JPH04271154A - Manufacture of solid state image sensor - Google Patents

Manufacture of solid state image sensor

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JPH04271154A
JPH04271154A JP3032938A JP3293891A JPH04271154A JP H04271154 A JPH04271154 A JP H04271154A JP 3032938 A JP3032938 A JP 3032938A JP 3293891 A JP3293891 A JP 3293891A JP H04271154 A JPH04271154 A JP H04271154A
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lead
outer frame
solid
frame
state image
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Yasuhiro Asano
泰宏 浅野
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Abstract

PURPOSE:To accurately set a reference surface when a reins-molded solid state image sensor is mounted on a board. CONSTITUTION:A step 34 is formed at an outer frame 33 parallel to leads 32 of a lead frame, a sensor chip 10 is mounted at an island 31 of the outer frame, the leads 32 are bent perpendicularly, and contained in a recess 21 of a mold 20. Thermosetting transmission resin is filled in the recess 31, the resin is cured, a package is formed, the package is then removed from the mold 20, and the frame 33 of the lead frame and the leads 32 are cut in the same length. When this solid state image sensor is mounted on a board, the step 34 of the lead frame is used as a reference.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂モールド型のCC
Dイメージセンサの如き固体撮像素子の製造方法に関す
る。
[Industrial Application Field] The present invention is a resin mold type CC
The present invention relates to a method of manufacturing a solid-state image sensor such as a D-image sensor.

【0002】0002

【従来の技術】セラミックパッケージを用いる従来の固
体撮像素子の構造を図6に示す。セラミックパッケージ
1には、予め内部リード3aと、これに連続する外部リ
ード3bとが埋設されており、外側に露出した外部リー
ド3bに撮像素子を駆動する駆動回路等が接続される。 また、セラミックパッケージ1には凹部が形成されてお
り、光電変換素子が一面に形成されたセンサチップ2が
その凹部に収納されている。そして、センサチップ2の
電極パッドが凹部に露出する内部リード3aの先端とワ
イヤボンドにより接続される。さらに、センサチップ2
の収納された凹部は、ガラス板4を装着することで封止
される。
2. Description of the Related Art The structure of a conventional solid-state image sensor using a ceramic package is shown in FIG. An internal lead 3a and an external lead 3b continuous with the internal lead 3a are embedded in the ceramic package 1 in advance, and a drive circuit for driving an image sensor and the like is connected to the external lead 3b exposed to the outside. Further, a recess is formed in the ceramic package 1, and a sensor chip 2 having a photoelectric conversion element formed on one side is housed in the recess. Then, the electrode pads of the sensor chip 2 are connected to the tips of the internal leads 3a exposed in the recesses by wire bonding. Furthermore, sensor chip 2
The recessed portion in which the is housed is sealed by attaching the glass plate 4.

【0003】しかしながら、上述の如き固体撮像素子に
おいては、セラミックパッケージ1の凹部内にセンサチ
ップ2をボンディングし、続いてセンサチップ2と内部
リード3aとをワイヤボンドし、カラー撮像を行う場合
には、さらにカラーフィルタを装着すること等の多くの
組立工程が必要となるため、コスト高を招くと共に、組
立工程でセンサチップ2の受光面にゴミの付着する頻度
も高くなる。また、セラミックパッケージ1自体が高価
なため、組立工程においての歩留りの低下はコストアッ
プの大きな要因の一つとなる。
However, in the solid-state imaging device as described above, when the sensor chip 2 is bonded into the recess of the ceramic package 1, and then the sensor chip 2 and the internal leads 3a are wire-bonded to perform color imaging, it is difficult to perform color imaging. In addition, many assembly steps such as attaching color filters are required, which increases the cost and increases the frequency of dust adhering to the light-receiving surface of the sensor chip 2 during the assembly process. Furthermore, since the ceramic package 1 itself is expensive, a decrease in yield during the assembly process is one of the major factors in increasing costs.

