JPH04274749A - オゾンセンサ - Google Patents
オゾンセンサInfo
- Publication number
- JPH04274749A JPH04274749A JP3586691A JP3586691A JPH04274749A JP H04274749 A JPH04274749 A JP H04274749A JP 3586691 A JP3586691 A JP 3586691A JP 3586691 A JP3586691 A JP 3586691A JP H04274749 A JPH04274749 A JP H04274749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- ozone
- gas
- mgo
- coating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 18
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N cobalt(II,III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Co+2].[Co+3].[Co+3] UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- -1 FeO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004332 deodorization Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010865 sewage Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
にオゾン発生機やオゾン利用機器におけるオゾン濃度制
御、あるいはオゾン検知用に用いるオゾンセンサに関す
る。
臭、殺菌等の目的で上下水道水処理、医療、食品工業な
ど多くの分野で利用されている。しかしそのような有用
な利用価値がある反面、オゾンはごく微量でも人体に対
して有害な作用を及ぼすため、発生量の制御や漏洩オゾ
ンの検知を確実に行なう必要がある。
ゾン濃度の測定を目的として、従来よりもっぱら酸化還
元滴定法や吸光光度法、紫外線吸収スペクトル法等が用
いられている。これに対して最近、より簡便なオゾン濃
度測定法が望まれ、その一方法としてIn2O3等の金
属酸化物を用いた小形の抵抗変化型のオゾンセンサが提
案されている。
り利用されている方法は一般に大がかりな装置、煩雑な
操作を必要とし、しかも高価であるため簡単には利用で
きないという欠点を有している。
されている金属酸化物を用いたオゾンセンサの場合、測
定雰囲気中にCO、アルコール等の還元性ガスやNOX
、SOX等の酸化性ガスが存在すると、センサの電気抵
抗が当該ガスの存在量に応じて変化する。そのためセン
サ出力が変化し、オゾン検知システムあるいはそれに付
帯する制御システムの誤動作を引き起こす原因となるこ
とがしばしばある。また、熱的な安定性にもやや問題が
ある。本発明はこのような問題を解決するもので、還元
性妨害ガスあるいは酸化性妨害ガスの影響を無視できる
程度にまで低減するとともに、併せて熱的な安定性を有
するオゾンセンサを提供することを目的とする。
上記の課題を解決するもので、基板上に形成された1対
の電極、及びその1対の電極間に形成された主として金
属酸化物から構成されるガス感応体およびそのガス感応
体を覆うようにMnO2、Fe2O3、Co3O4、N
iOから選択する少なくとも一種の酸化物とMgOとを
主体とする材料から構成される被覆層を設けたものであ
る。
ガス種が還元性ガスの場合には、MnO2等の酸化物の
酸化触媒作用により酸化されて不活性化されるため、感
応体に対する影響はほとんど無視できるようになる。一
方妨害ガス種が酸化性ガス、例えばNOXの場合には、
被覆層に含まれるMgOと反応して硝酸塩あるいは塩基
性硝酸塩を生成する。その結果、感応体に対するNOX
の影響は大きく低減され、センサの特性変化はほとんど
生じなくなる。硝酸塩化されたMgOは容易に熱分解さ
れて再びMgOとなり機能が再生する。また、被覆層の
構成材料であるMgOが被覆層自体及び感応体の焼結を
防止する効果を発揮するため、センサの熱的な安定性が
向上する。被覆層はある程度薄くても効果を発揮するた
め、センサ素子の小形軽量化を損なうことはない。
て図面を基にして説明する。図1において1はアルミナ
を用いた基板、2はInとSnの有機金属化合物を主体
として調製したインクを用いてスクリーン印刷により形
成し、500℃で焼成して作製したIn2O3(95w
t%)とSnO2(5wt%)から構成されるガス感応
体(厚さ約1000Å)、3はCo3O4約40wt%
、MgO約40wt%、Al2O3約20wt%から構
成される被覆層(厚さ約10μm)、4はあらかじめ基
板1に形成した白金電極である。比較例として、実施例
と同じ組成から構成された感応体を有し、かつCo3O
4のみを含む被覆層を形成したオゾンセンサ(比較例1
)、MgOのみを含む被覆層を形成したオゾンセンサ(
比較例2)、Co3O4、MgOともに含まない被覆層
を形成したオゾンセンサ(比較例3)、及び被覆層を形
成しないオゾンセンサ(比較例4)をそれぞれ作製した
。基板その他の形状寸法、および熱処理条件は全て同じ
とした。
でオゾン応答特性に及ぼすCOとNO2の影響について
評価した。まずセンサ素子加熱用ヒーターにオゾンセン
サを固定して測定箱にセットし、ヒーターに通電してセ
ンサ素子温度を350℃に加熱保持した。次いで、1p
pmのオゾン、2ppmのCO、1ppmのNO2をそ
れぞれ単独あるいは同時に測定箱に注入してオゾンセン
サに接触させ、各々の場合のオゾンセンサの電気抵抗を
測定した。その結果を図2(a),(b),(c),(
d)にそれぞれ示した。なお、電気抵抗は各図共通の任
意目盛りで示してある。図2(a)はオゾン単独注入の
場合を示している。実施例、比較例(1〜4)ともにほ
ぼ等しく一定の電気抵抗変化を示す。図2(b)はCO
単独注入の場合を示している。実施例及び比較例1のセ
ンサの電気抵抗は基準レベル(空気レベル)に近いが、
比較例2、3、4のセンサの電気抵抗は基準レベルを大
