JPH04290482A - 光ファイバレーザ - Google Patents
光ファイバレーザInfo
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- JPH04290482A JPH04290482A JP7827091A JP7827091A JPH04290482A JP H04290482 A JPH04290482 A JP H04290482A JP 7827091 A JP7827091 A JP 7827091A JP 7827091 A JP7827091 A JP 7827091A JP H04290482 A JPH04290482 A JP H04290482A
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＥｒドープファイバを用
いた光ファイバレーザに関する。 【０００２】記憶媒体として近年よく使用されるように
なっている光ディスクにおいては、波長０．８μｍの光
を使って書込がなされている。より短い波長の光を用い
ることにより、小さな照射スポットを得ることができ、
記憶密度が高まることが期待される。短波長用のレーザ
（波長０．５μｍ帯）を用いることにより、０．８μｍ
帯の光源を用いた場合と比較して約２．５倍記憶密度が
高まると考えられ、安定した小型の短波長用のレーザが
要望されている。 【０００３】従来、短波長用のレーザとしては、希ガス
イオンレーザの一つであるアルゴン（イオン）レーザが
知られている。このレーザは、波長０．５１４５μｍで
大出力の光源として利用されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、アルゴンレー
ザは大型であり、その上安定な動作を行わせるためには
複雑な装置構成が必要になる。 【０００５】本発明はこのような事情に鑑みて創作され
たもので、小型化に適し、簡単な構成で波長０．５μｍ
での安定したレーザ発振が可能なレーザを提供すること
を目的としている。 【０００６】 【課題を解決するための手段】コアにＥｒ（エルビウム
）等の増幅媒質をドープした光ファイバを用いた光ファ
イバレーザが、小型化に適し簡単な構成のレーザとして
知られている。例えば、Ｅｒをドープして、波長１．４
８μｍ帯の励起光により波長１．５５μｍ帯でのレーザ
発振が実現されている。しかし、光ファイバレーザにお
いて、波長０．５μｍ帯でレーザ発振させる構成は従来
なかった。そこで、本発明では、光ファイバレーザに０
．５μｍ帯でレーザ発振させることにする。 【０００７】そのための構成として、本発明によると、
少なくともコアにエルビウムをドープしたＥｒドープフ
ァイバに０．８μｍ及び１．４８μｍ帯の励起光を入射
させ、０．５μｍ帯でレーザ発振させるようにした光フ
ァイバレーザが提供される。 【０００８】 【作用】図１は本発明の原理を示すエネルギー準位の説
明図である。光ファイバに波長１．４８μｍ帯の励起光
（ポンプ光）が入射すると、コアにドープされているＥ
ｒは基底準位 ４Ｉ１５／２から １．５μｍ帯励起
準位 ４Ｉ１３／２に励起される。その一方で波長０．
８μｍ帯の励起光により基底準位 ４Ｉ１５／２から準
位４Ｉ９／２ を経て１．５μｍ帯励起準位 ４Ｉ１３
／２に励起される。１．５μｍ帯励起順位 ４Ｉ１３／
２に励起されたＥｒは、波長０．８μｍ帯の励起光によ
りさらに０．５μｍ帯励起準位 ４Ｆ９／２ に励起さ
れ、この励起準位から基底準位に遷移するときに波長０
．５μｍ帯の螢光が発生する。このような螢光の発生に
基づき、０．５μｍ帯でのレーザ発振が可能になる。な
お、各エネルギー準位は次の順で高くなっている。 【０００９】 ４Ｉ１５／２， ４Ｉ１３／２，
４Ｉ９／２， ４Ｆ９／２ 【００１０】 【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図２は本発明の第１実施例を示す光ファイバレーザ
の構成図である。１は０．８μｍ帯の励起光を出力する
第１の半導体レーザであり、２は１．４８μｍ帯の励起
光を出力する第２の半導体レーザである。３は第１の半
導体レーザ１及び第２の半導体レーザ２からの光を合波
して出力する合波器である。４は合波器３から出力され
た光を一方向にのみ透過する光アイソレータである。 【００１１】５は光アイソレータ４からの光が入力する
光共振器であり、この光共振器５は、波長０．５μｍ帯
の光を所定の反射率で反射する反射フィルタ６，７と、
これらのフィルタ６，７間に形成される共振光路に設け
られたＥｒドープファイバ８とを備えて構成される。９
は光共振器５におけるレーザ発振により得られた波長０
．５μｍ帯の光が外部に出力する出力ポートである。 Ｅｒドープファイバ８はそのコアにＥｒ元素またはイオ
ンがドープされており、製造技術上コアのみならずクラ