【0004】そこで、センサチップを透光性の樹脂でモ
ールドすることが、例えば実開平1−113347号公
報に提案されている。このような透光性の樹脂によって
センサチップをモールドすれば、セラミックパッケージ
1を用いる場合に比して組立工程が簡単になり、安価な
固体撮像素子を提供することができる。また、本出願人
によっても、センサチップを透光性樹脂でモールドして
撮像素子を形成することが特願平2−111923号に
提案されている。
[0004] Therefore, molding the sensor chip with a translucent resin has been proposed, for example, in Japanese Unexamined Utility Model Publication No. 1-113347. If the sensor chip is molded using such a light-transmitting resin, the assembly process will be simpler than when using the ceramic package 1, and an inexpensive solid-state imaging device can be provided. Furthermore, the present applicant has also proposed in Japanese Patent Application No. 2-111923 that an imaging device be formed by molding a sensor chip with a light-transmitting resin.

【0005】透光性樹脂によりセンサチップのパッケー
ジを形成する方法を図7に示す。リードフレームは、セ
ンサチップ10がダイボンディングされるアイランド部
11、アイランド部11の周辺に配列されたリード部1
2及びリード部12を取り囲む外枠13からなり、セン
サチップ10がアイランド部11に装着されてセンサチ
ップ10のパッド部とリード部12の先端とがワイヤボ
ディングされ、さらにリード部12がアイランド部11
に対して垂直に折り曲げられた後に、金型20の凹部2
1に収納される。この金型20の凹部21は、得ようと
する撮像素子の形状に応じて形成され、リードフレーム
11を支持する段差部22及びリードフレームの位置を
固定する位置決ピン23が設けられている。従って、金
型20の凹部21の底面に対するセンサチップ10の位
置が段差部22により決定され、側面に対するセンサチ
ップ10の位置が位置決ピン23により決定される。
FIG. 7 shows a method of forming a sensor chip package using a light-transmitting resin. The lead frame includes an island portion 11 to which the sensor chip 10 is die-bonded, and lead portions 1 arranged around the island portion 11.
The sensor chip 10 is attached to the island part 11, the pad part of the sensor chip 10 and the tip of the lead part 12 are wire-bonded, and the lead part 12 is attached to the island part 11. 11
After being bent perpendicularly to the recess 2 of the mold 20
It is stored in 1. The recess 21 of the mold 20 is formed according to the shape of the image sensor to be obtained, and is provided with a stepped portion 22 that supports the lead frame 11 and a positioning pin 23 that fixes the position of the lead frame. Therefore, the position of the sensor chip 10 relative to the bottom surface of the recess 21 of the mold 20 is determined by the stepped portion 22, and the position of the sensor chip 10 relative to the side surface is determined by the positioning pin 23.

