JPH04306589A - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents
薄膜ｅｌパネルInfo
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- JPH04306589A JPH04306589A JP3071475A JP7147591A JPH04306589A JP H04306589 A JPH04306589 A JP H04306589A JP 3071475 A JP3071475 A JP 3071475A JP 7147591 A JP7147591 A JP 7147591A JP H04306589 A JPH04306589 A JP H04306589A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パーソナルコンピュ
ータ，ワードプロセッサその他ＯＡ機器などの情報表示
体として使用される薄膜ＥＬ（エレクトロルミネッセン
ス）パネルに関する。
ータ，ワードプロセッサその他ＯＡ機器などの情報表示
体として使用される薄膜ＥＬ（エレクトロルミネッセン
ス）パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜ＥＬパネルは、一般に図７に
示すように構成されている。すなわち、ガラス基板２の
上に、下部透明電極３，下部絶縁層４，発光層５，上部
絶縁層６，上部電極７が順に設けられ、ＥＬ素子部１が
形成されている。このＥＬ素子部１は裏ばりガラス８で
覆われ、ＥＬ素子部１と裏ばりガラス８の隙間に、水分
侵入を防いでＥＬ素子部１の寿命を延ばすために黒色シ
リコーン樹脂１０が満たされている。なお、１１は樹脂
注入用の孔を示し、９，１２はそれぞれシール材，封止
材を示している。詳しくは、上記ＥＬ素子部１は図５お
よび図６（ａ），（ｂ）に示すようにＸＹマトリックス
状に構成されている（図５はＥＬ素子部１の平面パター
ン（ＸＹ面内）を示し、図６（ａ），（ｂ）はそれぞれ
図５におけるＡＡ’線断面、ＢＢ’線断面を示している
。）。すなわち、下部透明電極３と上部電極７とは互い
に直交する向き（ＸＹ方向）にそれぞれストライプ状に
パターン加工されている。一方、下部絶縁層４，発光層
５および上部絶縁層６は積層されたままＸＹ面内で広が
った状態となっている。動作時には、下部透明電極３と
上部電極７との間に所定の電圧が印加され、発光層５の
うち上記下部透明電極３と上部電極７との交差領域（図
５中に斜線を付して表わしている）に存する部分（絵素
）が発光する。絵素が発生した光は、ガラス基板２を通
してパネル外部に取り出される。
示すように構成されている。すなわち、ガラス基板２の
上に、下部透明電極３，下部絶縁層４，発光層５，上部
絶縁層６，上部電極７が順に設けられ、ＥＬ素子部１が
形成されている。このＥＬ素子部１は裏ばりガラス８で
覆われ、ＥＬ素子部１と裏ばりガラス８の隙間に、水分
侵入を防いでＥＬ素子部１の寿命を延ばすために黒色シ
リコーン樹脂１０が満たされている。なお、１１は樹脂
注入用の孔を示し、９，１２はそれぞれシール材，封止
材を示している。詳しくは、上記ＥＬ素子部１は図５お
よび図６（ａ），（ｂ）に示すようにＸＹマトリックス
状に構成されている（図５はＥＬ素子部１の平面パター
ン（ＸＹ面内）を示し、図６（ａ），（ｂ）はそれぞれ
図５におけるＡＡ’線断面、ＢＢ’線断面を示している
。）。すなわち、下部透明電極３と上部電極７とは互い
に直交する向き（ＸＹ方向）にそれぞれストライプ状に
パターン加工されている。一方、下部絶縁層４，発光層
５および上部絶縁層６は積層されたままＸＹ面内で広が
った状態となっている。動作時には、下部透明電極３と
上部電極７との間に所定の電圧が印加され、発光層５の
うち上記下部透明電極３と上部電極７との交差領域（図
５中に斜線を付して表わしている）に存する部分（絵素
）が発光する。絵素が発生した光は、ガラス基板２を通
してパネル外部に取り出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の薄膜ＥＬパネルは、図４に示すように、絵素（発光
層５）が発生した光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のうち、下部絶縁
層４，上部絶縁層６との界面５ａ，５ｂに対して略垂直
な方向の光Ｌ１だけしか取り出せないという問題がある
。上記界面５ａ，５ｂに対して入射角が浅い光Ｌ２や略
平行な光Ｌ３は、これらの界面５ａ，５ｂで全反射を繰
り返しまたは発光層５内を直進した後、やがて発光層５
内で減衰する。これを定量的に評価すると、パネル外部
に取り出される光量（以下「有効光量」という。）は発
光光量全体の１０〜２５％にしかならず、残り７５〜９
０％は発光層内に閉じ込められたまま消滅する（Ｒ．Ｈ
．マウホ（Ｍａｕｃｈ）ほか：“エレクトロルミネッセ
ンス素子の光学的ふるまい”スプリンガ・プロシーディ
ングス・イン・フィジィクス ３８巻 ｐ．ｐ．２
９１−２９５（１９８９））。
来の薄膜ＥＬパネルは、図４に示すように、絵素（発光
層５）が発生した光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のうち、下部絶縁
層４，上部絶縁層６との界面５ａ，５ｂに対して略垂直
な方向の光Ｌ１だけしか取り出せないという問題がある
。上記界面５ａ，５ｂに対して入射角が浅い光Ｌ２や略
平行な光Ｌ３は、これらの界面５ａ，５ｂで全反射を繰
り返しまたは発光層５内を直進した後、やがて発光層５
内で減衰する。これを定量的に評価すると、パネル外部
に取り出される光量（以下「有効光量」という。）は発
光光量全体の１０〜２５％にしかならず、残り７５〜９
０％は発光層内に閉じ込められたまま消滅する（Ｒ．Ｈ
．マウホ（Ｍａｕｃｈ）ほか：“エレクトロルミネッセ
ンス素子の光学的ふるまい”スプリンガ・プロシーディ
ングス・イン・フィジィクス ３８巻 ｐ．ｐ．２
９１−２９５（１９８９））。
【０００４】そこで、この発明の目的は、電極および発
光層の構造に工夫を施すことにより、信頼性を損なうこ
となく有効光量を飛躍的に高めることができ、したがっ
て高輝度化および低消費電力化を実現することができる
薄膜ＥＬパネルを提供することにある。
光層の構造に工夫を施すことにより、信頼性を損なうこ
となく有効光量を飛躍的に高めることができ、したがっ
て高輝度化および低消費電力化を実現することができる
薄膜ＥＬパネルを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、ガラス基板上に、ストライプ状に加工
された透明層からなる下部電極と、発光層と、上記下部
電極に対して交差する向きにストライプ状に加工された
金属層からなる上部電極を順に備え、上記両電極間に電
圧を印加して上記発光層のうち上記両電極の交差領域に
存する部分に光を発生させ、この光を上記ガラス基板を
通してパネル外部に取り出すようにした薄膜ＥＬパネル
において、上記発光層は上記両電極の交差領域ごとにメ
サ状に分割され、上記分割された発光層のメサ斜面に、
この発光層内で発生した光を反射する反射部材が設けら
れていることを特徴としている。
に、この発明は、ガラス基板上に、ストライプ状に加工
された透明層からなる下部電極と、発光層と、上記下部
電極に対して交差する向きにストライプ状に加工された
金属層からなる上部電極を順に備え、上記両電極間に電
圧を印加して上記発光層のうち上記両電極の交差領域に
存する部分に光を発生させ、この光を上記ガラス基板を
通してパネル外部に取り出すようにした薄膜ＥＬパネル
において、上記発光層は上記両電極の交差領域ごとにメ
サ状に分割され、上記分割された発光層のメサ斜面に、
この発光層内で発生した光を反射する反射部材が設けら
れていることを特徴としている。
【０００６】また、上記メサ斜面は上記両電極の交差領
域の周囲に形成され、上記反射部材は、上記上部電極と
同一の金属層からなるのが望ましい。
域の周囲に形成され、上記反射部材は、上記上部電極と
同一の金属層からなるのが望ましい。
【０００７】さらに、上記反射部材と上記上部電極との
隙間は、上記上部電極と下部電極との間隔の１０倍以上
に設定されているのが望ましい。
隙間は、上記上部電極と下部電極との間隔の１０倍以上
に設定されているのが望ましい。
【０００８】
【作用】下部電極と上記電極との間に電圧が印加され、
発光層のうち上記両電極の交差領域に存する部分に光が
発生したとする。上記発光層５とこの発光層を挟む隣接
層との界面に対して略垂直な方向の光は、従来と同様に
そのままパネル外部に取り出される。一方、上記界面に
対して入射角が浅い光や略平行な光は、従来と同様に上
記界面で全反射したり発光層内を直進したりする。けれ
