JPH04273405A - 磁気ヘッド用非磁性基板 - Google Patents
磁気ヘッド用非磁性基板Info
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- JPH04273405A JPH04273405A JP3055767A JP5576791A JPH04273405A JP H04273405 A JPH04273405 A JP H04273405A JP 3055767 A JP3055767 A JP 3055767A JP 5576791 A JP5576791 A JP 5576791A JP H04273405 A JPH04273405 A JP H04273405A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属性磁性膜を蒸着す
るための非磁性の磁気ヘッド用非磁性基板に関するもの
である。
るための非磁性の磁気ヘッド用非磁性基板に関するもの
である。
【０００２】
【従来技術】従来この種の用途のものとしては、チタン
酸バリウム、チタン酸カルシウム、アルミナ等が使用さ
れていた。しかしながら、その熱膨張率が磁性膜構造体
と大きく異なっていたため、蒸着した磁性膜構造体が剥
離しやすく、また熱膨張率の差により応力が発生しクラ
ックが発生することがあった。
酸バリウム、チタン酸カルシウム、アルミナ等が使用さ
れていた。しかしながら、その熱膨張率が磁性膜構造体
と大きく異なっていたため、蒸着した磁性膜構造体が剥
離しやすく、また熱膨張率の差により応力が発生しクラ
ックが発生することがあった。
【０００３】さらに、従来の材料は硬さが低く、特に高
保磁力テ−プ（いわゆるメタルテ−プ）が使用された場
合には、非磁性基板が磁性膜構造体と硬度及び耐摩耗性
が異なり、磁気テ−プとの摺動により発生する摩擦のた
めに偏摩耗等を引き起こし、磁気特性に変化をきたすと
いう問題があった。特に硬度が低い場合には、磁気ヘッ
ドの寿命が短くなること、あるいは非磁性基板の変形や
割れ及び剥離を引き起こすといった欠点が顕著であった
。
保磁力テ−プ（いわゆるメタルテ−プ）が使用された場
合には、非磁性基板が磁性膜構造体と硬度及び耐摩耗性
が異なり、磁気テ−プとの摺動により発生する摩擦のた
めに偏摩耗等を引き起こし、磁気特性に変化をきたすと
いう問題があった。特に硬度が低い場合には、磁気ヘッ
ドの寿命が短くなること、あるいは非磁性基板の変形や
割れ及び剥離を引き起こすといった欠点が顕著であった
。
【０００４】本発明者等は上記の欠点を解決すべく酸化
物系セラミックスについて研究を進め、ＣｏＯ及びＮｉ
ＯまたはＮｉＯを基本組成とした酸化物が有効であると
して既に開示した。（特開平０１−２８７８１１、特開
平０２−１６８６０２、特願平０１−２１４２０６）さ
らに硬度や密度の向上を図るための添加材を検討し、Ｃ
ｏＯ、ＮｉＯを基本組成として、酸化マンガン、二酸化
チタン、アルミナ、カルシアのうち１種以上を０．１〜
５ｗｔ％添加した場合、及び１〜５ｗｔ％のイットリア
、０．１〜１％の窒化チタン、０．３〜２ｗｔ％の酸化
ホウ素のうち１種以上を添加した場合、あるいは１〜５
ｗｔ％の二酸化ケイ素を添加した場合の有効性を確認し
これらを開示した。（特開平０２−９４４０８、特願平
０１−１５９６２２、特願平０１−２１４２０８）
物系セラミックスについて研究を進め、ＣｏＯ及びＮｉ
ＯまたはＮｉＯを基本組成とした酸化物が有効であると
して既に開示した。（特開平０１−２８７８１１、特開
平０２−１６８６０２、特願平０１−２１４２０６）さ
らに硬度や密度の向上を図るための添加材を検討し、Ｃ
ｏＯ、ＮｉＯを基本組成として、酸化マンガン、二酸化
チタン、アルミナ、カルシアのうち１種以上を０．１〜
５ｗｔ％添加した場合、及び１〜５ｗｔ％のイットリア
、０．１〜１％の窒化チタン、０．３〜２ｗｔ％の酸化
ホウ素のうち１種以上を添加した場合、あるいは１〜５
ｗｔ％の二酸化ケイ素を添加した場合の有効性を確認し
これらを開示した。（特開平０２−９４４０８、特願平
０１−１５９６２２、特願平０１−２１４２０８）
【０
００５】
００５】
【問題点を解決するための手段】以上の問題点を解決す
るために、本発明者等はＣｏＯ及びＮｉＯあるいはＮｉ
Ｏを基本組成とした添加材の検討を更に続けた結果、該
組成物に対してＣｕの酸化物を０．１〜５ｗｔ％添加し
た場合に、上記の特性を満たすことを見い出した。従っ
て、本発明の目的は、具体的には蒸着した磁性膜構造体
に近い熱膨張率を有し、ビッカ−ス硬度が高く、さらに
他のヘッド構成材料間で過度の化学的侵食反応を起こさ
ない材料を提供することである。
