JPH04285711A - Production of thin-film head - Google Patents

Production of thin-film head

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JPH04285711A
JPH04285711A JP7213891A JP7213891A JPH04285711A JP H04285711 A JPH04285711 A JP H04285711A JP 7213891 A JP7213891 A JP 7213891A JP 7213891 A JP7213891 A JP 7213891A JP H04285711 A JPH04285711 A JP H04285711A
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JP
Japan
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magnetic pole
tip
layer
magnetic
mask
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Application number
JP7213891A
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Inventor
Junzo Toda
戸田 順三
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To form the front ends of magnetic poles of a very small width of the thin-film head for magnetic recording and reproducing with high accuracy. CONSTITUTION:A lower magnetic layer 2A, gap layer 4 and upper magnetic layer 3A formed by a vacuum film forming method on a substrate 1 are simultaneously formed with the front end 2a of the lower magnetic pole 2 and the front end 3a of the upper magnetic pole 3 by integral ion etching using a mask 8 having the shape at the front ends of the magnetic poles. A thin-film coil 5 and an insulating layer 6 are then formed and the rear part 3b of the upper magnetic pole 3 is formed.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生用の薄膜
ヘッドの製造方法に関する。磁気ディスク装置等の磁気
記録再生装置の大容量化に伴って、磁気ディスク等の磁
気記録媒体の記録密度の増大が図られ、それに伴って高
保磁力の磁気記録媒体が使用されるようになり、従って
、ヘッドによる記録磁界を大きくする必要が生じている
。又高密度記録化に伴ってヘッドの磁極の加工精度を高
くする必要があり、その為に、薄膜技術を用いた薄膜ヘ
ッドが開発されており、その特性の向上が要望されてい
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a thin film head for magnetic recording and reproduction. With the increase in the capacity of magnetic recording and reproducing devices such as magnetic disk devices, the recording density of magnetic recording media such as magnetic disks has been increased, and as a result, magnetic recording media with high coercive force have come to be used. Therefore, it is necessary to increase the recording magnetic field generated by the head. In addition, with the trend toward higher density recording, it is necessary to increase the processing precision of the magnetic poles of heads, and for this purpose, thin film heads using thin film technology have been developed, and improvements in their characteristics are desired.

【0002】0002

【従来の技術】前述のように磁気ディスク等の磁気記録
媒体の高記録密度化に伴って、ヘッドの磁極材料として
、1.5〜2T(テスラ)の飽和磁束密度を有するCo
系アモルファス材料(CoZrNb,CoZrTa等)
やFe系の材料(FeN,FeC,FeSi,FeAl
Si等)が研究されている。このような高飽和磁束密度
の材料は、蒸着法やスパッタリング法による真空成膜法
により成膜され、イオンエッチング法によりパターニン
グされるのが一般的である。
BACKGROUND OF THE INVENTION As mentioned above, with the increasing recording density of magnetic recording media such as magnetic disks, Co, which has a saturation magnetic flux density of 1.5 to 2 T (Tesla), is used as a magnetic pole material for heads.
Amorphous materials (CoZrNb, CoZrTa, etc.)
and Fe-based materials (FeN, FeC, FeSi, FeAl
Si, etc.) are being studied. Such a material having a high saturation magnetic flux density is generally formed into a film by a vacuum film forming method using an evaporation method or a sputtering method, and patterned by an ion etching method.

【0003】蒸着法やスパッタリング法による真空成膜
法は、材料の限定がない利点があるから、連続成膜装置
により、異なる材料の薄膜を順次形成することができる
。このような真空成膜法を用いた従来例の薄膜ヘッドの
製造方法は、例えば、図4の(A)〜(D)に示す工程
を含むものであり、(A)は、例えば、Al2 O3 
・TiC等の導電性を有する基板40上に、Al2 O
3 等の絶縁層41を、例えば、スパッタリングで形成
し、次にアモルファスCoZr等の下部磁性層42をス
パッタリングで形成し、次にフォトレジストをマスクに
してイオンエッチングにより下部磁極のパターンを形成
した状態の断面を示す。
[0003] Vacuum film forming methods using vapor deposition or sputtering have the advantage of not being limited by materials, so thin films of different materials can be successively formed using a continuous film forming apparatus. A conventional method for manufacturing a thin film head using such a vacuum film forming method includes, for example, the steps shown in (A) to (D) in FIG.
・Al2O on a conductive substrate 40 such as TiC
An insulating layer 41 such as No. 3 is formed by sputtering, a lower magnetic layer 42 of amorphous CoZr or the like is formed by sputtering, and then a lower magnetic pole pattern is formed by ion etching using a photoresist as a mask. A cross section of is shown.

【0004】次に図4の(B)に示すように、全面にA
l2 O3等のギャップ層43をスパッタリングで形成
し、下部磁極と上部磁極との後部を互いに磁気的に接続
する為のパターンを形成し、フォトレジスト等の絶縁層
44を形成した上に、例えば、Cuのフレームメッキ法
等により数10ターンの薄膜コイル45を形成し、この
薄膜コイル45を絶縁する為のフォトレジスト等による
絶縁層46を形成する。
Next, as shown in FIG. 4(B), A is applied to the entire surface.
A gap layer 43 of l2O3 or the like is formed by sputtering, a pattern is formed to magnetically connect the rear parts of the lower magnetic pole and the upper magnetic pole to each other, an insulating layer 44 of photoresist or the like is formed, and then, for example, A thin film coil 45 of several tens of turns is formed by a Cu frame plating method or the like, and an insulating layer 46 of photoresist or the like is formed to insulate this thin film coil 45.