ども、上記発光層は下部電極と上部電極との交差箇所ご
とに分割されているので、上記入射角が浅い光や略平行
な光は、消滅してしまう前に上記発光層の端面（メサ斜
面）に到達する。そして、上記反射部材（または上部電
極）によって反射されて、パネル外部に取り出される。 このように、この薄膜ＥＬパネルでは、発光層内で発生
した光がほとんど減少することなく有効に取り出される
。したがって、従来に比して有効光量が飛躍的に増大す
る。したがって、従来並みの電力が駆動されるときは高
輝度となる一方、従来並みの輝度でよいときは低消費電
力で駆動可能となる。
発光層のうち上記両電極の交差領域に存する部分に光が
発生したとする。上記発光層５とこの発光層を挟む隣接
層との界面に対して略垂直な方向の光は、従来と同様に
そのままパネル外部に取り出される。一方、上記界面に
対して入射角が浅い光や略平行な光は、従来と同様に上
記界面で全反射したり発光層内を直進したりする。けれ
ども、上記発光層は下部電極と上部電極との交差箇所ご
とに分割されているので、上記入射角が浅い光や略平行
な光は、消滅してしまう前に上記発光層の端面（メサ斜
面）に到達する。そして、上記反射部材（または上部電
極）によって反射されて、パネル外部に取り出される。 このように、この薄膜ＥＬパネルでは、発光層内で発生
した光がほとんど減少することなく有効に取り出される
。したがって、従来に比して有効光量が飛躍的に増大す
る。したがって、従来並みの電力が駆動されるときは高
輝度となる一方、従来並みの輝度でよいときは低消費電
力で駆動可能となる。
【０００９】また、上記メサ斜面は上記両電極の交差領
域の周囲に形成され、上記反射部材は、上記電極と同一
の金属層からなる場合、上記反射部材と上部電極は、上
記金属層をパターン加工することにより同時に形成可能
となる。したがって、上記反射部材を設けるためにわざ
わざ工程を増やす必要がなくなる。
域の周囲に形成され、上記反射部材は、上記電極と同一
の金属層からなる場合、上記反射部材と上部電極は、上
記金属層をパターン加工することにより同時に形成可能
となる。したがって、上記反射部材を設けるためにわざ
わざ工程を増やす必要がなくなる。
【００１０】さらに、上記反射部材と上記上部電極との
隙間は、上記上部電極と下部電極との間隔の１０倍以上
に設定されている場合、上記反射部材が上記下部電極と
同電位を与えて駆動されるとき（または上記反射部材が
電気的に絶縁されているとき）であっても、素子耐圧が
従来に比して低下することはない。したがって、信頼性
が損なわれることがない。
隙間は、上記上部電極と下部電極との間隔の１０倍以上
に設定されている場合、上記反射部材が上記下部電極と
同電位を与えて駆動されるとき（または上記反射部材が
電気的に絶縁されているとき）であっても、素子耐圧が
従来に比して低下することはない。したがって、信頼性
が損なわれることがない。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の薄膜ＥＬパネルを実施例に
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【００１２】図１は一実施例の薄膜ＥＬパネルの平面パ
ターン（ＸＹ面内）を示し、図２（ａ），（ｂ）はそれ
ぞれ図１におけるＡＡ’線断面，ＢＢ’線断面を示して
いる。なお、図５乃至図７に示した薄膜ＥＬパネルと同
一の構成要素については同一符号を付している。この薄
膜ＥＬパネルは、ガラス基板２上に、Ｙ方向にストライ
プ状に加工された透明層からなる下部電極３と、下部絶
縁層４，発光層５および上部絶縁層６からなるメサ状絵
素２０と、Ｘ方向にストライプ状に加工された金属層か
らなる上部電極７ａを備えている。上記メサ状絵素２０
は、下部電極３と上部電極７ａとの交差領域（図１中に
斜線を付して表わしている）ごとにメサ状に設けられて
おり、Ｘ方向，Ｙ方向の各端面（メサ斜面）２０ｍｘ，
２０ｍｙが、ＸＹ面内で上記交差領域の周囲に形成され
ている。Ｙ方向に隣接するメサ斜面２０ｍｙ，２０ｍｙ
は、上部電極７ａと同一の金属層からなる矩形パターン
の反射部材７ｂによって覆われている。一方、Ｘ方向の
各メサ斜面２０ｍｘは、中央部が上記上部電極７ａで覆
われている。この例では、反射部材７ｂと上部電極７ａ
とによって、メサ斜面２０ｍｙ，２０ｍｘの面積の８０
％程度を覆っている。
ターン（ＸＹ面内）を示し、図２（ａ），（ｂ）はそれ
ぞれ図１におけるＡＡ’線断面，ＢＢ’線断面を示して
いる。なお、図５乃至図７に示した薄膜ＥＬパネルと同
一の構成要素については同一符号を付している。この薄
膜ＥＬパネルは、ガラス基板２上に、Ｙ方向にストライ
プ状に加工された透明層からなる下部電極３と、下部絶
縁層４，発光層５および上部絶縁層６からなるメサ状絵
素２０と、Ｘ方向にストライプ状に加工された金属層か
らなる上部電極７ａを備えている。上記メサ状絵素２０
は、下部電極３と上部電極７ａとの交差領域（図１中に
斜線を付して表わしている）ごとにメサ状に設けられて
おり、Ｘ方向，Ｙ方向の各端面（メサ斜面）２０ｍｘ，
２０ｍｙが、ＸＹ面内で上記交差領域の周囲に形成され
ている。Ｙ方向に隣接するメサ斜面２０ｍｙ，２０ｍｙ
は、上部電極７ａと同一の金属層からなる矩形パターン
の反射部材７ｂによって覆われている。一方、Ｘ方向の
各メサ斜面２０ｍｘは、中央部が上記上部電極７ａで覆
われている。この例では、反射部材７ｂと上部電極７ａ
とによって、メサ斜面２０ｍｙ，２０ｍｘの面積の８０
％程度を覆っている。
【００１３】この薄膜ＥＬパネルは次のようにして作製
する。■まず、ガラス基板２の上に透明導電層を設けて
、所定のストライプ状パターンでエッチングにより下部
電極３を形成する。上記透明導電層の材料としては、Ｉ
ｎ２Ｏ３（厚さ１５００Å〜２５００Å）が採用できる
。
する。■まず、ガラス基板２の上に透明導電層を設けて
、所定のストライプ状パターンでエッチングにより下部
電極３を形成する。上記透明導電層の材料としては、Ｉ
ｎ２Ｏ３（厚さ１５００Å〜２５００Å）が採用できる
。
【００１４】■次に、スパッタ法またはＣＶＤ法により
、Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４
を材料として下部絶縁層４を形成する。各材料からなる
絶縁膜を複数積層することにより、絶縁耐圧が向上する
ことが知られている。この下部絶縁層４のトータル膜厚
は２０００〜３０００Å程度に設定する。
、Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４
を材料として下部絶縁層４を形成する。各材料からなる
絶縁膜を複数積層することにより、絶縁耐圧が向上する
ことが知られている。この下部絶縁層４のトータル膜厚
は２０００〜３０００Å程度に設定する。
【００１５】■次に、電子ビーム蒸着法またはＣＶＤ法
等により、ＺｎＳ（Ｍｎドープ）を材料として発光層５
を形成する。他の発光層材料を用いても良いし、多色化
のために異なる発光層材料を併用しても良い。この発光
層５の膜厚は５０００〜１００００Å程度に設定する。
等により、ＺｎＳ（Ｍｎドープ）を材料として発光層５
を形成する。他の発光層材料を用いても良いし、多色化
のために異なる発光層材料を併用しても良い。この発光
層５の膜厚は５０００〜１００００Å程度に設定する。
【００１６】■次に、上部絶縁層６を形成する。この上
部絶縁層６の材料および形成方法等は、工程■の下部絶
縁層３と同一の条件とする。
部絶縁層６の材料および形成方法等は、工程■の下部絶
縁層３と同一の条件とする。
【００１７】■次に、上部絶縁層６，発光層５および下
部絶縁膜４の三層をマトリックス状に配列された正方パ
ターンでドライ又はウエットエッチングして、上部電極
７ａと下部電極３との交差領域ごとに、上下面が正方形
をなすメサ状絵素２０を形成する。上記正方形のサイズ
は、メサ状絵素２０の各端面２０ｍｘ，２０ｍｙが上記
両電極７ａ，３の交差領域の周囲を取り囲むように、こ
の交差領域よりも大きく設定する。なお、下部絶縁層４
が除去されると下部電極３が露出し、その一部がエッチ
ングされる。けれども、次工程■で、下部電極３は金属
層（反射部材７ｂ）によって覆われ、導通が保たれるの
で問題はない。
部絶縁膜４の三層をマトリックス状に配列された正方パ
ターンでドライ又はウエットエッチングして、上部電極
７ａと下部電極３との交差領域ごとに、上下面が正方形
をなすメサ状絵素２０を形成する。上記正方形のサイズ
は、メサ状絵素２０の各端面２０ｍｘ，２０ｍｙが上記
両電極７ａ，３の交差領域の周囲を取り囲むように、こ
の交差領域よりも大きく設定する。なお、下部絶縁層４
が除去されると下部電極３が露出し、その一部がエッチ
ングされる。けれども、次工程■で、下部電極３は金属
層（反射部材７ｂ）によって覆われ、導通が保たれるの
で問題はない。
【００１８】■次に、金属層（Ａｌ、Ｎｉ等）を設けて
、ストライプ状パターンの上部電極７ａを形成する。こ
のとき、上記金属層を用いて、メサ状絵素２０のＹ方向
のメサ斜面２０ｍｙ上に反射部材７ｂを同時に形成する
。上部電極７ａと反射部材７ｂとの隙間３０は、素子耐
圧の低下を避けるために、マスクパターンにより例えば
１０μｍに設定する。上記金属層の厚さは、メサ状絵素
２０のメサ斜面の段差による断線を避けるために、１．
５μｍ（１５０００Å）以上に設定する。このように、
上部電極７ａと反射部材を同時形成しているので、反射
部材７ｂを設けるためにわざわざ工程を増やさなくても
済ませられる。
、ストライプ状パターンの上部電極７ａを形成する。こ
のとき、上記金属層を用いて、メサ状絵素２０のＹ方向
のメサ斜面２０ｍｙ上に反射部材７ｂを同時に形成する
。上部電極７ａと反射部材７ｂとの隙間３０は、素子耐
圧の低下を避けるために、マスクパターンにより例えば
１０μｍに設定する。上記金属層の厚さは、メサ状絵素
２０のメサ斜面の段差による断線を避けるために、１．
５μｍ（１５０００Å）以上に設定する。このように、
上部電極７ａと反射部材を同時形成しているので、反射
部材７ｂを設けるためにわざわざ工程を増やさなくても
済ませられる。
【００１９】動作時には、下部電極３と上部電極７ａと
の間に電圧が印加される。これにより、図３に示すよう
に、上記メサ状絵素２０のうち上記両電極３，７ａの交
差領域に存する部分（発光層５内）で、様々な方向の光
Ｌ１’，Ｌ２’，Ｌ３’が発生する。上記発光層５と隣
接層４，６との界面５ａ，５ｂに対して略垂直な方向の
光Ｌ１’は、従来と同様にそのままパネル外部に取り出
される。一方、上記界面５ａ，５ｂに対して入射角が浅
い光Ｌ２’や略平行な光Ｌ３は、従来と同様にこれらの
界面５ａ，５ｂで全反射を繰り返したり直進したりする
。けれども、上記メサ状絵素２０は、下部電極３と上部
電極７ａとの交差領域ごとに設けられているので、上記
光Ｌ２’，Ｌ３’は消滅してしまう前に端面（メサ斜面
）２０ｍｙ（または２０ｍｘ）に到達する。そして、メ
サ斜面２０ｍｙ，２０ｍｘのほとんど全部を覆う反射部
材７ｂまたは上部電極７ａによって反射されて、パネル
外部に取り出される。このように、この薄膜ＥＬパネル
は、発光層５（すなわちメサ状絵素２０）内で発生した
光Ｌ１’，Ｌ２’，Ｌ３’をほとんど減少させることな
く有効に取り出すことができる。したがって、従来に比
して有効光量を飛躍的に、試算では４倍程度に増大させ
ることができる。したがって、従来並みの電力で駆動さ
れるときは輝度を４倍に高めることができる一方、従来
並みの輝度でよいときは１／４の低消費電力で駆動する
ことができる。これにより、薄膜ＥＬ素子の応用分野を
屋外用ディスプレイ、電池駆動のポータブル機器などに
広く拡大することができる。
の間に電圧が印加される。これにより、図３に示すよう
に、上記メサ状絵素２０のうち上記両電極３，７ａの交
差領域に存する部分（発光層５内）で、様々な方向の光
Ｌ１’，Ｌ２’，Ｌ３’が発生する。上記発光層５と隣
接層４，６との界面５ａ，５ｂに対して略垂直な方向の
光Ｌ１’は、従来と同様にそのままパネル外部に取り出
される。一方、上記界面５ａ，５ｂに対して入射角が浅
い光Ｌ２’や略平行な光Ｌ３は、従来と同様にこれらの
界面５ａ，５ｂで全反射を繰り返したり直進したりする
。けれども、上記メサ状絵素２０は、下部電極３と上部
電極７ａとの交差領域ごとに設けられているので、上記
光Ｌ２’，Ｌ３’は消滅してしまう前に端面（メサ斜面
）２０ｍｙ（または２０ｍｘ）に到達する。そして、メ
サ斜面２０ｍｙ，２０ｍｘのほとんど全部を覆う反射部
材７ｂまたは上部電極７ａによって反射されて、パネル
外部に取り出される。このように、この薄膜ＥＬパネル
は、発光層５（すなわちメサ状絵素２０）内で発生した
光Ｌ１’，Ｌ２’，Ｌ３’をほとんど減少させることな
く有効に取り出すことができる。したがって、従来に比
して有効光量を飛躍的に、試算では４倍程度に増大させ
ることができる。したがって、従来並みの電力で駆動さ
れるときは輝度を４倍に高めることができる一方、従来
並みの輝度でよいときは１／４の低消費電力で駆動する
ことができる。これにより、薄膜ＥＬ素子の応用分野を
屋外用ディスプレイ、電池駆動のポータブル機器などに
広く拡大することができる。
【００２０】また、上部電極７ａと反射部材（下部電極
３と導通している）７ｂとの隙間３０を１０μｍに設定
しているので、素子耐圧の低下を防止でき、信頼性が損
なわれるのを防止できる。なお、本発明者は、この隙間
３０は上部電極７ａと下部電極３との間隔の１０倍以上
、通常１０μｍ以上に設定されていれば問題が生じない
ことを確認した。また、反射部材７ｂは、下部電極３に
導通されず、電気的に絶縁された状態にあっても良い。
３と導通している）７ｂとの隙間３０を１０μｍに設定
しているので、素子耐圧の低下を防止でき、信頼性が損
なわれるのを防止できる。なお、本発明者は、この隙間
３０は上部電極７ａと下部電極３との間隔の１０倍以上
、通常１０μｍ以上に設定されていれば問題が生じない
ことを確認した。また、反射部材７ｂは、下部電極３に
導通されず、電気的に絶縁された状態にあっても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の薄
膜ＥＬパネルは、ストライプ状の上部電極と下部電極と
の交差領域ごとに発光層をメサ状に分割し、この分割し
た発光層のメサ斜面に反射部材を設けているので、上記
発光層内で発生した光を上記反射部材によって反射して
、有効にパネル外部に取り出すことができる。したがっ
て、発光光量全体に対して有効光量を飛躍的に高めるこ
とができる。したがって、高輝度化および低消費電力化
を実現でき、応用分野を広く拡大することができる。
膜ＥＬパネルは、ストライプ状の上部電極と下部電極と
の交差領域ごとに発光層をメサ状に分割し、この分割し
た発光層のメサ斜面に反射部材を設けているので、上記
発光層内で発生した光を上記反射部材によって反射して
、有効にパネル外部に取り出すことができる。したがっ
て、発光光量全体に対して有効光量を飛躍的に高めるこ
とができる。したがって、高輝度化および低消費電力化
を実現でき、応用分野を広く拡大することができる。
【００２２】また、上記メサ斜面は上記両電極の交差領
域の周囲に形成され、上記反射部材は、上記上部電極と
同一の金属層からなる場合、上記反射部材と上記電極は
、上記金属層をパターン加工することにより同時に形成
できる。したがって、上記反射部材を設けるためにわざ
わざ工程を増やさなくても済ませられる。
域の周囲に形成され、上記反射部材は、上記上部電極と
同一の金属層からなる場合、上記反射部材と上記電極は
、上記金属層をパターン加工することにより同時に形成
できる。したがって、上記反射部材を設けるためにわざ
わざ工程を増やさなくても済ませられる。
【００２３】さらに、上記反射部材と上記上部電極との
隙間は、上記上部電極と下部電極との間隔の１０倍以上
に設定されている場合、上記反射部材に上記下部電極と
同電位を与えて駆動されるとき（または上記反射部材が
電気的に絶縁されているとき）であっても、耐圧が従来
に比して低下するのを防止でき、信頼性を維持すること
ができる。
隙間は、上記上部電極と下部電極との間隔の１０倍以上
に設定されている場合、上記反射部材に上記下部電極と
同電位を与えて駆動されるとき（または上記反射部材が
電気的に絶縁されているとき）であっても、耐圧が従来
に比して低下するのを防止でき、信頼性を維持すること
ができる。
【図１】 この発明の一実施例の薄膜ＥＬパネルの平
面パターンを示す図である。
面パターンを示す図である。
【図２】 図１におけるＡＡ’線断面およびＢＢ’線
断面を示す図である。
断面を示す図である。
【図３】 上記薄膜ＥＬパネルの動作を説明する図で
ある。
ある。
【図４】 従来の薄膜ＥＬパネルの動作を説明する図
である。
である。
【図５】 従来の薄膜ＥＬパネルの平面パターンを示
す図である。
す図である。
【図６】 図５におけるＡＡ’線断面およびＢＢ’線
断面を示す図である。
断面を示す図である。
【図７】 上記従来の薄膜ＥＬパネルの全体構造を示
す断面図である。
す断面図である。
２ ガラス基板
３ 下部電極
４ 下部絶縁層
５ 発光層
６ 上部絶縁層
７ａ 上部電極
７ｂ 反射部材
２０ メサ状絵素
２０ｍｘ，２０ｍｙ メサ斜面
３０ 隙間
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板上に、ストライプ状に加工
された透明層からなる下部電極と、発光層と、上記下部
電極に対して交差する向きにストライプ状に加工された
金属層からなる上部電極を順に備え、上記両電極間に電
圧を印加して上記発光層のうち上記両電極の交差領域に
存する部分に光を発生させ、この光を上記ガラス基板を
通してパネル外部に取り出すようにした薄膜ＥＬパネル
において、上記発光層は上記両電極の交差領域ごとにメ
サ状に分割され、上記分割された発光層のメサ斜面に、
この発光層内で発生した光を反射する反射部材が設けら
れていることを特徴とする薄膜ＥＬパネル。 - 【請求項２】 上記メサ斜面は上記両電極の交差領域
の周囲に形成され、上記反射部材は、上記上部電極と同
一の金属層からなることを特徴とする請求項１に記載の
薄膜ＥＬパネル。 - 【請求項３】 上記反射部材と上記上部電極との隙間
は、上記上部電極と下部電極との間隔の１０倍以上に設
定されていることを特徴とする請求項２に記載の薄膜Ｅ
Ｌパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071475A JPH04306589A (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 薄膜ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071475A JPH04306589A (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306589A true JPH04306589A (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=13461688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3071475A Pending JPH04306589A (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04306589A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208491A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-07-26 | Toshiba Corp | 自己発光型表示装置 |
| US6998775B2 (en) | 2000-10-25 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Layered, light-emitting element |
| US7663142B2 (en) | 2002-06-28 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP3071475A patent/JPH04306589A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6998775B2 (en) | 2000-10-25 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Layered, light-emitting element |
| US7342246B2 (en) | 2000-10-25 | 2008-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting element and display device and lighting device using same |
| US7741771B2 (en) | 2000-10-25 | 2010-06-22 | Panasonic Corporation | Light-emitting element and display device and lighting device using same |
| JP2002208491A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-07-26 | Toshiba Corp | 自己発光型表示装置 |
| US7663142B2 (en) | 2002-06-28 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
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