JPH04294537A - 半導体装置の製造方法及び装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び装置Info
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- JPH04294537A JPH04294537A JP5992691A JP5992691A JPH04294537A JP H04294537 A JPH04294537 A JP H04294537A JP 5992691 A JP5992691 A JP 5992691A JP 5992691 A JP5992691 A JP 5992691A JP H04294537 A JPH04294537 A JP H04294537A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造方法に関
するものであり、さらに詳しく述べるならば、ウェット
エッチング終了時エッチング液とウェーハを分離する時
にウェーハ表面に残留したエッチング液による液むらを
防止する方法、ならびにその装置に関する。近年半導体
装置の微細化に伴いそれを構成する素子についても薄膜
の膜厚や各種パターンが非常に小さくなっており、膜厚
や各種パターンの寸法のばらつきが非常に少ないことが
要求されている。
するものであり、さらに詳しく述べるならば、ウェット
エッチング終了時エッチング液とウェーハを分離する時
にウェーハ表面に残留したエッチング液による液むらを
防止する方法、ならびにその装置に関する。近年半導体
装置の微細化に伴いそれを構成する素子についても薄膜
の膜厚や各種パターンが非常に小さくなっており、膜厚
や各種パターンの寸法のばらつきが非常に少ないことが
要求されている。
【０００２】
【従来の技術】従来ウェットエッチングのエッチング精
度を向上し各種パターンの寸法精度を高めるためには、
エッチング液の組成をエッチングの再現性が高いものと
すること、エッチング液の撹拌を十分に行いまた温度分
布を少なくすること等の対策が実施されてきた。しかし
ながらエッチング液からウェーハを取りだしたときに、
ウェーハ面に付着したエッチング液がウェーハ面上を流
れ、その縁から垂れることによってもエッチングむらが
起こることが分かった。すなわちエッチング液はウェー
ハのいずれかの部分に多く集まり縞状になってウェーハ
面を流れまたウェーハの下側の縁ほどエッチング液接触
質量が多くなるので、その流れに当る所ではエッチング
が進行し、パターン精度がウェーハ全体でばらつきを生
じる。
度を向上し各種パターンの寸法精度を高めるためには、
エッチング液の組成をエッチングの再現性が高いものと
すること、エッチング液の撹拌を十分に行いまた温度分
布を少なくすること等の対策が実施されてきた。しかし
ながらエッチング液からウェーハを取りだしたときに、
ウェーハ面に付着したエッチング液がウェーハ面上を流
れ、その縁から垂れることによってもエッチングむらが
起こることが分かった。すなわちエッチング液はウェー
ハのいずれかの部分に多く集まり縞状になってウェーハ
面を流れまたウェーハの下側の縁ほどエッチング液接触
質量が多くなるので、その流れに当る所ではエッチング
が進行し、パターン精度がウェーハ全体でばらつきを生
じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】通常のエッチング装置
ではウェーハは治具上で垂直に保持され、ロボットによ
りエッチング槽から次の処理装置または槽まで１０秒以
上の時間で移動させられる。この間にエッチング液はウ
ェーハの下側縁に向かって流れるのでエッチングむらが
発生するが、従来のエッチング方法及びその後処理方法
においてはかかるエッチングむら防止につき何ら対策は
立てられていなかった。特にＨＦ系エッチング液による
シリコン酸化膜のエッチングにおいてはエッチングレー
トが高くかつエッチング処理時間が短いので、槽間移動
時間中のエッチングも無視できず、移動中の液垂れによ
りウェーハ面内でエッチングむらを生じ、酸化シリコン
膜の膜厚の面内分布が大きくなっていた。したがって、
本発明は、ウエットエッチング後の槽間移動中の液垂れ
によるエッチングむらを抑制しウェットエッチングの面
内精度を高めることができる半導体装置の製造方法、お
よび半導体製造装置を提供することを目的とする。
ではウェーハは治具上で垂直に保持され、ロボットによ
りエッチング槽から次の処理装置または槽まで１０秒以
上の時間で移動させられる。この間にエッチング液はウ
ェーハの下側縁に向かって流れるのでエッチングむらが
発生するが、従来のエッチング方法及びその後処理方法
においてはかかるエッチングむら防止につき何ら対策は
立てられていなかった。特にＨＦ系エッチング液による
シリコン酸化膜のエッチングにおいてはエッチングレー
トが高くかつエッチング処理時間が短いので、槽間移動
時間中のエッチングも無視できず、移動中の液垂れによ
りウェーハ面内でエッチングむらを生じ、酸化シリコン