【0006】センサチップ10がアイランド部11に装
着されたリードフレームは、センサチップ10が装着さ
れた側を凹部21の底面側に向けて凹部21内に収納さ
れ、熱硬化型の透光性樹脂によりモールドされる。この
透光性樹脂は、リードフレームが凹部21に収納された
後に凹部21内に充填され、過熱されることにより硬化
されてパッケージが形成される。このように透光性樹脂
を熱硬化させる場合、透光性樹脂内に含まれている気泡
が硬化時に樹脂外に追い出されることになるため、透光
性樹脂内に気泡が発生することがなくなる。そして、形
成されたパッケージを金型20から取り出し、外枠13
とリード部12とを切断すると、図9に示すように固体
撮像素子が得られる。この固体撮像素子においては、透
光性樹脂の裏面が平らにはならず、撮像素子を基板に取
り付けるときの基準面を正確に得られないため、外枠1
3の一部を決められた長さだけ残し、残された外枠13
aの先端部から基準面を得るように構成される。
The lead frame with the sensor chip 10 attached to the island portion 11 is housed in the recess 21 with the side on which the sensor chip 10 is attached facing the bottom of the recess 21, and is made of a thermosetting transparent resin. It is molded by. This light-transmitting resin is filled into the recess 21 after the lead frame is housed in the recess 21, and is cured by heating to form a package. When heat-curing a translucent resin in this way, the air bubbles contained within the translucent resin are expelled from the resin during curing, which eliminates the generation of air bubbles within the translucent resin. . Then, the formed package is taken out from the mold 20 and the outer frame 13
By cutting the lead portion 12, a solid-state imaging device is obtained as shown in FIG. In this solid-state image sensor, the back surface of the light-transmitting resin is not flat, making it impossible to obtain an accurate reference surface when attaching the image sensor to the substrate.
Leaving a part of 3 for a determined length, the remaining outer frame 13
The reference surface is obtained from the tip of a.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パッケ
ージ側に残される外枠13aがリード部12より短くな
ることから、外枠13を切断する部分とリード部12を
切断する部分とに段差が生じるため、一旦リード部12
を所定の長さに切断した後に、余分な外枠13bを切断
するように2度の切断工程を施す必要が生じる。また、
リード部12と外枠13とを同時に切断することも、切
断のための治具を工夫により不可能ではないが、幅の狭
いリード部12及び外枠13を正確に切断するための治
具は、条件の設定が繁雑になるため、2度の切断工程を
施す場合と比べて必ずしも有効ではない。従って、製造
工程の増加による歩留まりの低下や、製造コストの上昇
等の問題が生じる。
[Problem to be Solved by the Invention] However, since the outer frame 13a left on the package side is shorter than the lead part 12, a step is created between the part where the outer frame 13 is cut and the part where the lead part 12 is cut. , once the lead part 12
After cutting the outer frame 13b to a predetermined length, it becomes necessary to perform a cutting process twice to cut off the excess outer frame 13b. Also,
Although it is not impossible to cut the lead part 12 and the outer frame 13 at the same time by using a cutting jig, it is not possible to cut the lead part 12 and the outer frame 13 at the same time. However, since the setting of conditions becomes complicated, it is not necessarily more effective than performing the cutting process twice. Therefore, problems such as a decrease in yield due to an increase in the number of manufacturing steps and an increase in manufacturing costs arise.

【0008】そこで本発明は、樹脂モールド型の固体撮
像素子の製造において、リードフレームのリード部12
及び外枠13の切断工程の簡略化を図り、安価で信頼性
の高い固体撮像素子を提供することを目的とする。
[0008] Therefore, the present invention aims to improve the lead portion 12 of a lead frame in the production of a resin molded solid-state image sensor.
Another object of the present invention is to simplify the process of cutting the outer frame 13, and to provide an inexpensive and highly reliable solid-state imaging device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するために成されたもので、その特徴とするところ
は、複数の光電変換素子がマトリクス状に配列されてな
る半導体チップをリードフレームのアイランド部に装着
すると共に、リードフレームのリード部を上記半導体チ
ップに対して略垂直に折り曲げる工程と、パッケージ形
状を成す凹部に上記半導体チップが装着れた上記リード
フレームを収納し、上記凹部内を熱硬化型の透光性樹脂
で満たした後に加熱して上記透光性樹脂を硬化させる工
程と、硬化された上記透光性樹脂から露出する上記リー
ドフレームのリード部を所定の長さを残して切断する工
程と、を含む固体撮像素子の製造方法において、上記リ
ードフレームの上記アイランド部及び上記リード部を支
持する外枠には、上記透光性樹脂に埋め込まれる部分か
ら露出する部分の一部にかけて上記リード部より幅の広
い幅広部分が設けられ、上記透光性樹脂から露出する側
の上記幅広部分の端部を上記アイランド部からそれぞれ
等しい距離に設定することにある。
[Means for Solving the Problems] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is characterized by a semiconductor chip having a plurality of photoelectric conversion elements arranged in a matrix. Attaching the lead frame to the island portion of the lead frame and bending the lead portion of the lead frame substantially perpendicularly to the semiconductor chip; storing the lead frame with the semiconductor chip attached thereto in a recess forming a package shape; A step of filling the inside of the recess with a thermosetting translucent resin and then curing the translucent resin by heating, and extending the lead portion of the lead frame exposed from the cured translucent resin to a predetermined length. In the method for manufacturing a solid-state imaging device, the method includes a step of cutting the solid-state imaging device with a portion remaining, the outer frame supporting the island portion and the lead portion of the lead frame being exposed from the portion embedded in the translucent resin. A wide portion wider than the lead portion is provided over a part of the portion, and the end portions of the wide portion on the side exposed from the translucent resin are set at equal distances from the island portion.