【0005】次に図4の(C)に示すように、全面に上
部磁性層47を形成し、上部磁極のパターンのフォトレ
ジスト等によるマスク48を形成する。このマスク48
を用いてイオンエッチングにより上部磁極を形成する。 それにより、図4の(D)に示すように、基板40上に
、下部磁極51の先端部と上部磁極52の先端部との間
に磁気ギャップ53を有し、下部磁極51の後部と上部
磁極52の後部とは直接的に接触した磁極が形成され、
又下部磁極51と上部磁極52との間に薄膜コイル45
が形成される。下部磁極51と上部磁極52との厚さは
、例えば、2〜3μmであり、磁気ギャップ53の厚さ
は、例えば、0.3〜0.5μm、幅は、例えば、3〜
10μm、絶縁層46の厚さは、例えば、15〜20μ
mである。このような薄膜ヘッドが基板40上に同時に
複数個形成されるものであるから、基板40を切断して
各薄膜ヘッドを分離し、例えば、基板40をスライダの
形状に加工し、図4の(D)のX−Y線にそって研磨す
ることにより、1個の薄膜ヘッドが構成される。
Next, as shown in FIG. 4C, an upper magnetic layer 47 is formed on the entire surface, and a mask 48 made of photoresist or the like having a pattern of the upper magnetic pole is formed. This mask 48
The upper magnetic pole is formed by ion etching. As a result, as shown in FIG. 4D, a magnetic gap 53 is provided on the substrate 40 between the tip of the lower magnetic pole 51 and the tip of the upper magnetic pole 52, and the rear and upper portions of the lower magnetic pole 51 and the upper A magnetic pole is formed in direct contact with the rear part of the magnetic pole 52,
Further, a thin film coil 45 is installed between the lower magnetic pole 51 and the upper magnetic pole 52.
is formed. The thickness of the lower magnetic pole 51 and the upper magnetic pole 52 is, for example, 2 to 3 μm, the thickness of the magnetic gap 53 is, for example, 0.3 to 0.5 μm, and the width is, for example, 3 to 3 μm.
The thickness of the insulating layer 46 is, for example, 15 to 20 μm.
It is m. Since a plurality of such thin film heads are formed on the substrate 40 at the same time, the substrate 40 is cut to separate each thin film head, and the substrate 40 is processed into a slider shape, for example, as shown in FIG. By polishing along the X-Y line in D), one thin film head is constructed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする問題点】薄膜ヘッドの磁極の
先端部が磁気ディスク等の磁気記録媒体に対向して、磁
気記録又は再生を行うことになり、高記録密度化に伴っ
て5μm以下の幅とする必要がある。その場合に、図4
に示す従来例の製造方法によると、微小幅の磁極先端部
の精度を高くすることができないものである。例えば、
図5の(a)の71を磁極、72を薄膜コイル及び絶縁
層とすると、磁極71の先端部のA−A線に沿った断面
が、(b)又は(c)に示す状態となる場合がある。な
お、(d)はB−B線に沿った断面を示し、73は基板
、74a,74a´は下部磁極の先端部、74bは下部
磁極の後部、75,75´は磁気ギャップ、76a,7
6a´は上部磁極の先端部、76bは上部磁極の後部、
77は薄膜コイル、78は絶縁層を示す。
[Problems to be Solved by the Invention] The tip of the magnetic pole of a thin film head faces a magnetic recording medium such as a magnetic disk to perform magnetic recording or reproduction. width. In that case, Figure 4
According to the conventional manufacturing method shown in FIG. 1, it is not possible to improve the accuracy of the tip of the magnetic pole having a minute width. for example,
If 71 in FIG. 5(a) is a magnetic pole, and 72 is a thin film coil and an insulating layer, the cross section of the tip of the magnetic pole 71 along line A-A is as shown in FIG. 5(b) or (c). There is. In addition, (d) shows the cross section along the line B-B, 73 is the substrate, 74a, 74a' are the tips of the lower magnetic poles, 74b is the rear part of the lower magnetic poles, 75, 75' are the magnetic gaps, 76a, 7
6a' is the tip of the upper magnetic pole, 76b is the rear part of the upper magnetic pole,
77 is a thin film coil, and 78 is an insulating layer.

【0007】図5の(b)は、イオンエッチングにより
下部磁極の先端部74aを形成した後、磁気ギャップ7
5を介してその上に上部磁極の先端部76aをイオンエ
ッチングにより形成する時に、マスクの位置ずれを考慮
して、下部磁極の先端部74aの幅より上部磁極の先端
部76aの幅を狭くした場合を示し、下部磁極の先端部
74aと上部磁極の先端部76aとの間の磁気ギャップ
75を所定の寸法としたとしても、下部磁極の先端部7
4aの幅が広いから、記録時に隣接トラックに影響を及
ぼすことになり、又再生時には隣接トラックの情報を含
めて再生することになる。即ち、クロストークが大きく
なる欠点がある。
FIG. 5B shows that the magnetic gap 7 is formed after the tip 74a of the lower magnetic pole is formed by ion etching.
When forming the tip 76a of the upper magnetic pole on it through 5 by ion etching, the width of the tip 76a of the upper magnetic pole was made narrower than the width of the tip 74a of the lower magnetic pole, taking into account misalignment of the mask. In this case, even if the magnetic gap 75 between the tip 74a of the lower magnetic pole and the tip 76a of the upper magnetic pole is set to a predetermined size, the tip 7 of the lower magnetic pole
Since the width of 4a is wide, it will affect adjacent tracks during recording, and during reproduction, information of adjacent tracks will be included in the reproduction. That is, there is a drawback that crosstalk becomes large.

【0008】又図5の(c)は、下部磁極の先端部74
a´と上部磁極の先端部76a´とを、同一の幅のマス
クを用いてイオンエッチングにより順次形成した場合に
、下部磁極の先端部74a´を形成する時と、上部磁極
の先端部76a´を形成する時とのマスクの位置ずれが
生じたことにより、先端部74a´,76a´がずれて
形成される場合がある。このような形状の先端部を有す
る薄膜ヘッドは記録再生特性が著しく劣化する欠点があ
る。本発明は、少なくとも記録再生特性に大きな影響を
及ぼす磁極先端部を高精度に形成することを目的とする
FIG. 5(c) shows the tip 74 of the lower magnetic pole.
a' and the tip 76a' of the upper magnetic pole are sequentially formed by ion etching using masks of the same width, when forming the tip 74a' of the lower magnetic pole and the tip 76a' of the upper magnetic pole. Due to a misalignment of the mask with respect to when forming the mask, the tips 74a' and 76a' may be formed misaligned. A thin film head having a tip portion having such a shape has the disadvantage that recording and reproducing characteristics are significantly deteriorated. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to form a magnetic pole tip with high precision, which has a large effect on at least recording and reproducing characteristics.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜ヘッドの製
造方法は、図1の(A)〜(F)を参照して説明すると
、基板1上に、下部磁性層2Aとギャップ層4Aと上部
磁性層3Aとを順次真空成膜法により形成し、磁極先端
部の形状のマスク8を用いて一括イオンエッチングによ
り、下部磁性層2Aによる下部磁極2の先端部2aと、
この先端部2a上のギャップ層4Aによる磁気ギャップ
4を介した上部磁性層3Aによる上部磁極3の先端部3
aとを同時に形成する工程を含むものである。
[Means for Solving the Problems] The method for manufacturing a thin film head of the present invention will be explained with reference to FIGS. The upper magnetic layer 3A is sequentially formed by a vacuum film-forming method, and the tip 2a of the lower magnetic pole 2 is formed by the lower magnetic layer 2A by batch ion etching using a mask 8 shaped like the tip of the magnetic pole.
The tip portion 3 of the upper magnetic pole 3 is formed by the upper magnetic layer 3A via the magnetic gap 4 formed by the gap layer 4A on the tip portion 2a.
This includes the step of forming a and a at the same time.

【0010】又磁極先端部の形状のマスク8を磁性体に
より形成することができる。又下部磁性層2Aと上部磁
性層3Aとを、真空成膜法による磁性層と非磁性層とを
交互に成膜した多層磁性層とすることができる。
Furthermore, the mask 8 in the shape of the tip of the magnetic pole can be formed of a magnetic material. Further, the lower magnetic layer 2A and the upper magnetic layer 3A can be multilayer magnetic layers in which magnetic layers and nonmagnetic layers are alternately formed by a vacuum film forming method.

