JPH04261871A - サーマルヘッドの抵抗体トリミング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、サーマルヘッドの発熱
抵抗体の抵抗値を調整する抵抗体トリミング方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】各種印画出力装置に用いられるサーマル
ヘッドは、ヘッド基板上に複数の発熱抵抗体が形成され
、この発熱抵抗体が選択的に電力付勢されて感熱印画が
行われる。

【０００３】このとき設計された印画濃度を実現するた
めに、各発熱抵抗体の抵抗値は均一である必要がある。 このため、発熱抵抗体の形成後に発熱抵抗体に電圧パル
スを印加して抵抗値を低下させ、バラツキを可及的に抑
制するトリミング技術が採用されている。

【０００４】このようなトリミングを行う従来例として
、サーマルヘッドを製造するにあたり、同一ロット内や
同一基板内では、各発熱抵抗体に同一のトリミングパル
スを印加した際の抵抗値の変化状態に規則性や再現性が
見られる現象に着目し、印加するトリミングパルスの電
圧値と抵抗値Ｒの変化率ΔＲ／Ｒとの間の相関関係すな
わち校正曲線を予め求めておき、この校正曲線に従って
初期電圧Ｖ０を決定し、この初期電圧Ｖ０を印加するこ
とによって抵抗値を可及的に目標抵抗値に近付ける。 この後、増加分ΔＶずつ電圧を増加させたパルスを印加
して抵抗値を漸減させている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような従来例は、
各発熱抵抗体の抵抗値のばらつきを抑制するものである
が、各発熱抵抗体をトリミングして抵抗値を変化させる
目標となる適正な目標抵抗値を決定する方法は知られて
いない。このような目標抵抗値が適正に決定されない場
合、下記の問題が生じる。

【０００６】（１）従来例では、発熱抵抗体の抵抗値を
低下させるのでトリミング処理以前の初期抵抗値が目標
抵抗値より小さい場合には、トリミング処理が不可能で
ある。

【０００７】（２）各発熱抵抗体に対するトリミング処
理が、全発熱抵抗体に亘って終了し、サーマルヘッド内
の抵抗値分布が改善された場合であっても、当該サーマ
ルヘッドの平均抵抗値がサーマルヘッドに要求される平
均抵抗値に関する最大許容値と最小許容値との範囲内に
存在しているか否かは不明である。

【０００８】（３）トリミング処理により抵抗値を低下
させる場合に、変化量が過大であれば発熱抵抗体が破壊
される。

【０００９】またサーマルヘッドにおいて印加時におけ
る濃度むらなどを生じる抵抗値のばらつきには、下記の
３種類がある。

【００１０】（１）ヘッド間のばらつき、すなわち同一
規格のサーマルヘッドであっても、各ヘッド毎の平均抵
抗値にバラツキが生じる。

【００１１】（２）ヘッド内のばらつき、すなわち単一
のサーマルヘッド内における発熱抵抗体の抵抗値のバラ
ツキである。

【００１２】（３）隣接ドット間のばらつき、すなわち
単一のサーマルヘッド内の隣接する発熱抵抗体間のばら
つき。

【００１３】ここで厚膜サーマルヘッドにおいて、発熱
抵抗体はペースト状の抵抗体材料を印刷にて電気絶縁性
基板上に形成するため、抵抗値のばらつきは、この印刷
精度に最も左右され、したがって前記ヘッド内および隣
接ドット間のばらつきが大きく、ヘッド間のばらつきは
ヘッド毎の平均抵抗値のばらつきであるため、比較的小
さくなることが知られている。一方、薄膜のサーマルヘ
ッドの場合、スパッタリングや蒸着などにより、抵抗体
材料層を形成した後、所定のパターン形状にエッチング
して発熱抵抗体として形成する。これにより抵抗値のば
らつきは、隣接ドット間のばらつきとしてたとえば±０
．５％程度と小さく、ヘッド内のばらつきも比較的小さ
いことが知られている。一方、同一膜厚をヘッド毎に毎
回形成することが困難であるため、ヘッド間のばらつき
は比較的大きくなる。

【００１４】この３種類の抵抗値のばらつきのうち、ヘ
ッド間のばらつきはサーマルヘッドを駆動する電源の仕
様に大きく影響する。すなわちサーマルヘッド毎の平均
抵抗値がばらつくため、同一構成の電源で、このような
サーマルヘッドを駆動しようとすると電源の容量が大き
くなり、またサーマルヘッド毎に駆動電圧を調整する回
路が必要となり、構成が複雑化してしまう。

【００１５】一方、ヘッド内のばらつきおよび隣接ヘッ
ド間のばらつきは、たとえば中間調の感熱印画などの高
精度の感熱印画を行う際には、濃度むらを生じるけれど
も、中間調表示を行わない文字や各種キャラクタの印字
動作時には、このようなヘッド内および隣接ドット間の
ばらつきは品質に及ぼす影響が小さくなる。このような
低精度の感熱記録を行う場合のサーマルヘッドの抵抗体
をトリミングするに際して、高速かつ容易な方法が希望
されている。

【００１６】本発明の第１の目的は上述の技術的課題を
解消し、適正な目標抵抗値を決定することができ、製造
されるサーマルヘッドの品質を格段に向上することがで
きるサーマルヘッドの抵抗体トリミング方法を提供する
ことである。

【００１７】本発明の第２の目的は、このヘッド間の平
均抵抗値のばらつきにのみ着目し、適正な目標平均抵抗
値を決定することができ、高速で容易なサーマルヘッド
の抵抗体トリミング方法を提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、サーマルヘッ
ドの電気絶縁性基板上に直線状に配列された複数の発熱
抵抗体をトリミングする方法において、各発熱抵抗体の
最大抵抗値と最小抵抗値とを計測し、次いで発熱抵抗体
の抵抗値変化曲線における最大抵抗値に基づくトリミン
グの抵抗下限値と、最小抵抗値に基づくトリミングの抵
抗上限値とを求め、しかる後、発熱対抗体のトリミング
を行って各発熱抵抗体の平均抵抗値を予め定められる最
大許容値と最小許容値の範囲内に設定したことを特徴と
するサーマルヘッドの抵抗体トリミング方法である。

【００１９】

【作用】本発明に従えば、電気絶縁性基板上に直線状に
配列された複数の発熱抵抗体の最大抵抗値と最小抵抗値
とを計測する。発熱抵抗体の抵抗値変化曲線における最
大抵抗値に基づく最大トリミング処理時における抵抗値
の下限値と、最小抵抗値に基づく最小トリミング処理時
における抵抗値の上限値とを算出する。各発熱抵抗体の
平均値に関して、予め定められる最大許容値と最小許容
値と、前記上限値と下限値とを比較して目標抵抗値を定
めるようにする。

