JPH0427922A - 非線形光学材料およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明Ｉｔ　　非線形光学効果を利用した光デバイスの
基礎をなす、半導体微粒子分散ガラス非線形光学材料お
よびその製造方法に関するものであ翫従来の技術 従来の技術としては例えは　シ１ヤーナルオ７′オフ°
ティ方ル　ンサエティ　オフ′　アメリカ　第７３巻第
６４７頁　（Ｊ、Ｏｐｔ、Ｓｏｃ、Ａｍ、Ｖｏｌ、７３
　　Ｐ、６４７　（１９８３））に記載されているよう
μ　ＣｄＳ＊Ｓｅ＋−オをホウケイ酸ガラスに分散させ
たカットオフフィルタガラスを非線形光学材料に用いる
ものかあム　このカットオフフィルタガラスｉｊ　　Ｃ
ｄＳｘ　Ｓｅ＋　−翼とホウケイ酸ガラス原材料を白金
坩堝に入れ１６００℃程度の高温で溶融して作製してい
も ま　た、　　シ′↑−ナル　オフ゛　ア７°ライド　フ
ィシ１フクス　第６３巻第９５７頁（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、Ｖｏｌ、６３　　Ｐ、９５７　（１９８８））
　　に開示されているＣｄＳ微粒子分散薄膜ガラスがあ
ムこの薄膜ガラス（友　ターゲットとしてコーニング社
製７０５９ガラス上にＣｄＳ粉末を入れた石英坩堝を配
置したものを用へ　高周波マグネトロンスパッタリング
法により、７０５９ガラス中にＣｄＳを２〜４重量％分
散させたものであム 発明が解決しようとする課題 半導体微粒子が有する非線形光学効果を利用した非線形
光学材料において１友　マトリックス中に分散した半導
体微粒子の含有量が多いほど、大きな非線形光学効果を
期待できも しかしなか叙　従来の半導体微粒子分散ガラスおよびそ
の製造方法において（よ　次のような２つの課題があっ
た イ）カットオフフィルタガラスの場合：　カットオフフ
ィルタガラスは１６００℃程度の高温で溶融して作製す
るた数　半導体成分の揮発損失は大きく、かつその組成
を制御することは極めて難しく℃また　従来の溶融法で
はスパッタリング法に比べて冷却速度が遅く、半導体を
ガラス中に１重量％程度以上含有させると、半導体の粒
径が非常に大きくなって微粒子として存在し得なくなり
、ガラスを失透させたり、半導体の光吸収端近傍の発光
スペクトル強度を低下させたりして、非線形光学効果の
発現に悪影響を及ぼ机　このた八　半導体微粒子をガラ
ス中に１重量％程度以上均一に分散させることは困難で
あム ロ）スパッタリング法を用いた場合：　スパッタリング
法を用いると、溶融法を用いた場合よりＬ高濃度の半導
体微粒子をガラス中に均一に含有させることができも　
しかし　従来のターゲットとしては　粉末状、ベレット
状、あるいはチップ状の半導体をガラス上に配置したも
のを用いていたこのようなターゲットを用いると、スパ
ッタ粒子がガラスと半導体装置に応じて基板に堆積する
た敢　ガラス中の半導体微粒子の均一分散性が保たれ咀
　半導体含有量が膜内でばらつきを生じてしまう。その
ためζζ　均質で面積の大きい非線形光学材料を得るこ
とは難しし〜 本発明（よ　高濃度で均質に半導体微粒子を分散させた
非線形光学効果　および大面積でも高濃度で均質に半導
体微粒子が分散した非線形光学材料の製造方法を提供す
ることを目的とすム課題を解決するための手段 本発明１；Ｌ　　５ｉ０２−ＢｔＯｓ−Ａｌ＊０ｓ−Ｚ
ｎＯ−（Ｒ１）ｔｏ−（Ｒ２）０（ただｌ、、　　Ｒ１
はＬｉ、　　Ｎ戊　Ｋのうち少なくとも１つ以上で、（
旧）２０含有量は８重量％以、Ｊ：、Ｒ２はＭｇ、　　
Ｃ＆Ｓｒ、　Ｂａのうち少なくとも１つ以上）を主成分
とする低融点ガラスマトリックスに半導体微粒子が１重
量％以上分散していることを特徴とする非線形光学効果
　および上記複合材料をターゲットとして用いた非線形
光学材料の製造方法を提供することによって、上記課題
を解決するものであ４作用 本発明の非線形光学材料（よ　マトリックスに低融点ガ
ラスを用いるた数　半導体成分の揮発損失を小さく抑え
られも　そのた数　半導体の組成制御が容５となり、化
学量論性のすぐれた半導体微粒子を高濃度に含有させる
ことができもまた　より高濃度の半導体を有する非線形
光学材料の製造において１友　半導体成分がガラスマト
リックス中に均質に分散した　均一な複合材料をターゲ
ットに用いてスパッタリングを行なうので、粒径の小さ
い半導体微粒子が広い面積にわたって高濃度で均一に分
散した非線形光学材料を得ることができも 実施例 ガラスマトリックスに（よ　石英ガラス　ホウケイ酸ガ
ラ人　あるいは鉛ガラスを用いることができも　しかし
従来の石英ガラスやホウケイ酸ガラスで（よ　溶融に１
６００℃程度以上の高温を要する。

また　ホウ酸塩ガラスやリン酸塩ガラスなどは融点が４
００〜６００℃程度である力丈　化学的耐久性には劣り
、失透する傾向が強いので、光学ガラスには不適当であ
る。

本発明の低融点ガラスｌｅｔ、、　　５ｉｆ２−Ｂ２ｕ
ｓ−Ａ１２０ｓ−ＺｎＯ−（Ｒ１）２０−（Ｒ２）Ｏ（
ただし　旧はＬｉ、　　Ｎ戊　Ｋのうち少なくとも１つ
以上で、（Ｒ１）ｅｏ含有量は８重量％以上　Ｒ２はＭ
ム　Ｃａ、　　Ｓｒ、　　Ｂａのうち少なくとも１つ以
上）を主成分とするガラスであも　このガラスは１５０
０℃以下で溶融できるた敷　溶融法で半導体を混合して
Ｌ　半導体成分の揮発が抑えられるため好ましく〜　さ
らに９００〜１０００℃で溶融を行なえる低融点ガラス
の場合に１よ　半導体の揮発がほぼ完全に抑えられ　化
学的にも安定な光学ガラスとして利用できるため適して
いも このガラスの構成成分のう＆　　５ｉ０２、Ｂ２Ｏ３及
びＡ１＊Ｏｓはガラス骨格を形成し　耐水性を向上させ
ムＺｎＱ、　（Ｒ２）Ｏは電気抵抗を増加させ、耐水性
も上げも　ＺｎＯは特に溶融中の半導体の揮発を防ぐ。

また（Ｒ１）ｅｏは粘性を下（デ、溶融時に半導体の拡
散を促進させも　特に　（Ｒ１）ｅｏ含有量が８重量％
未満の組成を有するマトリックスガラスを用いると、ガ
ラスの融点が高くなり、粘性も増すた敢半導体の均一分
散性が損なわれると共へ　高融点化し半導体成分が揮発
もしくは熱分解する傾向になり好ましくな（℃　従って
（旧）社０含有量は８重量％以上が好ましｌ、Ｘ。

ガラスマトリックスに分散させる半導体微粒子に１１　
　ＣｕＣ１等の金属塩化憔ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＯ，
ＣｄＴｅ。

ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＯ１ＺｎＴｅ、ＨｇＴｅ等のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導４＊、Ｃｄ５Ｓｅ、ＨｇＣｄＴｅ
等の混晶ｌｌ−４１族化合物半導恢ＧａＡｓ１ＧａＮ、
　ＧａＰ、　ＧａＳｂ、　ＩｎＡｓ、　ＩｎＰ、　Ｉｎ
Ｓｂ、　ＧａＡｌＡｓ、　ＩｎＡ　ＩＡＳ等のｌｌｌ−
Ｖ族化合物半導体　あるいはＳｉ、Ｇｅ等のＩＶ族半導
体が好ましし〜 非線形光学特性を発現させるために（友　ガラスマトリ
ックス中に分散した半導体微粒子の粒径は１００Ａ程度
以下が奸才しし、 また非線形光学効果を高めるためにζ戴　半導体微粒子
の含有量はできるだけ多い方が好ましく、従来の１重量
％程度以下では充分な効果が得られていな（℃ 次へ　ガラスマトリックス中に半導体微粒子を分散させ
た　非線形光学材料の製造方法について述べも パル久　厚膜　薄膜といった材料の形状に応じた製造方
法があり、バルクや厚膜ではゾルゲル法や溶融注力（ま
た　一般に薄膜ではスパッタリング法が用いられも ゾルゲル法１上　例えばＣｄＳ微粒子分散ガラスで＋＆
Ｃｄ塩を含むゲルにＨｔ　Ｓガスを流した後、熱処理し
てガラス化させる手法である力丈　原料の溶媒適性等で
出発原料が限定される欠点があも溶融法（友　ガラス原
材料と半導体成分を混合して溶融する方法であム　この
溶融法ではゾルゲル法と異なり溶媒適性は問題にならな
い戟　使用するマトリックスガラスの融点によって半導
体粒子が揮発もしくは熱分解し半導体が正常にドープさ
れないことと、融点から冷却するのに時間がかかり半導
体粒子が結晶成長し半導体の粒径が非常に大きくなり微
粒子として存在できないと言う問題点があっ九　本発明
の非線形光学材料は　低融点ガラスをマトリックストし
て用いているた数　半導体の含有量を高めることが可能
となり、またガラスマトリックスが溶融すると半導体成
分はマトリックス中に溶解するた敢　高濃度の半導体を
微粒子としてガラスマトリックス中に分散できる。

さらに本発明の低融点ガラスをマトリックストして用い
ると、半導体成分の溶解度が高いため高濃度ドープして
もガラス中の半導体の粒径を小さくできる効果があム　
このようにして本発明の非線形光学材料１よ　半導体成
分を１重量％以上分散することを可能とし九 溶融法やゾルゲル法では半導体微粒子の含有量はせいぜ
い１０重量％程度までである力（スパッタリング法を用
いると、数１０重量％まで含有させることができも　そ
こで非線形光学効果を高めるためにζよ　スパッタリン
グ法が好ましく℃従来のスパッタリング法のターゲット
（よ　ガラス源と半導体源が別々で、それらの配置や量
を変えることによって非線形光学材料の組成を制御して
い九 本発明で（戴　半導体分散ガラス複合材料をターゲット
として用い九 低融点ガラスをマトリックスとしたターゲット（戴　半
導体成分の揮発もしくは熱分解が少ないため溶融法で作
製できも　また高融点ガラスをマトリックスとしたもの
で１友　従来のように例えば石英ガラスと半導体とをタ
ーゲットとしスパッタリングによって作製した半導体微
粒子分散ガラスを多数敷きつめてこれをターゲットとす
ればよ（℃これらのターゲットを用いると、大面積でも
均質な非線形光学材料を製造することができも　すなわ
ち本発明の非線形光学材料の製造方法の本質（戴　複合
体材料をターゲットとして用いることにあａ 以下本発明の実施例について説明すも 実施例１ 第１表中ＯＡに示した組成を有する５ｉｎｓ　−Ｉｈ　
Ｏｓ　−ＡＩｔｏｓ−ＺｎＯ−（Ｒ１）＊０−（Ｒ２）
Ｏ系ガラス原材料粉末とＣｕＣ１粉太　または５ｉＣｈ
−Ｂｅｄｓ　−ＡＩｔｏｓ−ＺｎＯ−（Ｒ１）ｇｏ−（
Ｒ２）Ｏ系ガラス原材料粉末とＣｄＳｘＳｅｔ−ｘ（Ｘ
−０，９５）粉末とを充分に混合し白金坩堝に入れ　９
００℃で溶融した抵　３５０℃に加熱した金型に流し出
し　厚さ１ｍｍの板状ガラスを得九 直ちにこのガラスを３５０℃の電気炉中で４５分間熱熱
処理　　ＣｕＣ１あるいはＣｄＳｘ　Ｓｅｔ　−Ｘの微
結晶を成長させた こうして得たＣｕＣ１分散ガラス中のＣｕＣ１含有量は
４．３重量％”（ｚ　　ＣｕＣ１粒子径は３０〜６０Ａ
であっ九　またＣｄＳｘＳｅｔ−ｙ分散ガラス中のＣｄ
Ｓｘ　Ｓｅｔ　−Ｘ含有量は５．１重量％で、ＣｄＳ＋
＋　Ｓｅｔ　−ｘ粒子径は４０〜９０Ａであった 上記２種の半導体を分散させたガラスの吸収スペクトル
から得られたバンドギャップは　バルクの半導体に比べ
てそれぞれ０，９ｅＶ及びＯ，？ｅＶブルーシフトして
いることか収　半導体が量子ドツトとなっていることが
わかった 次に第１表中ＯＡのガラス原材料とＣｄＳ＋＋　Ｓｅｔ
　−ｘ　（Ｘ−０，９５）とを用（（溶融温度を変化さ
せて上記と同様の方法でガラス試料作製を試みた すなわち溶融温度８５０℃で（よ　マトリックスガラス
が十分溶融しなかったたべ　半導体成分も一部未溶融の
まま不均質に分散したガラスとなっ九 一方１０００℃でＩＩ　　ＣｄＳｘ　Ｓｅｔ　−Ｘ含有
量４．２重量に　Ｃｄ５−Ｓｅ丁−８粒子径４０〜９０
Ａの微粒子分散ガラスが得られた　この微粒子のバンド
ギャップは　バルクの値に比べて０．７ｅＶブルーシフ
トしていた　また光吸収端近傍の発光スペクトル強度法
９００℃で溶融した分散ガラスの発光強度とほぼ同じで
ありへ さらに１０５０℃でｉ友ＣｄＳｘ　Ｓｅｔ　−Ｘ含有量
３．７重量％　ＣｄＳ舅Ｓｅ＋−ｘ粒子径３０〜９０Ａ
の微粒子分散ガラスが得られ九　この微粒子のバンドギ
ャップ（よ　バルクの値に比べて０．６ｅＶブルーシフ
トしていた　また光吸収端近傍の発光スペクトル強度（
より００℃で溶融した分散ガラスの発光強度に比べて約
３分の１であった また１３００℃で＜１　　Ｃｄ５ｗＳｅｔ−ｘ含有量２
．１重量％　　ＣｄＳｘＳｅｔ−ｘ粒子径３０〜８０Ａ
の微粒子分散ガラスが得られん　この微粒子のバンドギ
ャップ（よ　バルクの値に比べて０．６ｅＶブルーシフ
トしていた　また光吸収端近傍の発光スペクトル強度（
表９００℃で溶融した分散ガラスの発光強度に比べて約
１０分の１であった １５００℃でｌ；ｌ、　　ＣｄＳ＋＋Ｓｅ＋　−ｗ含有
量０．９重量にＣｄＳ＋＋　Ｓｅｔ　−Ｘ粒子径３０〜
８０Ａの微粒子分散ガラスが得られ九　この微粒子のバ
ンドギャップ（戴　バルクの値に比べて０．５ｅＶブル
ーシフトしてい九　また光吸収端近傍の発光スペクトル
強度Ｉｔ、９００℃で溶融した分散ガラスの発光強度に
比べて約５０分の１でありへ 比較例 コーニング社製２４０３シヤープカツトフイルタとほぼ
同じ組成のＣｄＳｉ＋Ｓｅ＋−＋＋分散ガラスを実施例
１と同様の方法で作製した すなわちガラス原材料の組成は重量％で５１０２Ｂａｓ
ｓ：　Ｎａｎｏ：　Ｚｎ０＝６８：　１２：　７：　１
３であり、溶融温度は］６００℃であり、熱処理温度は
８５０ｔ：とじたこのガラス中のＣｄＳｘ　Ｓｅｔ　−
ｘ含有量は０．７重量％で（ＣｄＳ＋＋　Ｓｅｔ　−ｘ
粒子径は３０〜７０Ａで、バンドギャップのブルーシフ
トは０，４ｅＶであった　また光吸収端近傍の発光スペ
クトル強度（よ　実施例１の９００℃で溶融したＣｄＳ
ｘ　Ｓｅｔ　−ｘ分散ガラスの発光強度に比べて約２０
０分の１であった 以上のことか収　本発明の非線形光学材料（より００〜
１５００℃で溶融して作製すれ（Ｌ　少なくとも従来以
上の非線形光学特性が得られ　好ましくは９゜０〜１０
００℃で溶融することが望ましｔ〜実施例２ 実施例１のガラス原材料とＣｄ５−８ｅ＋−（Ｘ−０，
９５）とを用ｔ＼　溶融温度は９００℃に固定して、半
導体含有量を変化させて実施例１と同様の方法でガラス
試料作製を試みた ＣｄＳｘＳｅｔ−Ｘ含有量０．７重量％の微粒子分散ガ
ラス４１　　粒径２０〜６０Ａ、バンドギャップのブル
−シフトは０．６ｅＶ、また光吸収端近傍の発光スペク
トル強度（よ　実施例１の９００℃で溶融した５、１重
量％含有の分散ガラスの発光強度に比べて、約１００分
の１であっｔら またＣｄＳｘＳｅ＋−Ｘ含有量１．２重量％の微粒子分
散ガラス１友　粒径３０〜６０Ａ、バンドギャップのブ
ルーシフトは０．７ｅＶ、　　また光吸収端近傍の発光
スペクトル強度１よ　実施例１の９００℃で溶融した５
゜１重量％含有の分散ガラスの発光強度に比べて、約２
０分の１であっ九 さらにＣｄＳ＊Ｓｅ＋−ｘ含有量２．３重量％の微粒子
分散ガラスは　粒径３０〜８０Ａ、バンドギャップのブ
ルーシフトは０．７ｅＶ、また光吸収端近傍の発光スペ
クトル強度は　実施例１の９００℃で溶融した５゜１重
量％含有の分散ガラスの発光強度に比べて約２分の１で
あった またＣｄＳｘＳｅ＋−Ｘ含有量６．７重量％の微粒子分
散ガラス１戴　粒径７０〜１２０Ａ、バンドギャップの
ブルーシフトは０．４ｅＶ、また光吸収端近傍の発光ス
ペクトル強度（よ　実施例１の９００℃で溶融した５゜
１重量％含有の分散ガラスの発光強度とほぼ同じであっ
た ＣｄＳｘＳｅ＋−ｘ含有量８．４重量％の試料は溶融時
に失透し、粒径は２００〜４００Ａであった以上の実施
例１、実施例２及び比較例から、本発明の半導体微粒子
分散ガラス（よ　溶融法による従来例と比較して、高濃
度の半導体微粒子を含有し　非線形光学効果も大きいこ
とがわかっ九な抵　マトリックスガラスとして第１表中
のＢ〜Ｄに示す組成を有するガラス原材料を用いてＬ実
施例１及び２と同様な半導体分散ガラスを得ることがで
きへ な耘　上記半導体以外に５　　ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ｃｄ
０１ＣｄＴｅ　１ＺｎＳ　、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＯ，ＺｎＴ
ｅ　ｌＨｇＴｅ　、　ＨｇＣｄＴｅ５ＧａＡｓ　、　Ｇ
ａＮ　ＸＧａＰ、ＧａＳｂ１１ｎＡｓＸＩｎＰ、ＩｎＳ
ｂ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、Ｓｉ、Ｇｅをそれぞ
れ１重量％以上含有した微粒子分散ガラスを作製するこ
とができた （以下余白） 第１表 （単位は重量％） 実施例３ 先ずターゲットを以下の手法で作成した　第１表に示す
組成を有する４種類の５ｉ（ｈ　−Ｂｔｕｓ−ＡｌｔＯ
ｓ−ＺｎＯ−（Ｒ１）ａＯ−（Ｒ２）Ｏ系ガラス原材料
粉末とＣｕＣ１粉太あるいはＳｉＯｓ−ＢｔｕＳ１０５
−Ｂｔｕｓ−ＡＩｔｏｓ−ＺｎＯ−（Ｒ１）系ガラス原
材料粉末とＣｄＳｘＳｅ＋　−（Ｘ−０，９５）粉末と
を実施例１と同様に白金坩堝に入れ　９００℃で溶融し
た後、　３５０℃に加熱した直径１１００ｒｎ　　高さ
４ｍｍの金型に流し出し　各ガラス転移温度でアニール
を行ない円盤状ガラスを得へ ガラス中のＣｕＣ１含有量は１５重量％であり、粒子径
は２００〜４００Ａであり、またＣｄＳｘＳｅ＋−ｘの
含有量は１２重量％であり、粒子径は２５０〜５００Ａ
であッ九　　このためＣｕＣ１分散ガラ７、　　ＣｄＳ
。

Ｓｅ＋　−ｘ分散ガラスともに失透してい九このガラス
を高周波スパッタリングにおけるターゲットとして使用
し　非線形光学材料の作製を試み島 スパッタリングはアルゴンガス雰囲気下で行なった 膜厚２００μｍの半導体含有ガラスを石英ガラス基板（
縦６０ｍｒｒｘ　　横６０ｍｒｎ、　　厚さ０．３ｍｍ
）上に形成した後、　３５０℃の電気炉中で３０分間加
熱ＬＡＣｕｒｌまたはＣｄＳｘ　Ｓｅ＋　−Ｘの微結晶
を成長させ九 ＣｕＣ１分散ガラス　Ｃｄ５ｗＳｅ＋　−ｘ分散ガラス
ともに透明であり、膜厚計及び組成分析の結果膜厚及び
組成はいずれＬＨ内のどの部分においてもほぼ一定であ
っ九　ＣｕＣ１分散ガラスにおいてｊｌ　　ＣｕＣ１含
有量は何れも１９重量％　粒子径は２０〜５０Ａであっ
た　またＣｄＳｘＳｅ＋−ｘ分散ガラスにおいて（よＣ
ｄＳ＋＋　Ｓｅ＋　−１含有量は何れも１７重量％　粒
子径は２０〜６０Ａであっ丸 上記２種の半導体を分散させたガラスの吸収スペクトル
から得られたバンドギャップは何れＬバルクの半導体に
比べてそれぞれ１．１ｅＶ及び０，９ｅＶブルーシフト
していることから半導体が量子ドツトとなっていること
がわかっ九 なｋ　　ＣｄＳｘ　Ｓｅ＋　−ｗ、ＣｕＣ１とも５０重
量％まで微粒子を含有したガラスを得ることができた力
匁　それぞれ特性は上記のものとほとんど変わらなかっ
九また　石英ガラスとＣｄＳ粉末をスパッタリングして
得たＣｄＳ分散ガラスを多数曲べてターゲットとしたも
のから作製したガラスにおいてＬ同様の結果が得られた 以上のことか収　本発明の半導体分散ガラス複合材料を
ターゲットに用いると、従来のようなターゲットを用い
て製造したものと比較して、広い面積にわたって微粒子
が均質に分散したガラスが得られることがわかっ九 な耘　上記半導体以外にＬ　　ＣｄＳ、Ｃｄ５ｅＸＣｄ
Ｏ，ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、　ＺｎＯ，ＺｎＴｅ
　、　ＨｇＴｅ　ＸＨｇＣｄＴｅ、　ＧａＡｓ、　Ｇａ
Ｎ　、　ＧａＰ、Ｇａｒｂ、　ＩｎＡｓ、　ＩｎＰ、　
ＩｎＳｂ、ＧａＡｌＡｓ、　ＩｎＡｌＡｓ、Ｓｉ、Ｇｅ
をそれぞれ１０〜５０重量％含有した微粒子分散ガラス
を作製することができ丸 実施例４ 実施例３に示した方法により作製したＣｕＣ１分散ガラ
スおよびＣｄ５−３ｅ＋−，１（Ｘ−０，９５）分散ガ
ラスを用（＼　光双安定素子を作製しｔう この素子の石英ガラス基板側から波長３８０ｎｍのレー
ザ光をスポット径５μｍで入射させ、入射光の強度と出
射光の強度の関係を室温（２５℃）にて測定したとこへ
　それぞれ双安定特性を示した以上の結果から本発明の
非線形光学材料（よ　高速光スイッチとしての応用が可
能であり、また他の非線形光学特性を応用した素子とし
ても適応できる効果があも 発明の効果 本発明のＳｉＯ＊−Ｂ＊Ｏ＊−Ａｌｔｏｓ−ＺｎＯ−（
旧）＊０−（Ｒ２）Ｏ（ただり、　　Ｒ１はＬｉ、　　
ＮＬ　　Ｋのうち少なくとも１つ以上で、（Ｒ１）ｔｏ
含有量は８重量％以上　Ｒ２はＭｇ、Ｃ賑５ｒＸＢａの
うち少なくとも１つ以上）を主成分とする低融点ガラス
マトリックスへ　半導体微粒子が１重量％以上分散して
いることを特徴とする非線形光学材料（よ　高濃度で均
一に半導体を含有するた敢　大きな非線形光学効果を有
する効果がある。

まな　半導体分散ガラス複合材料をターゲットにしてス
パッタリング法を用いると、広い面積にわたって半導体
微粒子が均一に分散した非線形光学ガラスが得られも

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＳｉＯ＿２Ｂ＿２Ｏ＿３−Ａｌ＿２Ｏ＿３−Ｚｎ
   Ｏ−（Ｒ１）＿２Ｏ−（Ｒ２）Ｏ（ただし、Ｒ１はＬｉ
   、Ｎａ、Ｋのうち少なくとも１つ以上で、（Ｒ１）＿２
   Ｏ含有量は８重量％以上、Ｒ２はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
   ａのうち少なくとも１つ以上）を主成分とする低融点ガ
   ラスマトリックスに半導体微粒子が１重量％以上分散し
   ていることを特徴とする非線形光学材料。
2. （２）半導体とガラスマトリックスとをターゲットにし
   て、スパッタリング法での非線形光学材料の作製法にお
   いて、前記ターゲットとして、半導体分散ガラス複合材
   料を用いることを特徴とする、非線形光学材料の製造方
   法。