JPH04275715A - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device

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Publication number
JPH04275715A
JPH04275715A JP3752691A JP3752691A JPH04275715A JP H04275715 A JPH04275715 A JP H04275715A JP 3752691 A JP3752691 A JP 3752691A JP 3752691 A JP3752691 A JP 3752691A JP H04275715 A JPH04275715 A JP H04275715A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
surface acoustic
acoustic wave
dielectric substrate
thin film
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3752691A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Chikafumi Kondou
親史 近藤
Hiromichi Yamada
山田 弘通
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP3752691A priority Critical patent/JPH04275715A/en
Publication of JPH04275715A publication Critical patent/JPH04275715A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a device in which strength is increased, the occurrence of crack is prevented and reliability is high by using a dielectric substrate obtained by means of coating glass on an allumina substrate in specified thickness. CONSTITUTION:The piezoelectric substrate obtained by forming a ZnO thin plate becoming a piezoelectric thin film on the dielectric substrate 2 is used. Interdigital transducers 4 and 5, either of which becomes an input-side and the other becomes an output-side, are provided on an interface between the dielectric substrate 2 and the ZnO thin film 3. The dielectric substrate 2 obtained by coating glass 7 on the allumina substrate 6 in the thickness of more than a wavelength lambda and less than 3lambda.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は、弾性表面波装置に関
するもので、特に、誘電体基板上に圧電薄膜が形成され
た圧電基板を用いる弾性表面波装置に関するものである
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly to a surface acoustic wave device using a piezoelectric substrate having a piezoelectric thin film formed on a dielectric substrate.

【0002】0002

【従来の技術】この発明にとって興味ある弾性表面波装
置として次のような構造のものがある。
2. Description of the Related Art A surface acoustic wave device of interest to the present invention has the following structure.

【0003】すなわち、誘電体基板としてガラス基板が
用いられ、その上に圧電薄膜としてのZnO薄膜が形成
された圧電基板が用いられる。ガラス基板とZnO薄膜
との界面上には、たとえばアルミニウムからなるインタ
ディジタルトランスデューサが設けられる。このような
構造の弾性表面波装置は、通常、圧電基板における弾性
表面波の発生および伝搬を妨げないように空隙を形成し
て、樹脂によってモールドされる。
That is, a glass substrate is used as a dielectric substrate, and a piezoelectric substrate is used on which a ZnO thin film as a piezoelectric thin film is formed. An interdigital transducer made of aluminum, for example, is provided on the interface between the glass substrate and the ZnO thin film. A surface acoustic wave device having such a structure is usually molded with resin with a gap formed so as not to hinder the generation and propagation of surface acoustic waves in the piezoelectric substrate.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
構造の弾性表面波装置には、以下に述べるような問題が
あった。
SUMMARY OF THE INVENTION However, the surface acoustic wave device having the above structure has the following problems.

【0005】すなわち、ガラス基板を構成するガラスは
、引張強度が小さく、機械的衝撃、または端子取付のた
めの半田付けによる熱ストレスにより、クラックが発生
しやすい。
[0005] That is, the glass constituting the glass substrate has low tensile strength and is susceptible to cracks due to mechanical impact or thermal stress caused by soldering for terminal attachment.

【0006】また、ガラス基板の、ZnO薄膜が形成さ
れた面とは逆の面は、バルク波の発生を防止するため、
サンドブラストにより荒らされなければならず、そのた
めの工程が煩雑である。
[0006] Furthermore, the surface of the glass substrate opposite to the surface on which the ZnO thin film is formed is coated to prevent the generation of bulk waves.
It must be roughened by sandblasting, and the process for that is complicated.

【0007】なお、引張強度の低いガラス基板の代わり
に、このような強度の高いアルミナ基板を用いることも
考えられるが、ZnO/アルミナ構造では、弾性表面波
の速度分散性が大きく、設計どおりのフィルタ特性を得
ることができない。
[0007] Although it is conceivable to use such a high-strength alumina substrate instead of a glass substrate with low tensile strength, the ZnO/alumina structure has a large velocity dispersion of surface acoustic waves and does not work as designed. Unable to obtain filter characteristics.

【0008】それゆえに、この発明の目的は、圧電基板
として誘電体基板上に圧電薄膜が形成されたものを用い
る弾性表面波装置において、上述したような問題を解決
しようとすることである。
Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems in a surface acoustic wave device using a piezoelectric substrate in which a piezoelectric thin film is formed on a dielectric substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体基板
上に圧電薄膜が形成され、前記誘電体基板と前記圧電薄
膜との界面上にインタディジタルトランスデューサが設
けられた、弾性表面波装置に向けられるものであって、
上述した技術的課題を解決するため、前記誘電体基板と
して、アルミナ基板上にガラスをλ以上3λ以下(λ:
波長)の厚みでコーティングしたものを用いることを特
徴としている。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a surface acoustic wave device in which a piezoelectric thin film is formed on a dielectric substrate, and an interdigital transducer is provided on the interface between the dielectric substrate and the piezoelectric thin film. It is something that is directed towards
In order to solve the above-mentioned technical problem, the dielectric substrate is made of glass on an alumina substrate with a thickness of λ or more and 3λ or less (λ:
It is characterized by the use of a coating with a thickness of 300 nm (wavelength).

【0010】0010

【作用】この発明によれば、ガラスのコーティングによ
り平滑な表面を与え、速度分散性に関しては、アルミナ
基板の影響を受けない。また、ガラスの強度不足は、ア
ルミナ基板によって補償される。
According to the present invention, a smooth surface is provided by glass coating, and velocity dispersion is not affected by the alumina substrate. Additionally, the lack of strength of glass is compensated by the alumina substrate.

【0011】なお、この発明において、コーティングさ
れるガラスの厚みを、λ以上3λ以下(λ:波長)の範
囲に選んだのは、λ未満であると、アルミナ基板の影響
が大きく現われ、たとえばフィルタに適用した場合、所
望のフィルタ特性を得ることができず、他方、3λを超
えると、誘電体基板としてガラス基板を用いた従来の場
合と同様、ガラスの低い引張強度に起因する問題が顕著
に現われてくるからである。
In the present invention, the thickness of the glass to be coated is selected to be in the range of λ to 3λ (λ: wavelength) because if it is less than λ, the influence of the alumina substrate will be large, and for example, the thickness of the glass to be coated will be On the other hand, when it exceeds 3λ, the problem caused by the low tensile strength of glass becomes noticeable, as in the conventional case where a glass substrate is used as a dielectric substrate. Because it will appear.

【0012】0012

【発明の効果】したがって、この発明によれば、誘電体
基板として、ガラスを所定の厚みでコーティングしたア
ルミナ基板を用いているので、従来のガラス基板を用い
た場合に比べて、強度が増し、クラック発生が防止され
る。また、所定の厚みのガラスコーティングにより、速
度分散性に関しては、アルミナ基板の影響を受けない。 そのため、信頼性の高い弾性表面波装置を提供すること
ができる。
Therefore, according to the present invention, since an alumina substrate coated with glass to a predetermined thickness is used as the dielectric substrate, the strength is increased compared to the case where a conventional glass substrate is used. Cracks are prevented from occurring. Furthermore, due to the glass coating having a predetermined thickness, the velocity dispersion is not affected by the alumina substrate. Therefore, a highly reliable surface acoustic wave device can be provided.

【0013】また、ガラスをコーティングする前のアル
ミナ基板の表面粗さをある程度大きくすることにより、
ガラス基板を用いた従来においてバルク波を抑制するた
めに行なわれていたサンドブラスト工程が不要になる。 そのため、製造工程数の低減を図ることができる。
[0013] Furthermore, by increasing the surface roughness of the alumina substrate to a certain extent before coating with glass,
There is no need for the sandblasting process that was conventionally performed to suppress bulk waves when glass substrates were used. Therefore, the number of manufacturing steps can be reduced.

【0014】[0014]

【実施例】図1は、この発明の一実施例による弾性表面
波装置を示す斜視図である。図1には、より特定的には
弾性表面波フィルタ1が示されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a perspective view showing a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. More specifically, a surface acoustic wave filter 1 is shown in FIG.

【0015】この弾性表面波フィルタ1は、圧電基板と
して、誘電体基板2に圧電薄膜となるZnO薄膜3が形
成されたものを用いており、誘電体基板2とZnO薄膜
3との界面上には、いずれか一方が入力側となりいずれ
か他方が出力側となるインタディジタルトランスデュー
サ4および5が設けられている。
This surface acoustic wave filter 1 uses, as a piezoelectric substrate, a dielectric substrate 2 on which a ZnO thin film 3 serving as a piezoelectric thin film is formed. is provided with interdigital transducers 4 and 5, one of which is on the input side and the other is on the output side.

【0016】この発明の特徴は、誘電体基板2の材質お
よび構造にある。すなわち、誘電体基板2として、アル
ミナ基板6上にガラス7をλ以上3λ以下(λ:波長)
の厚みでコーティングしたものが用いられる。アルミナ
基板6にガラス7をコーティングするため、通常、グレ
ーズ処理と呼ばれる処理が実施される。このようなグレ
ーズ処理を施す前のアルミナ基板6の表面8は、ある程
度荒らされておくことが好ましい。
The feature of the present invention lies in the material and structure of the dielectric substrate 2. That is, as the dielectric substrate 2, the glass 7 is placed on the alumina substrate 6 in a range of λ or more and 3λ or less (λ: wavelength).
A coating with a thickness of . In order to coat the alumina substrate 6 with the glass 7, a process called glaze process is usually performed. It is preferable that the surface 8 of the alumina substrate 6 be roughened to some extent before such glazing treatment is performed.

【0017】この実施例では、インタディジタルトラン
スデューサ4および5の各々の引出し部9,10,11
,12は、それぞれ、スルーホール電極13,14,1
5,16に電気的に接続され、これらスルーホール電極
13〜16を介して外部との電気的接続が達成されるよ
うにされている。なお、スルーホール電極13〜16は
、半円筒状のものとして図示されているが、これは、弾
性表面波フィルタ1の製造方法に起因している。すなわ
ち、チップ状の弾性表面波フィルタ1は、実際には、多
数の弾性表面波フィルタ1を形成した親基板を切断する
ことによって得られるもので、このような親基板の段階
では、スルーホール電極13〜16は、円筒状をなして
いる。親基板からの切断は、このような円筒状のスルー
ホール電極を2分割するように行なわれるため、切断に
よって得られた弾性表面波フィルタ1には、半円筒状の
スルーホール電極13〜16が形成されることになる。
In this embodiment, the drawer portions 9, 10, 11 of each of the interdigital transducers 4 and 5 are
, 12 are through-hole electrodes 13, 14, 1, respectively.
5 and 16, and electrical connection with the outside is achieved via these through-hole electrodes 13-16. Note that the through-hole electrodes 13 to 16 are illustrated as semi-cylindrical, but this is due to the method of manufacturing the surface acoustic wave filter 1. That is, the chip-shaped surface acoustic wave filter 1 is actually obtained by cutting a parent substrate on which a large number of surface acoustic wave filters 1 are formed, and at the stage of such a parent substrate, there are no through-hole electrodes. 13 to 16 are cylindrical. Since the cutting from the parent substrate is carried out so as to divide the cylindrical through-hole electrode into two, the surface acoustic wave filter 1 obtained by cutting includes the semi-cylindrical through-hole electrodes 13 to 16. will be formed.

【0018】このように、スルーホール電極13〜16
が形成されていると、半田付けにより引出し部9〜12
のそれぞれに端子を取付けるための工程が不要となり、
弾性表面波フィルタ1の製造の能率を高めることができ
る。
In this way, through-hole electrodes 13 to 16
is formed, the drawer parts 9 to 12 can be connected by soldering.
The process of attaching terminals to each is no longer necessary,
The efficiency of manufacturing the surface acoustic wave filter 1 can be improved.

【0019】弾性表面波フィルタ1は、たとえば、次の
ような手順で作製されることができる。すなわち、まず
、アルミナ基板6が用意され、その上に、グレーズ処理
によりガラス7のコーティングが施される。次いで、イ
ンタディジタルトランスデューサ4および5が、アルミ
ニウムを蒸着した後、フォトリソグラフィ技術を用いて
パターン加工することにより、ガラス7上に形成される
。次に、スルーホール電極13〜16が形成されるとと
もに、ZnO薄膜3がインタディジタルトランスデュー
サ4および5を覆うように形成される。なお、スルーホ
ール電極13〜16の形成とZnO薄膜3の形成との順
序が逆にされてもよい。
The surface acoustic wave filter 1 can be manufactured, for example, by the following procedure. That is, first, an alumina substrate 6 is prepared, and a coating of glass 7 is applied thereon by glazing treatment. Interdigital transducers 4 and 5 are then formed on glass 7 by depositing aluminum and patterning it using photolithography. Next, through-hole electrodes 13 to 16 are formed, and ZnO thin film 3 is formed to cover interdigital transducers 4 and 5. Note that the order of forming the through-hole electrodes 13 to 16 and forming the ZnO thin film 3 may be reversed.

【0020】弾性表面波フィルタ1は、従来の場合と同
様、樹脂外装が施されてもよいが、好ましくは、図2に
示すように、樹脂外装に代えて、アルミナからなるキャ
ップ17をパッケージング部材の一部として用いてもよ
い。キャップ17は、その下面に凹部18を有し、イン
タディジタルトランスデューサ4および5(図1)と接
触しないようにされながら、誘電体基板2に対してたと
えばエポキシ樹脂により接着される。
The surface acoustic wave filter 1 may be provided with a resin exterior as in the conventional case, but preferably, as shown in FIG. 2, a cap 17 made of alumina is packaged instead of the resin exterior. It may also be used as part of a member. The cap 17 has a recess 18 on its lower surface, and is bonded to the dielectric substrate 2 using, for example, epoxy resin while avoiding contact with the interdigital transducers 4 and 5 (FIG. 1).

【0021】このように、アルミナからなるキャップ1
7を用いることにより、このキャップ17とアルミナ基
板6とによって外装を構成することができる。キャップ
17は、アルミナ基板6と同じアルミナから構成される
ので、膨張係数が小さくかつアルミナ基板6と同じであ
るため、高い信頼性をもって誘電体基板2に接合される
ことができる。また、アルミナ基板6を外装の一部とし
て機能させることができるので、パッケージングされた
弾性表面波フィルタ1の低背化を図ることができる。
In this way, the cap 1 made of alumina
7, the cap 17 and the alumina substrate 6 can form an exterior. Since the cap 17 is made of alumina, which is the same as the alumina substrate 6, the expansion coefficient is small and the same as that of the alumina substrate 6, so that it can be bonded to the dielectric substrate 2 with high reliability. Furthermore, since the alumina substrate 6 can function as a part of the exterior, the packaged surface acoustic wave filter 1 can be made lower in height.

【0022】図3は、上述した弾性表面波フィルタ1に
よって得られる周波数特性の一例を示す図である。この
図には、ガラス7の厚みが80μm(λ=47μm)と
された場合を示している。この図からわかるように、フ
ィルタとして必要な通過帯域特性が得られている。
FIG. 3 is a diagram showing an example of frequency characteristics obtained by the surface acoustic wave filter 1 described above. This figure shows a case where the thickness of the glass 7 is 80 μm (λ=47 μm). As can be seen from this figure, the passband characteristics necessary for the filter are obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】この発明の一実施例による弾性表面波フィルタ
1を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a surface acoustic wave filter 1 according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した弾性表面波フィルタ1にキャップ
17を取付けた状態を示す斜視図である。
2 is a perspective view showing a state in which a cap 17 is attached to the surface acoustic wave filter 1 shown in FIG. 1. FIG.

【図3】図1に示した弾性表面波フィルタ1によって得
られた周波数特性の一例を示す図である。
3 is a diagram showing an example of frequency characteristics obtained by the surface acoustic wave filter 1 shown in FIG. 1. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  弾性表面波フィルタ(弾性表面波装置)2  誘
電体基板 3  ZnO薄膜(圧電薄膜) 4,5  インタディジタルトランスデューサ6  ア
ルミナ基板 7  ガラス
1 Surface acoustic wave filter (surface acoustic wave device) 2 Dielectric substrate 3 ZnO thin film (piezoelectric thin film) 4, 5 Interdigital transducer 6 Alumina substrate 7 Glass

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  誘電体基板上に圧電薄膜が形成され、
前記誘電体基板と前記圧電薄膜との界面上にインタディ
ジタルトランスデューサが設けられた、弾性表面波装置
において、前記誘電体基板として、アルミナ基板上にガ
ラスをλ以上3λ以下(λ:波長)の厚みでコーティン
グしたものを用いることを特徴とする、弾性表面波装置
Claim 1: A piezoelectric thin film is formed on a dielectric substrate,
In the surface acoustic wave device in which an interdigital transducer is provided on the interface between the dielectric substrate and the piezoelectric thin film, the dielectric substrate is a glass plate on an alumina substrate with a thickness of λ or more and 3λ or less (λ: wavelength). A surface acoustic wave device characterized by using a surface acoustic wave device coated with
JP3752691A 1991-03-04 1991-03-04 Surface acoustic wave device Withdrawn JPH04275715A (en)

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JP3752691A JPH04275715A (en) 1991-03-04 1991-03-04 Surface acoustic wave device

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