JPH04289650A - イオン注入装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】（目次） ・産業上の利用分野 ・従来の技術（図３（ａ），（ｂ）） ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例 （１）第１及び第３の実施例（図１（ａ），（ｂ），図
２（ｂ）） （２）第２の実施例（図２（ａ）） ・発明の効果

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置に関し
、より詳しくは、イオン注入されるウエハ表面を中性に
保つための電子シャワーを有するイオン注入装置に関す
る。

【０００３】

【従来の技術】従来、イオン注入装置において、注入イ
オンの残存による被注入物体としてのウエハ表面の帯電
を防止するため、イオン注入している間中、電子をウエ
ハ表面に供給し、注入イオンを中性化している。

【０００４】図３（ａ）は、このようなイオン注入装置
について説明する構成図で、図中符号１はイオン放出手
段、２はイオン放出手段１から放出されたイオンが導入
されるウエハ７を載置する、導電性を有するディスクで
ある。３は一次電子放出手段で、１次電子を放出するシ
ャワーフィラメント４とシャワーフィラメント４に電流
を供給して加熱する電源５とからなる。６は円筒内壁に
１次電子を入射させて２次電子を放出させる円筒状の二
次電子放出手段で、イオンと再結合せずにウエハ７から
反射して帰ってくる電子を捕獲する電子捕獲部６ｂと二
次電子放出部６ａとからなる。また、この装置には、図
３（ｂ）に示す、一次電子放出手段３から放出された全
ての一次電子による電流（Ｉｐ）及びウエハ７の表面で
イオンと再結合する電子による電流（Ｉｓ）を検出し，
Ｉｓに基づいて一次電子放出手段３を制御する検出／制
御部が付加される。

【０００５】図３（ｂ）は検出／制御部の詳細を示す回
路図である。図中符号１０は一次電子による電流（Ｉｐ
）を測定するＩｐ検出部で、一次電子放出手段３と直列
に接続されている。８はウエハ７表面に残存するイオン
と再結合した電子による電流（Ｉｓ）を検出するＩｓ検
出部で、Ｉｓに基づいて放出量制御手段９により一次電
子放出手段３から放出される一次電子量を調整する。 ２７は、二次電子放出部６ａで捕獲される電子による電
流（Ｉｌ）及び電子捕獲部６ｂで捕獲された電子による
電流（Ｉｒ）、即ち二次電子放出手段６に捕獲される電
子による電流（Ｉｌ＋Ｉｒ）を全て流す回路で、一端が
二次電子放出手段６に接続され、他端がＩｐ検出部１０
に接続されている。２８はウエハ７の表面でイオンと再
結合した電子による電流（Ｉｓ）を全て流す回路で、こ
の回路２８内にＩｓ検出部８が直列に接続されている。 そして、Ｉｓ検出部８の一端がウエハ７を載置している
ディスク２と接続され、他端がＩｐ検出部１０に接続さ
れている。なお、上記の各電流の間の関係は、Ｉｐ＝Ｉ
ｌ＋Ｉｒ＋Ｉｓとなる。

【０００６】次に、上記のイオン注入装置を用いてウエ
ハに不純物を導入しつつ、ウエハ表面に残存する注入イ
オンを中性化する方法について説明する。

【０００７】まず、ウエハ７の載置されたディスク２を
回転させながら、イオン放出手段１から不純物イオンを
ウエハ７に照射するとともに、シャワーフィラメント４
に電流を供給してシャワーフィラメント４を加熱し、一
次電子を放出する。放出された一次電子は円筒状の二次
電子放出手段６の円筒内壁に衝突し、一次電子の一部が
二次電子を放出させ、他の一部が二次電子放出手段６に
捕獲されて電流Ｉｌの一部となる。放出された二次電子
は直ちにウエハ７に到達する場合もあるが、通常二次電
子放出手段６の内壁で複数回の衝突を繰り返してウエハ
７に到達する。これにより、ウエハ７内に導入されずに
表面に残存する不純物イオンを二次電子が中性化する。