【００２０】ここで目標抵抗値は、最小許容値より大き
く、最大許容値より小さい必要がある。かつ、前記上限
値より小さく下限値より大きい必要がある。トリミング
処理以前の抵抗値が、上記条件を満足するとき、たとえ
ば、上限値と最大許容値との小さい方を目標抵抗値に選
んでトリミング処理を行う。前記２つの条件が両立する
場合以外の場合は、全てトリミング処理が不可能な場合
である。このようにして、適正な目標値を自動的に決定
することができ、使用性に優れ、かつ製造されるサーマ
ルヘッドの品質を格段に向上することができる。

【００２１】また本発明に従えば、電気絶縁性基板上に
直線状に配列された複数の発熱抵抗体の抵抗値を計測し
て、平均抵抗値を計算する。この平均抵抗値に基づき、
最小トリミング処理時における抵抗値の下限値と、最小
トリミング処理時における上限値とを算出する。各発熱
抵抗体の平均抵抗値に関して、予め定める最大許容値と
最小許容値と、前記上限値と下限値とを比較して目標平
均抵抗値を定めるようにする。

【００２２】ここで目標平均抵抗値は、最小許容値より
大きく、最大許容値より小さい必要がある。かつ上限値
より小さく、下限値より大きい必要がある。トリミング
処理以前の抵抗値が、上記条件を満足するとき、たとえ
ば上限値と最大許容値との小さい方を目標平均抵抗値に
選んで、トリミング処理として、この目標平均抵抗値を
実現するような条件のパルスを決め、各発熱抵抗体に１
回のみ印加する。前記２つの条件が両立する場合以外の
場合は、全てトリミング処理が不可能な場合である。こ
のようにして適正な目標値を自動的に決定することがで
き、高速で容易でかつ製造されるサーマルヘッドのヘッ
ド間の平均抵抗値のばらつきを抑制することができる。

【００２３】

【実施例】図１は本発明のトリミング方法を用いて製造
される薄膜サーマルヘッド（以下、サーマルヘッドと略
す）２１の構成を説明するための断面図である。サーマ
ルヘッド２１は、たとえばアルミニウムなどの金属材料
から成る放熱板２２を備え、この上にヘッド基板２３が
接着剤層３２で固着される。ヘッド基板２３上には、図
１の紙面と垂直方向に多数の発熱抵抗体２４が直線状に
形成され、またこの発熱抵抗体２４の配列方向と並行に
配列され、発熱抵抗体２４と図示しない電極にて接続さ
れた複数の駆動回路素子２５が配置される。これらの駆
動回路素子２５は合成樹脂材料から成る保護層２６で被
覆される。

【００２４】ヘッド基板２３上にはたとえばスクリーン
印刷などの厚膜技術にて蓄熱層３５が形成され、また厚
膜共通電極層２７がヘッド基板２３の外周に沿って形成
される。蓄熱層３５上には発熱抵抗体層３４、共通電極
層３６および複数の個別電極３７が形成され、直線上の
複数の発熱抵抗体２４が構成される。発熱抵抗体２４は
、たとえばスパッタリングなどの薄膜技術により形成さ
れる耐摩耗層３９を介して、プラテンローラ３１との間
で感熱紙３２に感熱印字を行う。またこの発熱抵抗体２
４は集積回路素子として実現される駆動回路素子２５に
より制御される。駆動回路素子２５には絶縁層２８で被
覆された前記個別電極３７が接続されると共に、駆動回
路素子２５に発熱抵抗体２４を駆動する信号などを入力
し、絶縁層２８で被覆された外部接続端子２９が接続さ
れ、駆動回路素子２５およびその周辺を被覆して合成樹
脂材料などからなる保護層２６が形成される。

【００２５】本発明は、ヘッド基板２３上に発熱抵抗体
層３４、共通電極３６および複数の個別電極３７が形成
された段階で、これらによって規定される複数の発熱抵
抗体２４毎の抵抗値をトリミングして均一化しようとす
るものである。上記のサーマルヘッド２１に対して実験
を行った結果、以下の事実が判明した。

【００２６】（１）耐摩耗層３９を形成する前に、大気
雰囲気中でトリミングパルスを印加する。このときパル
ス幅を適宜選択することにより、発熱抵抗体２４の抵抗
値を下げるだけでなく、上げることができる。この実験
結果の概要は図２のグラフに示される。すなわち横軸に
印加電力、縦軸に発熱抵抗体２４の抵抗値変化率ΔＲ／
Ｒを取ると、印加されるトリミングパルスのパルス幅を
変化させることにより、得られる特性曲線が大きく変化
することが確認された。図２図示のラインＬ１，Ｌ２，
Ｌ３は、相互にパルス幅が異なる場合を示しており、対
応するパルス幅をＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３（必要な場合
はＷＬで総称する）で表すとこれらの関係は、

【００２
７】

【数１】ＷＬ１＞ＷＬ２＞ＷＬ３ である。

【００２８】すなわちパルス幅ＷＬが比較的長い場合に
は、ラインＬ１に示されるように印加電力を増大すると
抵抗値は増大する。一方、パルス幅ＷＬが比較的短い場
合には、ラインＬ３に示されるように閾値電力Ｐｔｈ未
満の範囲Ａでは抵抗値は変化しないが、閾値電力Ｐｔｈ
以上の範囲Ｂ程度に印加電力を増大すると抵抗値は減少
する。またパルス幅ＷＬ１，ＷＬ３の中間のパルス幅Ｗ
Ｌ２では、ラインＬ２に示されるように、印加電力Ｐの
程度によって抵抗値の上昇現象と下降現象との双方が現
れる。すなわち印加電力に関する閾値電力Ｐｔｈ未満の
印加電力の範囲Ａでは、抵抗値は印加電力の増大に従い
低下率が次第に増大するが、次第に低下率は減少して０
となる。閾値電力Ｐｔｈ以上の印加電力Ｐの範囲では、
印加電力Ｐの増大に従い抵抗値は次第に上昇する。

【００２９】このようにトリミングパルスのパルス幅Ｗ
Ｌによって、発熱抵抗体２４の抵抗値の変化の方向が上
昇または下降のいずれをも取り得る現象は図３を参照し
て、下記のように説明される。すなわちトリミングパル
ス印加によって発熱抵抗体２４の抵抗値が変化するのは
、発熱抵抗体層３４自身の発熱によるアニール効果、す
なわち発熱抵抗体層３４の結晶化と、同じく発熱抵抗体
層３４自身の発熱による酸化とによるものである。この
うちアニール効果は、発熱抵抗体層３４の結晶化の進行
である点で抵抗値の下降現象として現れ、また酸化は抵
抗値の上昇現象として現れる。

