JPH04301012A - 金属粉末製造装置 - Google Patents
金属粉末製造装置Info
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- JPH04301012A JPH04301012A JP8903691A JP8903691A JPH04301012A JP H04301012 A JPH04301012 A JP H04301012A JP 8903691 A JP8903691 A JP 8903691A JP 8903691 A JP8903691 A JP 8903691A JP H04301012 A JPH04301012 A JP H04301012A
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- molten metal
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- atomization
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- Pending
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Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、溶湯を自然落下させ、
それに向けてガスを噴射して落下溶湯を分散、微粒化さ
せることにより金属粉末を製造する、ガスアトマイズ法
による金属粉末製造装置に関する。
それに向けてガスを噴射して落下溶湯を分散、微粒化さ
せることにより金属粉末を製造する、ガスアトマイズ法
による金属粉末製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図5に、従来の、溶湯自由落下型、ガス
アトマイズ式金属粉末製造装置の要部の概略を示す。1
は底壁に溶湯落下用孔2を有するタンディッシュ、3は
タンディッシュ1の下方に設けられたノズル装置である
。ノズル装置3は溶湯落下用孔2の真直下方のまわりに
環状に設けられたスリット4を有し、スリット4は斜め
下方に向けられている。ノズル装置3から噴射された不
活性ガスを溶湯落下用孔2から落下される溶湯にあてて
、溶湯を分散、微粒化させ、金属粉末を製造する。従来
法において、微粒化を促進させるには、(1)、溶湯金
属流量/ガス流量の比を小さくする。 (2)、ガス圧力を増大する。 (3)、噴霧角度θを増大する。 の何れかによる。
アトマイズ式金属粉末製造装置の要部の概略を示す。1
は底壁に溶湯落下用孔2を有するタンディッシュ、3は
タンディッシュ1の下方に設けられたノズル装置である
。ノズル装置3は溶湯落下用孔2の真直下方のまわりに
環状に設けられたスリット4を有し、スリット4は斜め
下方に向けられている。ノズル装置3から噴射された不
活性ガスを溶湯落下用孔2から落下される溶湯にあてて
、溶湯を分散、微粒化させ、金属粉末を製造する。従来
法において、微粒化を促進させるには、(1)、溶湯金
属流量/ガス流量の比を小さくする。 (2)、ガス圧力を増大する。 (3)、噴霧角度θを増大する。 の何れかによる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の(1)
、(2)の方法は、単位時間あたりの溶湯金属流量に対
しガス流量を増大させることを意味し、噴射ガス媒体に
不活性ガス(N2 、Ar、He等)を用いる場合、著
しくコストが増大する。また、上記の(3)は、噴射角
を増大させることによってノズル付近への金属の溶着が
起り、しばしばノズル閉塞に至るという問題がある他、
噴射角はある程度以上増大させることはできないという
制限を受ける。
、(2)の方法は、単位時間あたりの溶湯金属流量に対
しガス流量を増大させることを意味し、噴射ガス媒体に
不活性ガス(N2 、Ar、He等)を用いる場合、著
しくコストが増大する。また、上記の(3)は、噴射角
を増大させることによってノズル付近への金属の溶着が
起り、しばしばノズル閉塞に至るという問題がある他、
噴射角はある程度以上増大させることはできないという
制限を受ける。
【0004】本発明は、溶湯自然落下型、ガスアトマイ
ズ式金属粉末装置において、金属溶湯の微粒化を促進す
ることを目的とする。
ズ式金属粉末装置において、金属溶湯の微粒化を促進す
ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
る金属粉末製造装置が次の手段を備えることによって達