【0011】又基板1上に、下部磁極2の先端部2aと
磁気ギャップ4と上部磁極3の先端部3aとを、磁極先
端部の形状のマスク8を用いて一括イオンエッチングに
より同時に形成した後、下部磁極2の後部2b上に薄膜
コイル5を形成し、次に上部磁極3の先端部3aに接続
する後部3bの形状を除いたレジストマスクを形成し、
全面に磁性層を形成した後、レジストマスクを除去する
リフトオフ法により、上部磁極3の後部3bを形成する
ことができる。
After forming the tip 2a of the lower magnetic pole 2, the magnetic gap 4, and the tip 3a of the upper magnetic pole 3 simultaneously on the substrate 1 by batch ion etching using a mask 8 in the shape of the tip of the magnetic pole. , forming a thin film coil 5 on the rear part 2b of the lower magnetic pole 2, and then forming a resist mask excluding the shape of the rear part 3b connected to the tip 3a of the upper magnetic pole 3;
After forming the magnetic layer on the entire surface, the rear part 3b of the upper magnetic pole 3 can be formed by a lift-off method in which the resist mask is removed.

【0012】又基板1上に、下部磁極2の先端部2aと
磁気ギャップ4と上部磁極3の先端部3aとを、磁極先
端部の形状のマスク8を用いて一括イオンエッチングに
より同時に形成した後、下部磁極2の後部2b上に薄膜
コイル5を形成し、次に全面にメッキベース層を形成し
、次に上部磁極3の後部3bの形状を除いたレジストマ
スクを形成し、次にメッキベース層を用いて磁性層をメ
ッキするフレームメッキ法により上部磁極3の後部3b
を形成することができる。
After forming the tip 2a of the lower magnetic pole 2, the magnetic gap 4, and the tip 3a of the upper magnetic pole 3 on the substrate 1 at the same time by batch ion etching using a mask 8 in the shape of the tip of the magnetic pole, , a thin film coil 5 is formed on the rear part 2b of the lower magnetic pole 2, a plating base layer is formed on the entire surface, a resist mask is formed excluding the shape of the rear part 3b of the upper magnetic pole 3, and then a plating base layer is formed on the entire surface. The rear part 3b of the upper magnetic pole 3 is formed by a frame plating method in which a magnetic layer is plated using a layer.
can be formed.

【0013】[0013]

【作用】基板1上の下部磁性層2Aとギャップ層4Aと
上部磁性層3Aとを、磁極先端部の形状のマスク8を用
いて一括イオンエッチングを行うことにより、下部磁極
2の先端部2aと磁気ギャップ4と上部磁極3の先端部
3aとは、マスク8に従った形状に形成される。従って
、下部磁極2と上部磁極3との先端部2a,3aがずれ
るようなことがなくなる。図1の(A)は、基板1上に
下部磁性層2Aとギャップ層4Aとを真空成膜法により
形成した状態を示し、又(B)はギャップ層4Aに窓を
形成した後、下部磁極2の後部2bの形状のレジストマ
スク7を形成した状態を示し、又(C)は上部磁性層3
Aを真空成膜法により形成した後、磁極先端部の形状の
マスク8を形成した状態を示し、(D)は、一括イオン
エッチングにより上部磁極3の先端部3aと下部磁極2
の先端部2aとを同時に形成した後、マスク8の残渣を
除去した状態を示す。
[Operation] By performing batch ion etching on the lower magnetic layer 2A, gap layer 4A, and upper magnetic layer 3A on the substrate 1 using a mask 8 shaped like the tip of the magnetic pole, the tip 2a of the lower magnetic pole 2 and The magnetic gap 4 and the tip 3a of the upper magnetic pole 3 are formed in a shape according to the mask 8. Therefore, there is no possibility that the tips 2a, 3a of the lower magnetic pole 2 and the upper magnetic pole 3 become misaligned. FIG. 1(A) shows a state in which a lower magnetic layer 2A and a gap layer 4A are formed on a substrate 1 by a vacuum film-forming method, and FIG. 1(B) shows a state in which a window is formed in the gap layer 4A and then the lower magnetic layer 2, and (C) shows a state in which a resist mask 7 in the shape of the rear part 2b of the upper magnetic layer 3 is formed.
(D) shows a state in which a mask 8 in the shape of the tip of the magnetic pole is formed after forming A by a vacuum film forming method, and (D) shows that the tip 3a of the upper magnetic pole 3 and the lower magnetic pole 2 are formed by batch ion etching.
The mask 8 is shown in a state in which the residue of the mask 8 is removed after the tip portion 2a of the mask 8 is formed at the same time.

【0014】次にフレームメッキ法等により薄膜コイル
5を形成する。図1の(E)はその薄膜コイル5を形成
した状態を示し、6は絶縁層である。次に上部磁極3の
後部3bを形成する。図1の(F)は上部磁極3の先端
部3aに接続した後部3bを形成した状態を示し、その
後部3bは下部磁極2の後部2bとギャップ層4Aの窓
を介して接続されて磁気回路を構成する。
Next, a thin film coil 5 is formed by frame plating or the like. FIG. 1E shows the state in which the thin film coil 5 is formed, and 6 is an insulating layer. Next, the rear portion 3b of the upper magnetic pole 3 is formed. (F) in FIG. 1 shows a state in which a rear part 3b is connected to the tip 3a of the upper magnetic pole 3, and the rear part 3b is connected to the rear part 2b of the lower magnetic pole 2 through the window of the gap layer 4A to form a magnetic circuit. Configure.

【0015】又磁極先端部の形状のマスク8を磁性体に
より形成した場合、一括イオンエッチング終了後に、マ
スク8の残渣を除去しなくても薄膜ヘッドとして使用可
能であるから、工程を短縮できる。又多層磁性層は、真
空成膜法により磁性層と非磁性層とを交互に形成したも
ので、磁気特性を改善することができる。
Further, when the mask 8 in the shape of the tip of the magnetic pole is formed of a magnetic material, it can be used as a thin film head without removing the residue of the mask 8 after the batch ion etching is completed, so that the process can be shortened. Further, the multilayer magnetic layer is one in which magnetic layers and nonmagnetic layers are alternately formed by a vacuum film forming method, and the magnetic properties can be improved.

【0016】又磁極の先端部2a,3aと薄膜コイルを
形成した後、上部磁極3の後部3bを形成するレジスト
マスクを形成して磁性層を真空成膜法により形成し、そ
のレジストマスクを除去すると、磁性層は、上部磁極3
の後部3bの形状として残存し、他の磁性層はレジスト
マスク上に形成されているから、レジストマスクの除去
と共に除去される。即ち、リフトオフ法により薄膜コイ
ル5に損傷を与えることなく、上部磁極3の後部3bを
形成することができる。
After forming the tip portions 2a, 3a of the magnetic poles and the thin film coil, a resist mask is formed to form the rear portion 3b of the upper magnetic pole 3, a magnetic layer is formed by a vacuum film forming method, and the resist mask is removed. Then, the magnetic layer becomes the upper magnetic pole 3
Since the other magnetic layers are formed on the resist mask, they are removed together with the removal of the resist mask. That is, the rear part 3b of the upper magnetic pole 3 can be formed by the lift-off method without damaging the thin film coil 5.