【００３０】図３（１）のように印加されるトリミング
パルスのパルス幅ＷＬ１を比較的長くかつ印加電圧を低
く設定したときの発熱抵抗体層３４は、印加電圧Ｖ１が
比較的低いために温度は急速および大幅な上昇を見せず
、一方、パルス幅ＷＬ１が比較的長いため比較的低い温
度が長時間続くことになる。発熱抵抗体層３４における
アニール効果の進行状態は温度により決定されるもので
あり、この場合の温度Ｔ１はアニール効果を発生させる
温度Ｔａに到達しておらず、前記アニール効果による抵
抗値の下降現象は生じない。しかしながら酸化現象を発
生させる温度Ｔｏｘ以上の温度であり、しかもこの状態
が比較的長時間継続されるので、発熱抵抗体層３４に酸
化が進行し抵抗値が上昇する。

【００３１】一方、印加されるトリミングパルスを図４
（１）に示すように、そのパルス幅ＷＬ３が比較的短く
かつ印加電圧Ｖ２が比較的高い場合、発熱抵抗体層３４
の温度変化は図４（２）に示される状態となる。すなわ
ち発熱抵抗体層３４は、急速に昇温し前記アニール効果
が生じる温度Ｔａを越えた温度Ｔ２に到達する。一方、
パルス幅ＷＬ３が比較的短いため温度Ｔ２はほとんど持
続せず、急速に室温に復帰する。この場合、温度Ｔ２に
対応してアニール効果が進行し、発熱抵抗体層３４の抵
抗値は下降する。一方、前記酸化が生じる温度Ｔｏｘを
越えている期間が比較的短いため、酸化はほとんど発生
せず、抵抗値の上昇は生じない。

【００３２】すなわちトリミングパルスのパルス幅ＷＬ
と印加電力とを適宜選択することにより、前述したアニ
ール効果と酸化とのいずれが支配的な現象となるかを制
御することができる。すなわち発熱抵抗体層３４の抵抗
値を上昇あるいは下降させる制御を行うことができる。

【００３３】（２）図３（１）に示されるように、発熱
抵抗体層３４において抵抗値の上昇のみを生じさせるパ
ルス幅ＷＬ１のトリミングパルスを印加する場合、トリ
ミングパルスのパルス幅ＷＬ１を固定しておけばトリミ
ングパルス印加前の抵抗値が発熱抵抗体２４毎に異なっ
ていても、同一の印加電力を印加することにより各発熱
抵抗体２４は、ほぼ一定の抵抗値変化率を示す。一方、
図４（１）に示すような抵抗値下降のみを生じさせるパ
ルス幅ＷＬ３のトリミングパルスを印加する場合も同様
であり、印加電力が同一であればトリミングパルス印加
前の抵抗値が発熱抵抗体２４毎に異なっていても、ほぼ
一定の抵抗値変化率を示す。

【００３４】本件発明者は、図１図示の発熱抵抗体２４
に関して、図１左右方向の長さ１５１μｍ、図１紙面と
垂直方向の幅１０５μｍとし、膜厚が異なり、したがっ
て抵抗値が異なる２種類の発熱抵抗体２４に関して、発
熱抵抗体の抵抗値の変化を計測した。印加電圧と抵抗値
変化との関係を図５（１）のラインＬ６，Ｌ７に示す。 このように印加電圧との関係では、抵抗値変化の状態は
大幅に異なることが理解される。

【００３５】一方、印加電力と抵抗値変化との関係を図
５（２）のラインＬ８，Ｌ９に示す。同図に示されるよ
うに、印加電力が同一であればトリミング前の初期抵抗
値の相異に拘わらず、同一の抵抗値変化を示すことが理
解される。これらを総合すると、図２に示したラインＬ
１，Ｌ３の特性曲線は、各発熱抵抗体２４毎の抵抗値に
は依存しないと結論できる。

【００３６】上述の現象は下記のように説明される。発
熱抵抗体層３４の抵抗値を変化させる要因であるアニー
ル効果や酸化は、その進行状態は上述したように、印加
されるトリミングパルスの状態に対応した発熱抵抗体層
３４自身の図３（２）および図４（２）に示したような
温度変化の特性により決定されるものである。したがっ
てパルス幅ＷＬと印加電力Ｐとが同一であれば発熱抵抗
体２４の抵抗値が相互に異なっている場合であっても、
発熱抵抗体２４毎の温度の時間変化の特性は、各発熱抵
抗体２４間で同一となり、前述したようにほぼ一定の抵
抗値変化率が得られる。

【００３７】（３）発熱抵抗体２４に、予め定める印加
電力Ｐ０のトリミングパルスを印加した後、２回目以降
、印加電力の増分ΔＰずつ印加電力を増加させたトリミ
ングパルスを印加することにより、徐々に抵抗値を下げ
ることができる。本件発明者は、前記図１に示され、図
１左右方向の長さ１５１μｍ、図１紙面と垂直方向の幅
１０５μｍの発熱抵抗体２４に関して、抵抗値の低下す
るパルス幅ＷＬｄにおいて１回目のパルスを印加して抵
抗値を低下させた後、２回目以降増分ΔＰずつ印加電力
を増加させた際の抵抗値変化を測定した。この結果を、
図６ラインＬ１０，Ｌ１１に示す。このように抵抗値の
低下の様子は、１回目のパルスの印加電力により異なる
けれども、いずれの場合であっても抵抗値が漸減してい
る。

【００３８】（４）前記第３項の説明において、２回目
以降のトリミングパルスを図３に示されるような、比較
的長いパルス幅のトリミングパルスとすることにより、
徐々に抵抗値を上昇することができる。本件発明者は、
前記第３項の説明における相互に異なる抵抗値を有する
複数の発熱抵抗体２４に関して、２回目以降、たとえば
５０ｍｓのパルス幅のトリミングパルスを印加したとき
の抵抗値の変化を計測した。この状態を図７ラインＬ１
２，Ｌ１３に示す。図７に示されるように、徐々に抵抗
値を上昇できることが理解される。このとき、ラインＬ
１２は、ラインＬ１３よりも高い印加電力の場合を示し
ている。しかも、印加電力を低めに設定した場合のライ
ンＬ１３に示されるように、１回のトリミングパルスの
印加における、抵抗値変化を非常に小さく設定すること
ができる。これにより、トリミングによる発熱抵抗体２
４の抵抗値の制御を極めて高精度に行うことができる。

