JPH04297567A - 成形体の製造方法 - Google Patents
成形体の製造方法Info
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- JPH04297567A JPH04297567A JP3063094A JP6309491A JPH04297567A JP H04297567 A JPH04297567 A JP H04297567A JP 3063094 A JP3063094 A JP 3063094A JP 6309491 A JP6309491 A JP 6309491A JP H04297567 A JPH04297567 A JP H04297567A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
- G02B27/46—Systems using spatial filters
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
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- G—PHYSICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成形体の製造方法に係
り、詳しくは、硝子からなるフィルター、レンティキュ
ラーレンズ、回折格子またはこれらを製造するための成
形型として好適な成形体の製造方法に関する。
り、詳しくは、硝子からなるフィルター、レンティキュ
ラーレンズ、回折格子またはこれらを製造するための成
形型として好適な成形体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子工業分野では集積回路形成の
為に、又光学分野においてはフィルター、レンティキュ
ラーレンズ、回折格子などの製作の為に、基板上に微細
なパターンを形成する技術が要求されるようになった。 これらの加工法として（１）機械加工により研削する方
法、（２）レジストを露光によって硬化し、未硬化の非
露光部分を化学試薬でエッチングする方法（フォトリソ
グラフィー法）、（３）イオンビームなどで直接に基板
をドライエッチングする方法などがある。
為に、又光学分野においてはフィルター、レンティキュ
ラーレンズ、回折格子などの製作の為に、基板上に微細
なパターンを形成する技術が要求されるようになった。 これらの加工法として（１）機械加工により研削する方
法、（２）レジストを露光によって硬化し、未硬化の非
露光部分を化学試薬でエッチングする方法（フォトリソ
グラフィー法）、（３）イオンビームなどで直接に基板
をドライエッチングする方法などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
はいずれも、断面形状が正方形、長方形などの垂直の段
差を持つパターンの形成には適しているが、断面形状が
台形、半楕円形、三角形などの緩やかな傾斜を持つ直線
ストライプ状のパターンの形成方法としては適していな
い。従って、本発明の目的は、これに限定されるもので
はないが、緩やかな傾斜を持つ直線ストライプ状のパタ
ーンを有する成形体を製造するために特に好適な方法を
提供することにある。
はいずれも、断面形状が正方形、長方形などの垂直の段
差を持つパターンの形成には適しているが、断面形状が
台形、半楕円形、三角形などの緩やかな傾斜を持つ直線
ストライプ状のパターンの形成方法としては適していな
い。従って、本発明の目的は、これに限定されるもので
はないが、緩やかな傾斜を持つ直線ストライプ状のパタ
ーンを有する成形体を製造するために特に好適な方法を
提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたものであり、表面上に複数の凹凸
が直線ストライプ状に平行に形成された成形体の製造方
法において、（ｉ）薄い平板上に、得ようとする成形体
の垂直横断面形状を、横方向は等倍率で、縦方向は拡大
倍率で投影した後、縦長になった凸部相当部分を孔開け
して開口部を有する蒸着用マスク板を得る工程と、（ｉ
ｉ）前記工程で得られた蒸着用マスク板を、所定の間隙
をおいて平面基板上に配置する工程と、（ｉｉｉ）平面
基板を固定して蒸着用マスク板をその開口部の縦方向に
沿って等速で直線往復運動させながらまたは蒸着用マス
ク板を固定して平面基板を蒸着用マスク板の開口部の縦
方向に沿って等速で直線往復運動させながら蒸着操作を
行ない、蒸着用マスク板の開口部を通じて蒸着物質を平
面基板上に堆積する工程とを含むことを特徴とする。
成するためになされたものであり、表面上に複数の凹凸
が直線ストライプ状に平行に形成された成形体の製造方
法において、（ｉ）薄い平板上に、得ようとする成形体
の垂直横断面形状を、横方向は等倍率で、縦方向は拡大
倍率で投影した後、縦長になった凸部相当部分を孔開け
して開口部を有する蒸着用マスク板を得る工程と、（ｉ
ｉ）前記工程で得られた蒸着用マスク板を、所定の間隙
をおいて平面基板上に配置する工程と、（ｉｉｉ）平面
基板を固定して蒸着用マスク板をその開口部の縦方向に
沿って等速で直線往復運動させながらまたは蒸着用マス
ク板を固定して平面基板を蒸着用マスク板の開口部の縦
方向に沿って等速で直線往復運動させながら蒸着操作を
行ない、蒸着用マスク板の開口部を通じて蒸着物質を平