【0017】又磁極の先端部2a,3aと薄膜コイルを
形成した後、メッキベース層を形成し、次に上部磁極3
の後部3bを形成するレジストマスクを形成し、このレ
ジストマスクで被覆されていないメッキベース層上に磁
性層をメッキする。そして、レジストマスクを除去する
と、上部磁極3の後部3bが形成されることになる。
After forming the magnetic pole tips 2a and 3a and the thin film coil, a plating base layer is formed, and then the upper magnetic pole 3a is formed.
A resist mask is formed to form the rear part 3b, and a magnetic layer is plated on the plating base layer not covered with this resist mask. Then, when the resist mask is removed, the rear portion 3b of the upper magnetic pole 3 is formed.

【0018】[0018]

【実施例】図1は本発明の第1の実施例の製造工程説明
図であり、(A)〜(F)は各工程に於ける要部断面を
示す。基板1は、例えば、導電性のAl2 O3 ・T
iC上に、Al2 O3 等の絶縁層を形成したもので
あり、その上に、例えば、アモルファスCoZrの下部
磁性層2Aをスパッタリング等の真空成膜法により2〜
3μmの厚さに形成し、その上に、例えば、Al2 O
3 等のギャップ層4Aを真空成膜法により0.1〜0
.5μmの厚さに形成する。図1の(A)はこの状態を
示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an explanatory view of the manufacturing process of a first embodiment of the present invention, and (A) to (F) show cross sections of important parts in each step. The substrate 1 is made of, for example, conductive Al2O3.T.
An insulating layer such as Al2O3 is formed on the iC, and a lower magnetic layer 2A of, for example, amorphous CoZr is formed on the iC by a vacuum film forming method such as sputtering.
Formed to a thickness of 3 μm, for example, Al2O
The gap layer 4A such as
.. It is formed to a thickness of 5 μm. FIG. 1A shows this state.

【0019】次に、ギャップ層4Aに、下部磁極2の後
部2bと上部磁極3の後部3bとを接続する為の窓を形
成し、フォトレジストを塗布して下部磁極2の後部2b
の形状にパターニングし、レジストマスク7を形成する
。このレジストマスク7を加熱硬化させると、図1の(
B)に示すように、レジストマスク7のパターンエッジ
がテーパ状となる。次に、全面に、例えば、アモルファ
スCoZrの上部磁性層3Aを真空成膜法により、2〜
3μmの厚さに形成し、その上に、フォトレジストを塗
布してパターニングし、磁極先端部の形状のマスク8を
形成する。図1の(C)はこの状態を示す。
Next, a window for connecting the rear part 2b of the lower magnetic pole 2 and the rear part 3b of the upper magnetic pole 3 is formed in the gap layer 4A, and a photoresist is applied to connect the rear part 2b of the lower magnetic pole 2.
A resist mask 7 is formed by patterning into the shape of . When this resist mask 7 is heated and hardened, (
As shown in B), the pattern edge of the resist mask 7 becomes tapered. Next, an upper magnetic layer 3A of, for example, amorphous CoZr is deposited on the entire surface by a vacuum film-forming method.
It is formed to have a thickness of 3 μm, and a photoresist is applied thereon and patterned to form a mask 8 in the shape of the tip of the magnetic pole. FIG. 1C shows this state.

【0020】次に、マスク8を用いて一括イオンエッチ
ングにより、基板1が露出までエッチングする。それに
より、図1の(D)に示すように、下部磁極2の先端部
2aと上部磁極3の先端部3aとが磁気ギャップ4を介
して同時に形成されることになる。又下部磁極2の後部
2bはレジストマスク7に従った形状となる。このレジ
ストマスク7は、紫外線硬化レジストにより形成するこ
ともでき、加熱硬化レジストに比較して耐熱性に優れて
おり、上部磁性層の成膜時の基板温度上昇や後工程の熱
処理に対して信頼性が向上する。又耐熱性の高いポリイ
ミドを用いることもできる。又感光性ポリイミドを用い
れば、エッチング工程を省略できる利点がある。
Next, the substrate 1 is etched by batch ion etching using the mask 8 until the substrate 1 is exposed. Thereby, as shown in FIG. 1D, the tip 2a of the lower magnetic pole 2 and the tip 3a of the upper magnetic pole 3 are formed simultaneously with the magnetic gap 4 interposed therebetween. Further, the rear portion 2b of the lower magnetic pole 2 has a shape according to the resist mask 7. This resist mask 7 can also be formed from an ultraviolet curing resist, which has superior heat resistance compared to a heat curing resist, and is reliable against rises in substrate temperature during film formation of the upper magnetic layer and heat treatment in post-processes. Improves sex. Moreover, polyimide having high heat resistance can also be used. Furthermore, the use of photosensitive polyimide has the advantage of omitting the etching process.

【0021】又耐熱性樹脂の代わりに、Al2 O3 
やSiO2 等の無機材料を用いることも可能であり、
特に、Al2 O3 はイオンエッチングレートが小さ
い為、一括イオンエッチング時の膜減りが少ないから、
マスクの厚さを薄くできる利点がある。又レジストをマ
スクとしてメッキした非磁性金属を用いることもできる
。この場合は、マスク7としての非磁性金属層が残存し
、渦電流により磁束の漏れを抑制する作用が生じるので
、薄膜ヘッドの特性を向上することができる。
[0021]Al2O3 instead of the heat-resistant resin
It is also possible to use inorganic materials such as or SiO2,
In particular, since Al2O3 has a small ion etching rate, there is less film loss during batch ion etching.
This has the advantage of making the mask thinner. It is also possible to use a non-magnetic metal plated with a resist as a mask. In this case, the nonmagnetic metal layer as the mask 7 remains, and the eddy current has the effect of suppressing leakage of magnetic flux, so that the characteristics of the thin film head can be improved.

【0022】又磁極先端部の形状のマスク8は、前述の
レジストマスク7と同様に、フォトレジスト,耐熱性合
成樹脂,紫外線硬化合成樹脂,感光性ポリイミド,Si
O2 等の無機絶縁物,非磁性金属,磁性体,C,Al
2 O3 ,Ti等のイオンエッチングレートの小さい
材料により形成することができる。例えば、イオンエッ
チングレートが小さいCを用いた場合には酸素プラズマ
等により容易に除去することができる。又磁性体を用い
た場合は、上部磁極の先端部3a上に残存することにな
るが、この磁性体のマスクを除去する必要がないから、
工程を簡単化できる利点がある。又マスク8のパターン
はフォトリソグラフィにより形成することができるが、
金属を用いた場合はマスクメッキ法により形成すること
もでき、精度の高いマスク8を形成することができる。
The mask 8 in the shape of the tip of the magnetic pole is made of photoresist, heat-resistant synthetic resin, ultraviolet curing synthetic resin, photosensitive polyimide, Si
Inorganic insulators such as O2, non-magnetic metals, magnetic materials, C, Al
It can be formed from a material with a low ion etching rate, such as 2 O3 or Ti. For example, when carbon having a low ion etching rate is used, it can be easily removed using oxygen plasma or the like. If a magnetic material is used, it will remain on the tip 3a of the upper magnetic pole, but there is no need to remove the mask of this magnetic material.
This has the advantage of simplifying the process. Further, the pattern of the mask 8 can be formed by photolithography,
When metal is used, it can also be formed by a mask plating method, and the mask 8 can be formed with high precision.