【００３９】（５）発熱抵抗体層３４における前述した
ような抵抗値の下降をもたらすアニール効果は、発熱抵
抗体層３４内で構成分子の再配列や結晶化を進行させる
。 このため発熱抵抗体２４の印加パルス（トリミングパル
スや使用に伴う駆動パルスなど）に対する耐久性は向上
される。一方、抵抗値の上昇をもたらす酸化現象は、発
熱抵抗体２４の所定の抵抗値の領域を狭隘化し、したが
って実質的な膜厚を薄くしてしまうことになる。このた
め印加パルスに対する耐久性は劣化してしまう。すなわ
ち発熱抵抗体２４の抵抗値を大幅に上昇させる処理は、
発熱抵抗体２４を劣化させることになり、寿命が短くな
ってしまう。

【００４０】（６）発熱抵抗体２４がタンタルＴａ系の
場合では、本件発明者は１ｍｓ以下のパルス幅では抵抗
値を−７０％程度まで低下することができることを確認
した。しかしながら抵抗値を過大に低下させると、発熱
抵抗体２４が凝集を起こし、また発熱抵抗体２４の直下
の蓄熱層３５が熱のために破壊される事態が生じる。こ
れらの点を考慮し、本件発明者はサーマルヘッド２１の
信頼性を保持できる限界の最大トリミング量−ＤＲ１が
、図８に示されるようにたとえば−４０％程度であるこ
とを確認した。

【００４１】（７）一方、トリミングのパルス幅を抵抗
値が下がるパルス幅ＷＬｄ（例として１ｍｓ以下）に固
定し、各発熱抵抗体に同一の印加電力のパルスを１回の
み印加して、サーマルヘッド２１の平均抵抗値を、平均
抵抗値に関する最大許容値と最小許容値との許容範囲内
に変化させるトリミング方法の場合、抵抗値の低下の様
子は、前述した通り、発熱抵抗体の抵抗値に依存しない
状態となるが、蓄熱層３５の凹凸や発熱抵抗体２４の寸
法のばらつきなどに起因して、実際には抵抗値変化率に
はばらつきが生じてしまう。

【００４２】したがって、印加電力Ｐと抵抗値変化率Δ
Ｒ／Ｒとの関係を示すグラフは図９に示されるように、
理想的な対応を示すラインＬ４に対し、ラインＬ４ａ，
Ｌ４ｂで囲まれる範囲の幅を有している。しかし、印加
電力が低く、あまり大きく抵抗値を変化させない時は、
この幅が狭くばらつきが小さく、たいして問題にならな
い。

【００４３】このため、このばらつきが許容できるか否
かで抵抗値変化に限界があり、たとえば−１５％程度の
限界値ＤＲ３以上抵抗値を変化させると、サーマルヘッ
ドのヘッド内抵抗値ばらつきおよび隣接抵抗値ばらつき
が悪化してしまうことを確認した。

【００４４】（８）前述したように、印加電力Ｐと抵抗
値変化率ΔＲ／Ｒの関係には、ばらつきがあり、１回の
パルス印加で精度よく目標抵抗値に近付けることはでき
ない。しかし２回目以降、さらに印加電力を増加させて
、さらに抵抗値を低下させたり、比較的長いパルス幅の
パルスを印加して抵抗値を上昇させることができるので
、精度の上でこのばらつきは、問題にならない。しかし
このばらつきにより、目標抵抗値よりかなり低い抵抗値
になってしまった時、酸化によって大きく抵抗を上昇さ
せる必要性が生じる。この大幅に酸化させることにより
、前述したように発熱抵抗体２４の信頼性が低下する。

【００４５】また１回目のパルス印加で、過大に抵抗値
を低下させすぎると、２回目以降、さらに抵抗値を低下
させるトリミングパルスを印加しても、抵抗値が低下せ
ず逆に上昇して、抵抗値の制御が不可能になったり、逆
に予定した低下量を大きく越えて低下し、発熱抵抗体２
４が凝集を起こしたり、直下の蓄熱層３５が熱のために
破壊されたり、最悪の場合、発熱抵抗体２４自身が破壊
されたりする。そのため、上述した抵抗値の上昇または
低下制御を行う場合でも、抵抗値変化は、たとえば−３
０％程度の限界値−ＤＲ２以上にできないことを確認し
た。

【００４６】（９）また発熱抵抗体２４に関して、トリ
ミングを行わない場合、サーマルヘッド２１の使用に伴
って抵抗値がたとえば２〜３％程度低下することを確認
した。これはトリミング処理を行った発熱抵抗体２４で
は、前述したアニール効果により印加パルスに対する信
頼性が向上されており、したがって使用時に抵抗値は低
下しない。一方、トリミング処理を行っていない発熱抵
抗体２４は、前記アニール効果を有していないため、抵
抗値が低下してしまうためである。このため、単一のサ
ーマルヘッド２１内において、使用に伴い発熱量のばら
つきを生じ、濃度むらを生じることになる。このためサ
ーマルヘッド２１の全ての発熱抵抗体２４は、たとえば
−３％程度の最小トリミング量ＤＲ４だけトリミング処
理を行う必要がある。

【００４７】以上の各条件を踏まえた上で、前述したよ
うな抵抗値の上昇および下降現象を発熱抵抗体２４の抵
抗値の調整に応用する手法について説明する。図４（１
）に示されるように、比較的短いパルス幅ＷＬ３のトリ
ミングパルスを印加した場合、パルス幅ＷＬ３を一定に
すると、印加電力と抵抗値変化率との関係が前述したよ
うに発熱抵抗体２４の抵抗値には依存しない状態となる
が、蓄熱層３５の凹凸や発熱抵抗体２４の寸法のバラツ
キなどに起因して、実際には抵抗値変化率にはバラツキ
を生じてしまう。

【００４８】前述したとおり、蓄熱層３５の凹凸や発熱
抵抗体２４の寸法のばらつきに起因して、実際には抵抗
値変化率にはばらつきが生じ、印加電力Ｐと抵抗値変化
率ΔＲ／Ｒとの関係を示すグラフは、図９に示されるよ
うに、理想的な対応関係を示すラインＬ４に対し、ライ
ンＬ４ａ，Ｌ４ｂで囲まれる範囲の幅を有している。こ
のラインＬ４ａ，Ｌ４ｂの間のばらつきは、印加電力が
大きくなり、抵抗値変化が大きくなればなる程大きくな
り、従来技術として説明したように、サーマルヘッドを
製造する際の同一ロット内のヘッド基板２３や、同一ヘ
ッド基板２３内の発熱抵抗体２４にトリミングパルスを
印加し、図９ラインＬ４の校正曲線を得て、この校正曲
線に基づいてトリミングパルスのパルス幅と印加電力と
を決定し、このようなトリミングパルスを発熱抵抗体２
４毎に印加したとしても、高精度の制御は不可能である
。