【０００８】また、ウエハ７に残存する不純物イオンの
量に見合った二次電子量が予め実験により求められてい
る。従って、何かの原因によりウエハ７の表面に到達す
る二次電子が減少した場合には、これに付随してＩｓが
減少するので、Ｉｓ検出部８から制御信号２６を電源５
に送り、シャワーフィラメント４に供給される電流を増
加し、ウエハ７に到達する電子が所定量になるように保
持する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、多数のウエ
ハを載置して回転するディスク２のウエハ載置部の数よ
りもイオン注入すべきウエハ７の数が少ない場合には、
ダミーウエハを空いているウエハ載置部に載置している
。

【００１０】しかし、この様な場合、Ｉｓが不安定にな
り、シャワーフィラメント４に供給される電流を増加す
るようにフィードバックがかかることが多いという問題
がある。この原因を調査してみると、ダミーウエハの場
合、通常のウエハと異なり、ウエハの表面が導電性を有
しているので、残存するイオンが少なくて電子の反射が
多い。このため、ウエハ７／ディスク２を介してＩｓ検
出部８を流れる電流が減少し、その反射電子による電流
（Ｉｒ）分だけ、二次電子放出手段６を介して流れる電
流（Ｉｌ＋Ｉｒ）が増加する。しかも、ディスク２が高
速で回転しているため、電流の測定がダミーウエハと通
常のウエハ７とを区別して追随できず、電流（Ｉｓ）値
が平均として小さい方にシフトするということが判明し
た。

【００１１】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、ウエハ表面に到達する電子量を安定して
モニタすることができる半導体製造装置を提供すること
を目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、図
１（ａ），（ｂ）に示すように、イオン放出手段１１と
、該イオン放出手段１１から放出されたイオンの被注入
体１７を載置する、導電性を有する載置台１２と、一次
電子放出手段１３と、該一次電子を受けて二次電子を放
出し、該放出された二次電子が前記載置台１２に載置さ
れた被注入体１７の被注入面に入射するように配置され
た二次電子放出手段１６とを有するイオン注入装置にお
いて、前記二次電子放出手段１６は、二次電子放出部１
６ａと、該二次電子放出部１６ａと電気的に絶縁された
、前記被注入体１７に入射した電子のうち反射する電子
を受ける電子捕獲部１６ｂとを有し、前記電子捕獲部１
６ｂと前記載置台１２とは並列に第１の電流検出手段１
８の一方の端子に電気的に接続され、かつ前記第１の電
流検出手段１８の他方の端子には前記二次電子放出部１
６ａ、第２の電流検出手段２０を介して前記一次電子放
出手段１３がそれぞれ電気的に接続されており、前記第
１の電流検出手段１８により検出された電流に基づいて
前記一次電子放出手段１３から放出される一次電子の量
を調整する放出量制御手段１９を有していることを特徴
とするイオン注入装置によって達成され、第２に、図１
（ａ）及び図２（ａ）に示すように、イオン放出手段１
１と、該イオン放出手段１１から放出されたイオンの被
注入体１７を載置する、導電性を有する載置台１２と、
一次電子放出手段１３と、該一次電子を受けて二次電子
を放出し、該放出された二次電子が前記載置台１２に載
置された被注入体１７の被注入面に入射するように配置
された二次電子放出手段１６とを有するイオン注入装置
において、前記二次電子放出手段１６は、二次電子放出
部１６ａと、該二次電子放出部１６ａと電気的に絶縁さ
れた、前記被注入体１７に入射した電子のうち反射する
電子を受ける電子捕獲部１６ｂとを有し、前記載置台１
２は第１の電流検出手段１８の一方の端子に電気的に接
続され、かつ該第１の電流検出手段１８の他方の端子に
は前記二次電子放出部１６ａ、第３の電流検出手段２４
を介して前記電子捕獲部１６ｂ、及び第２の電流検出手
段２０を介して前記一次電子の放出手段がそれぞれ電気
的に接続されており、前記第１及び第３の電流検出手段
１８及び２４により検出された電流に基づいて前記一次
電子放出手段１３から放出される一次電子の量を調整す
る放出量制御手段１９を有していることを特徴とするイ
オン注入装置によって達成され、第３に、図１（ａ）又
は図２（ｂ）に示すように、前記二次電子放出部１６ａ
と前記電子捕獲部１６ｂとが絶縁体１６ｃ又はエアギャ
ップ２５ｃにより絶縁されていることを特徴とする第１
及び第２の発明に記載のイオン注入装置によって達成さ
れる。

【００１３】

【作用】本発明のイオン注入装置によれば、第１に、図
１（ａ），（ｂ）に示すように、二次電子放出手段１６
はイオンと再結合せずに被注入体１７から反射して帰っ
てくる電子を捕獲する電子捕獲部１６ｂと一次電子を受
けて二次電子を放出する二次電子放出部１６ａとを有し
、かつ電子捕獲部１６ｂと二次電子放出部１６ａとは絶
縁体１６ｃにより互いに電気的に分離されているので、
従来と異なり、被注入体１７で反射した電子による電流
と二次電子放出手段１６から流出する電流とを分離でき
る。

【００１４】しかも、電子捕獲部１６ｂと載置部１２と
は並列に第１の電流検出手段１８の一方の端子に電気的
に接続されているので、電子捕獲部１６ｂと載置部１２
とに捕獲される電子量、即ち、被注入体に入射する全電
子量が第１の電流検出手段１８により検出できる。これ
は被注入体１７での反射量の多少によって変動を受けな
い。

【００１５】このため、例えばダミーウエハが載置され
ているために、被注入体１７で反射して電子捕獲部１６
ｂに捕獲される電子が増大し、これに付随して被注入体
１７でイオンと再結合した電子による電流が減少しても
、第１の電流検出手段１８により検出される電流は変動
しない。従って、放出量制御手段１９により制御される
一次電子の量は元のまま保持されるので、被注入体１７
に到達する二次電子も所定量のまま保持される。

【００１６】なお、図２（ｂ）に示すように、電子捕獲
部２５ｂと二次電子放出部２５ａとはエアギャップ２５
ｃにより互いに電気的に分離することもできる。

【００１７】また、第２に、図１（ａ）及び図２（ａ）
に示すように、第１の電流検出手段１８の他に第３の電
流検出手段２４が設けられ、第１の電流検出手段１８は
載置台１２とのみ接続され、第３の電流検出手段２４は
電子捕獲部１６ｂとのみ接続されている。しかも、第１
及び第３の電流検出手段１８及び２４により検出された
電流に基づいて一次電子放出手段１３から放出される一
次電子の量を調整する放出量制御手段１９を有している
。

【００１８】従って、被注入体１７表面で残存イオンと
再結合した二次電子量による電流と電子捕獲部１６ｂに
捕獲される二次電子量による電流とが第１及び第３の電
流検出手段１８及び２４によりそれぞれ分離して検出で
きるので、被注入体１７上の残存イオンの量が被注入体
に到達する二次電子量よりも増加している可能性がある
場合、例えば、一次電子量を増大させるとともに載置台
１２と接続された第１の電流検出手段１８により検出さ
れた電流が増大していくような場合、更に二次電子量を
増やすように調整することにより、残存イオンを完全に
中性化することができる。

【００１９】

【実施例】（１）第１及び第３の実施例図１（ａ），（
ｂ）は、本発明の第１の実施例の電子シャワーを有する
イオン注入装置について説明する断面図である。

【００２０】図１（ａ）において、１１は不純物イオン
ビームを放出するイオン放出手段、１２はイオン放出手
段１１から放出された不純物イオンが導入されるウエハ
１７を載置する、導電性を有するディスクである。１３
は一次電子放出手段で、１次電子を放出するシャワーフ
ィラメント１４とシャワーフィラメント１４に電流を供
給して加熱する電源１５とからなる。１６は円筒内壁に
１次電子を入射させて２次電子を放出させる円筒状の二
次電子放出手段で、イオンと再結合せずにウエハ１７か
ら反射して帰ってくる電子を捕獲する電子捕獲部１６ｂ
と一次電子を受けて二次電子を放出する二次電子放出部
１６ａとを有し、かつ電子捕獲部１６ｂと二次電子放出
部１６ａとは絶縁体１６ｃにより互いに電気的に分離さ
れている。 また、この装置には、図１（ｂ）に示す、一次電子放出
手段１３から放出された全ての一次電子による電流（Ｉ
ｐ）及びウエハ１７の表面に到達する電子による電流（
Ｉｓ＋Ｉｒ）を検出し，この電流（Ｉｓ＋Ｉｒ）に基づ
いて一次電子放出手段１３を制御する検出／制御部が付
加される。

【００２１】図１（ｂ）は検出／制御部の詳細を示す回
路図である。図中符号２０は一次電子による電流（Ｉｐ
）を検出する第２の電流検出手段で、一次電子放出手段
１３と直列に接続されている。１８はウエハ１７表面に
到達する電子による電流（Ｉｓ＋Ｉｒ）を検出する第１
の電流検出手段で、Ｉｓ＋Ｉｒに基づいて一次電子放出
手段１３から放出される一次電子量を調整する放出量制
御手段１９に接続されている。ところで、ウエハ１７表
面に到達する電子による電流（Ｉｓ＋Ｉｒ）は、ウエハ
１７の表面で残存するイオンと再結合する電子による電
流（Ｉｒ）と電子捕獲部６ｂで捕獲された電子による電
流（Ｉｒ）とからなる。２２は、二次電子放出部１６ａ
で捕獲される電子による電流（Ｉｌ）を流す回路で、一
端が二次電子放出手段１６に接続され、他端が第２の電
流検出手段２０に接続されている。２６はウエハ７の表
面でイオンと再結合した電子による電流（Ｉｓ）を全て
流す回路で、この回路内に第１の電流検出手段１８が直
列に接続されている。そして、第１の電流検出手段１８
の一端がウエハ１７を載置しているディスク１２と接続
され、他端が第２の電流検出手段２０に接続されている
。 なお、上記の各電流の間の関係は、Ｉｐ＝Ｉｌ＋Ｉｒ＋
Ｉｓとなる。

【００２２】次に、上記のイオン注入装置を用いてウエ
ハ１７に不純物イオンを導入しつつ、ウエハ１７表面に
残存するイオンを中性化する方法について説明する。

【００２３】まず、ウエハ１７の載置されたディスク１
２を回転数１２００ｒｐｍで回転させながら、イオン放
出手段１１から不純物粒子のイオンビームをウエハ１７
に照射するとともに、シャワーフィラメント１４に電流
を供給してシャワーフィラメント１４を加熱し、一次電
子を放出する。このとき、ウエハ１７に残存する不純物
イオンの量に見合った二次電子量が予め実験により求め
られているので、この二次電子量がウエハ１７の表面に
到達するように電流が設定されている。

【００２４】そして、放出された一次電子は円筒状の二
次電子放出手段１６の円筒内壁に衝突し、一次電子の一
部が二次電子を放出させ、他の一部が二次電子放出手段
１６に捕獲されて電流Ｉｌとなる。放出された二次電子
は直ちにウエハ１７に到達する場合もあるが、通常二次
電子放出手段１６の内壁で複数回の衝突を繰り返してウ
エハ１７に到達する。これにより、ウエハ１７内に導入
されずに表面に残存する不純物イオンを二次電子が中性
化する。

【００２５】以上のように、第１の実施例のイオン注入
装置によれば、二次電子放出手段１６はイオンと再結合
せずにウエハ１７から反射して帰ってくる電子を捕獲す
る電子捕獲部１６ｂと一次電子を受けて二次電子を放出
する二次電子放出部１６ａとを有し、かつ電子捕獲部１
６ｂと二次電子放出部１６ａとは絶縁体１６ｃにより互
いに電気的に分離されているので、従来と異なり、ウエ
ハ１７で反射した電子による電流と二次電子放出手段１
６から流出する電流とを分離できる。

【００２６】しかも、電子捕獲部１６ｂとディスク１２
とは並列に第１の電流検出手段１８の一方の端子に電気
的に接続されているので、このイオン注入装置を用いた
上記のイオン注入方法のように、電子捕獲部１６ｂとデ
ィスク１２とに捕獲される電子量、即ち、ウエハ１７に
入射する全電子量が第１の電流検出手段１８により検出
できる。これはウエハ１７での反射量の多少によって変
動を受けない。