ッドにＥｒ元素またはイオンが含まれていても良い。 【００１２】第１の半導体レーザ１からの０．８μｍ帯
の励起光と第２の半導体レーザ２からの１．４８μｍ帯
の励起光は、合波器３で合波され、光アイソレータ４を
順方向に透過して光共振器５に入力する。光共振器５の
共振光路長は０．５μｍ帯の光の共振に適するように設
定されている。従って、Ｅｒドープファイバ８に０．８
μｍ帯及び１．４８μｍ帯の励起光が入射すると、前述
の原理に従って発生した０．５μｍ帯の螢光が反射フィ
ルタ６，７間で共振し、０．５μｍ帯でのレーザ発振が
実現する。レーザ発振により得られた０．５μｍ帯の光
は、出力ポート９から外部に出力され、光ディスクへの
書込等の種々の用途に利用される。なお、本実施例にお
いて光アイソレータ４が用いられているのは、光共振器
５からの帰還光が第１及び第２の半導体レーザ１，２に
影響を及ぼして、励起光の波長が不安定になることを防
止するためである。 【００１３】このように本実施例によると、簡単な構成
で波長０．５μｍ帯での安定したレーザ発振が可能にな
る。また、この実施例の装置は、従来の短波長用のアル
ゴンレーザ等と比較して小型である。 【００１４】図３は本発明の第２実施例を示す光ファイ
バレーザの構成図である。この実施例では、光ファイバ
レーザがいわゆるリングレーザタイプに構成されている
。前実施例におけるものと実質的に同一の部分には同一
の符号を付し、その説明を一部省略する。 【００１５】１０は第１入力ポート１０ａ及び第２入力
ポート１０ｂ並びに第１出力ポート１０ｃ及び第２出力
ポート１０ｄを有する光カプラであり、第２出力ポート
１０ｄと第２入力ポート１０ｂの間には、第２出力ポー
ト１０ｄから出力した光が光アイソレータ１１及びＥｒ
ドープファイバ８をこの順に通過して第２入力ポート１
０ｂに入力するような光ループが形成されている。また
、第１入力ポート１０ａには光合波器３の出力側が接続
され、第１出力ポート１０ｃにはこの光ファイバレーザ
の出力ポート９が接続されている。 【００１６】第１の半導体レーザ１からの０．８μｍ帯
の励起光と第２の半導体レーザ２からの１．４８μｍ帯
の励起光は光合波器３で合波され、合波された光は、光
カプラ１０を介してその大部分が光ループに入力する。 そして、Ｅｒドープファイバ８内で前述の原理に従って
発生した螢光が光ループを周回することによって０．５
μｍ帯のレーザ発振が実現され、レーザ発振により得ら
れた０．５μｍ帯の光は、光カプラ１０を介して所定の
分岐比で出力ポート９から外部に出力される。このよう
にして、前実施例と同じように光ファイバレーザによる
０．５μｍ帯でのレーザ発振が可能になる。 【００１７】これらの実施例において、０．８μｍ帯の
励起光と１．４８μｍ帯の励起光は、現在実用化されて
いる高出力の半導体レーザから容易に得ることができる
ので、安定した出力の短波長用レーザの提供が可能にな
る。 【００１８】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
小型化に適し、簡単な構成で波長０．５μｍ帯での安定
したレーザ発振が可能な光ファィバレーザの提供が可能
になるという効果を奏する。
いた光ファイバレーザに関する。 【０００２】記憶媒体として近年よく使用されるように
なっている光ディスクにおいては、波長０．８μｍの光
を使って書込がなされている。より短い波長の光を用い
ることにより、小さな照射スポットを得ることができ、
記憶密度が高まることが期待される。短波長用のレーザ
（波長０．５μｍ帯）を用いることにより、０．８μｍ
帯の光源を用いた場合と比較して約２．５倍記憶密度が
高まると考えられ、安定した小型の短波長用のレーザが
要望されている。 【０００３】従来、短波長用のレーザとしては、希ガス
イオンレーザの一つであるアルゴン（イオン）レーザが
知られている。このレーザは、波長０．５１４５μｍで
大出力の光源として利用されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、アルゴンレー
ザは大型であり、その上安定な動作を行わせるためには
複雑な装置構成が必要になる。 【０００５】本発明はこのような事情に鑑みて創作され
たもので、小型化に適し、簡単な構成で波長０．５μｍ
での安定したレーザ発振が可能なレーザを提供すること
を目的としている。 【０００６】 【課題を解決するための手段】コアにＥｒ（エルビウム
）等の増幅媒質をドープした光ファイバを用いた光ファ
イバレーザが、小型化に適し簡単な構成のレーザとして
知られている。例えば、Ｅｒをドープして、波長１．４
８μｍ帯の励起光により波長１．５５μｍ帯でのレーザ
発振が実現されている。しかし、光ファイバレーザにお
いて、波長０．５μｍ帯でレーザ発振させる構成は従来
なかった。そこで、本発明では、光ファイバレーザに０