【００４９】たとえば抵抗値を−ｎ％だけ変化させるた
めに、図９ラインＬ４の校正曲線から対応する印加電力
Ｐ０（−ｎ％）のデータを得て、この印加電力を有する
トリミングパルスを印加した場合、実際には図９に示す
幅δの範囲で抵抗値変化率はばらつく。したがって得ら
れる抵抗値変化率は下限で−ｎ−ｄ２％、上限で−ｎ＋
ｄ１％（ｄ１＋ｄ２＝δ）の間でばらつくことになる。 このばらつきは前述したとおり印加電力が大きく、抵抗
値変化を大きくすればする程大きくなり、図９に示すと
おり、−ｍ％に対応する印加電力Ｐ０（−ｍ％）を印加
した時のばらつき＋ｄ３，−ｄ４はかなり大きくなる。

【００５０】したがって発熱抵抗体２４をトリミングす
るに当たって、１回トリミングパルスを印加した後、さ
らにトリミングパルスを印加することにより抵抗値を上
昇させたり、または下降させる必要がある。このような
処理は下記のような手法で実現できることが確認された
。

【００５１】まず１回目のトリミングパルス印加後、さ
らに抵抗値を下降させる場合、前述したアニール効果の
みを進行させればよい。したがって１回目のトリミング
パルスと同一のパルス幅であって、印加電力を所定電力
ΔＰだけ増加させたトリミングパルスを印加する。これ
により発熱抵抗体２４は１回目のトリミングパルス印加
時よりさらに高い温度に到達するため、さらにアニール
効果が進行し抵抗値はさらに下降する。

【００５２】またさらに抵抗値を下降させるには、さら
に印加電力ΔＰだけ電力を増加させてトリミングパルス
の印加を行えばよい。このときパルス幅は比較的短く設
定されるので、上述した酸化現象はほとんど発生しない
が、印加電力ΔＰを過小にすると酸化現象が無視できな
くなり、逆に抵抗値の上昇が発生する場合がある。した
がって前記所定の印加電力ΔＰは、このような条件を総
合的に勘案して決定される。

【００５３】１回目のトリミングパルス印加後に抵抗値
を上昇させる場合、前述した酸化現象のみを進行させれ
ばよく、図２ラインＬ１のような特性を示す図３（１）
図示のような、比較的パルス幅ＷＬ１が長いトリミング
パルスを印加する。これにより発熱抵抗体２４は、１回
目のトリミングパルス印加後の温度より基本的に降温し
、アニール効果はほとんど進行せず、酸化現象のみが進
行する。これにより発熱抵抗体２４の抵抗値を確実に上
昇することができる。またこの時の印加電力Ｐ１を比較
的小さく選ぶことにより、トリミングパルス印加毎の抵
抗値の上昇率をたとえば＋０．１〜０．２％程度など、
微少程度ずつ変化することができ、発熱抵抗体２４の抵
抗値を高精度に制御することができる。

【００５４】また前述したサーマルヘッドの抵抗値ばら
つきのうち、ヘッド間の平均抵抗値のばらつきにのみの
改善であれば、つぎに述べる手法が考えられる。つまり
図９に示すパルス幅一定時の印加電力と抵抗値変化率と
の関係のばらつきが、印加電力を小さくし抵抗値変化率
を小さく押さえた場合には、小さいことを踏まえた上で
、このばらつきが問題にならない程度の印加電力を決め
、サーマルヘッド内のパルスを印加する手法である。

【００５５】各発熱抵抗体２４に同じ条件のパルスを印
加することで、各発熱抵抗体は同じ程度の抵抗値変化率
を示し、そのばらつきが小さいため、トリミング処理前
とほとんど変わらず、ヘッド間の平均抵抗値のばらつき
のみを押さえられる。

【００５６】図１０は本発明に従うトリミング装置４１
のブロック図である。トリミング装置４１は、サーマル
ヘッド２１のヘッド基板２３に装着され、抵抗体層５１
上の共通電極３６と個別電極３７とに発熱抵抗体２４毎
に個別に探針を接触させるプロービング装置４２が設け
られ、プロービング装置４２は、切換手段４３を介して
、抵抗値計測計４４およびトリミングパルス発生部４５
に接続される。抵抗値計測計４４で計測された抵抗値は
、制御装置５１内の変化量演算部４６と、校正曲線を作
成して記憶する校正曲線作成記憶部４７に入力される。

【００５７】前記トリミングパルス発生部４５は、基準
パルス発生部４８を含み、発生された基準パルスはパル
ス幅調整部４９および電圧調整部５０を経ることにより
、後述するようなトリミングパルスとして出力され、前
記切換回路４３およびプロービング装置４２を介して、
選択された発熱抵抗体２４に印加される。

【００５８】図１１はサーマルヘッド２１を製造する全
体の工程を説明する工程図である。図７工程ａ１では、
前記サーマルヘッド２１上に厚膜共通電極層２７や蓄熱
層３５を形成する。工程ａ２では、サーマルヘッド２１
上に発熱抵抗体層３４を形成し、工程ａ３では発熱抵抗
体層３４上に前記共通電極３６および個別電極３７を形
成する。工程ａ４では、詳細は後述するトリミング処理
が行われ、各発熱抵抗体２４毎の抵抗値が均一となるよ
うに調整された後、工程ａ５で耐摩耗層３９が形成され
る。この後、その他の処理を経て、サーマルヘッド２１
が完成する。

【００５９】図１２は本発明の第１の実施例のトリミン
グ処理方法を説明する工程図であり、図１３は図１２の
工程中における校正曲線を作成する方法を説明する工程
図である。図１２工程ｂ１では、図１図示のように発熱
抵抗体２４が配列されたサンプルヘッドを準備し、前述
したようなパルス条件を求める。

【００６０】この処理の詳細を図１３に示される校正曲
線を作成する工程図を参照して説明する。すなわち、サ
ンプルヘッド基板を設定し、これに図１０図示のトリミ
ング装置４１を用いて、トリミングパルスの印加テスト
を行い下記のパルス条件１〜５を求めておく。

【００６１】（条件１）１パルスを印加したとき、抵抗
値が下がるパルス幅ＷＬｄを工程ｃ１で求め、当該パル
ス幅ＷＬｄにおいて、印加電力を種々変更してテストパ
ルスを印加する。このテストパルスの印加による抵抗値
変化率を計測し、図９図示のラインＬ４に示す校正曲線
を得る。この校正曲線より当該パルス幅ＷＬｄにおいて
、抵抗値変化率ΔＲ／Ｒが−１％、−２％、…、−ｎ％
となる印加電力Ｐ０（−１％），Ｐ０（−２％），…，
Ｐ０（−ｎ％）を工程ｃ２にて求める。

