion of the data. Due to the characteristics of EEPROM, in its initial state, each bit is all "1" (FFFF).
" is written. In this embodiment, the cluster 18 into which data is written and the cluster head 20, which is its management area, are simultaneously erased as a storage unit MU. In addition, since the erase range is a divisor of the cluster size, in the case of block erase, there are areas where adjacent block erases overlap as in the conventional example, resulting in a large number of erases, resulting in an increase in EEPR.
Nothing that shortens the life of the OM will occur.

【0022】図2は、この実施例におけるメモリカード
10の機能ブロックを示す図である。この図において、
メモリカード10は、データ領域17がそれぞれ形成さ
れる複数のEEPROMチップ20,21 ・・・と、
デコーダ24と、ホスト装置12から供給されるデータ
信号D0〜D7のうちアドレスが入力される 24 ビ
ットのアドレスカウンタ26と、ホスト装置12からバ
ス16を介してリード信号RD、ライト信号WR、およ
びデータ識別信号A0,A1が入力されるコントロール
デコーダ28とを有する。
FIG. 2 is a diagram showing functional blocks of the memory card 10 in this embodiment. In this diagram,
The memory card 10 includes a plurality of EEPROM chips 20, 21, each having a data area 17 formed therein, and
A decoder 24 and a 24-bit address counter 26 to which addresses are input from among the data signals D0 to D7 supplied from the host device 12, a read signal RD, a write signal WR, and data from the host device 12 via the bus 16. It has a control decoder 28 to which identification signals A0 and A1 are input.

【0023】コントロール・デコーダ22は、図5に示
すようにライト信号WR、およびデータ識別信号A0,
A1が入力されると、スタート・アドレス信号S1、ク
ロックCKをアドレス・カウンタ26に出力し、複数の
チップ20,21・・・にライトイネーブル信号WEを
出力するコントロール信号発生回路である。データ識別
信号A0,A1 は、ともに低レベル「LL」の場合に
アドレスの下位バイトの入力を示し、「HL」の場合に
アドレスの中位バイトを示し、「LH」の場合にアドレ
スの上位バイトを示し、さらに「HH」の場合にデータ
の入力を示す。
As shown in FIG. 5, the control decoder 22 receives the write signal WR and the data identification signals A0,
When A1 is input, the control signal generating circuit outputs the start address signal S1 and clock CK to the address counter 26, and outputs the write enable signal WE to the plurality of chips 20, 21, . . . Data identification signals A0 and A1 both indicate input of the lower byte of the address when they are at low level "LL", indicate the middle byte of the address when they are "HL", and indicate the upper byte of the address when they are "LH". , and further indicates data input in the case of "HH".

【0024】アドレス・カウンタ26は、入力されるデ
ータ信号D0〜D7のうちのアドレス、スタート・アド
レス信号S1、およびクロックCKにより、アドレス信
号A0〜17、デコード信号S2をデコーダ24に出力
する。デコーダ24は、複数のチップの一つ、たとえば
、チップ20を選択するチップイネーブル信号CEを出
力する。チップ20は、チップイネーブル信号の入力に
よりイネーブルとなり、アドレス信号A0〜17を識別
し、ライトコマンドを検出して、ライトコマンドの次に
送られてくるデータを指定のアドレスに書き込む。続く
データの書き込みは、10μs 間隔でアドレスをイン
クリメントして行なわれる。データの書き込みは8ビッ
トすなわち1バイト毎に行なわれる。
Address counter 26 outputs address signals A0-17 and decode signal S2 to decoder 24 based on the address of input data signals D0-D7, start address signal S1, and clock CK. Decoder 24 outputs a chip enable signal CE that selects one of the plurality of chips, for example chip 20. The chip 20 is enabled by inputting a chip enable signal, identifies address signals A0 to A17, detects a write command, and writes data sent after the write command to a designated address. Subsequent data writing is performed by incrementing the address at 10 μs intervals. Data is written in units of 8 bits, ie, 1 byte.