るために、本発明者等はＣｏＯ及びＮｉＯあるいはＮｉ
Ｏを基本組成とした添加材の検討を更に続けた結果、該
組成物に対してＣｕの酸化物を０．１〜５ｗｔ％添加し
た場合に、上記の特性を満たすことを見い出した。従っ
て、本発明の目的は、具体的には蒸着した磁性膜構造体
に近い熱膨張率を有し、ビッカ−ス硬度が高く、さらに
他のヘッド構成材料間で過度の化学的侵食反応を起こさ
ない材料を提供することである。
【０００６】
【発明の構成】即ち、本発明は、ＣｏＯ及びＮｉＯある
いはＮｉＯを基本組成として、該組成物に対してＣｕの
酸化物を０．１〜５ｗｔ％添加したことを特徴とする磁
気ヘッド用非磁性基板を提供する。
いはＮｉＯを基本組成として、該組成物に対してＣｕの
酸化物を０．１〜５ｗｔ％添加したことを特徴とする磁
気ヘッド用非磁性基板を提供する。
【０００７】
【発明の具体的説明】本発明の理解を容易にするため具
体的かつ詳細に説明する。基本組成は、ＮｉＯ単独の酸
化物あるいはＮｉＯとＣｏＯの複合酸化物を意味し、例
えば、ＣｏＯ／ＮｉＯ（モル比）＝０／１００〜８０／
２０で、より好ましくは、ＣｏＯ／ＮｉＯ（モル比）＝
３／９７〜６０／４０である。
体的かつ詳細に説明する。基本組成は、ＮｉＯ単独の酸
化物あるいはＮｉＯとＣｏＯの複合酸化物を意味し、例
えば、ＣｏＯ／ＮｉＯ（モル比）＝０／１００〜８０／
２０で、より好ましくは、ＣｏＯ／ＮｉＯ（モル比）＝
３／９７〜６０／４０である。
【０００８】上記組成物に対して、本発明では、Ｃｕの
酸化物を０．１〜５ｗｔ％添加する。 Ｃｕの酸化物
は、たとえば、酸化第一銅、酸化第二銅および三二酸化
銅あるいはこれらの混合物である。Ｃｕの酸化物は酸化
コバルトと固溶体を作るため焼結促進効果があり、０．
１ｗｔ％以上の添加により緻密化を進行させる。このた
め相対密度が高く硬度も向上する。しかしながら熱膨張
率がＮｉＯ、ＣｏＯより低く、添加量が５ｗｔ％を超え
ると熱膨張率の調整が困難となる。添加は、単独あるい
は既に開示している添加材との組み合わせも有効である
。所望の硬度、熱膨張率に対応した組み合わせを採用す
るのが望ましい。
酸化物を０．１〜５ｗｔ％添加する。 Ｃｕの酸化物
は、たとえば、酸化第一銅、酸化第二銅および三二酸化
銅あるいはこれらの混合物である。Ｃｕの酸化物は酸化
コバルトと固溶体を作るため焼結促進効果があり、０．
１ｗｔ％以上の添加により緻密化を進行させる。このた
め相対密度が高く硬度も向上する。しかしながら熱膨張
率がＮｉＯ、ＣｏＯより低く、添加量が５ｗｔ％を超え
ると熱膨張率の調整が困難となる。添加は、単独あるい
は既に開示している添加材との組み合わせも有効である
。所望の硬度、熱膨張率に対応した組み合わせを採用す
るのが望ましい。
【０００９】次に、基板の製造方法について記す。市販
の各酸化物を原料として、所望組成になるよう秤量し、
ボ−ルミルにより混合する。混合は例えばエタノ−ル中
湿式ボ−ルミルで１０〜３０時間行なう。乾燥後、ＣＩ
Ｐ成形し、例えばＡｒ中８５０〜１１００℃で仮焼し、
次いで粗砕機を用いて粉砕し、１００〜２００μｍの篩
で篩分けを行なう。仮焼粉はさらに例えばエタノ−ル中
湿式ボ−ルミルで２０〜７２時間処理し、１μｍ以下に
微粉砕する。これを造粒後、ＣＩＰ成形し、例えば酸素
中１２３０〜１４００℃で焼結し、その後、ＨＩＰ処理
を行なう。ＨＩＰ処理条件は、８０〜１２０ＭＰａ、１
２００〜１３５０℃、１〜２時間が望ましい。
の各酸化物を原料として、所望組成になるよう秤量し、
ボ−ルミルにより混合する。混合は例えばエタノ−ル中
湿式ボ−ルミルで１０〜３０時間行なう。乾燥後、ＣＩ
Ｐ成形し、例えばＡｒ中８５０〜１１００℃で仮焼し、
次いで粗砕機を用いて粉砕し、１００〜２００μｍの篩
で篩分けを行なう。仮焼粉はさらに例えばエタノ−ル中
湿式ボ−ルミルで２０〜７２時間処理し、１μｍ以下に
微粉砕する。これを造粒後、ＣＩＰ成形し、例えば酸素
中１２３０〜１４００℃で焼結し、その後、ＨＩＰ処理
を行なう。ＨＩＰ処理条件は、８０〜１２０ＭＰａ、１
２００〜１３５０℃、１〜２時間が望ましい。
【００１０】このようにして得られた焼結体は、緻密で
岩塩型構造を有し、テ−プの摺動による摩擦やエッヂ部
の欠けが少なく従来の材料よりも優れていることが確認
できた。
岩塩型構造を有し、テ−プの摺動による摩擦やエッヂ部
の欠けが少なく従来の材料よりも優れていることが確認
できた。
【００１１】以下、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】ＣｏＯ、ＮｉＯを原料にＣｏＯ／ＮｉＯ（
モル比）＝３５／６５組成となるように調整し、これに