【００６２】（条件２）パルス幅ＷＬｄの下で、予め実
験で定められ制御装置４６に制御データとして記憶され
ている前記最大トリミング量−ＤＲ２［％］を工程ｃ３
で読出して決定する。前述したとおり、この最大トリミ
ング量−ＤＲ２［％］は、抵抗値の下降の制御が確実に
行えるたとえば−３０％程度の限界値である。

【００６３】（条件３）上記条件１で求めたパルス幅Ｗ
Ｌｄにおいて、１パルス印加して抵抗値を下降させた後
、さらに抵抗値をｄ１％（例として２〜３％）下げるに
必要な増加電力ΔＰを工程ｃ４で求める。

【００６４】（条件４）１パルス印加したとき抵抗値が
上昇するパルス幅ＷＬｕを工程ｃ５で求め、当該パルス
幅ＷＬｕにおいて印加電力を種々変更したテストパルス
を印加し、これによる抵抗値の変化率を計測し、当該パ
ルス幅ＷＬｕにおいて、抵抗値をｄ２％（例として０．
２〜０．３％）上げるに必要な印加電力Ｐ１を工程ｃ６
で求める。

【００６５】（条件５）予め実験で定められ、制御装置
４６に制御データとして記憶されている前記最小トリミ
ング量−ＤＲ４［％］を工程ｃ７で読出して決定する。

【００６６】図１２工程ｂ２では、プロービング装置４
２をトリミングすべきヘッド基板２３に装着し、発熱抵
抗体２４の初期抵抗値Ｒ０を測定する。

【００６７】すなわち、トリミングすべきヘッド基板２
３に対し、トリミング装置４１を用いて、複数の発熱抵
抗体２４の初期抵抗値Ｒ０を順次測定する。工程ｂ３で
は初期抵抗値Ｒ０の計測が全ドットに亘って終了したか
どうかを判断し、終了していなければ計測作業を続行す
る。工程ｂ３の判断が肯定になると、処理は工程ｂ４に
移る。工程ｂ４では、最大抵抗値Ｒｍａと、最小抵抗値
Ｒｍｉとを算出する。またサーマルヘッド２１の製品の
規格としての平均抵抗値の最大許容値と最小許容値、ま
たはトリミング処理後の製造工程により、サーマルヘッ
ド２１に全体的な抵抗値の変動が生じることが予想され
る場合には、当該変動分を補正した平均抵抗値の最大許
容値Ｒａｕ、最小許容値ＲａＬとを演算し、制御装置４
６に制御データとして記憶しておく。次に、前記最大抵
抗値Ｒｍａと最大トリミング量−ＤＲ２とから、最大ト
リミング処理時における下限値Ｒ４

【００６８】

【数２】Ｒ４＝Ｒｍａ（１００−ＤＲ２）／１００を演
算する。

【００６９】また、前記最小抵抗値Ｒｍｉと最小トリミ
ング量−ＤＲ４とから、最小トリミング処理時における
上限値Ｒ３

【００７０】

【数３】Ｒ３＝Ｒｍｉ（１００−ＤＲ４）／１００を演
算する。

【００７１】工程ｂ５では、対象としている発熱抵抗体
２４毎に、トリミングが可能であるか不可能であるかの
後述するような判断を行う。工程ｂ６でトリミングが不
可能であると判断されれば、当該発熱抵抗体２４を含む
サーマルヘッド２１は不良品となり、別途のサーマルヘ
ッド２１に対して前述の処理を開始する。工程ｂ６の判
断が肯定であれば工程ｂ７で後述するように、目標抵抗
値Ｒｆを決定する。この後、処理は工程ｂ８に移る。

【００７２】工程ｂ８では、必要変化量−ＤＲを演算す
る。すなわち工程ｂ７で決定された目標抵抗値Ｒｆに関
して、

【００７３】

【数４】−ＤＲ＝（Ｒｆ−Ｒ０）／Ｒ０×１００［％］
を演算する。

【００７４】工程ｂ９では、前記必要変化量−ＤＲだけ
抵抗値を下げるために、工程ｂ１で求めた条件１のパル
ス幅ＷＬｄと印加電力Ｐ０（−ＤＲ％）とを求める。工
程ｂ１０では、初期抵抗値Ｒ０と印加電力Ｐ０（−ＤＲ
％）とから印加電圧Ｖ０

【００７５】

【数５】

【００７６】を演算し、これらのデータに基づいて基準
パルス発生部４８で発生された基準パルスがパルス幅調
整部４９および電圧調整部５０で調整された後、切換部
４３およびプロービング装置４２を介して発熱抵抗体２
４に印加される。

【００７７】工程ｂ１１では、切換手段４３は、抵抗値
計測計４４側に切換えられ、１回目のパルス印加後の抵
抗値Ｒが抵抗値計測計４４で計測される。工程ｂ１２で
は、この抵抗値Ｒが目標抵抗値Ｒｆに対して一致したと
見なされる範囲内にあるかどうか、

【００７８】

【数６】｜Ｒ−Ｒｆ｜／Ｒｆ≦ε が成立するかどうかを判断する。工程ｂ１２の判断が肯
定ならば、トリミング処理は終了する。否定であれば工
程ｂ１３に移り、計測された抵抗値Ｒが目標抵抗値Ｒｆ
より大きいか否かを判断する。この判断が否定であれば
、処理は工程ｂ１４に移り、抵抗値を上昇させるための
前述したような比較的パルス幅が長く、かつ印加電力が
低い条件４で求めたパルス幅ＷＬμで印加電力Ｐ１の抵
抗値上昇用のトリミングパルスを印加し、処理を工程ｂ
１１に戻す。

【００７９】工程ｂ１３の判断が肯定であれば処理は工
程ｂ１５に移り、抵抗値を低下させるための前述したよ
うに、パルス幅ＷＬｄを維持し、印加電力を条件３で求
めたΔＰだけ増加させた抵抗値低下用のトリミングパル
スを印加し、工程ｂ１１に戻る。

【００８０】図１５は図１２工程ｂ５〜ｂ７の処理を詳
細に示す工程図であり、図１６は本実施例の作用を説明
する図である。図１５工程ｄ１では、前記上限値Ｒ３と
下限値Ｒ４とで、