．５μｍ帯でレーザ発振させることにする。 【０００７】そのための構成として、本発明によると、
少なくともコアにエルビウムをドープしたＥｒドープフ
ァイバに０．８μｍ及び１．４８μｍ帯の励起光を入射
させ、０．５μｍ帯でレーザ発振させるようにした光フ
ァイバレーザが提供される。 【０００８】 【作用】図１は本発明の原理を示すエネルギー準位の説
明図である。光ファイバに波長１．４８μｍ帯の励起光
（ポンプ光）が入射すると、コアにドープされているＥ
ｒは基底準位 ４Ｉ１５／２から １．５μｍ帯励起
準位 ４Ｉ１３／２に励起される。その一方で波長０．
８μｍ帯の励起光により基底準位 ４Ｉ１５／２から準
位４Ｉ９／２ を経て１．５μｍ帯励起準位 ４Ｉ１３
／２に励起される。１．５μｍ帯励起順位 ４Ｉ１３／
２に励起されたＥｒは、波長０．８μｍ帯の励起光によ
りさらに０．５μｍ帯励起準位 ４Ｆ９／２ に励起さ
れ、この励起準位から基底準位に遷移するときに波長０
．５μｍ帯の螢光が発生する。このような螢光の発生に
基づき、０．５μｍ帯でのレーザ発振が可能になる。な
お、各エネルギー準位は次の順で高くなっている。 【０００９】 ４Ｉ１５／２， ４Ｉ１３／２，
４Ｉ９／２， ４Ｆ９／２ 【００１０】 【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図２は本発明の第１実施例を示す光ファイバレーザ
の構成図である。１は０．８μｍ帯の励起光を出力する
第１の半導体レーザであり、２は１．４８μｍ帯の励起
光を出力する第２の半導体レーザである。３は第１の半
導体レーザ１及び第２の半導体レーザ２からの光を合波
して出力する合波器である。４は合波器３から出力され
た光を一方向にのみ透過する光アイソレータである。 【００１１】５は光アイソレータ４からの光が入力する
光共振器であり、この光共振器５は、波長０．５μｍ帯
の光を所定の反射率で反射する反射フィルタ６，７と、
これらのフィルタ６，７間に形成される共振光路に設け
られたＥｒドープファイバ８とを備えて構成される。９
は光共振器５におけるレーザ発振により得られた波長０
．５μｍ帯の光が外部に出力する出力ポートである。 Ｅｒドープファイバ８はそのコアにＥｒ元素またはイオ
ンがドープされており、製造技術上コアのみならずクラ
ッドにＥｒ元素またはイオンが含まれていても良い。 【００１２】第１の半導体レーザ１からの０．８μｍ帯
の励起光と第２の半導体レーザ２からの１．４８μｍ帯
の励起光は、合波器３で合波され、光アイソレータ４を
順方向に透過して光共振器５に入力する。光共振器５の
共振光路長は０．５μｍ帯の光の共振に適するように設
定されている。従って、Ｅｒドープファイバ８に０．８
μｍ帯及び１．４８μｍ帯の励起光が入射すると、前述
の原理に従って発生した０．５μｍ帯の螢光が反射フィ
ルタ６，７間で共振し、０．５μｍ帯でのレーザ発振が
実現する。レーザ発振により得られた０．５μｍ帯の光
は、出力ポート９から外部に出力され、光ディスクへの
書込等の種々の用途に利用される。なお、本実施例にお
いて光アイソレータ４が用いられているのは、光共振器
５からの帰還光が第１及び第２の半導体レーザ１，２に
影響を及ぼして、励起光の波長が不安定になることを防
止するためである。 【００１３】このように本実施例によると、簡単な構成
で波長０．５μｍ帯での安定したレーザ発振が可能にな
る。また、この実施例の装置は、従来の短波長用のアル
ゴンレーザ等と比較して小型である。 【００１４】図３は本発明の第２実施例を示す光ファイ
バレーザの構成図である。この実施例では、光ファイバ
レーザがいわゆるリングレーザタイプに構成されている
。前実施例におけるものと実質的に同一の部分には同一
の符号を付し、その説明を一部省略する。 【００１５】１０は第１入力ポート１０ａ及び第２入力
ポート１０ｂ並びに第１出力ポート１０ｃ及び第２出力
ポート１０ｄを有する光カプラであり、第２出力ポート
１０ｄと第２入力ポート１０ｂの間には、第２出力ポー
ト１０ｄから出力した光が光アイソレータ１１及びＥｒ
ドープファイバ８をこの順に通過して第２入力ポート１
０ｂに入力するような光ループが形成されている。また
、第１入力ポート１０ａには光合波器３の出力側が接続
され、第１出力ポート１０ｃにはこの光ファイバレーザ
の出力ポート９が接続されている。 【００１６】第１の半導体レーザ１からの０．８μｍ帯
の励起光と第２の半導体レーザ２からの１．４８μｍ帯
の励起光は光合波器３で合波され、合波された光は、光
カプラ１０を介してその大部分が光ループに入力する。 そして、Ｅｒドープファイバ８内で前述の原理に従って
発生した螢光が光ループを周回することによって０．５
μｍ帯のレーザ発振が実現され、レーザ発振により得ら
れた０．５μｍ帯の光は、光カプラ１０を介して所定の
分岐比で出力ポート９から外部に出力される。このよう