成される。底壁に溶湯落下用孔を有するタンディッシュ
、該タンディッシュより下方にかつ前記溶湯落下用孔の
真直下方まわりに環状に設けられガス噴射方向を斜め下
方に向けられたノズル装置、および前記タンディッシュ
と前記ノズル装置との間に前記溶湯落下用孔の真直下方
まわりに設けられた旋回流生成用の羽根装置。
る金属粉末製造装置が次の手段を備えることによって達
成される。底壁に溶湯落下用孔を有するタンディッシュ
、該タンディッシュより下方にかつ前記溶湯落下用孔の
真直下方まわりに環状に設けられガス噴射方向を斜め下
方に向けられたノズル装置、および前記タンディッシュ
と前記ノズル装置との間に前記溶湯落下用孔の真直下方
まわりに設けられた旋回流生成用の羽根装置。
【0006】
【作用】タンディッシュの溶湯落下用孔から自然落下す
る溶湯にノズル装置から不活性ガスが噴射される時、ノ
ズル装置が環状に設けられているため噴射ガスは落下溶
湯を中心軸とするコーン状噴射流層を形成し、この噴射
流層より上方のガスを巻込むので噴射流層より上方は負
圧になろうとする。この負圧に吸引されて、羽根装置を
通って噴射流層より上方の空間にガスが流れるが、羽根
装置を通る時に旋回流を生成するので、噴射流層より上
方の空間には落下溶湯を中心軸とする強力な旋回流が生
成される。落下溶湯はこの旋回流によって噴射流層上方
で旋回を始め、自身の遠心力によって半径方向に拡がり
、ソリッドで落下していた溶湯は粒状に拡がろうとする
。この拡がって粒状化の傾向を与えられた溶湯に対して
ノズル装置からの噴射ガスが当てられるので、溶湯は、
従来の旋回流のない場合に比べて、微粒化を促進される
。この微粒化の促進には、ガス流量の増加やノズル噴射
角の増大等を伴わないので、従来のような不具合を伴わ
ずに微粒化の促進が達成される。
る溶湯にノズル装置から不活性ガスが噴射される時、ノ
ズル装置が環状に設けられているため噴射ガスは落下溶
湯を中心軸とするコーン状噴射流層を形成し、この噴射
流層より上方のガスを巻込むので噴射流層より上方は負
圧になろうとする。この負圧に吸引されて、羽根装置を
通って噴射流層より上方の空間にガスが流れるが、羽根
装置を通る時に旋回流を生成するので、噴射流層より上
方の空間には落下溶湯を中心軸とする強力な旋回流が生
成される。落下溶湯はこの旋回流によって噴射流層上方
で旋回を始め、自身の遠心力によって半径方向に拡がり
、ソリッドで落下していた溶湯は粒状に拡がろうとする
。この拡がって粒状化の傾向を与えられた溶湯に対して
ノズル装置からの噴射ガスが当てられるので、溶湯は、
従来の旋回流のない場合に比べて、微粒化を促進される
。この微粒化の促進には、ガス流量の増加やノズル噴射
角の増大等を伴わないので、従来のような不具合を伴わ
ずに微粒化の促進が達成される。
【0007】
【実施例】以下に、本発明に係る金属粉末製造装置の望
ましい実施例を、図1−図4を参照して説明する。図1
は金属粉末製造装置の全体を示しており、噴霧チャンバ
11の上部にはノズル装置12が設けられ、その上方に
は、底壁に溶湯落下用孔13を有するタンディッシュ1
4が設けられる。タンディッシュ14には、高周波誘導
炉15等から溶湯16が注入される。噴霧チャンバ11
の下方には粉末回収槽17が設けられ、金属粉末18を
受ける。ノズル装置12から噴出された不活性ガス19
(N2 、Ar、He等)は噴霧チャンバ11を満し、
さらに排気装置20から排出される。
ましい実施例を、図1−図4を参照して説明する。図1
は金属粉末製造装置の全体を示しており、噴霧チャンバ
11の上部にはノズル装置12が設けられ、その上方に
は、底壁に溶湯落下用孔13を有するタンディッシュ1
4が設けられる。タンディッシュ14には、高周波誘導
炉15等から溶湯16が注入される。噴霧チャンバ11
の下方には粉末回収槽17が設けられ、金属粉末18を
受ける。ノズル装置12から噴出された不活性ガス19
(N2 、Ar、He等)は噴霧チャンバ11を満し、
さらに排気装置20から排出される。
【0008】ノズル装置12は、タンディッシュ14の
溶湯落下用13の真直下方のまわりに環状に設けられ、
かつガス噴出方向を斜め下方に向けられている。ノズル
装置12の環状構成は、ガス噴出スリットを環状に連続
して形成してもよいし、あるいは柱状にガスを噴出する
孔を多数円周上に並べて配設して形成してもよい。ノズ
ル装置12のガス噴出方向は溶湯落下用孔13の真直下
方に向けられており、噴出されたガスが溶湯落下用孔1
3から自然落下する溶湯にあたるようにされている。
溶湯落下用13の真直下方のまわりに環状に設けられ、
かつガス噴出方向を斜め下方に向けられている。ノズル
装置12の環状構成は、ガス噴出スリットを環状に連続
して形成してもよいし、あるいは柱状にガスを噴出する
孔を多数円周上に並べて配設して形成してもよい。ノズ
ル装置12のガス噴出方向は溶湯落下用孔13の真直下
方に向けられており、噴出されたガスが溶湯落下用孔1
3から自然落下する溶湯にあたるようにされている。
【0009】タンディッシュ14とノズル装置12との
間には、溶湯落下用孔13の真直下方のまわりに、固定
式の羽根装置21が設けられている。この固定式の羽根
装置21は、図2または図3に示すように、羽根装置2
1の外周側から内周側に羽根装置21を通してガスが通
過するときに羽根装置21の内周側に旋回流を生成する
羽根形状を有する。図2の例は4枚の羽根を有し、ガス
流入方向を、羽根装置内部スペースの接線方向としてあ
る。図3の例は4枚より多い羽根数を有し、ガス流入方
向を、接線方向としてある。
間には、溶湯落下用孔13の真直下方のまわりに、固定
式の羽根装置21が設けられている。この固定式の羽根
装置21は、図2または図3に示すように、羽根装置2
1の外周側から内周側に羽根装置21を通してガスが通
過するときに羽根装置21の内周側に旋回流を生成する
羽根形状を有する。図2の例は4枚の羽根を有し、ガス
流入方向を、羽根装置内部スペースの接線方向としてあ
る。図3の例は4枚より多い羽根数を有し、ガス流入方
向を、接線方向としてある。
【0010】次に、本発明実施例の作用を説明する。ノ
ズル装置12から噴射されたガスは、図4に示すように
溶湯落下用孔13から真直下方に延びる仮想線を軸芯と
して下方に向って縮径するコーン状の噴射流層22を形
成し、この噴射流層22によって噴射流層より上方の空
間と、噴射流層より下方の空間とは互いに隔てられる。 噴射流層22へのガスの巻込みがあるので、噴射流層2
2より上方の空間の圧力は低下して負圧になろうとする
。この負圧に吸引されて、羽根装置21の外周側から内
周側にガスが流れる。この時、羽根装置21はガスに旋
回流を生ぜしめるので、噴射流層22より上方の空間で
かつ羽根装置21より内周側の空間には、強力な旋回流
が生成される。この旋回流は噴射流層22より上方の空
間を溶湯が落下している間に、溶湯に旋回流を生起せし
め、溶湯は自身の遠心力によって下方にいくに従って徐
々に流れの径を拡大させてコーン状流になろうとし、ソ
リッド状が分化されて粒状、滴状に変わっていく。次い
で、ノズル装置12から噴射されたガスにあたり、粉々
にされていく。
ズル装置12から噴射されたガスは、図4に示すように
溶湯落下用孔13から真直下方に延びる仮想線を軸芯と
して下方に向って縮径するコーン状の噴射流層22を形
成し、この噴射流層22によって噴射流層より上方の空
間と、噴射流層より下方の空間とは互いに隔てられる。 噴射流層22へのガスの巻込みがあるので、噴射流層2
2より上方の空間の圧力は低下して負圧になろうとする
。この負圧に吸引されて、羽根装置21の外周側から内
周側にガスが流れる。この時、羽根装置21はガスに旋
回流を生ぜしめるので、噴射流層22より上方の空間で
かつ羽根装置21より内周側の空間には、強力な旋回流
が生成される。この旋回流は噴射流層22より上方の空
間を溶湯が落下している間に、溶湯に旋回流を生起せし
め、溶湯は自身の遠心力によって下方にいくに従って徐
々に流れの径を拡大させてコーン状流になろうとし、ソ
リッド状が分化されて粒状、滴状に変わっていく。次い
で、ノズル装置12から噴射されたガスにあたり、粉々
にされていく。
【0011】本発明実施例の溶湯微粒化促進効果を確認
する試験を行った。試験条件は次の通りとした。 噴霧ガス圧力 7Kg/cm2 噴霧ガス流量
100Nl/hr噴霧角度(噴射ガスの鉛直線に
対してなす角度を噴霧角度と定義した) 50° 溶湯種類 Sn−Pb 溶湯流量 60Kg/hr 試験結果は、直径75ミクロン以下の粉末を製造すると
きの重量歩留りが、羽根装置なしの場合の52重量%か
ら羽根装置有りの場合(本発明)の86重量%に大巾に
上昇した。
する試験を行った。試験条件は次の通りとした。 噴霧ガス圧力 7Kg/cm2 噴霧ガス流量
100Nl/hr噴霧角度(噴射ガスの鉛直線に
対してなす角度を噴霧角度と定義した) 50° 溶湯種類 Sn−Pb 溶湯流量 60Kg/hr 試験結果は、直径75ミクロン以下の粉末を製造すると
きの重量歩留りが、羽根装置なしの場合の52重量%か
ら羽根装置有りの場合(本発明)の86重量%に大巾に
上昇した。
【0012】この微粒化促進においては、ガス流量の増
