JPH04275442A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04275442A JPH04275442A JP3037250A JP3725091A JPH04275442A JP H04275442 A JPH04275442 A JP H04275442A JP 3037250 A JP3037250 A JP 3037250A JP 3725091 A JP3725091 A JP 3725091A JP H04275442 A JPH04275442 A JP H04275442A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミド保護膜等を
有する高性能,高信頼性の半導体装置の製造方法に関す
る。
有する高性能,高信頼性の半導体装置の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、汎用メモリーデバイスにおいて、
パッケージに占めるチップの面積比が急激に増加してい
る。さらに、そのパッケージの実装方法もパッケージを
プリント基板に直接挿入し、その状態で半田浸漬や、I
Rリフローを通す方式が広く採用されている。このため
、チップに加わる外部からのストレスは、今までになく
厳しいものになっている。さらに、エポキシ樹脂中のシ
リカ(フィラー)によるチップ表面保護膜損傷の問題も
生じてきた。そこで、チップに加わる応力を緩和し、か
つチップ表面を保護するため、ポリイミド膜が広く採用
されている。
パッケージに占めるチップの面積比が急激に増加してい
る。さらに、そのパッケージの実装方法もパッケージを
プリント基板に直接挿入し、その状態で半田浸漬や、I
Rリフローを通す方式が広く採用されている。このため
、チップに加わる外部からのストレスは、今までになく
厳しいものになっている。さらに、エポキシ樹脂中のシ
リカ(フィラー)によるチップ表面保護膜損傷の問題も
生じてきた。そこで、チップに加わる応力を緩和し、か
つチップ表面を保護するため、ポリイミド膜が広く採用
されている。
【0003】図2は、半導体装置にポリイミド保護膜を
採用した場合の、一般的な断面図である。図2において
、1は単結晶シリコン基板、2は二酸化砒素膜、3はア
ルミニウム膜、4は窒化硅素膜、5はポリイミド保護膜
、6はポリイミド変質層である。ここで、アルミニウム
膜3はボンディングパッドであり、その領域以外の所を
、窒化膜4が保護している。さらにその上のポリイミド
保護膜5が、エポキシ樹脂中のシリカによる表面保護膜
損傷防止およびチップに加わる応力緩和の役目を果たし
ている。
採用した場合の、一般的な断面図である。図2において
、1は単結晶シリコン基板、2は二酸化砒素膜、3はア
ルミニウム膜、4は窒化硅素膜、5はポリイミド保護膜
、6はポリイミド変質層である。ここで、アルミニウム
膜3はボンディングパッドであり、その領域以外の所を
、窒化膜4が保護している。さらにその上のポリイミド
保護膜5が、エポキシ樹脂中のシリカによる表面保護膜
損傷防止およびチップに加わる応力緩和の役目を果たし
ている。
【0004】以上の構造においては、ポリイミド保護膜
5の硬化後に、その硬化のときにアルミニウム膜3上に
付着する炭素系堆積物を除去する目的で、オゾンアッシ
ング等が必要であった。そのため、ポリイミド保護膜5
表面にポリイミド変質層6ができてしまっていた。また
、炭素系堆積物を除去しなければ、ワイヤーの密着強度
が落ちるという問題があった。
5の硬化後に、その硬化のときにアルミニウム膜3上に
付着する炭素系堆積物を除去する目的で、オゾンアッシ
ング等が必要であった。そのため、ポリイミド保護膜5
表面にポリイミド変質層6ができてしまっていた。また
、炭素系堆積物を除去しなければ、ワイヤーの密着強度
が落ちるという問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、ポリイミド保護膜5の硬化後のオゾンア
ッシングの時に、ポリイミド保護膜5の表面に変質層6
が生じていた。そしてその後のパッケージング,ストレ
ス印加でポリイミド保護膜5とエポキシ樹脂間に剥離が
生じ、素子の性能および信頼性で問題があった。
来の構成では、ポリイミド保護膜5の硬化後のオゾンア
ッシングの時に、ポリイミド保護膜5の表面に変質層6
が生じていた。そしてその後のパッケージング,ストレ
ス印加でポリイミド保護膜5とエポキシ樹脂間に剥離が
生じ、素子の性能および信頼性で問題があった。
【0006】本発明は、このような課題を解決するもの
で、アルミニウムパッド上の炭素系堆積物を、ポリイミ
ド保護膜の表面に損傷を与えることなく除去する半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
で、アルミニウムパッド上の炭素系堆積物を、ポリイミ
ド保護膜の表面に損傷を与えることなく除去する半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、ポリイミド前駆体を硬化してポリイミドに
変える工程で発生するボンディングパッド上の炭素系堆