添加材として酸化第二銅を表１のように混合した。混合
は、エタノ−ル中湿式ボ−ルミルで２０時間行なった。 この混合粉をＡｒ中１０００℃で仮焼後、エタノ−ルの
湿式ボ−ルミルで４０時間粉砕した。この粉砕粉をＣＩ
Ｐ成形後酸素中１３５０℃で焼結した。これを１２５０
℃、１００ＭＰａ、１時間のＨＩＰ処理を行なった。焼
結体の相対密度は、９９％を超える値であった。
モル比）＝３５／６５組成となるように調整し、これに
添加材として酸化第二銅を表１のように混合した。混合
は、エタノ−ル中湿式ボ−ルミルで２０時間行なった。 この混合粉をＡｒ中１０００℃で仮焼後、エタノ−ルの
湿式ボ−ルミルで４０時間粉砕した。この粉砕粉をＣＩ
Ｐ成形後酸素中１３５０℃で焼結した。これを１２５０
℃、１００ＭＰａ、１時間のＨＩＰ処理を行なった。焼
結体の相対密度は、９９％を超える値であった。
【００１２】この実施例による焼結体の物性値を表１に
示す。物性値としては、熱膨張率（α：μｍ／ｍ℃）と
ビッカース硬度（Ｈｖ）を選択した。
示す。物性値としては、熱膨張率（α：μｍ／ｍ℃）と
ビッカース硬度（Ｈｖ）を選択した。
【００１３】比較例として、従来の材料であるチタン酸
バリウムと基本組成は同じで添加材の量を変えた場合の
物性値を併記した。
バリウムと基本組成は同じで添加材の量を変えた場合の
物性値を併記した。
【表１】
＊は比較例である。熱膨張率は、基本組成でほぼ決定さ
れ、本実施例の範囲では１３．８±０．２μｍ／ｍ℃で
ある。この値は磁性膜構造体とほぼ等価の値である。従
って、表１より添加量は５ｗｔ％以内とすることが必要
である。
れ、本実施例の範囲では１３．８±０．２μｍ／ｍ℃で
ある。この値は磁性膜構造体とほぼ等価の値である。従
って、表１より添加量は５ｗｔ％以内とすることが必要
である。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、（１）本組成の非
磁性基板は、熱膨張率、硬度とも磁性膜構造体とほぼ同
等の特性を得ることができる。このため、磁性膜構造体
の剥離やクラックの発生を著しく防止できる。
磁性基板は、熱膨張率、硬度とも磁性膜構造体とほぼ同
等の特性を得ることができる。このため、磁性膜構造体
の剥離やクラックの発生を著しく防止できる。
【００１５】（２）さらに、硬度を高めることにより磁
気ヘッドの短寿命化や非磁性基板の変形、割れ等を抑え
ることができ、ヘッドの耐摩耗性、耐久性に特にすぐれ
ている利点がある。
気ヘッドの短寿命化や非磁性基板の変形、割れ等を抑え
ることができ、ヘッドの耐摩耗性、耐久性に特にすぐれ
ている利点がある。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＣｏＯ及びＮｉＯあるいはＮｉＯを基
本組成として、該組成物に対してＣｕの酸化物を０．１
〜５ｗｔ％添加したことを特徴とする磁気ヘッド用非磁
性基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3055767A JPH04273405A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 磁気ヘッド用非磁性基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3055767A JPH04273405A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 磁気ヘッド用非磁性基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273405A true JPH04273405A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=13008018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3055767A Pending JPH04273405A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 磁気ヘッド用非磁性基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273405A (ja) |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3055767A patent/JPH04273405A/ja active Pending
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