【００２７】このため、ダミーウエハを空いているウエ
ハ載置部に載置している場合、ウエハ１７で反射して電
子捕獲部１６ｂに捕獲される電子が増大し、これに付随
してＩｓが減少しても、Ｉｓ＋Ｉｒは変動しない。従っ
て、第１の電流検出手段１８からは一定の検出電流値が
放出量制御手段１９に送られるので、放出量制御手段１
９は元のままの電流をシャワーフィラメント１４に供給
するように電源１５に制御信号２１を送る。その結果、
ウエハ１７に到達する二次電子は所定量のまま保持され
る。

【００２８】なお、第１の実施例では、電子捕獲部１６
ｂと二次電子放出部１６ａとは絶縁体１６ｃにより互い
に電気的に分離されているが、第３の実施例として、図
２（ｂ）に示すように、電子捕獲部２５ｂと二次電子放
出部２５ａとはエアギャップ２５ｃにより互いに電気的
に分離されることも可能である。例えば、エアギャップ
２５ｃとして約５ｍｍの間隔をとればよい。

【００２９】（２）第２の実施例 図２（ａ）は、第２の実施例の、ウエハ１７の表面に到
達する電子による電流Ｉｓ及びＩｒを検出し，この電流
Ｉｓ及びＩｒに基づいて一次電子放出手段１３を制御す
る検出／制御部の詳細について説明する図である。

【００３０】図２（ａ）において、図１（ｂ）と異なる
ところは、第１の電流検出手段１８の他に第３の電流検
出手段２４が設けられ、第１の電流検出手段１８はディ
スク１２とのみ接続され、第３の電流検出手段２４は電
子捕獲部１６ｂとのみ接続されていることである。しか
も、第１及び第３の電流検出手段１８及び２４により検
出された電流に基づいて一次電子放出手段１３から放出
される一次電子の量を調整する放出量制御手段１９を有
している。

【００３１】このような第２の実施例によれば、ウエハ
１７表面で残存イオンと再結合した二次電子による電流
（Ｉｓ）と電子捕獲部１６ｂに捕獲される二次電子によ
る電流（Ｉｒ）とが第１及び第３の電流検出手段１８及
び２４によりそれぞれ分離して検出できる。

【００３２】このため、ウエハ１７上の残存イオンの量
がウエハ１７に到達する二次電子量よりも増加している
可能性がある場合、例えば、一次電子量を増大させると
ともにＩｓが増大していくような場合、更に二次電子量
を増やすように調整することにより、残存イオンを完全
に中性化することができる。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、第１に、二次電子放出手
段はイオンと再結合せずに被注入体から反射して帰って
くる電子を捕獲する電子捕獲部と一次電子を受けて二次
電子を放出する二次電子放出部とを有し、かつ電子捕獲
部と二次電子放出部とは絶縁体により互いに電気的に分
離され、かつ電子捕獲部と載置部とは並列に第１の電流
検出手段の一方の端子に電気的に接続されている。

【００３４】従って、従来と異なり、被注入体で反射し
た電子による電流と二次電子放出手段から流出する電流
とを分離でき、しかも、電子捕獲部と載置部とに捕獲さ
れる電子量、即ち、被注入体に入射する全電子量が第１
の電流検出手段により検出できる。このため、上記個々
の電流が変動しても、被注入体に到達する全電子量が一
定であれば、第１の電流検出手段により検出される電流
は変動しない。従って、放出量制御手段により制御され
る一次電子の量は元のまま保持されるので、被注入体に
到達する二次電子も所定量のまま保持される。

【００３５】また、第２に、第１の電流検出手段の他に
第３の電流検出手段が設けられ、第１の電流検出手段は
載置台とのみ接続され、第３の電流検出手段は電子捕獲
部とのみ接続されている。しかも、第１及び第３の電流
検出手段により検出された電流に基づいて一次電子放出
手段から放出される一次電子の量を調整する放出量制御
手段を有している。

【００３６】従って、被注入体表面で残存イオンと再結
合した二次電子量による電流と電子捕獲部に捕獲される
二次電子量による電流とが第１及び第３の電流検出手段
によりそれぞれ分離して検出できるので、個々の電流を
監視することにより、更に、残存イオンの完全な中性化
を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の電子シャワーを有する
イオン注入装置について説明する構成図である。