積物を除去するために、その炭素系堆積物上にプローブ
押し付けなどの物理的手法で圧力を加え、その圧力で破
壊された炭素系堆積物を過酸化水素水と硫酸の混合液を
加熱した溶液で、ボンディングパッドの表面層とともに
除去する構成よりなる。
するために、ポリイミド前駆体を硬化してポリイミドに
変える工程で発生するボンディングパッド上の炭素系堆
積物を除去するために、その炭素系堆積物上にプローブ
押し付けなどの物理的手法で圧力を加え、その圧力で破
壊された炭素系堆積物を過酸化水素水と硫酸の混合液を
加熱した溶液で、ボンディングパッドの表面層とともに
除去する構成よりなる。
【0008】
【作用】この構成によって、半導体装置にポリイミド膜
を形成する際にポリイミド硬化後のボンディングパッド
上の炭素系堆積物のみ選択的に除去でき、ポリイミド保
護膜上に変質層が発生せず、その結果そのポリイミド保
護膜上のエポキシ樹脂との間に剥離が生じない。
を形成する際にポリイミド硬化後のボンディングパッド
上の炭素系堆積物のみ選択的に除去でき、ポリイミド保
護膜上に変質層が発生せず、その結果そのポリイミド保
護膜上のエポキシ樹脂との間に剥離が生じない。
【0009】
【実施例】本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
図1を参照して説明する。
図1を参照して説明する。
【0010】まず、図1(a)に示すように、従来例の
図2と同様に単結晶シリコン基板1上に、900〜10
00℃の熱酸化によって、二酸化硅素膜2を1000〜
10000Å堆積する。その後、スパッタ法によりアル
ミニウム膜3を5000〜10000Å堆積する。この
ときのスパッタ条件は、パワー1〜10kw,圧力3〜
10mTorr程度で行ない、必要に応じてシリコン,
銅等が微量入ったターゲットを用いる。次に、フォトリ
ソ法により、所定の場所のみレジストを残し(図示せず
)ドライエッチ法により、レジストで覆われていない領
域のアルミニウム膜3を除去する。その後、酸素プラズ
マでレジストを除去し、水洗,乾燥後、H2雰囲気中、
350〜430℃でシンタリングを行なう、次に、窒化
硅素膜4をプラズマ法などで全面に堆積し、フォトリソ
法、ドライエッチ法によりアルミニウム膜3の上部のみ
窒化硅素4を除去する。酸素プラズマによるレジスト除
去後、水洗,乾燥をし、350〜400℃でシンタリン
グを行なう。
図2と同様に単結晶シリコン基板1上に、900〜10
00℃の熱酸化によって、二酸化硅素膜2を1000〜
10000Å堆積する。その後、スパッタ法によりアル
ミニウム膜3を5000〜10000Å堆積する。この
ときのスパッタ条件は、パワー1〜10kw,圧力3〜
10mTorr程度で行ない、必要に応じてシリコン,
銅等が微量入ったターゲットを用いる。次に、フォトリ
ソ法により、所定の場所のみレジストを残し(図示せず
)ドライエッチ法により、レジストで覆われていない領
域のアルミニウム膜3を除去する。その後、酸素プラズ
マでレジストを除去し、水洗,乾燥後、H2雰囲気中、
350〜430℃でシンタリングを行なう、次に、窒化
硅素膜4をプラズマ法などで全面に堆積し、フォトリソ
法、ドライエッチ法によりアルミニウム膜3の上部のみ
窒化硅素4を除去する。酸素プラズマによるレジスト除
去後、水洗,乾燥をし、350〜400℃でシンタリン
グを行なう。
【0011】次に、図1(b)に示すように、ポリイミ
ド前駆体5を全面に4〜20μm塗布する。この時の塗
布はスピンコート法で行ない、その時の回転数および回
転時間は、ポリイミド前駆体5の粘度に合わせて変える
。次に、アルミニウム膜3上のみ光が当たらないように
して露光を行なう。この時の露光時間は塗布膜厚によっ
て変えるが、塗布膜厚10μmで700〜1500ms
ec程度である。露光後、N−メチル−2−ピロリドン
(NMP)を主成分とした現像液によって光の当たらな
かった領域のポリイミド前駆体5を除去する。その後窒
素または空気雰囲気中で、硬化温度300〜400℃で
ポリイミド前駆体5から感光基および溶剤等を除去し、
イミド化させてポリイミドにする。この時、アルミニウ
ム膜3上に炭素系堆積物7が堆積する。
ド前駆体5を全面に4〜20μm塗布する。この時の塗
布はスピンコート法で行ない、その時の回転数および回
転時間は、ポリイミド前駆体5の粘度に合わせて変える
。次に、アルミニウム膜3上のみ光が当たらないように
して露光を行なう。この時の露光時間は塗布膜厚によっ
て変えるが、塗布膜厚10μmで700〜1500ms
ec程度である。露光後、N−メチル−2−ピロリドン
(NMP)を主成分とした現像液によって光の当たらな
かった領域のポリイミド前駆体5を除去する。その後窒
素または空気雰囲気中で、硬化温度300〜400℃で
ポリイミド前駆体5から感光基および溶剤等を除去し、
イミド化させてポリイミドにする。この時、アルミニウ
ム膜3上に炭素系堆積物7が堆積する。
【0012】つぎに本発明の特徴とする工程に入る。す
なわち図1(c)に示すようにアルミニウム膜3上にプ
ローブ押し付けなどの物理的力を加えることで、炭素系
堆積物7に穴をあける。次に、過酸化水素水と硫酸の混
合液を100〜150℃にし、その溶液中でアルミニウ
ム膜3の表面層といっしょに炭素系堆積物7を除去する
。
なわち図1(c)に示すようにアルミニウム膜3上にプ
ローブ押し付けなどの物理的力を加えることで、炭素系
堆積物7に穴をあける。次に、過酸化水素水と硫酸の混
合液を100〜150℃にし、その溶液中でアルミニウ
ム膜3の表面層といっしょに炭素系堆積物7を除去する
。
【0013】以上の構造においては、ポリイミド前駆体
5に損傷を与えることなく、炭素系堆積物7を除去する
ことが可能になる。
5に損傷を与えることなく、炭素系堆積物7を除去する
ことが可能になる。
【0014】ポリイミドの堆積がネガ型発行性の場合に
ついて限定して述べたが、ポリイミド堆積がネジ型感光
性および非感光性であっても良いことは言うまでもない
。
ついて限定して述べたが、ポリイミド堆積がネジ型感光
性および非感光性であっても良いことは言うまでもない
。
【0015】
【発明の効果】以上のように本発明は、ポリイミド前駆
体を硬化してポリイミドに変える工程で発生するボンデ
ィングパッド上の炭素系堆積物を除去するために、その
炭素系堆積物上にプローブ押し付けなどの物理的手法で
圧力を加え、その圧力で破壊された炭素系堆積物を過酸
化水素水と硫酸の混合液を加熱した溶液で、ボンディン
グパッドの表面層とともに除去する構成よりなるので、
ポリイミド保護膜の表面に損傷を与えることなく、アル
ミニウム膜上の炭素系堆積物を除去することができ、高
性能,高信頼性の半導体装置を提供できる。
体を硬化してポリイミドに変える工程で発生するボンデ
ィングパッド上の炭素系堆積物を除去するために、その
炭素系堆積物上にプローブ押し付けなどの物理的手法で
圧力を加え、その圧力で破壊された炭素系堆積物を過酸
化水素水と硫酸の混合液を加熱した溶液で、ボンディン
グパッドの表面層とともに除去する構成よりなるので、
ポリイミド保護膜の表面に損傷を与えることなく、アル
ミニウム膜上の炭素系堆積物を除去することができ、高
性能,高信頼性の半導体装置を提供できる。
【図1】本発明の一実施例の半導体装置の製造方法の工
程断面図
程断面図
【図2】従来の半導体装置の断面図
1 単結晶シリコン基板(半導体基板)2 二酸化
硅素膜 3 アルミニウム膜(ボンディングパッド)4 窒
化硅素膜 5 ポリイミド前駆体 7 炭素系堆積物
硅素膜 3 アルミニウム膜(ボンディングパッド)4 窒
化硅素膜 5 ポリイミド前駆体 7 炭素系堆積物
Claims (1)
- 【請求項1】ボンディングパッドを有する半導体基板上
にポリイミド前駆体を塗布し前記ボンディングパッド上
の前記ポリイミド前駆体を写真食刻法により除去する工
程と、前記ポリイミド前駆体を硬化しポリイミドに変え
る工程と、前記ボンデングパッド上の炭素系堆積物にプ
ローブ押し付けなどの物理的手法で圧力を加える工程と
、その圧力で破壊された前記炭素系堆積物を過酸化水素
水と硫酸の混合液を加熱した溶液により前記ボンディン
グパットの表面層とともに除去する工程とを少なくとも
有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3037250A JPH04275442A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3037250A JPH04275442A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04275442A true JPH04275442A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=12492393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3037250A Pending JPH04275442A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04275442A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09289224A (ja) * | 1995-12-30 | 1997-11-04 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体チップ、その製造方法及びワイヤボンディング方法 |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3037250A patent/JPH04275442A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09289224A (ja) * | 1995-12-30 | 1997-11-04 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体チップ、その製造方法及びワイヤボンディング方法 |
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