大やガス噴出方向の増大を必要としない。また、羽根装
置21は固定式であるので、故障の発生がなくメンテナ
ンスも本質的に必要としない。
大やガス噴出方向の増大を必要としない。また、羽根装
置21は固定式であるので、故障の発生がなくメンテナ
ンスも本質的に必要としない。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、旋回流生成用の羽根装
置を設けたので、溶湯の微粒化を促進できる。
置を設けたので、溶湯の微粒化を促進できる。
【図1】本発明に係る金属粉末製造装置の全体断面図で
ある。
ある。
【図2】本発明の実施例1における羽根装置の断面図で
ある。
ある。
【図3】本発明の実施例2における羽根装置の断面図で
ある。
ある。
【図4】本発明における溶湯の微粒化部位の断面図であ
る。
る。
【図5】従来の金属粉末製造装置の部分断面図である。
11 噴霧チャンバ
12 ノズル装置
13 溶湯落下用孔
14 タンディッシュ
16 溶湯
18 金属粉末
21 羽根装置
22 ガスの噴射流層
Claims (1)
- 【請求項1】 底壁に溶湯落下用孔を有するタンディ
ッシュと、該タンディッシュより下方にかつ前記溶湯落
下用孔の真直下方まわりに環状に設けられガス噴射方向
を斜め下方に向けられたノズル装置と、前記タンディッ
シュと前記ノズル装置との間に前記溶湯落下用孔の真直
下方まわりに設けられた旋回流生成用の羽根装置と、か
ら成る金属粉末製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8903691A JPH04301012A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 金属粉末製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8903691A JPH04301012A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 金属粉末製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04301012A true JPH04301012A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13959668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8903691A Pending JPH04301012A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 金属粉末製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04301012A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100386896B1 (ko) * | 2002-05-28 | 2003-06-18 | 에드호텍(주) | 금속용탕으로부터의 금속분말 제조장치 |
JP2007326721A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 粒状半導体の製造方法及び製造装置 |
CN111375776A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 丹阳荣鼎金粉科技有限公司 | 用于破碎高温金属熔液的旋流雾化喷嘴 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP8903691A patent/JPH04301012A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100386896B1 (ko) * | 2002-05-28 | 2003-06-18 | 에드호텍(주) | 금속용탕으로부터의 금속분말 제조장치 |
JP2007326721A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 粒状半導体の製造方法及び製造装置 |
CN111375776A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 丹阳荣鼎金粉科技有限公司 | 用于破碎高温金属熔液的旋流雾化喷嘴 |
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