きく下回った。比較例2、3、4のセンサがCOに感応
していることを示している。また、図2(c)はNO2
単独注入の場合を示している。実施例及び比較例2のセ
ンサの電気抵抗変化は小さく、基準レベルにほぼ等しい
が、比較例1、3、4のセンサはNO2に感応して大き
な電気抵抗変化が認められた。さらに図2(d)に示す
ように、オゾンとCO及びNO2から構成される混合ガ
スを注入した場合には、実施例のセンサはオゾンレベル
にほぼ等しい電気抵抗変化を示したのに対して、比較例
(1〜4)のセンサの電気抵抗はそれぞれ図に示すよう
なレベルの変化を示した。
乏しいという欠点を有している。実施例のセンサの場合
、感応体がn型半導体であるため、還元性ガスが接触す
ると、オゾン接触の場合とは逆に電気抵抗は減少する。 従って、オゾンと還元性ガスが共存する場合には、セン
サの電気抵抗変化は小さくなる。一方酸化性ガスが接触
する場合は、オゾンの場合と同様にセンサの電気抵抗は
増加する。従って、オゾンと酸化性ガスが共存する場合
には電気抵抗変化はより大きくなる。感応体がp型半導
体の場合にはガス種によるセンサの電気抵抗変化方向は
逆になるが、上記の議論は同様に成立する。このような
動作をする結果、本来検知すべきオゾンが存在しない場
合にも出力信号が得られたり、あるいは濃度検知の場合
に誤って異なる濃度と判定されたりする場合が生じる。 このような事態を避けるために、本来検知すべきガスに
よるセンサ出力信号に対して妨害信号源となるガスの影
響を極力抑えることが必要となる。このために、センサ
感応体上に妨害ガス阻止のための被覆層を形成すること
が極めて有力な手段となり得る。本実施例のセンサの場
合には、Co3O4とMgOを含む被覆層を設けること
が効果的であり、これによりCOとNO2の影響をきわ
めて低く抑えることが可能であることを明らかにした。
認した。前記実施例のオゾンセンサ及び比較例(1〜4
)のオゾンセンサをそれぞれ450℃の空気雰囲気中に
連続放置し、200時間毎に取り出して前記同様に測定
箱にセットし、濃度1ppmのオゾンを注入したときの
オゾンセンサの電気抵抗を測定してセンサ感度を求めた
。センサの感度としてはオゾン注入時のセンサの電気抵
抗(RG)と空気中における電気抵抗(RA)の比(R
G/RA)を用いた。この結果を図3に示した。実施例
のセンサ及び比較例2のセンサ(被覆層にMgO含有)
の感度の経時変化はほとんどないが、比較例1,3,4
の各センサはいずれも感度低下の傾向が認められた。本
センサは主として金属酸化物から構成されているため、
熱的な安定性は基本的にはある程度確保できているが、
特に被覆層の構成材料として用いたMgOの効果が大き
く、感応体及び被覆層自体の焼結防止等に寄与している
。そのため、ガス拡散速度と反応速度がほとんど変化せ
ず、センサ感度の経時安定性が得られるものと考えられ
る。
きわめて安定で優れた特性を有している。実施例では被
覆層にCo3O4とMgOを含む場合について説明した
が、Co3O4に替えてMnO2あるいはFe2O3あ
るいはNiOを用いてもほぼ同等の効果が得られ、さら
にはそれらを複数混合してもよい。被覆層はCo3O4
とMgOの混合物の単一層としたが、Co3O4を含む
層とMgOを含む層との二層構造としてもよい。その他
の酸化物を用いる場合も同様である。被覆層の形成方法
としては塗布、印刷、蒸着、溶射等、センサ素子の形状
等に応じた様々の手法を用いることができる。妨害ガス
としてはCO及びNO2の場合について説明したが、こ
の他NO、SOX、炭化水素などの場合にも同様の効果
を発揮する。感応体としては実施例ではIn2O3(9
5wt%)+SnO2(5wt%)で構成される場合に
ついて説明したが、この他の組成比をとる場合、あるい
は他の材料を用いた場合にも同様に適用できるものであ
る。また、センサの形態として薄膜型センサの場合につ
いてのみ説明したが、厚膜型センサや焼結型センサにつ
いても同様に適用可能であり、その効果も同様に得られ
るものである。センサ素子各部の構造や形状あるいは基
板材料や電極材料も発明の主旨に反しない限りにおいて
自由に設計あるいは使用することができるものである。
発明のオゾンセンサによればガス検知特性に優れるとと
もに熱的な安定性にも優れ、小形軽量かつ安価であるた
め、オゾン発生機やオゾン利用機器におけるオゾン濃度
制御、あるいはオゾン検知等の用途に適するものである
。
を示す断面図
場合の電気抵抗変化を示すグラフ (b)は同オゾンセンサのCO単独注入した場合の電気
抵抗変化を示すグラフ (c)は同オゾンセンサのNO2単独注入した場合の電
気抵抗変化を示すグラフ (d)は同オゾンセンサのオゾン、CO、NO2の混合
ガスを注入した場合の電気抵抗変化を示すグラフ
】同オゾンセンサの熱的安定性を示すグラフ
Claims (1)
- 【請求項1】基板上に形成された1対の電極、及びその
1対の電極間に形成された主として金属酸化物から構成
されたガス感応体、及びそのガス感応体を覆うように形
成されたMnO2、Fe2O3、Co3O4、NiOか
ら選択する少なくとも一種の酸化物とMgOとを主体と
する材料から構成する被覆層とを有するオゾンセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3586691A JPH0711499B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | オゾンセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3586691A JPH0711499B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | オゾンセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04274749A true JPH04274749A (ja) | 1992-09-30 |