【0025】図6のデータ・リードサイクルにおいて、
メモリカード10のコントロール・デコーダ22は、リ
ード信号RD、およびデータ識別信号A0,A1が入力
されると、スタート・アドレス信号S1,クロックCK
をアドレス・カウンタ26に出力し、複数のチップにア
ウトイネーブル信号OEを出力する。アドレス・カウン
タ26は、入力されるアドレスD0〜D7、スタート・
アドレス信号S1、およびクロックCKにより、アドレ
ス信号A0〜17、デコード信号S2をデコーダ24に
出力する。デコーダ24は、複数のチップの一つ、たと
えば、チップ20を選択するチップイネーブル信号CE
を出力する。チップ20は、チップイネーブル信号の入
力によりイネーブルとなり、アドレス信号A0〜17を
識別し、リードコマンドを検出し、次に、リード信号R
Dのタイミングにより、指定のアドレスからデータD0
〜D7を連続して読み出す。
In the data read cycle of FIG.
When the control decoder 22 of the memory card 10 receives the read signal RD and the data identification signals A0 and A1, it outputs the start address signal S1 and the clock CK.
is output to the address counter 26, and an out enable signal OE is output to a plurality of chips. Address counter 26 includes input addresses D0 to D7, start and
Address signals A0 to A17 and a decode signal S2 are output to the decoder 24 based on the address signal S1 and clock CK. The decoder 24 receives a chip enable signal CE that selects one of the plurality of chips, for example, the chip 20.
Output. The chip 20 is enabled by inputting a chip enable signal, identifies address signals A0 to A17, detects a read command, and then outputs a read signal R.
Data D0 is sent from the specified address according to the timing of D.
~D7 are read continuously.

【0026】図7のカード消去モードにおいて、メモリ
カード10は、ライト信号WR、消去コマンドD0〜D
7を入力されると、9.5ms でチップ単位の消去を
行なう。
In the card erase mode shown in FIG. 7, the memory card 10 receives the write signal WR and erase commands D0 to D.
When 7 is input, erasing is performed in chip units in 9.5 ms.

【0027】図3は、ホスト装置12に設けられたイン
タフェース部14の構成を示すブロック図である。イン
タフェース部14は、画像データの圧縮処理等のデータ
処理を行なうコーダ(CODER)18 とバス16と
の間に介在して、コーダ18から送り出されるデータを
システムコントローラ(図示略)の制御に基づいてメモ
リカード10へ供給するI/O インタフェース回路で
ある。このインタフェース部14は、制御信号セレクタ
30と、データセレクタ32と、タイミングコントロー
ラ34と、2つのRAM (ランダムアクセスメモリ)
36、38 と、データ量カウンタ40と、タイマー4
2と、ベリファイ回路44とを備えている。
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the interface section 14 provided in the host device 12. As shown in FIG. The interface unit 14 is interposed between the bus 16 and a coder 18 that performs data processing such as compression processing of image data, and processes data sent from the coder 18 under the control of a system controller (not shown). This is an I/O interface circuit that supplies data to the memory card 10. This interface section 14 includes a control signal selector 30, a data selector 32, a timing controller 34, and two RAMs (random access memories).
36, 38, data amount counter 40, and timer 4
2 and a verify circuit 44.

【0028】制御信号セレクタ30は、タイミングコン
トローラ34から送出されるセレクト信号に基づいて、
同回路34を介して送出されるリード信号RD、ライト
信号WR、およびデータ識別信号A0,A1をバス16
に選択的に出力するセレクタである。
The control signal selector 30, based on the select signal sent from the timing controller 34,
The read signal RD, write signal WR, and data identification signals A0 and A1 sent through the same circuit 34 are sent to the bus 16.
This is a selector that selectively outputs.

【0029】2つのRAM は、EEPROMコマンド
の各種コマンドを記憶したコマンドRAM36 とヘッ
ダ情報を格納するヘッダRAM38 とからなる。これ
らはそれぞれ、システムコントローラから送出される制
御信号に基づいてライト、消去などのコマンド、および
ヘッダ情報が読み出され、または書き込みが行なわれる
。データセレクタ32はコマンドRAM36 から読み
出されたコマンド、ヘッダRAM 38から読み出しま
たは書き込まれるヘッダ情報、コーダから送出された送
信データCDT0〜7または受信データCDV0〜7 
を、バス16の双方向データバスD0〜7 に選択的に
出力、または双方向データバスの入力を選択的に各部へ
出力するセレクタである。セレクト信号はタイミングコ
ントローラ34から供給される。
The two RAMs are a command RAM 36 that stores various EEPROM commands and a header RAM 38 that stores header information. Commands such as write and erase commands and header information are read or written based on control signals sent from the system controller, respectively. The data selector 32 includes commands read from the command RAM 36, header information read or written from the header RAM 38, and transmission data CDT0-7 or reception data CDV0-7 sent from the coder.
This is a selector that selectively outputs the data to the bidirectional data buses D0 to D7 of the bus 16, or selectively outputs the input of the bidirectional data bus to each section. The select signal is supplied from the timing controller 34.

【0030】データ量カウンタ40は、コーダ18から
タイミングコントローラ34へ送出される制御信号CD
R,CWR をモニタして、コーダ18から送出、また
は読み込まれるデータ量をカウントしてEEPROMの
各クラスタの容量8Kバイトをカウントする度に、タイ
ミングコントローラ34にクラスタの区切りを通知する
カウンタ回路である。タイマー42は、メモリカード1
0で必要とされる図6のライトタイミング10μs ,
図7の消去タイミング9.5ms を生成してタイミン
グコントローラ34に供給して、メモリカード10内で
の動作待ち状態をタイミングコントローラ34に知らせ
る。このタイマー42は、メモリカード10内に備えて
もよく、その場合、メモリカード10からタイミングコ
ントローラ34に破線で示すRDY/BUSY信号を送
り出すようにしてもよい。
The data amount counter 40 receives a control signal CD sent from the coder 18 to the timing controller 34.
This is a counter circuit that monitors R and CWR, counts the amount of data sent or read from the coder 18, and notifies the timing controller 34 of a cluster break every time the capacity of each cluster of the EEPROM is 8K bytes. . The timer 42 is connected to the memory card 1
The write timing in Figure 6 required for 0 is 10 μs,
The erase timing 9.5 ms shown in FIG. 7 is generated and supplied to the timing controller 34 to notify the timing controller 34 of the operation waiting state in the memory card 10. This timer 42 may be provided within the memory card 10, and in that case, the RDY/BUSY signal shown by the broken line may be sent from the memory card 10 to the timing controller 34.

【0031】タイミングコントローラ34は、データ量
カウンタ40, タイマー42からの制御入力を受け、
データセレクタ32、セレクタ制御信号部30へセレク
ト信号を出力するタイミング回路である。データ・ラッ
チ・ベリファイ44は、送信データCDT0〜7を蓄積
し、メモリカード10から返送される読み出しデータC
DV0〜7 と照合チエックする照合回路である。
The timing controller 34 receives control inputs from the data amount counter 40 and the timer 42,
This is a timing circuit that outputs a select signal to the data selector 32 and selector control signal section 30. The data latch verify 44 accumulates transmission data CDT0 to CDT7, and reads data CDT returned from the memory card 10.
This is a verification circuit that performs a verification check with DV0 to DV7.

【0032】動作状態では、ホスト装置12からメモリ
カード10にデータを書き込む場合、コーダ18はコン
トロールライト信号CWR をタイミングコントローラ
34に送り、書き込みデータCDT0〜7 をデータセ
レクタ32に送る。タイミングコントローラ34の制御
により、制御信号セレクタ30はライト信号WR、およ
びデータ識別信号A0,A1を送出し、データセレクタ
32は送信データD0〜7をメモリカード10に送出す
る。メモリカード10が書き込み、および消去のタイミ
ング中を表示するRDY/BSY 信号をホスト装置1
2に出力する場合またはタイマー42にて計時している
ときは、タイミングコントローラ34はコーダ18に送
信停止信号CBSYを出力する。ホスト装置12は書き
込みデータが所定量に達すると、それを読み出し、デー
タ・ラッチ・ベリファイ44により、送受信データの照
合チエックが行われる。
In the operating state, when writing data from the host device 12 to the memory card 10, the coder 18 sends a control write signal CWR to the timing controller 34, and sends write data CDT0-7 to the data selector 32. Under the control of the timing controller 34, the control signal selector 30 sends out the write signal WR and data identification signals A0, A1, and the data selector 32 sends out the transmission data D0-7 to the memory card 10. The host device 1 sends the RDY/BSY signal that indicates when the memory card 10 is writing and erasing.
2 or when the timer 42 is measuring time, the timing controller 34 outputs a transmission stop signal CBSY to the coder 18. When the write data reaches a predetermined amount, the host device 12 reads it, and the data latch verify 44 performs a verification check on the transmitted and received data.

【0033】ホスト装置12がメモリカード10のデー
タを読み出す場合、コーダ18はコントロールリード信
号CWR をタイミングコントローラ34に送出する。 タイミングコントローラ34の制御により、制御信号セ
レクタ30は、リード信号RD、データ識別信号A0,
A1を送出し、データセレクタ32は、メモリカード1
0から読み出された受信データD0〜7 を受信データ
CDV0〜7 としてコーダ18に出力する。
When the host device 12 reads data from the memory card 10, the coder 18 sends a control read signal CWR to the timing controller 34. Under the control of the timing controller 34, the control signal selector 30 outputs the read signal RD, data identification signal A0,
A1 is sent, and the data selector 32 selects the memory card 1.
The received data D0-7 read from 0 are output to the coder 18 as received data CDV0-7.

【0034】以上のようにインタフェース部14が動作
する。この場合、データの読み出しおよび書き込みは、
メモリカード10のデータ領域17におけるそれぞれの
クラスタ18と、そのヘッダ部20とからなる記憶単位
MUごとに行なわれる。すなわち、データを書き込む場
合は、その書き込みに際して、そのクラスタのヘッダを
書き込む。したがって、データの書き込みにともなう管
理情報の書き換え、すなわち消去をともなう書き換えは
行なわれず、管理領域が書き換え制限回数に早く達する
という不都合が解消される。この結果、EEPROMの
寿命が延び、また管理情報の書き換えの際にホスト装置
側にて必要だった大容量のメモリを省くことができ、さ
らに処理工程等の簡単化が達成される。
The interface unit 14 operates as described above. In this case, reading and writing data is
This process is performed for each storage unit MU consisting of each cluster 18 in the data area 17 of the memory card 10 and its header section 20. That is, when writing data, the header of the cluster is written. Therefore, rewriting of management information accompanying data writing, that is, rewriting accompanied by erasure, is not performed, and the inconvenience that the management area quickly reaches the rewriting limit is eliminated. As a result, the life of the EEPROM is extended, the large capacity memory required on the host device side when rewriting management information can be omitted, and processing steps etc. can be simplified.

【0035】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
となく、当業者が容易に変更できる事項は本発明の精神
に逸脱しない限り本発明の範囲内であることは明白であ
る。たとえば、データをアドレスの上位からクラスタ順
に書き込む必要はなく、いずれのクラスタから書き込み
を行なっても良い。また、インタフェース部14をホス
ト装置14から取り外してアダプタとして構成してもよ
い。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, and it is clear that matters that can be easily changed by those skilled in the art are within the scope of the present invention as long as they do not depart from the spirit of the present invention. For example, it is not necessary to write data in the order of clusters starting from the highest address, and data may be written starting from any cluster. Alternatively, the interface unit 14 may be removed from the host device 14 and configured as an adapter.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように本発明におけるメモ
リカードの記憶管理方式によれば、メモリカードのEE
PROMのデータ領域が、たとえば、画像データの最小
管理領域であるクラスタと、クラスタの管理情報が書き
込まれるヘッダ部とからなる記憶単位で構成される。デ
ータを書き込む場合は、既に書き込まれている他のクラ
スタのヘッダ部を順に検索して、ヘッダ部が書き込まれ
ていない領域を検出することにより、その領域にデータ
を書き込むことができる。これにともないその領域のヘ
ッダ部に管理情報を書き込む。したがって、管理領域の
消去をともなわないデータの書き込みを行なうことがで
き、EEPROMの寿命を長く保持することができると
いう効果を奏する。
Effects of the Invention As explained above, according to the memory card storage management system of the present invention, the EE of the memory card can be improved.
The data area of the PROM is composed of, for example, a storage unit consisting of a cluster, which is the minimum management area for image data, and a header section in which management information for the cluster is written. When writing data, by sequentially searching the header sections of other clusters that have already been written and detecting an area in which no header section has been written, data can be written to that area. Along with this, management information is written in the header section of that area. Therefore, data can be written without erasing the management area, and the life of the EEPROM can be extended.