【図２】本発明の第２及び第３の実施例の電子シャワー
を有するイオン注入装置について説明する構成図である
。

【図３】従来例の電子シャワーを有するイオン注入装置
について説明する構成図である。

【符号の説明】

１，１１　　イオン放出手段、 ２　　ディスク、 ３，１３　　一次電子放出手段、 ４，１４　　シャワーフィラメント、 ５，１５　　電源、 ６，１６，２５　　二次電子放出手段、６ａ，１６ａ，
２５ａ　　二次電子放出部、６ｂ，１６ｂ，２５ｂ　　
電子捕獲部、７　　ウエハ、 ８　　Ｉｓ検出部、 ９，１９　　放出量制御手段、 １０　　Ｉｐ検出部、 １２　　ディスク（載置台）、 １６ｃ　　絶縁体、 １７　　ウエハ（被注入体）、 １８　　第１の電流検出手段、 ２０　　第２の電流検出手段、 ２１，２６　　制御信号、 ２２，２３，２７，２８　　回路、 ２４　　第３の電流検出手段、 ２５ｃ　　エアギャップ。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　イオン放出手段（１１）と、該イオン
   放出手段（１１）から放出されたイオンの被注入体（１
   ７）を載置する、導電性を有する載置台（１２）と、一
   次電子放出手段（１３）と、該一次電子を受けて二次電
   子を放出し、該放出された二次電子が前記載置台（１２
   ）に載置された被注入体（１７）の被注入面に入射する
   ように配置された二次電子放出手段（１６）とを有する
   イオン注入装置において、前記二次電子放出手段（１６
   ）は、二次電子放出部（１６ａ）と、該二次電子放出部
   （１６ａ）と電気的に絶縁された、前記被注入体（１７
   ）に入射した電子のうち反射する電子を受ける電子捕獲
   部（１６ｂ）とを有し、前記電子捕獲部（１６ｂ）と前
   記載置台（１２）とは並列に第１の電流検出手段（１８
   ）の一方の端子に電気的に接続され、かつ前記第１の電
   流検出手段（１８）の他方の端子には前記二次電子放出
   部（１６ａ）、第２の電流検出手段（２０）を介して前
   記一次電子放出手段（１３）がそれぞれ電気的に接続さ
   れており、前記第１の電流検出手段（１８）により検出
   された電流に基づいて前記一次電子放出手段（１３）か
   ら放出される一次電子の量を調整する放出量制御手段（
   １９）を有していることを特徴とするイオン注入装置。
2. 【請求項２】　　イオン放出手段（１１）と、該イオン
   放出手段（１１）から放出されたイオンの被注入体（１
   ７）を載置する、導電性を有する載置台（１２）と、一
   次電子放出手段（１３）と、該一次電子を受けて二次電
   子を放出し、該放出された二次電子が前記載置台（１２
   ）に載置された被注入体（１７）の被注入面に入射する
   ように配置された二次電子放出手段（１６）とを有する
   イオン注入装置において、前記二次電子放出手段（１６
   ）は、二次電子放出部（１６ａ）と、該二次電子放出部
   （１６ａ）と電気的に絶縁された、前記被注入体（１７
   ）に入射した電子のうち反射する電子を受ける電子捕獲
   部（１６ｂ）とを有し、前記載置台（１２）は第１の電
   流検出手段（１８）の一方の端子に電気的に接続され、
   かつ該第１の電流検出手段（１８）の他方の端子には前
   記二次電子放出部（１６ａ）、第３の電流検出手段（２
   ４）を介して前記電子捕獲部（１６ｂ）、及び第２の電
   流検出手段（２０）を介して前記一次電子の放出手段が
   それぞれ電気的に接続されており、前記第１及び第３の
   電流検出手段（１８）及び（２４）により検出された電
   流に基づいて前記一次電子放出手段（１３）から放出さ
   れる一次電子の量を調整する放出量制御手段（１９）を
   有していることを特徴とするイオン注入装置。
3. 【請求項３】　　前記二次電子放出部（１６ａ）と前記
   電子捕獲部（１６ｂ）とが絶縁体（１６ｃ）又はエアギ
   ャップ（２５ｃ）により絶縁されていることを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載のイオン注入装置。