【0010】0010

【作用】本発明によれば、パッケージから露出するリー
ドフレームの外枠部の幅広部分の端部、即ち、外枠部の
幅が狭くなる部分の段差から、固体撮像素子を基板に装
着するときの基準面を得ることができるため、外枠部を
リード部より短くする必要がなくなり、外枠部とリード
部とを同時に1回の工程で容易に切断することができる
[Operation] According to the present invention, when a solid-state image sensor is mounted on a substrate from the end of the wide part of the outer frame of the lead frame exposed from the package, that is, from the step at the narrow part of the outer frame, Since it is possible to obtain a reference surface of 1, it is not necessary to make the outer frame portion shorter than the lead portion, and the outer frame portion and the lead portion can be easily cut at the same time in one process.

【0011】[0011]

【実施例】本発明の実施例を図面に従って説明する。本
発明の固体撮像素子の製造方法を図1に示す。この図に
おいて、金型20は、図6と同一であり、同一部分に同
一符号が付してある。アイランド部31にセンサチップ
10が装着されたリードフレームは、リード部32が折
り曲げられた後に図6の場合と同様に、センサチップ1
0側を底面側にして金型20の凹部21に収納される。 このリードフレームは、図3に示すように、センサチッ
プ10が装着されるアイランド部31、このアイランド
部31を取り囲むように配置されるリード部32及びこ
れらアイランド部31及びリード部32を支持する外枠
33からなり、この外枠33の幅が、アイランド部31
の両側部分からリード部32に先端側にかけて広く形成
され、リード部32に平行する外枠33の途中部分に段
差34が形成される。この段差34は、固体撮像素子を
基板に装着する際の基準面を得るためのものであるため
、それぞれが外枠33の中心部から等しい距離の位置に
設けられる。また、アイランド部31の両端には、凹部
21内の位置決ピン42に結合する位置決め用の穴35
が設けられている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Examples of the present invention will be described with reference to the drawings. A method for manufacturing a solid-state image sensor according to the present invention is shown in FIG. In this figure, the mold 20 is the same as in FIG. 6, and the same parts are given the same reference numerals. The lead frame with the sensor chip 10 attached to the island portion 31 is attached to the sensor chip 1 after the lead portion 32 is bent, as in the case of FIG.
It is stored in the recess 21 of the mold 20 with the 0 side facing the bottom. As shown in FIG. 3, this lead frame includes an island portion 31 on which the sensor chip 10 is attached, a lead portion 32 arranged to surround this island portion 31, and an outer surface supporting the island portion 31 and the lead portions 32. It consists of a frame 33, and the width of this outer frame 33 is equal to the width of the island portion 31.
A step 34 is formed in a middle portion of the outer frame 33 parallel to the lead portion 32 and is widened from both sides of the lead portion 32 to the leading end thereof. The steps 34 are provided at equal distances from the center of the outer frame 33 because they are used to obtain a reference surface when mounting the solid-state image sensor on the substrate. Further, at both ends of the island portion 31, there are positioning holes 35 that are connected to the positioning pins 42 in the recessed portion 21.
is provided.

【0012】そして、凹部21内の所定の位置にリード
フレームが収納された後、熱硬化性の透光性樹脂が凹部
21内に充填され、この透光性樹脂をリードフレームご
と加熱することにより透光性樹脂が硬化されてパッケー
ジが形成される。図2に示すようにこのパッケージが形
成された後、透光性樹脂のパッケージを金型20から取
り出し、リード部32と外枠33とを切断して、固体撮
像素子を得る。このとき、パッケージ側に残される外枠
33aの長さは、リード部32と等しく、不要な外枠3
3bを1回切断することで、リード部32と外枠33a
との長さが設定される。このような固体撮像素子におい
ては、基板に設けられた穴に外枠33を挿入た際に、段
差34で止まることになるため、外枠33の段差34の
位置によって、基板に対する固体撮像素子、詳しくはセ
ンサチップ10の位置が決定されることになる。
After the lead frame is housed in a predetermined position within the recess 21, a thermosetting translucent resin is filled in the recess 21, and this translucent resin is heated together with the lead frame. The transparent resin is cured to form a package. After this package is formed as shown in FIG. 2, the light-transmitting resin package is taken out from the mold 20, and the lead portion 32 and outer frame 33 are cut to obtain a solid-state imaging device. At this time, the length of the outer frame 33a left on the package side is equal to the length of the lead part 32, and the length of the unnecessary outer frame 33a is equal to the length of the lead part 32.
By cutting 3b once, the lead portion 32 and the outer frame 33a are separated.
The length of is set. In such a solid-state image sensor, when the outer frame 33 is inserted into a hole provided in the substrate, it will stop at the step 34, so depending on the position of the step 34 of the outer frame 33, the solid-state image sensor relative to the substrate, Specifically, the position of the sensor chip 10 will be determined.

【0013】以上の構成によると、パッケージから露出
するリード部32及び外枠33に段差を設ける必要がな
くなるため、リード部32及び外枠33を同一の長さに
同時に切断することができる。従って、リードフレーム
の切断工程を簡略化でき、製造コストの低減が図れる。 続いて、他の実施例を図4に示す。ここで用いられるリ
ードフレームは、外枠43の幅が段階的に細くなるよう
に設けられており、階段状の段差45が設けられている
。このようの、パッケージから露出する外枠43aの幅
を段階的に細くすれば、固体撮像素子を装着するための
基板の穴の大きさを変更することにより固体撮像素子の
高さを選択することができる。
According to the above structure, it is not necessary to provide a step between the lead portions 32 and the outer frame 33 exposed from the package, so that the lead portions 32 and the outer frame 33 can be cut to the same length at the same time. Therefore, the lead frame cutting process can be simplified and manufacturing costs can be reduced. Next, another embodiment is shown in FIG. The lead frame used here is provided so that the width of the outer frame 43 becomes gradually thinner, and a step-like step 45 is provided. By gradually reducing the width of the outer frame 43a exposed from the package, the height of the solid-state image sensor can be selected by changing the size of the hole in the substrate for mounting the solid-state image sensor. Can be done.

【0014】また、外枠43の他、リード部42の幅を
段階的に細くして段差44をリード部42に設けること
により、基板に装着する際の基準面をリード部42自体
で得ることも可能である。この場合、固体撮像素子と基
板との間隔を基板に設けられる穴の大きさによって設定
できるため、装置の組立て段階において固体撮像素子と
基板との間隔の変更が可能になる。
In addition to the outer frame 43, the width of the lead portion 42 is gradually narrowed to provide a step 44 on the lead portion 42, so that the reference surface for mounting on the board can be obtained by the lead portion 42 itself. is also possible. In this case, since the distance between the solid-state image sensor and the substrate can be set by the size of the hole provided in the substrate, it is possible to change the distance between the solid-state image sensor and the substrate at the stage of assembling the device.

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明によれば、製造工程の簡略化によ
り製造歩留まりの低下防止や、製造コストの低減が図れ
ることになり、安価で信頼性の高い固体撮像素子を得る
ことができる。
According to the present invention, by simplifying the manufacturing process, it is possible to prevent a decrease in manufacturing yield and reduce manufacturing costs, and it is possible to obtain an inexpensive and highly reliable solid-state imaging device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の一実施例を説明する断面図である。FIG. 1 is a sectional view illustrating an embodiment of the present invention.

【図2】図1の製造方法により得られる固体撮像素子の
側面図である。
FIG. 2 is a side view of a solid-state imaging device obtained by the manufacturing method of FIG. 1;

【図3】本発明の製造方法に使用されるリードフレーム
の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of a lead frame used in the manufacturing method of the present invention.

【図4】本発明の他の実施例を説明する側面図である。FIG. 4 is a side view illustrating another embodiment of the present invention.