【0037】また、管理情報の書き換えが行なわれない
ため、システム側に大容量のメモリを備える必要がなく
、また、その処理等を省くことができ、システムの簡単
化を図ることができる。
Furthermore, since the management information is not rewritten, there is no need to provide a large capacity memory on the system side, and the processing thereof can be omitted, making it possible to simplify the system.

【0038】さらに、データを読み出す場合は、ヘッダ
部を検索することにより、所望のデータの領域を検出し
て、そのデータを読み出す。この場合、データ識別のた
めのデータナンバーを検索することによりさらに短時間
にデータを検索することができる。
Furthermore, when reading data, a desired data area is detected by searching the header section, and the data is read out. In this case, by searching for a data number for data identification, data can be searched in a shorter time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明のメモリカードの記憶管理方式の一実施
例におけるEEPROMのデータ領域を示すフォーマッ
ト図である。
FIG. 1 is a format diagram showing a data area of an EEPROM in an embodiment of the memory card storage management system of the present invention.

【図2】本発明の一実施例におけるメモリカードを示す
機能ブロック図である。
FIG. 2 is a functional block diagram showing a memory card in one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例におけるホスト装置のインタ
フェース部を示す機能ブロック図である。
FIG. 3 is a functional block diagram showing an interface section of a host device in an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例におけるホスト装置とメモリ
カードとの接続状態を示す概念図である。
FIG. 4 is a conceptual diagram showing a connection state between a host device and a memory card in an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例におけるデータ・ライトサイ
クルを示すタイミングチャートである。
FIG. 5 is a timing chart showing a data write cycle in one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例におけるデータ・リードサイ
クルを示すタイミングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart showing a data read cycle in one embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例におけるカード消去を示すタ
イミングチャートである。
FIG. 7 is a timing chart showing card erasure in one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10  メモリカード 12  ホスト装置 14  インタフェース部 17  データ領域 18  クラスタ 20  クラスタ・ヘッド MU  記憶単位 10 Memory card 12 Host device 14 Interface section 17 Data area 18 Cluster 20 Cluster head MU Memory unit