面基板上に堆積する工程とを含むことを特徴とする。
【０００５】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
。 実施例１ 図１（ａ）に立体図を示すような、凸部１が台形状の緩
やかな傾斜を有する直線ストライプ状の硝子製ローパス
フィルター２を作るに当り、先ず薄い平板として０．５
ｍｍ厚のＳＵＳ３０４板を用いて、図１（ｂ）に示すよ
うな、縦長の台形状の開口部３を有する蒸着用マスク板
４を形成する。これらの開口部３は、図１（ａ）におい
てＸＺ軸で切断した断面を図１（ｂ）においてＸはｘ方
向に、Ｚはｙ方向に揃え、図１（ａ）の横方向を等倍率
に、そして縦方向をｙ／Ｚ＝３ｍｍ／０．２４μｍ ＝
１２５００培に拡大した形状のものである。ここで台形
状の開口部３の縦寸法３ｍｍは蒸着の膜厚と関連するの
であるが、蒸着時間によっても膜厚は調整出来るから予
め適当に定めておけばよい。
。 実施例１ 図１（ａ）に立体図を示すような、凸部１が台形状の緩
やかな傾斜を有する直線ストライプ状の硝子製ローパス
フィルター２を作るに当り、先ず薄い平板として０．５
ｍｍ厚のＳＵＳ３０４板を用いて、図１（ｂ）に示すよ
うな、縦長の台形状の開口部３を有する蒸着用マスク板
４を形成する。これらの開口部３は、図１（ａ）におい
てＸＺ軸で切断した断面を図１（ｂ）においてＸはｘ方
向に、Ｚはｙ方向に揃え、図１（ａ）の横方向を等倍率
に、そして縦方向をｙ／Ｚ＝３ｍｍ／０．２４μｍ ＝
１２５００培に拡大した形状のものである。ここで台形
状の開口部３の縦寸法３ｍｍは蒸着の膜厚と関連するの
であるが、蒸着時間によっても膜厚は調整出来るから予
め適当に定めておけばよい。
【０００６】この様にして得られた図１（ｂ）の蒸着用
マスク板４を、図２（ａ）に示す蒸着用治具５の蒸着用
マスク板取り付け面６ａ，６ｂにまたがって配置し、ね
じ止め等の手段（図示せず）によって固定する。このと
き、カーボン板製の試料台７が動く方向（矢印参照）と
蒸着用マスク板４の開口部３の縦方向（図１（ｂ）のｙ
軸方向）とが一致するように蒸着用マスク板４を固定す
ることが必要である。一方、図２（ｂ）に示すように、
１７ｍｍφ×３ｍｍｔの研磨された石英硝子円板（平面
基板）８を、適当なスペーサー９を介して試料台７に乗
せ、石英硝子円板８と蒸着用マスク板４との間隙を０．
１ｍｍに保ってねじ止め等の手段（図示せず）によって
試料台７に固定する。なお図２（ｂ）に示すように蒸着
用マスク板４の開口部３を石英硝子円板８に向けて片面
ナイフエッジとした。そして、スパッター装置チャンバ
ー内の天井に位置する基板取り付け面に図２（ｂ）の蒸
着用治具５を図の上面を下方にして吊し、穴１０を通し
てねじ止めする。蒸着用治具５において、カーボン板製
の試料台７はその内部に密に嵌合されており、その上の
スペーサー９および石英硝子円板８は試料台７に固定さ
れているので、この蒸着用治具５を図の上面を下方にし
て吊しても、石英硝子円板８と蒸着用マスク板４との間
隙は０．１ｍｍに保持される。そして、チャンバー内の
下方には１００ｍｍφの石英硝子ターゲットを設置し、
試料台７およびこの試料台７上にスペーサー９を介して
固定された石英硝子円板８を２３ｍｍ／１５秒の一定の
速度で直線往復移動させながら一定の蒸着速度でターゲ
ットの石英蒸気１１を石英硝子円板８の表面に蒸着した
。ここで、２３ｍｍは試料台７が動く距離で蒸着用マス
ク板４の開口部３の縦寸法３ｍｍ、石英硝子円板８の径
１７ｍｍ、及び開口部の前後端での石英硝子円板８との
遊びそれぞれ１．５ｍｍを加えた長さである。又、片道
に要する時間１５秒はスムーズな定速を得る為に決めた
値であって、スピードが一定でさえあれば速くても遅く
ても膜厚に影響しない。
マスク板４を、図２（ａ）に示す蒸着用治具５の蒸着用
マスク板取り付け面６ａ，６ｂにまたがって配置し、ね
じ止め等の手段（図示せず）によって固定する。このと
き、カーボン板製の試料台７が動く方向（矢印参照）と
蒸着用マスク板４の開口部３の縦方向（図１（ｂ）のｙ
軸方向）とが一致するように蒸着用マスク板４を固定す
ることが必要である。一方、図２（ｂ）に示すように、
１７ｍｍφ×３ｍｍｔの研磨された石英硝子円板（平面
基板）８を、適当なスペーサー９を介して試料台７に乗
せ、石英硝子円板８と蒸着用マスク板４との間隙を０．
１ｍｍに保ってねじ止め等の手段（図示せず）によって
試料台７に固定する。なお図２（ｂ）に示すように蒸着
用マスク板４の開口部３を石英硝子円板８に向けて片面
ナイフエッジとした。そして、スパッター装置チャンバ
ー内の天井に位置する基板取り付け面に図２（ｂ）の蒸
着用治具５を図の上面を下方にして吊し、穴１０を通し
てねじ止めする。蒸着用治具５において、カーボン板製
の試料台７はその内部に密に嵌合されており、その上の
スペーサー９および石英硝子円板８は試料台７に固定さ
れているので、この蒸着用治具５を図の上面を下方にし
て吊しても、石英硝子円板８と蒸着用マスク板４との間
隙は０．１ｍｍに保持される。そして、チャンバー内の
下方には１００ｍｍφの石英硝子ターゲットを設置し、
試料台７およびこの試料台７上にスペーサー９を介して
固定された石英硝子円板８を２３ｍｍ／１５秒の一定の
速度で直線往復移動させながら一定の蒸着速度でターゲ
ットの石英蒸気１１を石英硝子円板８の表面に蒸着した
。ここで、２３ｍｍは試料台７が動く距離で蒸着用マス
ク板４の開口部３の縦寸法３ｍｍ、石英硝子円板８の径
１７ｍｍ、及び開口部の前後端での石英硝子円板８との
遊びそれぞれ１．５ｍｍを加えた長さである。又、片道
に要する時間１５秒はスムーズな定速を得る為に決めた
値であって、スピードが一定でさえあれば速くても遅く
ても膜厚に影響しない。
【０００７】このようにして得られた１７ｍｍφ円板８
の表面の凹凸をＴａｙｌｏｒ−Ｈｏｂｓｏｎの形状測定
器で測定したところ、図３に示すように目的とする形状
に忠実な台形が得られた。石英硝子円板と蒸着用マスク
板との間隙を変えて同様の実験を行ったところ、間隙を
０．５ｍｍ以下にすれば、断面形状がほぼ台形の直線ス
トライプ模様となることがわかった。
の表面の凹凸をＴａｙｌｏｒ−Ｈｏｂｓｏｎの形状測定
器で測定したところ、図３に示すように目的とする形状
に忠実な台形が得られた。石英硝子円板と蒸着用マスク
板との間隙を変えて同様の実験を行ったところ、間隙を
０．５ｍｍ以下にすれば、断面形状がほぼ台形の直線ス
トライプ模様となることがわかった。
【０００８】このように、台形状の開口部を有する蒸着
用マスク板を用いればストライプの断面形状も目的通り
の台形となる。また、必ずしも断面形状が台形の形状に
限らず、断面が半楕円形状（図４（ａ））でも三角形状
（図４（ｂ））でも、又は、Ｓｉｎカーブをした形状（
図４（ｃ））であっても、あるいは又、左右の傾斜が異
なるような形状（図４（ｄ））に対しても、数多くの幅
広い断面形状に応用出来る。他の応用例として、平面基
板を自転させればフレネルレンズに、又平面基板と同じ
曲率半径を持つ球面状のマスクに孔開けすれば非球面レ
ンズの形成にも応用出来る。
用マスク板を用いればストライプの断面形状も目的通り
の台形となる。また、必ずしも断面形状が台形の形状に
限らず、断面が半楕円形状（図４（ａ））でも三角形状
（図４（ｂ））でも、又は、Ｓｉｎカーブをした形状（
図４（ｃ））であっても、あるいは又、左右の傾斜が異
なるような形状（図４（ｄ））に対しても、数多くの幅
広い断面形状に応用出来る。他の応用例として、平面基
板を自転させればフレネルレンズに、又平面基板と同じ
曲率半径を持つ球面状のマスクに孔開けすれば非球面レ
ンズの形成にも応用出来る。
【０００９】実施例２
実施例１と同様、図１（ａ）に示す硝子製ローパスフィ
ルターを作るのが目的であるが、同一のものを数多く作
る場合、実施例１とは凹凸の形状が反対となるような硝
子成形型を作り、それを用いてプレス成形によって作る
方がはるかに効率的である。図５（ａ）の硝子フィルタ
ーと凹凸が逆になるような蒸着用マスク板の開口部は図
５（ｂ）のようになる。実施例１では蒸着用マスク板の
開口部を横１列に並べた為に、使用回数が増えると共に
板にそりが生じてきたので、ここでは２列で、しかも、
１個置きに１８０度回転した開口部の配置とした。又、
本実施例では、実施例１のように機械加工によってマス
クに片面シャープエッジをつけるのは加工上難しく、精
度も出難いので、図６のように、化学エッチングによっ
て開口部を設けた（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）の４
枚の薄いＳＵＳ３０４板を開口部の中心を合わせて図６
（ａ）→図６（ｂ）→図６（ｃ）→図６（ｄ）の順番に
貼り合わせ、開口部が段付きではあるが、マクロ的に４
５度のシャープエッジとなるような約０．７ｍｍ厚のマ
スクを作製した。図６（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）
はそのときの貼り合わせ前の原図である。
ルターを作るのが目的であるが、同一のものを数多く作
る場合、実施例１とは凹凸の形状が反対となるような硝
子成形型を作り、それを用いてプレス成形によって作る
方がはるかに効率的である。図５（ａ）の硝子フィルタ
ーと凹凸が逆になるような蒸着用マスク板の開口部は図
５（ｂ）のようになる。実施例１では蒸着用マスク板の
開口部を横１列に並べた為に、使用回数が増えると共に
板にそりが生じてきたので、ここでは２列で、しかも、
１個置きに１８０度回転した開口部の配置とした。又、
本実施例では、実施例１のように機械加工によってマス
クに片面シャープエッジをつけるのは加工上難しく、精
度も出難いので、図６のように、化学エッチングによっ
て開口部を設けた（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）の４
枚の薄いＳＵＳ３０４板を開口部の中心を合わせて図６
（ａ）→図６（ｂ）→図６（ｃ）→図６（ｄ）の順番に
貼り合わせ、開口部が段付きではあるが、マクロ的に４
５度のシャープエッジとなるような約０．７ｍｍ厚のマ
スクを作製した。図６（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）
はそのときの貼り合わせ前の原図である。
【００１０】型の母体となる試料（平面基板）としては
、焼結ＳｉＣ（炭化珪素）円板の片面にＣＶＤ（化学的
気相析出）法にて同じくＳｉＣを０．５ｍｍの厚さに緻
密に堆積し、その緻密な層を鏡面研磨した１７ｍｍφ×
３ｍｍｔの試料を用いた。そして、試料と蒸着用マスク
板との間隙を０．０６ｍｍにし、実施例１の石英硝子タ
ーゲットをＳｉＣターゲットに交換し、試料台を３０ｍ
ｍ｛（型の径１７ｍｍ）＋（２列に並んだ開口部の端か
ら端まで１０ｍｍ）＋（両端での遊び１．５ｍｍ×２）
｝動かしながら蒸着を行って、成形型を得た。この型と
、対向する型として表面が平らな円板とを一組とする成
形型とし、その両型間に屈折率１．５２の板硝子をはさ
んで熱間プレスした。プレスに先立ち、硝子と型又はＳ
ｉＣ円板とが融着しないように、それぞれの面にスパッ
ター法によって硬質カーボンの離型膜を約６００オング
ストロームの膜厚にコートした。プレスは６００℃の窒
素雰囲気中で６０秒間、２０ｋｇｆ／ｃｍ２ の圧力で
行われた。
、焼結ＳｉＣ（炭化珪素）円板の片面にＣＶＤ（化学的
気相析出）法にて同じくＳｉＣを０．５ｍｍの厚さに緻
密に堆積し、その緻密な層を鏡面研磨した１７ｍｍφ×
３ｍｍｔの試料を用いた。そして、試料と蒸着用マスク
板との間隙を０．０６ｍｍにし、実施例１の石英硝子タ
ーゲットをＳｉＣターゲットに交換し、試料台を３０ｍ
ｍ｛（型の径１７ｍｍ）＋（２列に並んだ開口部の端か
ら端まで１０ｍｍ）＋（両端での遊び１．５ｍｍ×２）
｝動かしながら蒸着を行って、成形型を得た。この型と
、対向する型として表面が平らな円板とを一組とする成
形型とし、その両型間に屈折率１．５２の板硝子をはさ
んで熱間プレスした。プレスに先立ち、硝子と型又はＳ
ｉＣ円板とが融着しないように、それぞれの面にスパッ
ター法によって硬質カーボンの離型膜を約６００オング
ストロームの膜厚にコートした。プレスは６００℃の窒
素雰囲気中で６０秒間、２０ｋｇｆ／ｃｍ２ の圧力で
行われた。
【００１１】得られたプレス品は目標通りの良好なもの
であり、その測定結果を図７（ａ）に、その一部分の拡
大図を図７（ｂ）に、又、それに用いた成形型の測定結
果を図８（ａ）に、その一部分の拡大図を図８（ｂ）に
示す。得られたプレス品は、設計値に対して山の高さ及
び幅のバラツキはそれぞれ５％、１０％以内であり、実
施例１で型を用いず直接に製造された成形体と同程度の
性能のものが得られた。実施例１，２では、蒸着用マス
ク板を固定し、平面基板を往復運動させたが、平面基板
を固定し蒸着用マスク板を往復運動させてもよい。
であり、その測定結果を図７（ａ）に、その一部分の拡
大図を図７（ｂ）に、又、それに用いた成形型の測定結
果を図８（ａ）に、その一部分の拡大図を図８（ｂ）に
示す。得られたプレス品は、設計値に対して山の高さ及
び幅のバラツキはそれぞれ５％、１０％以内であり、実
施例１で型を用いず直接に製造された成形体と同程度の
性能のものが得られた。実施例１，２では、蒸着用マス
ク板を固定し、平面基板を往復運動させたが、平面基板
を固定し蒸着用マスク板を往復運動させてもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の方法によれ
ば、緩やかな傾斜を有する直線ストライプ状の成形体を
容易に作製することが可能になった。
ば、緩やかな傾斜を有する直線ストライプ状の成形体を
容易に作製することが可能になった。
【図１】 （ａ）は凸部が台形状の緩やかな傾斜を有
する直線ストライプ状硝子フィルターを表す立体図、（
ｂ）は（ａ）の台形を高さ方向に１２５００倍に引き延
ばして投影した蒸着用マスク板の平面図。
する直線ストライプ状硝子フィルターを表す立体図、（
ｂ）は（ａ）の台形を高さ方向に１２５００倍に引き延
ばして投影した蒸着用マスク板の平面図。
【図２】 （ａ）は蒸着用治具を示す斜視図、（ｂ）
は（ａ）の蒸着用治具に平面基板と蒸着用マスク板とを
配置した状態を示す断面図、
は（ａ）の蒸着用治具に平面基板と蒸着用マスク板とを
配置した状態を示す断面図、
【図３】 実施例１で得られた硝子フィルターの断面
形状が台形になっていることを表す図。
形状が台形になっていることを表す図。
【図４】 （ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は本発明
により得られる他の成形体の断面形状を示す図。
により得られる他の成形体の断面形状を示す図。
【図５】 （ａ）は凸部が台形状の緩やかな傾斜を有
するストライプ状フィルターの垂直横断面図、（ｂ）は
（ａ）のフィルターを作製する場合に必要な成形型を作
製するための蒸着用マスク板の平面図。
するストライプ状フィルターの垂直横断面図、（ｂ）は
（ａ）のフィルターを作製する場合に必要な成形型を作
製するための蒸着用マスク板の平面図。
【図６】 （ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は貼り合
わせ法で片面シャープエッジなマスク板１枚を作製する
ための４枚の原図。
わせ法で片面シャープエッジなマスク板１枚を作製する
ための４枚の原図。
【図７】 （ａ），（ｂ）は実施例２の方法で得られ
た硝子フィルターの表面の凹凸が台形であることを表す
図。
た硝子フィルターの表面の凹凸が台形であることを表す
図。
【図８】 （ａ），（ｂ）は図７のフィルターを作る
ために用いた型の凹凸が図７とは逆の台形であることを
表す図。
ために用いた型の凹凸が図７とは逆の台形であることを
表す図。
１． 凸部
２． 硝子フィルター
３． 台形状の開口部
４． 蒸着用マスク板
５． 蒸着用治具
６ａ，６ｂ． 蒸着用マスク板取り付け面７． 試
料台 ８． 石英硝子円板 ９． スペーサー １０． 穴 １１． 石英蒸気
料台 ８． 石英硝子円板 ９． スペーサー １０． 穴 １１． 石英蒸気
Claims (4)
- 【請求項１】 表面上に複数の凹凸が直線ストライプ
状に平行に形成された成形体の製造方法において、（ｉ
）薄い平板上に、得ようとする成形体の垂直横断面形状
を、横方向は等倍率で、縦方向は拡大倍率で投影した後
、縦長になった凸部相当部分を孔開けして開口部を有す
る蒸着用マスク板を得る工程と、（ｉｉ）前記工程で得
られた蒸着用マスク板を、所定の間隔をおいて平面基板
上に配置する工程と、（ｉｉｉ）平面基板を固定して蒸
着用マスク板をその開口部の縦方向に沿って等速で直線
往復運動させながらまたは蒸着用マスク板を固定して平
面基板を蒸着用マスク板の開口部の縦方向に沿って等速
で直線往復運動させながら蒸着操作を行ない、蒸着用マ
スク板の開口部を通じて蒸着物質を平面基板上に堆積す
る工程とを含むことを特徴とする成形体の製造方法。 - 【請求項２】 縦方向の拡大倍率が１，０００〜１，
０００，０００倍である、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 工程（ｉｉ）において蒸着用マスク板
を、０．５ｍｍ以下の間隙をおいて平面基板上に平行に
配置する、請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 得られる成形体が硝子からなるフィル
ター、レンティキュラーレンズ、回折格子またはこれら
を製造するための成形型である、請求項１に記載の方法
。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP06309491A JP3446835B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | ガラス光学素子用プレス成形型 |
| US07/854,581 US5380558A (en) | 1991-03-27 | 1992-03-20 | Method of manufacturing shaped body having straight stripes |
| DE4210079A DE4210079A1 (de) | 1991-03-27 | 1992-03-27 | Verfahren zur herstellung eines geformten koerpers mit geraden streifen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06309491A JP3446835B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | ガラス光学素子用プレス成形型 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04297567A true JPH04297567A (ja) | 1992-10-21 |
| JP3446835B2 JP3446835B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=13219379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06309491A Expired - Fee Related JP3446835B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | ガラス光学素子用プレス成形型 |
Country Status (3)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3446835B2 (ja) |
| DE (1) | DE4210079A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998025167A1 (fr) * | 1996-12-03 | 1998-06-11 | Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Reseau de phase et procede de fabrication |
| JP2000241678A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Lucent Technol Inc | 可変厚さの金属製コーティングを具備する光ファイバーデバイスの製造方法。 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950004968B1 (ko) * | 1991-10-15 | 1995-05-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 투영노광 장치 |
| US5573596A (en) * | 1994-01-28 | 1996-11-12 | Applied Materials, Inc. | Arc suppression in a plasma processing system |
| DE19613745B4 (de) * | 1996-04-01 | 2004-02-26 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren zur Herstellung anamorphotischer mikrooptischer Arrays und damit ausgestattete Faserlinse |
| US5863396A (en) * | 1996-10-25 | 1999-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck |
| US6168832B1 (en) | 1997-01-20 | 2001-01-02 | Coherent, Inc. | Three-dimensional masking method for control of coating thickness |
| GB9701114D0 (en) * | 1997-01-20 | 1997-03-12 | Coherent Optics Europ Ltd | Three-dimensional masking method for control of optical coating thickness |
| JP3505067B2 (ja) | 1997-07-17 | 2004-03-08 | 松下電器産業株式会社 | 光量補正フィルター製造装置およびこの装置で製造された光量補正フィルターを用いたカラー受像管製造方法 |
| FR2771810B1 (fr) * | 1997-11-28 | 2000-02-11 | Sgs Thomson Microelectronics | Amelioration de la mesure d'epaisseur en temps reel d'un materiau depose dans une installation de depot par evaporation |
| US6052230A (en) * | 1998-07-10 | 2000-04-18 | Northrop Grumman Corporation | Optical blurring filter which is resistant to digital image restoration |
| US6464844B1 (en) | 2000-09-21 | 2002-10-15 | Delphi Technologies, Inc. | Sputtering alloy films using a sintered metal composite target |
| US6402906B1 (en) * | 2000-10-19 | 2002-06-11 | Delphi Technologies, Inc. | Sputtering alloy films using a crescent-shaped aperture |
| DE10058931A1 (de) * | 2000-11-28 | 2002-06-20 | Tinox Ges Fuer Energieforschun | Gemusterter Strahlungsenergie-Wandler |
| US6419803B1 (en) * | 2001-03-16 | 2002-07-16 | 4Wave, Inc. | System and method for making thin-film structures using a stepped profile mask |
| DE10127225A1 (de) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Zeiss Carl | Ultraviolettlicht-Abschwächungsfilter |
| JP2004271828A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光学素子およびその製造方法 |
| US20040250767A1 (en) * | 2003-04-21 | 2004-12-16 | Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. | Method and apparatus for coating a substrate using combustion chemical vapor deposition |
| JP4527967B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2010-08-18 | オリンパス株式会社 | 焦点板原盤及びその製造方法 |
| JP4441282B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 蒸着マスク及び有機ｅｌ表示デバイスの製造方法 |
| US20080285165A1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Wu Kuohua Angus | Thin film filter system and method |
| EP3828604A1 (en) * | 2015-01-23 | 2021-06-02 | Materion Corporation | Near infrared optical interference filters with improved transmission |
| US9804310B2 (en) * | 2015-02-17 | 2017-10-31 | Materion Corporation | Method of fabricating anisotropic optical interference filter |
| US11804468B2 (en) | 2021-01-15 | 2023-10-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Manufacturing method of semiconductor package using jig |
| CN112764145A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-05-07 | 西安交通大学 | 一种基于时序控制的二维光栅高效制造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4303489A (en) * | 1978-08-21 | 1981-12-01 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for producing a variable intensity pattern of sputtering material on a substrate |
| JPS5545019A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-29 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Production of photo mask |
| US4278528A (en) * | 1979-10-09 | 1981-07-14 | Coulter Systems Corporation | Rectilinear sputtering apparatus and method |
| US4391034A (en) * | 1980-12-22 | 1983-07-05 | Ibm Corporation | Thermally compensated shadow mask |
| DE3400843A1 (de) * | 1983-10-29 | 1985-07-18 | VEGLA Vereinigte Glaswerke GmbH, 5100 Aachen | Verfahren zum herstellen von autoglasscheiben mit streifenfoermigen blendschutzfiltern durch bedampfen oder sputtern, und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| JPH0348204Y2 (ja) * | 1985-03-20 | 1991-10-15 | ||
| US4776868A (en) * | 1985-09-09 | 1988-10-11 | Corning Glass Works | Lenses and lens arrays |
| US4988424A (en) * | 1989-06-07 | 1991-01-29 | Ppg Industries, Inc. | Mask and method for making gradient sputtered coatings |
| JPH077324Y2 (ja) * | 1989-09-27 | 1995-02-22 | 学校法人東京理科大学 | 皮膜形成装置 |
| US5154797A (en) * | 1991-08-14 | 1992-10-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Silicon shadow mask |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP06309491A patent/JP3446835B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-20 US US07/854,581 patent/US5380558A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-27 DE DE4210079A patent/DE4210079A1/de not_active Ceased
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998025167A1 (fr) * | 1996-12-03 | 1998-06-11 | Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Reseau de phase et procede de fabrication |
| JP2000241678A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Lucent Technol Inc | 可変厚さの金属製コーティングを具備する光ファイバーデバイスの製造方法。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4210079A1 (de) | 1992-10-01 |
| US5380558A (en) | 1995-01-10 |
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