【0023】次に、図1の(D)の状態からレジストマ
スク7の残渣を除去するか、又はギャップ層4Aの窓を
介して下部磁極2の後部2bの一部が露出するようにし
、或いは、この(D)の状態から薄膜コイル5及び絶縁
層6を形成する工程を行う。即ち、図1の(E)に示す
ように、薄膜コイル5及び絶縁層6を形成する。この薄
膜コイル5は、例えば、絶縁層を形成し、その上にCu
等のメッキベース層を形成し、薄膜コイル5のパターン
のマスクを形成して、Cu等のメッキベース層を基にC
u等をメッキし、マスク及びこのマスク上のメッキベー
ス層を除去するフレームメッキ法により形成することが
できる。そして、薄膜コイル5上に絶縁層を形成する。
Next, the residue of the resist mask 7 is removed from the state shown in FIG. , From this state (D), the step of forming the thin film coil 5 and the insulating layer 6 is performed. That is, as shown in FIG. 1E, a thin film coil 5 and an insulating layer 6 are formed. This thin film coil 5 has, for example, an insulating layer formed thereon, and Cu
A plating base layer such as Cu is formed, a mask with the pattern of the thin film coil 5 is formed, and a C plating base layer is formed based on the plating base layer such as Cu.
It can be formed by a frame plating method in which a mask and a plating base layer on the mask are removed. Then, an insulating layer is formed on the thin film coil 5.

【0024】次に、図1の(F)に示すように、上部磁
極3の後部3bを形成する。この後部3bの先端側は先
端部3aと接触し、後端側は下部磁極2の後部2bと接
触した状態となり、薄膜コイル5の一部が、下部磁極2
の後部2bと上部磁極3の後部3bとの間に絶縁層6を
介して挟まれた状態となる。このような薄膜ヘッドが基
板1上に複数個同時に形成されるので、基板1を分割し
て単一の薄膜ヘッドが形成される。
Next, as shown in FIG. 1F, the rear portion 3b of the upper magnetic pole 3 is formed. The front end side of this rear part 3b is in contact with the front end part 3a, and the rear end side is in contact with the rear part 2b of the lower magnetic pole 2, and a part of the thin film coil 5 is in contact with the lower magnetic pole 2.
and the rear portion 3b of the upper magnetic pole 3 with the insulating layer 6 interposed therebetween. Since a plurality of such thin film heads are simultaneously formed on the substrate 1, a single thin film head can be formed by dividing the substrate 1.

【0025】図2は本発明の第2の実施例の製造工程説
明図であり、リフトオフ法を用いて上部磁極の後部を形
成する工程を含むもので、(A)〜(F)は各工程に於
ける要部の断面を示す。先ず、図2の(A)に示すよう
に、Al2 O3 ・TiC上にAl2 O3 の絶縁
層を形成した基板1上に、アモルファスCoZrの下部
磁性層11をスパッタリング等の真空成膜法により、例
えば、2〜3μmの厚さに形成した後、レジストマスク
により下部磁極の前部周辺部と下部磁極の後部を含む形
状にイオンエッチングによりパターニングする。次いで
、その上にAl2 O3 等のギャップ層12を真空成
膜法により、例えば、0.1〜0.5μmの厚さに形成
し、そのギャップ層12に、下部磁極と上部磁極とを直
接的に接触させる為の窓14を形成した後、下部磁極後
部上にマスク17を形成し、その上にアモルファスCo
Zrの上部磁性層13を真空成膜法により、例えば、2
〜3μmの厚さに形成し、次に磁極先端形状のマスク1
0を形成する。この磁極先端形状は、例えば、図5の(
a)のA−A線に沿った前後の部分を示し、トラック幅
等に対応した記録幅に従った3〜5μm程度の幅を有す
るものである。
FIG. 2 is an explanatory diagram of the manufacturing process of the second embodiment of the present invention, which includes the step of forming the rear part of the upper magnetic pole using the lift-off method, and (A) to (F) represent each step. This figure shows a cross section of the main parts in the figure. First, as shown in FIG. 2A, a lower magnetic layer 11 of amorphous CoZr is formed on a substrate 1 in which an insulating layer of Al2 O3 is formed on Al2 O3 .TiC, for example, by a vacuum film forming method such as sputtering. , to a thickness of 2 to 3 μm, and then patterned by ion etching into a shape that includes the front peripheral part of the lower magnetic pole and the rear part of the lower magnetic pole using a resist mask. Next, a gap layer 12 made of Al2O3 or the like is formed thereon to a thickness of, for example, 0.1 to 0.5 μm using a vacuum film forming method, and a lower magnetic pole and an upper magnetic pole are directly attached to the gap layer 12. After forming the window 14 for contacting the lower magnetic pole, a mask 17 is formed on the rear part of the lower magnetic pole, and an amorphous Co
The upper magnetic layer 13 of Zr is formed by a vacuum film forming method, for example, 2
It is formed to a thickness of ~3 μm, and then a mask 1 in the shape of the magnetic pole tip is formed.
form 0. This magnetic pole tip shape is, for example, (
It shows the front and rear portions along line A-A in a), and has a width of about 3 to 5 μm, which corresponds to the recording width corresponding to the track width, etc.

【0026】磁極先端部の形状のマスク10は、前述の
実施例に於けるマスク8と同様に、各種の材料を用いる
ことができる。このマスク10を用いて一括イオンエッ
チングにより、上部磁性層13とギャップ層12と下部
磁性層11とをエッチングして、先端部2a,3a及び
磁気ギャップ4とを同時に形成する。従って、先端部2
a,3aはずれるようなことはなく同一形状となる。こ
の状態を図2の(B)に示す。この一括イオンエッチン
グ工程により、下部磁極後部上のマスクの残部17Aが
現れるから、そのマスクの残部17Aを除去した後、図
2の(A)の工程に於いて、下部磁極と上部磁極とを直
接的に接触させる為の窓14を、この(B)の工程に於
いて形成することもできる。
The mask 10 shaped like the tip of the magnetic pole can be made of various materials, similar to the mask 8 in the above-described embodiment. Using this mask 10, the upper magnetic layer 13, gap layer 12, and lower magnetic layer 11 are etched by batch ion etching to simultaneously form the tip portions 2a, 3a and the magnetic gap 4. Therefore, the tip 2
a and 3a do not shift and have the same shape. This state is shown in FIG. 2(B). This batch ion etching process reveals the remaining portion 17A of the mask on the rear of the lower magnetic pole. After removing the remaining portion 17A of the mask, the lower magnetic pole and the upper magnetic pole are directly connected in the step of (A) in FIG. A window 14 for making contact with each other can also be formed in this step (B).

【0027】次に、絶縁層,メッキベース層,絶縁物に
よるマスクを順次形成し、メッキベース層を介して、例
えば、Cuを所望の厚さにメッキし、次にマスク除去,
マスク位置のメッキベース層除去により、図2の(C)
に示すように、数10ターンの薄膜コイル5を形成し、
この薄膜コイル5を絶縁するレジスト等による絶縁層6
を形成する。
Next, an insulating layer, a plating base layer, and a mask made of an insulator are sequentially formed, and, for example, Cu is plated to a desired thickness through the plating base layer, and then the mask is removed.
By removing the plating base layer at the mask position, (C) in Figure 2
As shown in the figure, a thin film coil 5 of several tens of turns is formed,
An insulating layer 6 made of resist or the like insulating this thin film coil 5
form.

【0028】次に、図2の(D)に示すように、上部磁
極の後部のパターンを除いたパターンのリフトオフ用の
マスク15を形成する。このマスク15は、有機溶剤に
より除去できるフォトレジスト等の材料を用い、且つそ
の上に成膜する磁性層の厚さより厚く形成することが望
ましい。
Next, as shown in FIG. 2D, a mask 15 for lift-off is formed, excluding the pattern at the rear of the upper magnetic pole. This mask 15 is desirably made of a material such as a photoresist that can be removed with an organic solvent, and is preferably formed to be thicker than the thickness of the magnetic layer formed thereon.

【0029】次に、図2の(E)に示すように、全面に
アモルファスCoZrの磁性層16a,16bを、例え
ば、2〜3μmの厚さに形成する。そして、有機溶剤に
よりマスク15を除去する。それによって、マスク15
上の磁性層16bは、マスク15と共に除去され、絶縁
層6上の磁性層16aは残存することになる。従って、
図2の(F)に示すように、基板1上に、下部磁性層1
1による下部磁極2の先端部2aと後部2bとが一体的
に形成され、磁気ギャップ4を介して下部磁極2の先端
部2aと上部磁極3の先端部3aとが同一形状に形成さ
れ、この上部磁極3の先端部3aに後部3bが接続され
、この後部3bと下部磁極2の後部2bとが、図2の(
B)に示す窓14を介して接続され、又下部磁極2と上
部磁極3との間に絶縁層6により絶縁された薄膜コイル
5が形成される。従って、薄膜コイル5及びそれを保護
する絶縁層6に損傷を与えることなく、上部磁極3の後
部3bを形成することができる。又このような薄膜ヘッ
ドが基板1上に複数個同時に形成されるものであり、従
来例と同様に基板1の切断,記録面の研磨等の工程を経
て、ヘッドアームに搭載する薄膜ヘッドが構成される。
Next, as shown in FIG. 2E, amorphous CoZr magnetic layers 16a and 16b are formed on the entire surface to a thickness of, for example, 2 to 3 μm. Then, the mask 15 is removed using an organic solvent. Thereby, mask 15
The upper magnetic layer 16b is removed together with the mask 15, and the magnetic layer 16a on the insulating layer 6 remains. Therefore,
As shown in FIG. 2(F), a lower magnetic layer 1 is placed on a substrate 1.
1, the tip 2a and rear part 2b of the lower magnetic pole 2 are integrally formed, and the tip 2a of the lower magnetic pole 2 and the tip 3a of the upper magnetic pole 3 are formed in the same shape through a magnetic gap 4. A rear part 3b is connected to the tip 3a of the upper magnetic pole 3, and this rear part 3b and the rear part 2b of the lower magnetic pole 2 are connected as shown in FIG.
A thin film coil 5 is formed between the lower magnetic pole 2 and the upper magnetic pole 3 and insulated by an insulating layer 6, which are connected through the window 14 shown in FIG. Therefore, the rear portion 3b of the upper magnetic pole 3 can be formed without damaging the thin film coil 5 and the insulating layer 6 that protects it. In addition, a plurality of such thin film heads are formed on the substrate 1 at the same time, and the thin film heads mounted on the head arm are formed through processes such as cutting the substrate 1 and polishing the recording surface as in the conventional example. be done.

【0030】図3は本発明の第3の実施例の製造工程説
明図であり、フレームメッキ法により上部磁極の後部を
形成する工程を含むもので、図3の(A),(B),(
C)の工程は、図2の(A),(B),(C)と同様の
工程を示す。図3の(A),(B),(C)に於いて、
21は基板、22aは下部磁極の先端部、22bは下部
磁極の後部、23aは上部磁極の先端部、24は磁気ギ
ャップ、25は薄膜コイル、26は絶縁層、30は磁極
先端部の形状のマスク、31は例えばアモルファスCo
Zrからなる下部磁性層、32は例えばAl2 O3 
からなるギャップ層、33はアモルファスCoZrから
なる上部磁性層、37はマスク、37Aは一括エッチン
グによるマスクの残部である。
FIG. 3 is an explanatory view of the manufacturing process of the third embodiment of the present invention, which includes the step of forming the rear part of the upper magnetic pole by frame plating method, and includes the step of forming the rear part of the upper magnetic pole by the frame plating method. (
Step C) shows the same steps as (A), (B), and (C) in FIG. In (A), (B), and (C) of Figure 3,
21 is the substrate, 22a is the tip of the lower magnetic pole, 22b is the rear part of the lower magnetic pole, 23a is the tip of the upper magnetic pole, 24 is the magnetic gap, 25 is the thin film coil, 26 is the insulating layer, and 30 is the shape of the tip of the magnetic pole. The mask 31 is made of, for example, amorphous Co.
The lower magnetic layer 32 made of Zr is made of, for example, Al2O3.
33 is an upper magnetic layer made of amorphous CoZr, 37 is a mask, and 37A is the remainder of the mask formed by batch etching.

【0031】図3の(A),(B),(C)の工程によ
り下部磁極の先端部22aと上部磁極の先端部23aと
が磁気ギャップ24を含めて一括イオンエッチングによ
り形成され、高精度の磁極先端部が形成される。そして
、マスク30の除去等の後に、薄膜コイル25がマスク
メッキ法等により形成される。
In the steps of (A), (B), and (C) in FIG. 3, the tip 22a of the lower magnetic pole and the tip 23a of the upper magnetic pole, including the magnetic gap 24, are formed by batch ion etching with high precision. A magnetic pole tip is formed. After removing the mask 30, etc., the thin film coil 25 is formed by a mask plating method or the like.

【0032】次に、図3の(D)に示すように、任意の
導電性を有する金属によるメッキベース層34を全面に
形成し、上部磁極の後部を形成する為のレジストによる
フレーム状のマスク35を形成する。このマスク35は
フォトリソグラフィによりパターニングすることができ
る。
Next, as shown in FIG. 3D, a plating base layer 34 made of any conductive metal is formed on the entire surface, and a frame-shaped mask made of resist is formed to form the rear part of the upper magnetic pole. Form 35. This mask 35 can be patterned by photolithography.