膜の膜厚の面内分布が大きくなっていた。したがって、
本発明は、ウエットエッチング後の槽間移動中の液垂れ
によるエッチングむらを抑制しウェットエッチングの面
内精度を高めることができる半導体装置の製造方法、お
よび半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る方法は、ウ
ェットエッチング工程を含む半導体装置の製造方法にお
いて、ウェーハを取りだす直前のエッチング液の濃度を
下げるかあるいは／かつエッチング液から取りだした直
後のもしくは取り出しつつあるウェーハに付着している
エッチング液の濃度を、エッチング液外にあるウェーハ
のエッチング面全体で実質的に均一に下げることを特徴
とする。またウェーハを取りだす直前のエッチング液の
濃度低下方法としてはエッチング液を純水で希釈するこ
とができる。希釈は一瞬のうちに一挙に行うことが好ま
しい。濃度低下の方法としては純水以外のあらゆる非エ
ッチング性液（アルコールなど）の使用が可能であるが
、エッチング液を再使用するためには純水が好ましい。
ェットエッチング工程を含む半導体装置の製造方法にお
いて、ウェーハを取りだす直前のエッチング液の濃度を
下げるかあるいは／かつエッチング液から取りだした直
後のもしくは取り出しつつあるウェーハに付着している
エッチング液の濃度を、エッチング液外にあるウェーハ
のエッチング面全体で実質的に均一に下げることを特徴
とする。またウェーハを取りだす直前のエッチング液の
濃度低下方法としてはエッチング液を純水で希釈するこ
とができる。希釈は一瞬のうちに一挙に行うことが好ま
しい。濃度低下の方法としては純水以外のあらゆる非エ
ッチング性液（アルコールなど）の使用が可能であるが
、エッチング液を再使用するためには純水が好ましい。
【０００５】エッチング液から取りだした直後のもしく
は取り出しつつあるウェーハに付着しているエッチング
液の濃度を低下させる方法としては、エッチング液外に
あるウェーハのエッチング面全体にシャワー又はスプレ
ー状純水をかけることができる。これらのシャワーなど
もできるだけ多量の純水を一挙にかけることが好ましい
。すなわち通常の１０数秒の槽間移動時間では最初の２
秒以内に純水にスプレーなどを完了することが好ましい
。以上述べた濃度低下の手段のいずれか一つを実施して
当該手段で可能な最大の効果（エッチング停止）を達成
することが望ましいが、二つまたはすべてを実施するこ
とも出来る。
は取り出しつつあるウェーハに付着しているエッチング
液の濃度を低下させる方法としては、エッチング液外に
あるウェーハのエッチング面全体にシャワー又はスプレ
ー状純水をかけることができる。これらのシャワーなど
もできるだけ多量の純水を一挙にかけることが好ましい
。すなわち通常の１０数秒の槽間移動時間では最初の２
秒以内に純水にスプレーなどを完了することが好ましい
。以上述べた濃度低下の手段のいずれか一つを実施して
当該手段で可能な最大の効果（エッチング停止）を達成
することが望ましいが、二つまたはすべてを実施するこ
とも出来る。
【０００６】また本発明に係る半導体装置の製造装置は
、エッチング槽と、該エッチング槽に複数のウェーハを
垂直の保持して出し入れする治具とを有し、前記エッチ
ング槽への純水供給管および／または前記治具でエッチ
ング槽から取りだされたまたは取りだされつつあるウェ
ーハへの純水を適用するシャワーまたはスプレーをさら
に含んでなることを特徴とする。
、エッチング槽と、該エッチング槽に複数のウェーハを
垂直の保持して出し入れする治具とを有し、前記エッチ
ング槽への純水供給管および／または前記治具でエッチ
ング槽から取りだされたまたは取りだされつつあるウェ
ーハへの純水を適用するシャワーまたはスプレーをさら
に含んでなることを特徴とする。
【０００７】
【作用】例えばエッチング液を純水で希釈して、ウェー
ハを取りだす直前のエッチング液の濃度を下げるとエッ
チングが完了した時点でエッチングは停止し、かつエッ
チング液は撹拌されほぼ均一濃度になっているからエッ
チングの停止はウェーハ全体で起こるのでエッチング液
の濃度低下はウェーハ面内分布は非常に均一になり、そ
の後の槽間移動中にエッチングむらは抑制される。しか
しこの方法ではエッチング液中の濃度をほぼゼロにする
には多量の水が必要であり、またエッチング液を再使用
する時には薬剤を再添加しなければならない。
ハを取りだす直前のエッチング液の濃度を下げるとエッ
チングが完了した時点でエッチングは停止し、かつエッ
チング液は撹拌されほぼ均一濃度になっているからエッ
チングの停止はウェーハ全体で起こるのでエッチング液
の濃度低下はウェーハ面内分布は非常に均一になり、そ
の後の槽間移動中にエッチングむらは抑制される。しか
しこの方法ではエッチング液中の濃度をほぼゼロにする
には多量の水が必要であり、またエッチング液を再使用
する時には薬剤を再添加しなければならない。
【０００８】エッチング液から取りだしつつあるウェー
ハに付着しているエッチング液の濃度を、エッチング液
外にあるウェーハのエッチング面全体で実質的に均一に
下げる方法によると、ウェーハがエッチング液から頭を
出した直後から純水などによる希釈を行う。純水等はエ
ッチングされた面全体にできるだけ均一に掛けることが
必要である。均一に純水をかける具体的方法としては、
１個または複数個のスプレーが所定ウェーハ面全体に行
き渡るようにするかあるいはシャワー状の純水の下にウ
ェーハを位置させる。このような方法によると、ウェー
ハがエッチング液から頭を出し液垂れが起こりうる瞬間
から、ウェーハ面上残留液中でＨＦなどの濃度がほぼゼ
ロになる大幅な濃度低下が起こるので、エッチングむら
を非常に効果的に抑制できる。この方法はエッチング液
全体を希釈する方法よりはエッチングむら抑制の均一性
は低いが、エッチング液の希釈が僅かしか起こらない点
が優れている。
ハに付着しているエッチング液の濃度を、エッチング液
外にあるウェーハのエッチング面全体で実質的に均一に
下げる方法によると、ウェーハがエッチング液から頭を
出した直後から純水などによる希釈を行う。純水等はエ
ッチングされた面全体にできるだけ均一に掛けることが
必要である。均一に純水をかける具体的方法としては、
１個または複数個のスプレーが所定ウェーハ面全体に行
き渡るようにするかあるいはシャワー状の純水の下にウ
ェーハを位置させる。このような方法によると、ウェー
ハがエッチング液から頭を出し液垂れが起こりうる瞬間
から、ウェーハ面上残留液中でＨＦなどの濃度がほぼゼ
ロになる大幅な濃度低下が起こるので、エッチングむら
を非常に効果的に抑制できる。この方法はエッチング液
全体を希釈する方法よりはエッチングむら抑制の均一性
は低いが、エッチング液の希釈が僅かしか起こらない点
が優れている。
【０００９】また、エッチング液からウェーハ全体が出
た直後にスプレーまたはシャワーによる濃度低下を行う
方法は、ウェーハがエッチング液上方にある時に行って
もよく、あるいはエッチング槽の横に移動した時に行っ
てもよいが、前者の方が液垂れの抑制効果が大きく、後
者はエッチング液の希釈が全くないという特徴を有する
。本発明に係る装置は以上の方法を実施するように構成
されたものであるが、特に、ウェーハの縦置き方式と純
水供給手段を組み合わせることによってエッチングむら
を少なくしている。すなわち水などがスムースにウェー
ハ面から流れまたは流れ落ちるように縦置き型の方がウ
ェーハ面全体でエッチング停止が均一になる。以下実施
例により本発明を更に詳しく説明する。
た直後にスプレーまたはシャワーによる濃度低下を行う
方法は、ウェーハがエッチング液上方にある時に行って
もよく、あるいはエッチング槽の横に移動した時に行っ
てもよいが、前者の方が液垂れの抑制効果が大きく、後
者はエッチング液の希釈が全くないという特徴を有する
。本発明に係る装置は以上の方法を実施するように構成
されたものであるが、特に、ウェーハの縦置き方式と純
水供給手段を組み合わせることによってエッチングむら
を少なくしている。すなわち水などがスムースにウェー
ハ面から流れまたは流れ落ちるように縦置き型の方がウ
ェーハ面全体でエッチング停止が均一になる。以下実施
例により本発明を更に詳しく説明する。
【００１０】
【実施例】図１に示すエッチング槽１にウェーハ４を治
具３上に縦置きに保持する。エッチング槽１の底部には
バルブ７で開閉される純水供給管６を固定しておく。ま
たエッチング槽１の情報には純水供給管５を設置してお
く。エッチング終了後これらの純水供給管５から一挙に
多量の純水を供給させ、エッチング槽１からあふれさせ
、エッチング液の濃度を最初の１／１０以上となるよう
な希釈を行う。また、他の実施例によると、図２に示す
ように純水が流れる管１１に多数の吹き出し口８を取り
つけたシャワー装置をウェーハ４の直径方向に多数配列
し、ウェーハ４がエッチング液２から頭を出した瞬間か
らウェーハ４が完全にエッチング液２から離れるまでシ
ャワー９をウェーハ４にかけることもできる。
具３上に縦置きに保持する。エッチング槽１の底部には
バルブ７で開閉される純水供給管６を固定しておく。ま
たエッチング槽１の情報には純水供給管５を設置してお
く。エッチング終了後これらの純水供給管５から一挙に
多量の純水を供給させ、エッチング槽１からあふれさせ
、エッチング液の濃度を最初の１／１０以上となるよう
な希釈を行う。また、他の実施例によると、図２に示す
ように純水が流れる管１１に多数の吹き出し口８を取り
つけたシャワー装置をウェーハ４の直径方向に多数配列
し、ウェーハ４がエッチング液２から頭を出した瞬間か
らウェーハ４が完全にエッチング液２から離れるまでシ
ャワー９をウェーハ４にかけることもできる。
【００１１】さらに図３に示すように、治具３がエッチ
ング槽１から離れその側方に移動した時にスプレー１０
をウェーハ４に欠けることも出来る。スプレー１０を作
るノズル１２は先端を広がり部１４とした水流路１３を
有し、広がり部１３に開口する空気噴射スリット１３に
より高圧の空気により純水をを分断しかる霧化して多量
のスプレー水を発生させ、ウェーハ面上の残存エッチン
グ液を一瞬のうちに希釈する。なおスプレー１０は出来
るだけ全方向からウェーハ４に掛かるようにする。
ング槽１から離れその側方に移動した時にスプレー１０
をウェーハ４に欠けることも出来る。スプレー１０を作
るノズル１２は先端を広がり部１４とした水流路１３を
有し、広がり部１３に開口する空気噴射スリット１３に
より高圧の空気により純水をを分断しかる霧化して多量
のスプレー水を発生させ、ウェーハ面上の残存エッチン
グ液を一瞬のうちに希釈する。なおスプレー１０は出来
るだけ全方向からウェーハ４に掛かるようにする。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば槽間
移動中のウェーハのエッチングむらを抑制しエッチング
のウェーハ面内分布が向上するので、半導体装置の性能
の均一性、歩留まり、信頼性が向上すると共に、今後ウ
ェーハが大口径化された時にもマージンの大きなプロセ
ス設計やデバイス設計が可能になる。
移動中のウェーハのエッチングむらを抑制しエッチング
のウェーハ面内分布が向上するので、半導体装置の性能
の均一性、歩留まり、信頼性が向上すると共に、今後ウ
ェーハが大口径化された時にもマージンの大きなプロセ
ス設計やデバイス設計が可能になる。
【図１】エッチング槽内のエッチング液の濃度を低下す
る方法の説明図である。
る方法の説明図である。
【図２】エッチング槽から取り出されつつあるウェーハ
面上のエッチング液の濃度を低下する方法の説明図であ
る。
面上のエッチング液の濃度を低下する方法の説明図であ
る。
【図３】エッチング槽から取り出されたウェーハ面上の
エッチング液の濃度を低下する方法の説明図である。
エッチング液の濃度を低下する方法の説明図である。
１ エッチング槽
２ エッチング液
３ 治具
４ ウェーハ
５ 純水供給管
６ 純水供給管
７ バルブ
８ シャワー吹き出し口
１０ スプレー
１２ ノズル
１３ 空気噴射スリット
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェットエッチング工程を含む半導体
装置の製造方法において、前記ウェットエッチング工程
後に、ウェーハを取りだす直前のエッチング液の濃度を
下げるかあるいは／かつエッチング液から取りだした直
後のもしくは取り出しつつあるウェーハに付着している
エッチング液の濃度を、エッチング液外にあるウェーハ
のエッチング面全体で実質的に均一に下げることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 ウェーハを取りだす直前のエッチング
液を純水で希釈することを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 エッチング液から取りだした直後のも
しくは取り出しつつあるウェーハに付着しているエッチ
ング液の濃度を、エッチング液外にあるウェーハのエッ
チング面全体にシャワー又はスプレー状純水をかけるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 エッチング槽と、該エッチング槽に複
数のウェーハを垂直の保持して出し入れする治具とを有
し、前記エッチング槽への純水供給管および／または前
記治具でエッチング槽から取りだされたまたは取りださ
れつつあるウェーハに純水を掛ける純水のシャワーまた
はスプレー装置をさらに含んでなることを特徴とする半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5992691A JPH04294537A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体装置の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5992691A JPH04294537A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体装置の製造方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04294537A true JPH04294537A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=13127221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5992691A Withdrawn JPH04294537A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体装置の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04294537A (ja) |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP5992691A patent/JPH04294537A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |