JPH0430352A - 磁性積層体 - Google Patents
磁性積層体Info
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- JPH0430352A JPH0430352A JP13675590A JP13675590A JPH0430352A JP H0430352 A JPH0430352 A JP H0430352A JP 13675590 A JP13675590 A JP 13675590A JP 13675590 A JP13675590 A JP 13675590A JP H0430352 A JPH0430352 A JP H0430352A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁性積層体に係り、特にカー効果を利用した光
磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関する。
［従来の技術］
磁性膜を取着したため照射した光の反射角が変化する性
質を備えた積層体は、光磁気記録媒体、光磁気アイソレ
ータ、特定波長磁気フィルター光磁気スイッチ素子等に
用いられている。このうち光磁気記録媒体は、レーザ光
等のエネルギービムを記録層に照射することにより情報
の記録を行ったり再生したり、また記録の書換えができ
るものであって、コンパクトディスク（ＣＤ）やＣＤ−
ＲＯＭ等がある。これらの光磁気記録媒体の記録層は膜
面に対して垂直な方向に一軸磁気異方性を有する光磁気
記録媒体や非結晶−結晶の相変化を生じる相変化記録媒
体等から成るものか開発されている。
質を備えた積層体は、光磁気記録媒体、光磁気アイソレ
ータ、特定波長磁気フィルター光磁気スイッチ素子等に
用いられている。このうち光磁気記録媒体は、レーザ光
等のエネルギービムを記録層に照射することにより情報
の記録を行ったり再生したり、また記録の書換えができ
るものであって、コンパクトディスク（ＣＤ）やＣＤ−
ＲＯＭ等がある。これらの光磁気記録媒体の記録層は膜
面に対して垂直な方向に一軸磁気異方性を有する光磁気
記録媒体や非結晶−結晶の相変化を生じる相変化記録媒
体等から成るものか開発されている。
光磁気記録媒体は膜面に垂直な方向に磁化容易性のある
磁性薄膜（垂直磁化膿）が用いられ、光ビームによって
任意の位置に反転磁区を作ることによりそれらの磁化の
向きに対応して“１”“０”の２情報が記録される。一
方、このように記録された情報の読み出しは反転磁区に
対応した情報にレーザ光を照射するとファラデー効果や
カー効果により透過光もしくは反射光の偏光面が回転す
ることを利用しているが、情報再生装置のコンパクト化
を図るためカー効果を利用した反射光の偏光面の回転角
（カー回転角）を検出して再生を行っている。カー効果
を利用した再生においては再生読み出しエラーを少なく
するためカー回転角（θＫ）を増大させるための種々の
試みがなされている。
磁性薄膜（垂直磁化膿）が用いられ、光ビームによって
任意の位置に反転磁区を作ることによりそれらの磁化の
向きに対応して“１”“０”の２情報が記録される。一
方、このように記録された情報の読み出しは反転磁区に
対応した情報にレーザ光を照射するとファラデー効果や
カー効果により透過光もしくは反射光の偏光面が回転す
ることを利用しているが、情報再生装置のコンパクト化
を図るためカー効果を利用した反射光の偏光面の回転角
（カー回転角）を検出して再生を行っている。カー効果
を利用した再生においては再生読み出しエラーを少なく
するためカー回転角（θＫ）を増大させるための種々の
試みがなされている。
カー回転角（θＫ）の大きな光磁気記録媒体としては、
結晶粒界がないため媒体ノイズが小さく、大面積膜作製
が容易なことから、現在では希土類−遷移金属系非晶質
薄膜が主流となっている。これらの希土類−遷移金属系
非晶質薄膜としてＧｄＣｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｇｄ−Ｆ
ｅ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系等種々のものが報告されてい
る。
結晶粒界がないため媒体ノイズが小さく、大面積膜作製
が容易なことから、現在では希土類−遷移金属系非晶質
薄膜が主流となっている。これらの希土類−遷移金属系
非晶質薄膜としてＧｄＣｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｇｄ−Ｆ
ｅ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系等種々のものが報告されてい
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、これらの非晶質薄膜は経時変化が大きく熱安定
性や、耐食性等に問題かあり寿命も短かかった。また、
これらの希土類−遷移金属系非晶薄膜では記録のために
照射されるビームが６３３ｎｍや７９９０ｍ等の長波長
のもので行なうため、記録層の記録密度は粗くなってし
まった。
性や、耐食性等に問題かあり寿命も短かかった。また、
これらの希土類−遷移金属系非晶薄膜では記録のために
照射されるビームが６３３ｎｍや７９９０ｍ等の長波長
のもので行なうため、記録層の記録密度は粗くなってし
まった。
ところで、ＣｕＸＡｇ、Ａｕのうちの１つの元素の単体
膜と、ＦｅあるいはＣＯから成る薄膜との積層体は積層
体を構成するＣｕ、ＡｇあるいはＡｕそれぞれの単体の
光吸収端において（Ｃｕは５６０ｎｍ、Ａｇは３１０ｎ
ｍ、Ａｕは５００ ｎｍ）、θＫが最大値をとることが
見出されたことか報告されている（■に、 ５ａｔｏ、
Ｈ，Ｋｉｄａ、 Ｔ、 Ｋａｔａｙａｍａ：Ｊｐｎ、
Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、 ２７ （１９８８）
Ｌ２３７；■ＴＫａｔａｙａｍａ、 Ｈ，Ａｗａｎｏ
、ｅｔ、ａｌ、： Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔ６６
、（１９８８） １４２６）。つまりこれらの報告によ
れば、第５図に示すようにＡｇ単体の膜厚８３人、３４
人、９人の各単体膜と、Ｃｏの膜厚２５人、１４人、４
人の各薄膜との積層体（表面がＣｏ）のθには、Ａｇの
光吸収端３１０ｎｍでＣＯ単体膜よりもエンハンスされ
たθにの最大値をとる。また第６図に示すようにＣｕの
単体の膜厚１１３人、１７１人、２４５人の各単体膜と
Ｆｅの膜厚７０人、１０８Ａ、１５０人各薄膜との積層
体（表面がＣＵ及びＦｅのそれぞれの場合における）の
θには、Ｃｕの光吸収端５６０ｎｍでＦｅ単体膜よりも
エンハンスされたθにの最大値をとる。
膜と、ＦｅあるいはＣＯから成る薄膜との積層体は積層
体を構成するＣｕ、ＡｇあるいはＡｕそれぞれの単体の
光吸収端において（Ｃｕは５６０ｎｍ、Ａｇは３１０ｎ
ｍ、Ａｕは５００ ｎｍ）、θＫが最大値をとることが
見出されたことか報告されている（■に、 ５ａｔｏ、
Ｈ，Ｋｉｄａ、 Ｔ、 Ｋａｔａｙａｍａ：Ｊｐｎ、
Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、 ２７ （１９８８）
Ｌ２３７；■ＴＫａｔａｙａｍａ、 Ｈ，Ａｗａｎｏ
、ｅｔ、ａｌ、： Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔ６６
、（１９８８） １４２６）。つまりこれらの報告によ
れば、第５図に示すようにＡｇ単体の膜厚８３人、３４
人、９人の各単体膜と、Ｃｏの膜厚２５人、１４人、４
人の各薄膜との積層体（表面がＣｏ）のθには、Ａｇの
光吸収端３１０ｎｍでＣＯ単体膜よりもエンハンスされ
たθにの最大値をとる。また第６図に示すようにＣｕの
単体の膜厚１１３人、１７１人、２４５人の各単体膜と
Ｆｅの膜厚７０人、１０８Ａ、１５０人各薄膜との積層
体（表面がＣＵ及びＦｅのそれぞれの場合における）の
θには、Ｃｕの光吸収端５６０ｎｍでＦｅ単体膜よりも
エンハンスされたθにの最大値をとる。
しかし、この報告の限りにおいては、（Ｕ。
ＡｇあるいはＡｕの単体膜とＦｅ５Ｃｏ薄膜の積層体の
θには、従来の希土類−遷移金属系非晶質薄膜のものよ
り短波長でエンハンスされたピーク値をとるが、このよ
うな単体膜では構成体Ｃｕ、ＡｇあるいはＡｕの光吸収
端の波長付近のみてエンハンスされたピークである最大
値をとり、最大値をとるのは構成体Ｃｕ、、Ａｇあるい
はＡｕの光吸収端の波長付近１カ所に限定されてしまう
。
θには、従来の希土類−遷移金属系非晶質薄膜のものよ
り短波長でエンハンスされたピーク値をとるが、このよ
うな単体膜では構成体Ｃｕ、ＡｇあるいはＡｕの光吸収
端の波長付近のみてエンハンスされたピークである最大
値をとり、最大値をとるのは構成体Ｃｕ、、Ａｇあるい
はＡｕの光吸収端の波長付近１カ所に限定されてしまう
。
本発明は、上記欠点を解消するためになされたものであ
って、θＫが可視光領域において、エンハンスされ、し
かも３１０〜５００ｎｍの任意の波長で最大値をとるこ
とかできる磁性積層体を提供することを目的とする。
って、θＫが可視光領域において、エンハンスされ、し
かも３１０〜５００ｎｍの任意の波長で最大値をとるこ
とかできる磁性積層体を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため本発明の磁性積層体は、Ａｇ
及びＡｕを含む薄膜と、磁性膜とを積層して成るもので
ある。
及びＡｕを含む薄膜と、磁性膜とを積層して成るもので
ある。
そして前記薄膜はＡｇ 、−ｘ Ａ ｕ 、で表わした
時Ｏくｘく１で示される組成であってもよい。
時Ｏくｘく１で示される組成であってもよい。
また、前記磁性膜は希土類及び／または遷移金属を含む
薄膜から成るものであってよい。
薄膜から成るものであってよい。
さらに、本発明の前記磁性積層体は例えば光磁気記録媒
体として好ましく用いることかできる。
体として好ましく用いることかできる。
光磁気記録媒体として用いられる場合に好ましい本発明
の磁性積層体はＡｇと、Ａｕとの合金膜或いは、Ａ、ｇ
化合物または合金及びＡｕ化合物または合金を含む薄膜
と、Ｆｅ５Ｃｏ等から成る遷移金属や希土類等から成る
磁性膜との積層体から成り、この積層体をさらに多重さ
せた積層体であっても良い。Ａｇ、Ａｕの合金膜の組成
はＡ ｇ １−、Ａｕ、で表した場合０＜ｘ＜１で示さ
れる。
の磁性積層体はＡｇと、Ａｕとの合金膜或いは、Ａ、ｇ
化合物または合金及びＡｕ化合物または合金を含む薄膜
と、Ｆｅ５Ｃｏ等から成る遷移金属や希土類等から成る
磁性膜との積層体から成り、この積層体をさらに多重さ
せた積層体であっても良い。Ａｇ、Ａｕの合金膜の組成
はＡ ｇ １−、Ａｕ、で表した場合０＜ｘ＜１で示さ
れる。
またＡｇ化合物及びＡｕ化合物を含む薄膜としては、Ａ
ｇ合金またはＡｇ化合物としてＰｄ５Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ
５Ｔ １ＸＺｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ。
ｇ合金またはＡｇ化合物としてＰｄ５Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ
５Ｔ １ＸＺｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ。
Ａｌ５ＧａＳＩｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｂ１５Ｎｂ、ＯｌＰ、
Ｓ等とＡｇとの化合物または合金と、Ａｕ合金または化
合物としてＰｄ、Ｐ ｔ、Ｒｈ、Ｒｕ。
Ｓ等とＡｇとの化合物または合金と、Ａｕ合金または化
合物としてＰｄ、Ｐ ｔ、Ｒｈ、Ｒｕ。
Ｔ ｉＳ ＺｒＳ Ｈｆ、Ｃｒ、ＭｎＳ Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、５ｂＳＳｎＳＢｉ、Ｎｂ、ＯｌＰ、Ｓ等とＡ
Ｕとの化合物または合金とがＡｇ ｓ Ａ ｕの原子数
の組成比でＡ ｇ １− Ｗ Ａ ｕ Ｉ （但しＯ＜
ｘ＜１）で含まれるものである。 本発明のＡｇ、Ａｕ
の合金膜は通常のスパッタ法、あるいは蒸着法で容易に
製造することができる。即ち、所望のＡｇ ％ Ａ ｕ
の組成比が得られるよう組成比に相応する面積比でＡｇ
及びＡｕを配置した複合ターゲットを用いてマクネトロ
ンスパッタ法や一２０Ｖ〜−１５０■の負バイヤス電圧
をかけたバイアススパッタ法あるいはＲＦスパッタ法で
スパッタしたり、電子ビーム蒸着等で合金膜を製造する
ことができる。
Ｉｎ、５ｂＳＳｎＳＢｉ、Ｎｂ、ＯｌＰ、Ｓ等とＡ
Ｕとの化合物または合金とがＡｇ ｓ Ａ ｕの原子数
の組成比でＡ ｇ １− Ｗ Ａ ｕ Ｉ （但しＯ＜
ｘ＜１）で含まれるものである。 本発明のＡｇ、Ａｕ
の合金膜は通常のスパッタ法、あるいは蒸着法で容易に
製造することができる。即ち、所望のＡｇ ％ Ａ ｕ
の組成比が得られるよう組成比に相応する面積比でＡｇ
及びＡｕを配置した複合ターゲットを用いてマクネトロ
ンスパッタ法や一２０Ｖ〜−１５０■の負バイヤス電圧
をかけたバイアススパッタ法あるいはＲＦスパッタ法で
スパッタしたり、電子ビーム蒸着等で合金膜を製造する
ことができる。
得られた合金膜の格子定数は第１図に示すようにＡｇ（
あるいはＡｕ）の原子数パーセントをパラメータとして
Ａｇ単体の４．０９人からＡｕ単体の４．０８人までほ
ぼ一定値となる。第２図に示すように、ＡｇＡｕ合金膜
のθにのピークはこの格子定数に非常によく対応してＡ
ｇ（あるいはＡｕ）の原子数パーセントをパラメータと
してＡｕ単体の光吸収端の５００ｎｍからＡｇ単体の光
吸収端３１０ｎｍまで連続的に変化させることができる
。
あるいはＡｕ）の原子数パーセントをパラメータとして
Ａｇ単体の４．０９人からＡｕ単体の４．０８人までほ
ぼ一定値となる。第２図に示すように、ＡｇＡｕ合金膜
のθにのピークはこの格子定数に非常によく対応してＡ
ｇ（あるいはＡｕ）の原子数パーセントをパラメータと
してＡｕ単体の光吸収端の５００ｎｍからＡｇ単体の光
吸収端３１０ｎｍまで連続的に変化させることができる
。
このようなＡｇ−Ａｕ合金膜をＦｅ、Ｃｏ。
Ｎｉの単体膜や、あるいはＦｅ、Ｃｏ５Ｎｉの少なくと
も一種類と５ｃＳＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ等の遷移金属や
ＹやＬａ、Ｃｅ５ＰｒＸＮｄ、Ｐｍ。
も一種類と５ｃＳＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ等の遷移金属や
ＹやＬａ、Ｃｅ５ＰｒＸＮｄ、Ｐｍ。
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、ＴｂＸＤｙＸＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ等のランタン系列元素や、Ａｃ。
ｂ、Ｌｕ等のランタン系列元素や、Ａｃ。
Ｔｈ、Ｐａ５Ｕ、ＮｐＳＰｕＳＡｍ、Ｃｍ、Ｂｋ。
Ｃｆ、ＥｓＳＦｍＳＭｄＸＮｏ等のアクチニウム系列元
素等の希土類等の金属の種々の組成比の合金膜から成る
薄膜との積層体とすることでθにの大きい垂直磁気異方
性エネルギーの大きい積層体を得ることかできる。
素等の希土類等の金属の種々の組成比の合金膜から成る
薄膜との積層体とすることでθにの大きい垂直磁気異方
性エネルギーの大きい積層体を得ることかできる。
第３図に示すように、Ａ ｇ 、ｘＡ ｕ 、の合金膜
とＦｅの薄膜から成る薄膜の垂直磁気異方性エネルギー
Ｋｕは膜厚の薄い部分では正となるが、２０Å以上で負
となる。このような積層体は光磁気素子として好適に用
いることができる。そして二の積層体を１単位とし、こ
の積層体を多重層積層することにより所望の波長のビー
ムにより大きなθにのエンハンスピークを有する光磁気
記録媒体を得ることができ、短波長領域で密度を高く記
録することができる。
とＦｅの薄膜から成る薄膜の垂直磁気異方性エネルギー
Ｋｕは膜厚の薄い部分では正となるが、２０Å以上で負
となる。このような積層体は光磁気素子として好適に用
いることができる。そして二の積層体を１単位とし、こ
の積層体を多重層積層することにより所望の波長のビー
ムにより大きなθにのエンハンスピークを有する光磁気
記録媒体を得ることができ、短波長領域で密度を高く記
録することができる。
また、本発明のＡｇ化合物とＡｕ化合物とから成る薄膜
は上記合金膜の項で示した遷移金属や希土類から成る薄
膜に反応性スパッタ、反応性蒸着等の方法により積層さ
れ、ＡｇＸＡｕの原子数比がＡｇ １− ｙ Ａ ｕ
ｘ （但しＯ＜ｘ＜１）で示される所望の組成比になる
よう積層体として形成される。
は上記合金膜の項で示した遷移金属や希土類から成る薄
膜に反応性スパッタ、反応性蒸着等の方法により積層さ
れ、ＡｇＸＡｕの原子数比がＡｇ １− ｙ Ａ ｕ
ｘ （但しＯ＜ｘ＜１）で示される所望の組成比になる
よう積層体として形成される。
本発明の磁性積層体は、上記の光磁気記録媒体に限定さ
れず、光磁気アイソレータ、特定波長磁気フィルター、
光磁気スイッチ素子等に適用できる。
れず、光磁気アイソレータ、特定波長磁気フィルター、
光磁気スイッチ素子等に適用できる。
［実施例］
ＡｇとＡｕの面積比１／２複合ターゲットを用いて基板
上に蒸着によりＡｇＡｕの１＝１の原子数比（Ａ ｇ
ｏ、ｓＡ ｕ ｏ、ｓ）の膜厚２５０人の合金膜を形成
した。この合金膜に膜厚１５０人のＦｅ膜を積層した。
上に蒸着によりＡｇＡｕの１＝１の原子数比（Ａ ｇ
ｏ、ｓＡ ｕ ｏ、ｓ）の膜厚２５０人の合金膜を形成
した。この合金膜に膜厚１５０人のＦｅ膜を積層した。
この積層体は第４図に示すように４１０ｎｍ付近の波長
のビームでθに最大値を取った。
のビームでθに最大値を取った。
また、上記実施例では合金膜とＦｅ膜との積層体につい
て述へたか、Ｃｏ膜との積層体であってもまたＴｂＣｏ
、ＴｂＦｅ、ＦｅＣｏ。
て述へたか、Ｃｏ膜との積層体であってもまたＴｂＣｏ
、ＴｂＦｅ、ＦｅＣｏ。
ＴｂＦｅＣｏ等から成る薄膜との積層体であっても好適
な光磁気記録媒体を得ることができる。
な光磁気記録媒体を得ることができる。
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明の磁性積層体
は、Ａ ｇ １−０Ａｕ、て表わされる組成式のうちＯ
＜ｘ＜１で示されるようにＡｇとＡｕの組成を変化させ
ることによりカー回転角のピークをＡｕの光吸収端５０
０ｎｍからＡｇの光吸収端３１０ｎｍに連続的に変化さ
せることかできる。そのため、所望の波長の光ビームに
応じたカー回転角のピークを有する磁性体か得られる。
は、Ａ ｇ １−０Ａｕ、て表わされる組成式のうちＯ
＜ｘ＜１で示されるようにＡｇとＡｕの組成を変化させ
ることによりカー回転角のピークをＡｕの光吸収端５０
０ｎｍからＡｇの光吸収端３１０ｎｍに連続的に変化さ
せることかできる。そのため、所望の波長の光ビームに
応じたカー回転角のピークを有する磁性体か得られる。
しかもカー回転角のピークは組成を選択することで短波
長側に移行させることかできので密度の高い光磁気記録
媒体を製造することができ、これらを用いた機器のコン
パクト化を図ることができる。
長側に移行させることかできので密度の高い光磁気記録
媒体を製造することができ、これらを用いた機器のコン
パクト化を図ることができる。
第１図、第２図、第３図及び第４図は本発明の磁性積層
体の一実施例に係るＡ ｇ 、、Ａ ｕ 、合金膜の性
質を示す図、第５図及び第６図は従来例を示す図である
。 代理人 弁理士 守 谷 −雄 部 図 Ａ９（ａｔ”ム） 第 図 Ａ９ （ａｔ＠ム） 第 図 第 図 第 図 第 図
体の一実施例に係るＡ ｇ 、、Ａ ｕ 、合金膜の性
質を示す図、第５図及び第６図は従来例を示す図である
。 代理人 弁理士 守 谷 −雄 部 図 Ａ９（ａｔ”ム） 第 図 Ａ９ （ａｔ＠ム） 第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ａｇ及びＡｕを含む薄膜と、磁性膜とを積層して成
ることを特徴とする磁性積層体。 ２、前記薄膜はＡｇ＿１＿−＿ｘＡｕ＿ｘで表わした時
０＜ｘ＜１で示される組成であることを特徴とする第１
項記載の磁性積層体。 ３、前記磁性膜は希土類及び／または遷移金属を含む薄
膜から成ることを特徴とする磁性積層体。 ４、前記磁性積層体が光磁気記録媒体であることを特徴
とする第１項、第２項または第３項記載の磁性積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13675590A JPH0430352A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 磁性積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13675590A JPH0430352A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 磁性積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430352A true JPH0430352A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15182743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13675590A Pending JPH0430352A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 磁性積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0430352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006048665A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Canon Inc | 画像管理装置及び画像管理方法 |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP13675590A patent/JPH0430352A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006048665A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Canon Inc | 画像管理装置及び画像管理方法 |
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