【0033】次に、図3の(E)に示すように、例えば
、FeNiを電気メッキして磁性層36を形成する。 この厚さは上部磁極の後部に必要とする例えば2〜3μ
mとするものである。次に、マスク35をエッチング液
等により除去し、露出したメッキベース層34をイオン
エッチング等により除去すると、図3の(F)に、図2
と同一符号で示すように、基板1上に、下部磁極2の先
端部2aと磁気ギャップ4を介した上部磁極3の先端部
3aとが同一形状で形成され、メッキにより形成された
磁性層36が上部磁極3の後部3bとなり、下部磁極2
の後部2b上に絶縁層6により絶縁された薄膜コイル5
が形成された薄膜ヘッドが構成される。
Next, as shown in FIG. 3E, a magnetic layer 36 is formed by electroplating FeNi, for example. This thickness is, for example, 2 to 3 μm required for the rear part of the upper magnetic pole.
m. Next, the mask 35 is removed using an etching solution or the like, and the exposed plating base layer 34 is removed by ion etching or the like, as shown in FIG.
As indicated by the same reference numerals, the tip 2a of the lower magnetic pole 2 and the tip 3a of the upper magnetic pole 3 with the magnetic gap 4 in between are formed in the same shape on the substrate 1, and a magnetic layer 36 is formed by plating. becomes the rear part 3b of the upper magnetic pole 3, and the lower magnetic pole 2
A thin film coil 5 insulated by an insulating layer 6 on the rear part 2b of the
A thin film head is constructed.

【0034】このフレームメッキ法による磁性層36を
アモルファスCoZrよりも飽和磁束密度が小さいFe
Niにより形成しているが、前述のように、磁気記録の
為の磁界の強さは、主に先端部2a,3aの飽和磁束密
度に依存するから、上部磁極3の後部3bを先端部3a
より飽和磁束密度を低い材料により形成しても、記録特
性を劣化させることはない。
The magnetic layer 36 formed by this frame plating method is made of Fe, which has a lower saturation magnetic flux density than amorphous CoZr.
Although it is made of Ni, as mentioned above, the strength of the magnetic field for magnetic recording mainly depends on the saturation magnetic flux density of the tips 2a and 3a.
Even if it is made of a material with a lower saturation magnetic flux density, the recording characteristics will not deteriorate.

【0035】前述の各実施例に於いて、下部磁極2と上
部磁極3とをそれぞれアモルファスCoZrを用いて形
成する場合を示すが、上部磁極3の少なくとも先端部3
aを、飽和磁束密度が更に大きいFeNやFeSi等の
Fe系磁性材料を用いることができる。これは、薄膜ヘ
ッドの磁極先端部と磁気ディスク等の磁気記録媒体とは
、下部磁極2の先端部2aから上部磁極3の先端部3a
側に向かって磁気記録媒体が移動する方向となり、磁気
ギャップ4の後端側で発生する磁界により記録される状
態となるからであり、磁気ギャップ4の後端側の上部磁
極3の先端部3aの飽和磁束密度を大きくすることによ
り、記録磁界の強さを大きくすることができる。又磁極
先端部形成時に印加する異方性磁界を後部形成時より大
きくして磁極幅の減少に伴う透磁率の低下を防止するこ
とができる。
In each of the embodiments described above, the lower magnetic pole 2 and the upper magnetic pole 3 are formed using amorphous CoZr, but at least the tip 3 of the upper magnetic pole 3
For a, an Fe-based magnetic material such as FeN or FeSi, which has a higher saturation magnetic flux density, can be used. This means that the magnetic pole tip of the thin film head and the magnetic recording medium such as a magnetic disk are connected from the tip 2a of the lower magnetic pole 2 to the tip 3a of the upper magnetic pole 3.
This is because the magnetic recording medium moves toward the side, and is recorded by the magnetic field generated on the rear end side of the magnetic gap 4. By increasing the saturation magnetic flux density of the recording magnetic field, the strength of the recording magnetic field can be increased. Further, by making the anisotropic magnetic field applied when forming the tip of the magnetic pole larger than when forming the rear part, it is possible to prevent a decrease in magnetic permeability due to a decrease in the width of the magnetic pole.

【0036】又多層磁性膜は、1〜2μm又はそれ以下
の厚さの磁性層と、0.1〜0.5μm程度の厚さの非
磁性層とを、真空蒸着法又はスパッタリング法等の真空
成膜法により交互に形成するもので、下部磁性層2A,
11,31と上部磁性層3A,13,33とをこの多層
磁性膜により形成することができる。又各磁性層の磁化
容易軸方向を、磁気記録媒体の対向面と平行となるよう
にし、ほぼ矩形の磁区が形成されることから、高周波特
性を改善することができる。従って、高密度記録が容易
となる。なお、フレームメッキ法を用いた場合、上部磁
極3の後部3bは単層の磁性層により構成されることに
なる。
[0036] In addition, the multilayer magnetic film is formed by depositing a magnetic layer with a thickness of 1 to 2 μm or less and a nonmagnetic layer with a thickness of about 0.1 to 0.5 μm using a vacuum evaporation method or a sputtering method. The lower magnetic layers 2A,
11, 31 and the upper magnetic layers 3A, 13, 33 can be formed from this multilayer magnetic film. Furthermore, since the easy axis of magnetization of each magnetic layer is made parallel to the facing surface of the magnetic recording medium, and a substantially rectangular magnetic domain is formed, high frequency characteristics can be improved. Therefore, high-density recording becomes easy. Note that when the frame plating method is used, the rear portion 3b of the upper magnetic pole 3 is composed of a single magnetic layer.

【0037】本発明は、前述の各実施例にのみ限定され
るものではなく、種々付加変更することができるもので
あり、例えば、薄膜コイル5は一層の場合を示している
が、多層に形成することも可能である。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be modified in various ways. For example, although the thin film coil 5 is shown as having a single layer, it may be formed in multiple layers. It is also possible to do so.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、基板1
上の下部磁極2の先端部2aと上部磁極3の先端部3a
とを、マスク8を用いて一括イオンエッチングにより形
成するから、寸法精度の高い磁極の先端部を形成するこ
とができる。従って、記録再生特性を改善した薄膜ヘッ
ドを提供することができる。
Effects of the Invention As explained above, the present invention provides a substrate 1
The tip 2a of the upper lower magnetic pole 2 and the tip 3a of the upper magnetic pole 3
Since these are formed by batch ion etching using the mask 8, the tip of the magnetic pole can be formed with high dimensional accuracy. Therefore, it is possible to provide a thin film head with improved recording and reproducing characteristics.