JPH0711499B2 JPH0711499B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=12453913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3586691A Expired - Lifetime JPH0711499B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | オゾンセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0711499B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0526833A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | オゾンセンサ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101457374B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2014-11-04 | 고려대학교 산학협력단 | 철이 도핑된 산화 니켈 나노 구조체를 이용한 에탄올 가스 센서 및 그 제조 방법 |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3586691A patent/JPH0711499B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0526833A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | オゾンセンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0711499B2 (ja) | 1995-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Marquis et al. | A semiconducting metal oxide sensor array for the detection of NOx and NH3 | |
Xu et al. | Selective detection of NH3 over NO in combustion exhausts by using Au and MoO3 doubly promoted WO3 element | |
Penza et al. | NOx gas sensing characteristics of WO3 thin films activated by noble metals (Pd, Pt, Au) layers | |
US4535315A (en) | Alkane gas sensor comprising tin oxide semiconductor with large surface area | |
US5767388A (en) | Methane sensor and method for operating a sensor | |
Yamada et al. | NO2 sensing characteristics of Nb doped TiO2 thin films and their electronic properties | |
US4592967A (en) | Gas sensor of mixed oxides | |
Satyanarayana et al. | Liquid-petroleum-gas sensor based on a spinel semiconductor, ZnGa2O4 | |
US4849180A (en) | Alcohol selective gas sensor | |
Fukui et al. | CO gas sensor based on Au-La2O3 loaded SnO2 ceramic | |
JPH04274749A (ja) | オゾンセンサ | |
JP3841513B2 (ja) | 炭化水素センサ | |
JPS63298149A (ja) | 薄膜型オゾンセンサ | |
Ionescu | Ageing and p-type conduction in SnO2 gas sensors | |
Kwak et al. | NOx sensing properties of Ba2WO5 element at elevated temperature | |
Yun et al. | Highly sensitive and selective ammonia gas Sensor | |
KR100236336B1 (ko) | 산화물 반도체 후막형 오존센서 및 그의 제조방법 | |
JPH04279851A (ja) | オゾンセンサ | |
Egashira et al. | Sensitivity and selectivity enhancement in semiconductor gas sensors | |
Yoo et al. | Potentiometric NOx sensing behavior of Cr2O3-based sensor and TPR of the sensor element | |
JPH11344458A (ja) | 水素ガス検知素子及びその製造方法 | |
JPH04335149A (ja) | ガスセンサ | |
JPS63298148A (ja) | 薄膜型オゾンセンサ | |
JP2004028822A (ja) | 半導体式水素ガス検知素子 | |
JPH04269648A (ja) | ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080208 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090208 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090208 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100208 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100208 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 17 |