【図5】従来の固体撮像素子の構造を示す斜視図である
FIG. 5 is a perspective view showing the structure of a conventional solid-state image sensor.

【図6】固体撮像素子の製造方法の製造方法を説明する
断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a solid-state image sensor.

【図7】図6の製造方法により得られる固体撮像素子の
側面図である。
7 is a side view of a solid-state imaging device obtained by the manufacturing method of FIG. 6. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  セラミックパッケージ 2、10  センサチップ 3a  外部リード 3b  内部リード 4  ガラス板 11、31、41  アイランド部 12、32、42  リード部 13、33、43  外枠 34、44、45  段差 20  金型 21  凹部 22  段差部 23  位置決ピン 1 Ceramic package 2, 10 Sensor chip 3a External lead 3b Internal lead 4 Glass plate 11, 31, 41 Island part 12, 32, 42 Lead part 13, 33, 43 Outer frame 34, 44, 45 steps 20 Mold 21 Recess 22 Step part 23 Positioning pin

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  複数の光電変換素子がマトリクス状に
配列されてなる半導体チップをリードフレームのアイラ
ンド部に装着すると共に、リードフレームのリード部を
上記半導体チップに対して略垂直に折り曲げる工程と、
パッケージ形状を成す凹部に上記半導体チップが装着れ
た上記リードフレームを収納し、上記凹部内を熱硬化型
の透光性樹脂で満たした後に加熱して上記透光性樹脂を
硬化させる工程と、硬化された上記透光性樹脂から露出
する上記リードフレームのリード部を所定の長さを残し
て切断する工程と、を含む固体撮像素子の製造方法にお
いて、上記リードフレームの上記アイランド部及び上記
リード部を支持する外枠には、上記透光性樹脂に埋め込
まれる部分から露出する部分の一部にかけて上記リード
部より幅の広い幅広部分が設けられ、上記透光性樹脂か
ら露出する側の上記幅広部分の端部を上記アイランド部
からそれぞれ等しい距離に設定することを特徴とする固
体撮像素子の製造方法。
1. Mounting a semiconductor chip having a plurality of photoelectric conversion elements arranged in a matrix on an island portion of a lead frame, and bending the lead portion of the lead frame substantially perpendicularly to the semiconductor chip;
accommodating the lead frame with the semiconductor chip mounted in a recess forming a package shape, filling the recess with a thermosetting translucent resin, and then heating to cure the translucent resin; A method for manufacturing a solid-state imaging device, comprising: cutting the lead portion of the lead frame exposed from the cured light-transmitting resin, leaving a predetermined length. The outer frame that supports the part is provided with a wide part that is wider than the lead part from the part embedded in the translucent resin to a part of the exposed part, and the outer frame supports the lead part on the side exposed from the translucent resin. A method for manufacturing a solid-state image sensor, characterized in that the ends of the wide portions are set at equal distances from the island portion.
【請求項2】  上記リードフレームの外枠部は、上記
リード部に平行する部分で、上記幅広部分を除いて上記
リード部と同等の幅に設けられ、この外枠部と上記リー
ド部とを同一の長さを残して切断することを特徴とする
請求項1記載の固体撮像素子の製造方法。
2. The outer frame portion of the lead frame is a portion parallel to the lead portion and has the same width as the lead portion except for the wide portion, and the outer frame portion and the lead portion are connected to each other. 2. The method of manufacturing a solid-state image sensor according to claim 1, wherein the solid-state image sensing device is cut while leaving the same length.
【請求項3】  上記透光性樹脂から露出する上記リー
ドフレームの外枠部あるいはリード部の幅を先端部に向
かうに従って段階的に狭くすることを特徴とする請求項
1記載の固体撮像素子の製造方法。
3. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the width of the outer frame portion or the lead portion of the lead frame exposed from the light-transmitting resin is gradually narrowed toward the tip end. Production method.
JP3032938A 1991-02-27 1991-02-27 Method of manufacturing solid-state image sensor Expired - Fee Related JP2533002B2 (en)

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