【0039】又磁極先端形状のマスク8,10,30を
磁性体により構成した場合は、一括イオンエッチング後
に、そのマスク8,10,30の残渣を除去する工程を
省略することができる利点がある。又下部磁極2及び上
部磁極3を多層磁性層により構成すると、ほぼ矩形の磁
区が形成されることになるから、記録再生特性を改善す
ることができる。
Further, when the masks 8, 10, 30 having the shape of magnetic pole tips are made of a magnetic material, there is an advantage that the step of removing the residues of the masks 8, 10, 30 after the batch ion etching can be omitted. . Further, when the lower magnetic pole 2 and the upper magnetic pole 3 are formed of multilayer magnetic layers, substantially rectangular magnetic domains are formed, so that the recording and reproducing characteristics can be improved.

【0040】又上部磁極3の後部3bをリフトオフ法又
はフレームメッキ法により形成することにより、その後
部3bの形成工程に於ける薄膜コイル5及び絶縁層6へ
の損傷を与えない利点がある。従って、高飽和磁束密度
且つ高透磁率の微小寸法の先端部を有する薄膜ヘッドを
歩留り良く製造することができる。
Further, by forming the rear part 3b of the upper magnetic pole 3 by the lift-off method or the frame plating method, there is an advantage that the thin film coil 5 and the insulating layer 6 are not damaged in the process of forming the rear part 3b. Therefore, it is possible to manufacture a thin film head having a small tip with high saturation magnetic flux density and high magnetic permeability with a high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の第1の実施例の製造工程説明図である
FIG. 1 is an explanatory diagram of the manufacturing process of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例の製造工程説明図である
FIG. 2 is an explanatory diagram of the manufacturing process of a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例の製造工程説明図である
FIG. 3 is an explanatory diagram of the manufacturing process of a third embodiment of the present invention.

【図4】従来例の薄膜ヘッドの製造工程説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of the manufacturing process of a conventional thin film head.

【図5】従来例の問題点の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of problems in the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    基板 2    下部磁極 2a  先端部 2b  後部 3    上部磁極 3a  先端部 3b  後部 4    磁気ギャップ 5    薄膜コイル 6    絶縁層 1    Substrate 2 Lower magnetic pole 2a Tip 2b Rear 3 Upper magnetic pole 3a Tip 3b Rear 4 Magnetic gap 5 Thin film coil 6 Insulating layer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  基板(1)上に、下部磁性層とギャッ
プ層と上部磁性層とを順次真空成膜法により形成し、磁
極先端部の形状のマスクを用いて一括イオンエッチング
により、前記下部磁性層による下部磁極(2)の先端部
(2a)と、該先端部(2a)上の前記ギャップ層によ
る磁気ギャップ(4)を介した前記上部磁性層による上
部磁極(3)の先端部(3a)とを同時に形成する工程
を含むことを特徴とする薄膜ヘッドの製造方法。
1. A lower magnetic layer, a gap layer, and an upper magnetic layer are sequentially formed on a substrate (1) by a vacuum film forming method, and the lower magnetic layer is formed by batch ion etching using a mask in the shape of the tip of a magnetic pole. The tip (2a) of the lower magnetic pole (2) formed by the magnetic layer, and the tip (2a) of the upper magnetic pole (3) formed by the upper magnetic layer via the magnetic gap (4) formed by the gap layer on the tip (2a). 3a) A method for manufacturing a thin film head, comprising the step of simultaneously forming 3a).
【請求項2】  前記磁極先端部の形状のマスクを、磁
性体により形成したことを特徴とする請求項1記載の薄
膜ヘッドの製造方法。
2. The method of manufacturing a thin film head according to claim 1, wherein the mask in the shape of the tip of the magnetic pole is formed of a magnetic material.
【請求項3】  前記下部磁性層と前記上部磁性層とを
、真空成膜法により磁性層と非磁性層とを交互に成膜し
た多層磁性層により形成することを特徴とする請求項1
記載の薄膜ヘッドの製造方法。
3. The lower magnetic layer and the upper magnetic layer are formed by multilayer magnetic layers in which magnetic layers and nonmagnetic layers are alternately formed by a vacuum film forming method.
A method of manufacturing the thin film head described.
【請求項4】  前記基板(1)上に形成した下部磁性
層とギャップ層と上部磁性層とを、磁極先端部の形状の
マスクを用いて一括イオンエッチングにより、下部磁極
(2)の先端部(2a)と、該先端部(2a)上の磁気
ギャップ(4)を介した上部磁極(3)の先端部(3a
)とを同時に形成した後、前記下部磁極(2)の後部(
2b)上に薄膜コイル(5)を形成する工程と、前記上
部磁極(3)の前記先端部(3a)に接続する後部(3
b)の形状を除いたレジストマスクを形成し、全面に磁
性層を形成した後、前記レジストマスクを除去するリフ
トオフ法により、前記上部磁極(3)の後部(3b)を
形成する工程とを含むことを特徴とする請求項1記載の
薄膜ヘッドの製造方法。
4. The lower magnetic layer, the gap layer, and the upper magnetic layer formed on the substrate (1) are subjected to batch ion etching using a mask in the shape of the magnetic pole tip, so that the tip of the lower magnetic pole (2) is etched. (2a) and the tip (3a) of the upper magnetic pole (3) via the magnetic gap (4) above the tip (2a).
) of the lower magnetic pole (2) at the same time, the rear part (
2b) forming a thin film coil (5) on the upper magnetic pole (3);
b) forming a resist mask excluding the shape, forming a magnetic layer on the entire surface, and then forming the rear part (3b) of the upper magnetic pole (3) by a lift-off method of removing the resist mask; The method of manufacturing a thin film head according to claim 1, characterized in that:
【請求項5】  前記基板(1)上に形成した下部磁性
層とギャップ層と上部磁性層とを、磁極先端部の形状の
マスクを用いて一括イオンエッチングにより、下部磁極
(2)の先端部(2a)と、該先端部(2a)上の磁気
ギャップ(4)を介した上部磁極(3)の先端部(3a
)とを同時に形成した後、前記下部磁極(2)の後部(
2b)上に薄膜コイル(5)を形成する工程と、全面に
メッキベース層を形成する工程と、前記上部磁極(3)
の前記先端部(3a)に接続する後部(3b)の形状を
除いたレジストマスクを形成し、前記メッキベース層を
用いて磁性層をメッキするフレームメッキ法により、前
記上部磁極(3)の後部(3b)を形成する工程とを含
むことを特徴とする請求項1記載の薄膜ヘッドの製造方
法。
5. The lower magnetic layer, the gap layer, and the upper magnetic layer formed on the substrate (1) are subjected to batch ion etching using a mask in the shape of the magnetic pole tip, so that the tip of the lower magnetic pole (2) is etched. (2a) and the tip (3a) of the upper magnetic pole (3) via the magnetic gap (4) above the tip (2a).
) of the lower magnetic pole (2) at the same time, the rear part (
2b) forming a thin film coil (5) on the upper magnetic pole (3); forming a plating base layer on the entire surface;
A resist mask is formed excluding the shape of the rear part (3b) connected to the tip part (3a) of the upper magnetic pole (3), and a frame plating method is used to plate a magnetic layer using the plating base layer. 2. The method of manufacturing a thin film head according to claim 1, further comprising the step of forming (3b).
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