にして、前実施例と同じように光ファイバレーザによる
０．５μｍ帯でのレーザ発振が可能になる。 【００１７】これらの実施例において、０．８μｍ帯の
励起光と１．４８μｍ帯の励起光は、現在実用化されて
いる高出力の半導体レーザから容易に得ることができる
ので、安定した出力の短波長用レーザの提供が可能にな
る。 【００１８】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
小型化に適し、簡単な構成で波長０．５μｍ帯での安定
したレーザ発振が可能な光ファィバレーザの提供が可能
になるという効果を奏する。
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す光ファイバレーザの
構成図である。
構成図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す光ファイバレーザの
構成図である。
構成図である。
１ 第１の半導体レーザ
２ 第２の半導体レーザ
３ 光合波器
５ 光共振器
８ Ｅｒドープファイバ
１０ 光カプラ
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくともコアにエルビウムをドープ
したＥｒドープファイバ（８） に０．８μｍ帯及び１
．４８μｍ帯の励起光を入射させ、０．５μｍ帯でレー
ザ発振させるようにしたことを特徴とする光ファイバレ
ーザ。 - 【請求項２】 ０．８μｍ帯の励起光を出力する第１
の半導体レーザ（１） と、１．４８μｍ帯の励起光を
出力する第２の半導体レーザ（２） と、該第１及び第
２の半導体レーザ（１，２） からの光を合波して出力
する合波器（３）と、その共振光路に上記Ｅｒドープフ
ァイバ（８） が含まれ上記合波器（３） からの光が
入力する光共振器（５） とを備えたことを特徴とする
請求項１に記載の光ファイバレーザ。 - 【請求項３】 ０．８μｍ帯の励起光を出力する第１
の半導体レーザ（１） と、１．４８μｍ帯の励起光を
出力する第２の半導体レーザ（２） と、該第１及び第
２の半導体レーザ（１，２） からの光を合波して出力
する合波器（３）と、光カプラ（１０）及び上記Ｅｒド
ープファイバ（８）を含み該光カプラ（１０）を介して
上記合波器（３） からの光が入力する光ループとを備
えたことを特徴とする請求項１に記載の光ファイバレー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7827091A JPH04290482A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 光ファイバレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7827091A JPH04290482A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 光ファイバレーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290482A true JPH04290482A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=13657294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7827091A Withdrawn JPH04290482A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 光ファイバレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04290482A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137430A1 (ja) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Nisshinbo Industries, Inc. | 難燃剤および無機－有機複合難燃性組成物 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP7827091A patent/JPH04290482A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137430A1 (ja) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Nisshinbo Industries, Inc. | 難燃剤および無機－有機複合難燃性組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |