JPH04302486A - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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Publication number
JPH04302486A
JPH04302486A JP6724991A JP6724991A JPH04302486A JP H04302486 A JPH04302486 A JP H04302486A JP 6724991 A JP6724991 A JP 6724991A JP 6724991 A JP6724991 A JP 6724991A JP H04302486 A JPH04302486 A JP H04302486A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
fin
laser device
short side
optical
Prior art date
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Pending
Application number
JP6724991A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaru Ogawa
勝 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP6724991A priority Critical patent/JPH04302486A/en
Publication of JPH04302486A publication Critical patent/JPH04302486A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To design the longitudinal dimension of a light pickup part small, and enable the whole thinning of the system such as a optical disc, etc., by setting the chip junction face of a semiconductor laser vertically to the direction of the short side of an oblong fin. CONSTITUTION:The chip face junction face of a semiconductor laser is made vertical to the direction of the short side of an oblong fin. If one uses this semiconductor device, the short side direction of the fin 3 is arranged so that the spread direction of the light beam 9 may be the longitudinal direction 12 of a light pickup part. A spatial margin 13 occurs in the longitudinal direction 12 of the optical system in the light pickup part. Accordingly, thanks to this margin 13, the longitudinal 12 dimension can be designed small.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク,光磁気デ
ィスク等の光情報処理装置の光源として用いられる半導
体レーザ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device used as a light source for optical information processing devices such as optical disks and magneto-optical disks.

【0002】0002

【従来の技術】半導体レーザ装置(以下LDと略す)は
、光ディスク,光磁気ディスク等の光情報処理装置の光
源として広く使用されているが、光による情報(信号)
の読み取り時には、ディスクからの戻り光による特有の
雑音を低減するために、一般にLDの駆動電流に高周波
電流を重畳する手法が用いられる。
[Prior Art] Semiconductor laser devices (hereinafter abbreviated as LD) are widely used as light sources for optical information processing devices such as optical disks and magneto-optical disks.
During reading, a method is generally used in which a high-frequency current is superimposed on the LD drive current in order to reduce the unique noise caused by the return light from the disk.

【0003】その場合、専ら高周波電流を発生し増幅し
、重畳する回路をシールドケース4(図3参照)内に収
めた高周波モジュール2(以下モジュールと略す)をL
D1と、光ピックアップに取り付ける際の取付用のフィ
ン3とを一体化して構成することが多い。なお、シール
ドケース4は、高周波電流を重畳する際に発生する不要
輻射を遮蔽するために設置される。フィン3には取付用
のネジの逃げ穴5a〜5dが必要であるために、図3に
示すように長方形形状が用いられる。この時、従来の技
術では同図に示すようにフィン3の長辺方向とLDチッ
プ6の接合面に対して垂直な方向(以下θ垂直と表現す
る)が同一方向に設定されているものが多い。
In that case, a high-frequency module 2 (hereinafter referred to as the module), which contains a circuit that exclusively generates, amplifies, and superimposes high-frequency current, is housed in a shield case 4 (see FIG. 3).
D1 and a mounting fin 3 for mounting on an optical pickup are often integrated. Note that the shield case 4 is installed to shield unnecessary radiation generated when high-frequency current is superimposed. Since the fin 3 requires escape holes 5a to 5d for mounting screws, a rectangular shape is used as shown in FIG. 3. At this time, in the conventional technology, as shown in the figure, the long side direction of the fin 3 and the direction perpendicular to the bonding surface of the LD chip 6 (hereinafter referred to as θ perpendicular) are set in the same direction. many.

【0004】このような構成の光半導体装置を光ディス
ク装置等の光ピックアップ部分に取り付けた時の構成を
図4に示す。光ピックアップでは、LD1からディスク
面上8に照射される光出力を有効に利用するために、L
D1のビーム9は整形プリズム10のθ垂直方向を絞り
込んで使用するが、整形プリズム10の構造上θ垂直方
向が縦方向になるように取り付けなければならない。
FIG. 4 shows a structure in which an optical semiconductor device having such a structure is attached to an optical pickup portion of an optical disk device or the like. In the optical pickup, in order to effectively utilize the optical output emitted from the LD 1 onto the disk surface 8, the L
The beam 9 of D1 is used by narrowing down the θ vertical direction of the shaping prism 10, but due to the structure of the shaping prism 10, it must be installed so that the θ vertical direction becomes the vertical direction.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図3に
示すように、従来の半導体装置ではフィン6の長辺方向
とθ垂直方向とが同一方向であるために、θ垂直方向が
ピックアップ部分において縦方向となるようにレーザ装
置本体を取り付けると、フィン3の長辺方向が光ピック
アップ部分の厚さ方向12となるため、光ピックアップ
部分の形状が厚くなってしまうという問題点があった。 本来、光ピックアップ部分の厚さ方向12(縦方向)と
いうのはディスク面8に対して垂直な方向となるために
、光ピックアップ部分の形状が厚くなると、システム全
体の形状も大きくなり、またそれ自体の重量が増すこと
によって、情報の処理速度が低下するという問題点があ
った。
However, as shown in FIG. 3, in the conventional semiconductor device, since the long side direction of the fin 6 and the θ vertical direction are the same direction, the θ vertical direction is not vertical in the pickup portion. If the main body of the laser device is attached in such a direction, the long side direction of the fin 3 becomes the thickness direction 12 of the optical pickup portion, which causes a problem that the shape of the optical pickup portion becomes thick. Originally, the thickness direction 12 (vertical direction) of the optical pickup section is perpendicular to the disk surface 8, so as the optical pickup section becomes thicker, the overall system size also becomes larger. There is a problem in that the increased weight of the device itself reduces the processing speed of information.

【0006】本発明の目的は、フィンの方向を変えるこ
とによって上記の従来の技術による問題点を解決するも
のである。
The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art by changing the direction of the fins.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明では、長方形形状
フィンの短辺方向に対して半導体レーザのチップ接合面
を垂直に設定したことを特徴としている。
[Means for Solving the Problems] The present invention is characterized in that the chip bonding surface of the semiconductor laser is set perpendicular to the short side direction of the rectangular fin.

【0008】[0008]

【作用】本発明の半導体レーザ装置を光ピックアップ部
分に取り付ける時には、長方形形状フィンの短辺方向が
光ピックアップ部分の縦方向となる。
[Operation] When the semiconductor laser device of the present invention is attached to an optical pickup section, the short side direction of the rectangular fin becomes the longitudinal direction of the optical pickup section.

【0009】[0009]

【実施例】図1は本発明の実施例を示している。構成に
おいて、図3に示す従来の半導体レーザ装置と相違する
点は、本実施例では、長方形形状フィン3の短辺方向に
対して半導体レーザチップ6のチップ接合面が垂直にな
って点である。その他の点は、従来の構造と同一である
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. The difference in configuration from the conventional semiconductor laser device shown in FIG. 3 is that in this embodiment, the chip bonding surface of the semiconductor laser chip 6 is perpendicular to the short side direction of the rectangular fin 3. . Other points are the same as the conventional structure.

【0010】図2に、上記の半導体レーザ装置を使用し
た光ピックアップ部分の光学系を示す。フィン3の短辺
方向と半導体レーザチップ6の接合面とが垂直に設定さ
れている点、即ち、フィン3の短辺方向とθ垂直方向と
が同一方向になるよう設計されている図1に示す半導体
レーザ装置を光ピックアップ部分に用いた場合、図2に
示すようになる。即ち、光ビーム9の広がり方向が光ピ
ックアップ部分の縦方向12となるように半導体レーザ
装置を配置する必要があるために、図2に示すように、
本実施例の半導体レーザ装置を使用すると、フィン3の
短辺方向が上記縦方向12となるように配置される。図
2から明らかなように、光ピックアップ部分の光学系の
縦方向12にスペース的な余裕13が発生する。したが
って、この余裕13のために縦方向12の寸法が小さく
設計できる。実際のシステムでは、縦方向12の寸法が
5〜10ミリ程度小さく設計できる。光ピックアップ部
分の横方向に(紙面に垂直な方向)に対応するフィン3
の長辺方向はディスク面8に対して平行な方向であるこ
とから、フィンの長辺方向の長さは問題にならない。
FIG. 2 shows an optical system of an optical pickup section using the above semiconductor laser device. In FIG. 1, the short side direction of the fin 3 and the bonding surface of the semiconductor laser chip 6 are set perpendicularly, that is, the short side direction of the fin 3 and the θ vertical direction are designed to be in the same direction. When the semiconductor laser device shown in FIG. 2 is used in an optical pickup section, the result will be as shown in FIG. That is, since it is necessary to arrange the semiconductor laser device so that the spreading direction of the light beam 9 is in the vertical direction 12 of the optical pickup portion, as shown in FIG.
When the semiconductor laser device of this embodiment is used, the short side direction of the fin 3 is arranged in the longitudinal direction 12. As is clear from FIG. 2, a space margin 13 occurs in the vertical direction 12 of the optical system in the optical pickup portion. Therefore, due to this margin 13, the dimension in the vertical direction 12 can be designed to be small. In an actual system, the dimension in the vertical direction 12 can be designed to be about 5 to 10 mm smaller. Fin 3 corresponding to the lateral direction of the optical pickup part (direction perpendicular to the page)
Since the long side direction of the fin is parallel to the disk surface 8, the length of the fin in the long side direction does not matter.

【0011】[0011]

【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置を光ディスク
装置等の光ピックアップ部分に用いることにより、光ピ
ックアップ部分の縦方向の寸法を小さく設計できる。こ
のため、本発明の半導体レーザ装置が使用される光ディ
スク装置等のシステムの全体の軽薄化を促進できる利点
がある。
Effects of the Invention By using the semiconductor laser device of the present invention in an optical pickup portion of an optical disk device or the like, the vertical dimension of the optical pickup portion can be designed to be small. Therefore, there is an advantage that the entire system, such as an optical disk device, in which the semiconductor laser device of the present invention is used can be made lighter and thinner.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明の実施例の正面図,側面図を示す。FIG. 1 shows a front view and a side view of an embodiment of the present invention.

【図2】上記実施例を使用した光ディスク装置の光ピッ
クアップ部分の構造を示す。
FIG. 2 shows the structure of an optical pickup portion of an optical disc device using the above embodiment.

【図3】従来の半導体レーザ装置の正面図,側面図を示
す。
FIG. 3 shows a front view and a side view of a conventional semiconductor laser device.

【図4】従来の半導体レーザ装置を使用した光ピックア
ップ部分の構造を示す。
FIG. 4 shows the structure of an optical pickup section using a conventional semiconductor laser device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1−半導体レーザ 2−高周波モジュール 3−フィン 4−シールドケース 6−レーザチップ 1-Semiconductor laser 2-High frequency module 3-Fin 4- Shield case 6-Laser chip

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体レーザと、半導体レーザ駆動電流に
重畳する高周波電流を形成する回路をシールドケース内
に収めた高周波モジュールと、レーザ装置本体取付用の
長方形形状フィンとを一体化した半導体レーザ装置にお
いて、前記長方形形状フィンの短辺方向に対して前記半
導体レーザのチップ接合面を垂直に設定したことを特徴
とする半導体レーザ装置。
1. A semiconductor laser device that integrates a semiconductor laser, a high-frequency module containing a circuit for forming a high-frequency current to be superimposed on the semiconductor laser drive current in a shield case, and a rectangular fin for attaching to the main body of the laser device. A semiconductor laser device according to claim 1, wherein a chip bonding surface of the semiconductor laser is set perpendicular to a short side direction of the rectangular fin.
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