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  記憶素子として電気的に消去および再
書込可能なEEPROMを備えたメモリカードに、デー
タとともにその管理情報を記憶させるメモリカードの記
憶管理方式において、前記EEPROMの記憶領域は、
所定の記憶容量を有する複数の記憶エリアに区分されて
、これら区分されたそれぞれの記憶エリアには、その記
憶エリアに記憶されるデータの管理情報を記憶するため
のヘッダ部がそれぞれ形成されて、該ヘッダ部への管理
情報の記録は、それぞれの記憶エリアにデータを書き込
む際に行なわれ、データをアクセスする場合には、それ
ぞれの記憶エリアの前記ヘッダ部に記憶された管理情報
を検索して参照することにより、データをアクセスする
ための情報を得て、該情報に基づいて、それぞれのヘッ
ダ部を含む記憶エリアごとにアクセスすることを特徴と
するメモリカードの記録管理方式。
1. In a memory card storage management system in which a memory card equipped with an electrically erasable and rewritable EEPROM as a storage element stores management information together with data, a storage area of the EEPROM comprises:
The storage area is divided into a plurality of storage areas each having a predetermined storage capacity, and each of the divided storage areas is formed with a header section for storing management information of data stored in the storage area. Recording of management information in the header section is performed when writing data to each storage area, and when accessing data, the management information stored in the header section of each storage area is searched. A record management method for a memory card, characterized in that information for accessing data is obtained by referencing the data, and based on the information, access is made for each storage area including each header section.
【請求項2】  請求項1に記載のメモリカードの記憶
管理方式において、前記ヘッダ部を含む記憶エリアのそ
れぞれの容量は、ブロック消去型EEPROMの消去単
位と同一容量を有することを特徴とするメモリカードの
記憶管理方式。
2. The memory card storage management system according to claim 1, wherein each storage area including the header section has the same capacity as an erase unit of a block erase type EEPROM. Card storage management method.
【請求項3】  請求項1または2に記載のメモリカー
ドの記憶管理方式において、前記ヘッダ部には、データ
の記録に際してそれぞれの記憶エリアごとにそのデータ
を識別するためのデータナンバーが書き込まれることを
特徴とするメモリカードの記憶管理方式。
3. The memory card storage management system according to claim 1, wherein a data number is written in the header section to identify the data for each storage area when data is recorded. A memory card storage management method characterized by:
【請求項4】  記憶素子として電気的に消去および再
書込可能なEEPROMを備えたメモリカードを記録媒
体として用いるメモリカードシステムにおいて、前記メ
モリカードのEEPROMの記憶領域は、それぞれ管理
情報が書き込まれるヘッダ部を含む所定の容量の複数の
記憶エリアに区分されて、該メモリカードが装着される
システムは、前記メモリカードに送り出すデータ量が前
記EEPROMにおける区分された記憶エリアのそれぞ
れのデータ記憶容量に達したか否かをカウントするデー
タ量カウント手段と、該データ量カウント手段のカウン
ト結果に基づいて、それぞれの記憶エリアのヘッダ部へ
管理情報を書き込むヘッダ書込手段とを備えたことを特
徴とするメモリカードシステム。
4. In a memory card system that uses a memory card as a recording medium that includes an electrically erasable and rewritable EEPROM as a storage element, management information is written in each storage area of the EEPROM of the memory card. In a system in which a memory card is installed which is divided into a plurality of storage areas of a predetermined capacity including a header part, the amount of data sent to the memory card is equal to the data storage capacity of each of the divided storage areas in the EEPROM. It is characterized by comprising a data amount counting means for counting whether the data amount has been reached, and a header writing means for writing management information into the header part of each storage area based on the count result of the data amount counting means. memory card system.
【請求項5】  記憶素子として電気的に消去および再
書込可能なEEPROMを備え、データとともにその管
理情報を記憶するメモリカードにおいて、前記EEPR
OMは、ヘッダ部をそれぞれ含む所定の記憶容量を有す
る複数の記憶エリアに区分された記憶領域を有し、シス
テム側から供給された制御信号およびアドレスに基づい
て、前記記憶エリアのスタートアドレスを選択するため
のスタートアドレス選択信号を発生する制御手段を備え
、該スタートアドレス選択信号に基づいて、以降のアド
レスを歩進することにより、記憶領域の各記憶エリアご
とにデータをアクセスことを特徴とするメモリカード。
5. A memory card comprising an electrically erasable and rewritable EEPROM as a storage element and storing management information thereof together with data, wherein the EEPR
The OM has a storage area divided into a plurality of storage areas each having a predetermined storage capacity including a header section, and selects the start address of the storage area based on a control signal and address supplied from the system side. The present invention is characterized in that it comprises a control means for generating a start address selection signal to access data in each storage area of the storage area by incrementing subsequent addresses based on the start address selection signal. Memory card.
JP3106434A 1991-04-12 1991-04-12 Record control system for memory card Withdrawn JPH04313882A (en)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07219720A (en) * 1993-10-01 1995-08-18 Hitachi Maxell Ltd Semiconductor memory device and its control method
JPH08147202A (en) * 1994-11-24 1996-06-07 Nec Corp Reloadable rom filing device
US5587948A (en) * 1994-06-17 1996-12-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory with NAND structure memory arrays
KR100300250B1 (en) * 1997-09-09 2001-09-06 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 Semiconductor storage device and data management method therefor
JP2007183713A (en) * 2006-01-04 2007-07-19 Sharp Corp Information processor and information management program

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