【００８１】

【数７】Ｒ４　≦　Ｒ３ が成立するか否かを判断する。成立しない場合は、図１
６（１）の場合であり、下限値Ｒ３および上限値Ｒ４の
大小関係が逆転している場合である。このような場合は
トリミング不可となり、当該サーマルヘッド２１は不良
品と判定される。

【００８２】工程ｄ１の判断が肯定であれば処理は工程
ｄ２へ移り、上限値Ｒ３と最大許容値Ｒａｕとの間に、

【００８３】

【数８】Ｒａｕ　≦　Ｒ３ が成立するかどうかを判断する。この判断が肯定の場合
、処理は工程ｄ３で最大許容値Ｒａｕと下限値Ｒ４との
間で、

【００８４】

【数９】Ｒ４　≦　Ｒａｕ が成立するかどうかを判断する。この判断が否定であれ
ば図１６（２）の場合であり、前記上限値Ｒ３および下
限値Ｒ４のいずれも、サーマルヘッド２１の製品として
の規格を越えており、トリミングが不可能となる。

【００８５】工程ｄ３の判断が肯定のときは、図１６（
４）の場合であり、この場合はトリミング可能であり、
目標抵抗値Ｒｆについて、

【００８６】

【数１０】Ｒｆ　＝　Ｒａｕ と設定し、図１２工程ｂ８に移る。

【００８７】前記工程ｄ２が否定であれば処理は工程ｄ
５に移り、前記上限値Ｒ３と最小許容値ＲａＬとの間で
、

【００８８】

【数１１】ＲａＬ　≦　Ｒ３ が成立するかどうかを判断する。否定の場合には、図１
６（３）の場合であり、前記上限値Ｒ３および下限値Ｒ
４のいずれもサーマルヘッド２１の製品としての規格か
ら外れており、トリミング不可能と判断される。工程ｄ
５の判断が肯定のときは、図１６（５）の場合であり、
処理は工程ｄ６に移り、目標抵抗値Ｒｆについて、

【０
０８９】

【数１２】Ｒｆ　＝　Ｒ３ と設定して、図１２工程ｂ８に移る。

【００９０】以上のようにして本実施例では、目標抵抗
値Ｒｆを自動的に算出してトリミング処理を行うことが
でき、トリミング不可能と判断したサーマルヘッド２１
に関しては、トリミング処理を実行せず、処理を停止す
る。

【００９１】これにより、トリミング中に発熱抵抗体２
４の限界を越えたトリミングパルスが印加されて破壊さ
れるなどの不具合の発生を防止する。またこの効果によ
り、トリミング処理を行ったにも拘わらず、サーマルヘ
ッド２１が破壊されて廃棄されるという時間の無駄を解
消することができる。またトリミング不可能と判断され
たサーマルヘッド２１も発熱抵抗体２４毎の抵抗値にば
らつきが存する以外は良品であり、別途の用途に向ける
などサーマルヘッド２１の製造上の歩留まりが大幅に向
上する。

【００９２】また前記目標抵抗値Ｒｆは、トリミング処
理を行う場合でも抵抗値変化が小さくなるように選ばれ
ており、トリミング処理中に発熱抵抗体２４の特性が不
所望に変化する不都合を可及的に防止するようにしてい
る。

【００９３】前述したように抵抗値を上昇させるための
パルス幅ＷＬμ、印加電力Ｐ１による抵抗値の変化率は
、０．２〜０．３％程度に選ばれており、極めて微少で
ある。このためサーマルヘッド２１における目標抵抗値
への制御性の要求がたとえば±０．３％程度であっても
、高精度に抵抗値のトリミングを実行することができる
。このような処理をヘッド基板２３のすべての発熱抵抗
体２４に対して行えば、ヘッド基板２３間における抵抗
値のバラツキ±０．３％、ヘッド基板２３内の抵抗値の
バラツキ±０．３％、隣接する発熱抵抗体２４間の抵抗
値のバラツキ±０．６％となる高精度に抵抗値が調整さ
れたサーマルヘッド２１を実現できる。

【００９４】図１７は、サーマルヘッドのヘッド間の平
均抵抗値のばらつきのみを抑制し、処理が高速で容易で
ある本発明の第２の実施例のトリミング処理工程を説明
する工程図である。工程ｅ１の詳細は図１８に示され、
詳しくは後述する。工程ｅ２，ｅ３は図１２の工程ｂ２
，ｂ３と同一である。図１７工程ｅ４では各発熱抵抗体
の平均抵抗値Ｒａｖを計算する。この処理に引き続く工
程ｅ５〜ｅ７は、詳しくは図１９を参照して後述する。 工程ｅ８では、工程ｅ７で求めた各発熱抵抗体全体に共
通の抵抗値の必要変化量−ＤＲ％だけ下げるために、後
述する工程ｆ１で求める条件１のパルス幅ＷＬｄと印加
電力Ｐ０（−ＤＲ％）とを求める。工程ｅ９では、各発
熱抵抗体毎の初期抵抗値Ｒ０とこの印加電力Ｐ０（−Ｄ
Ｒ％）より第５式に示される印加電圧Ｖ０

【００９５】

【数５】

【００９６】を演算し印加する。工程ｅ１０では、この
パルス印加処理が全ｄｏｔに亘って終了したか否かを判
断し、終了するまで工程ｅ９のパルス印加処理を繰り返
し、終了すれば他のサーマルヘッドのトリミング処理に
移る。

【００９７】図１８に工程ｅ１の詳細を示すが、図１８
の工程ｆ１，ｆ２，ｆ４は図１３の工程ｃ１，ｃ２，ｃ
７と同一である。工程ｆ３では予め実験で定められ制御
装置４６に制御データとして記憶されている。前記最大
トリミング量を読出して決定するが、ここでの最大トリ
ミング量は、抵抗値変化率のばらつきが小さくて問題に
ならない限界のたとえば−１５％程度の抵抗値変化率−
ＤＲ［％］である。

【００９８】図１９は工程ｅ５〜ｅ７の処理を詳細に説
明する工程図である。工程ｅ４では演算した各発熱抵抗
体の平均抵抗値Ｒａｖと最大トリミング量−ＤＲ３％と
から最大トリミング処理時における平均抵抗値の下限値
Ｒ４、

【００９９】

【数１３】Ｒ４＝Ｒａｖ・（１００−ＤＲ３）／１００
を演算する。

【０１００】また最小トリミング量−ＤＲ４から最小ト
リミング処理時における平均抵抗値の上限値Ｒ３

【０１
０１】

【数１４】Ｒ３＝Ｒａｖ・（１００−ＤＲ４）／１００
を演算する。

【０１０２】この上限値、下限より第１の実施例を同様
にトリミングが可能であるか、不可能であるかの判断を
行う。

【０１０３】工程ｇ１，ｇ２，ｇ４はそれぞれ図１５の
工程ｄ２，ｄ３，ｄ５と同じである。工程ｇ２の判断が
否定であれば、図１６（２）の場合であり、前記上限値
Ｒ３、下限値Ｒ４のいずれもサーマルヘッド２１の製品
としての規格を越えており、トリミングが不可能となる
。

【０１０４】工程ｇ２の判断が肯定であれば、図１６（
４）の場合であり、この場合はトリミング可能であり、
トリミング後の平均抵抗値がＲａｕとなるように必要抵
抗値変化量−ＤＲを定めればよい。すなわち工程ｇ３で
、

【０１０５】

【数１５】

【０１０６】を求め、図１７工程ｅ８へ移る。

【０１０７】工程ｇ４の判断が否定であれば、図１６（
３）の場合であり、前記上限値Ｒ３、下限値Ｒ４のいず
れもサーマルヘッド２１の製品としての規格を越えてお
り、トリミングが不可能となる。

【０１０８】工程ｇ４の判断が否定であれば、図１６（
５）の場合であり、この場合はトリミング可能であり、
トリミング後の平均抵抗値がＲ３となるように抵抗値変
化量−ＤＲを定めればよい。すなわち工程ｇ５で、

【０
１０９】

【数１６】

【０１１０】を求め、図１７工程ｅ８へ移る。

【０１１１】このような第２の実施例では、トリミング
対象となるサーマルヘッド２１の全発熱抵抗体２４の平
均抵抗値Ｒａｖと、前記下限値Ｒ３または最大許容値Ｒ
ａｕとの間の偏差量に基づいて、必要抵抗値変化量−Ｄ
Ｒを得ている。すなわちこの実施例では、全発熱抵抗体
２４に同じ抵抗値変化量−ＤＲを与える条件のパルスを
１回だけ印加することにより、図２０に示すとおり抵抗
値分布の形状はほとんどそのままで、平均抵抗値のみを
変化させる。この時、抵抗値変化量−ＤＲは、トリミン
グ後の平均抵抗値が最適な目標抵抗値Ｒｆと一致するよ
うに選ばれており、前述の実施例で述べた効果と同一の
効果を達成することができる。

【０１１２】前述の実施例では、発熱抵抗体２４毎にト
リミング処理を行うようにしたが、抵抗値計測計４４や
トリミングパルス発生部４５を複数組ずつ備えるように
して、複数の発熱抵抗体２４に対するトリミング処理を
平行して処理するようにしてもよい。また発熱抵抗体２
４の抵抗値を変化させる手段は、前記トリミングパルス
の印加に限らず、たとえばレーザー光を照射して、レー
ザー光強度と照射時間とにより図２に示した校正曲線を
得るようにしてもよい。

【０１１３】

【発明の効果】以上のように本発明に従えば、目標抵抗
値は、最小許容値より大きく、最大許容値より小さい必
要がある。かつ、前記下限値より大きく上限値より小さ
い必要がある。トリミング処理以前の抵抗値が、上記条
件を満足するとき、たとえば、上限値と最大許容値との
小さい方を目標抵抗値に選んでトリミング処理を行う。 前記２つの条件が両立する場合以外の場合は、全てトリ
ミング処理が不可能な場合である。このようにして、適
正な目標値を自動的に決定することができ、使用性に優
れ、かつ製造されるサーマルヘッドの品質を格段に向上
することができる。

【０１１４】また、トリミング不可能と判断されたサー
マルヘッドには一切パルス印加処理を施こさないため、
無駄な処理時間を費やすことがなく、実質的な処理速度
が向上する。

【０１１５】またトリミング不可能と判断されたサーマ
ルヘッドでも、抵抗値ばらつきを除けば良品であり、別
の規格としての最大許容値ばらつきを除けば良品であり
、別の規格としての最大許容値、最小許容値を設定し直
せば、トリミング可能となることもあるので、歩留まり
も大幅に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の対象となるサーマルヘッド２１の断面
図である。

【図２】トリミングパルスのパルス幅を種々変化した際
の印加電力と抵抗値変化率との関係を示すグラフである
。

【図３】比較的長いパルス幅のトリミングパルスの波形
と発熱抵抗体２４の温度の時間変化とを示すグラフであ
る。

【図４】比較的短いパルス幅のトリミングパルスの波形
と発熱抵抗体２４の温度の時間変化を示すグラフである
。

【図５】本発明の作用を説明するグラフである。

【図６】本発明の作用を説明するグラフである。

【図７】本発明の作用を説明するグラフである。

【図８】本発明の作用を説明するグラフである。

【図９】本実施例の作用を説明する校正曲線を示すグラ
フである。

【図１０】トリミング装置４１のブロック図である。

【図１１】サーマルヘッド２１の全体の製造工程を説明
する工程図である。

【図１２】本発明の第１の実施例のトリミング処理を説
明する工程図である。

【図１３】第１の実施例における諸条件を決定する工程
を説明する工程図である。

【図１４】比較的長く、抵抗値が上昇するパルス幅での
印加電力と抵抗値変化率との関係を示すグラフである。

【図１５】第１の実施例のトリミングの可否の判断を説
明する工程図である。

【図１６】本実施例の目標抵抗値Ｒｆを決定する作用を
説明する図である。

【図１７】本発明の第２の実施例のトリミング処理を説
明する工程図である。

【図１８】第２の実施例における諸条件を決定する工程
を説明する工程図である。

【図１９】第２の実施例のトリミングの可否を判断する
処理を説明する工程図である。

【図２０】第２の実施例によるトリミング処理前後の抵
抗値分布の変化を説明する図である。

【符号の説明】

２１　　サーマルヘッド ２３　　ヘッド基板 ２４　　発熱抵抗体 ４１　　トリミング装置 ４４　　抵抗値計測計 ４５　　トリミングパルス発生部 ４７　　校正曲線記憶部 ４９　　パルス幅調整部 ５０　　電力調整部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　サーマルヘッドの電気絶縁性基板上に
   直線状に配列された複数の発熱抵抗体をトリミングする
   方法において、各発熱抵抗体の最大抵抗値と最小抵抗値
   とを計測し、次いで、発熱抵抗体の抵抗値変化曲線にお
   ける最大抵抗値に基づくトリミングの抵抗下限値と、最
   小抵抗値に基づくトリミングの抵抗上限値とを求め、し
   かる後、発熱対抗体のトリミングを行って各発熱抵抗体
   の平均抵抗値を予め定められる最大許容値と最小許容値
   の範囲内に設定したことを特徴とするサーマルヘッドの
   抵抗体トリミング方法。