JPH04249808A - 極微小ピッチ１次元伝導体 - Google Patents
極微小ピッチ１次元伝導体Info
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- JPH04249808A JPH04249808A JP40945790A JP40945790A JPH04249808A JP H04249808 A JPH04249808 A JP H04249808A JP 40945790 A JP40945790 A JP 40945790A JP 40945790 A JP40945790 A JP 40945790A JP H04249808 A JPH04249808 A JP H04249808A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、極微小ピッチ１次元
伝導体に関するものである。さらに詳しくは、この発明
は、液晶ディスプレイ装置の液晶エレクトロニクス素子
とその駆動電子回路を結ぶコネクタ等、広く電子工学分
野に有用な極微小ピッチ１次元伝導体に関するものであ
る。
伝導体に関するものである。さらに詳しくは、この発明
は、液晶ディスプレイ装置の液晶エレクトロニクス素子
とその駆動電子回路を結ぶコネクタ等、広く電子工学分
野に有用な極微小ピッチ１次元伝導体に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶エレクトロニクス素子（以下
、液晶素子と記載する）の研究、開発が急速に進歩しつ
つあり、時計、電卓、家電、ＡＶ機器等の民生機器をは
じめ、各種計測、計装機器等の産業機器の多くが、液晶
ディスプレイ素子（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄ
ｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）を用いた液晶画
面表示を採用している。
、液晶素子と記載する）の研究、開発が急速に進歩しつ
つあり、時計、電卓、家電、ＡＶ機器等の民生機器をは
じめ、各種計測、計装機器等の産業機器の多くが、液晶
ディスプレイ素子（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄ
ｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）を用いた液晶画
面表示を採用している。
【０００３】このＬＣＤに代表されるような液晶素子は
、他の類似素子に比べてはるかに薄形、軽量であり、し
かも動作電圧および消費電力が極めて低いため、その駆
動電子回路等を含め、システム全体を大幅に小型化する
ことができるという特徴を有している。このため、画面
表示機能を有する各種機器の小型、軽量化に対する液晶
ディスプレイの応用展開は今後ますます発展していくで
あろうと考えられる。
、他の類似素子に比べてはるかに薄形、軽量であり、し
かも動作電圧および消費電力が極めて低いため、その駆
動電子回路等を含め、システム全体を大幅に小型化する
ことができるという特徴を有している。このため、画面
表示機能を有する各種機器の小型、軽量化に対する液晶
ディスプレイの応用展開は今後ますます発展していくで
あろうと考えられる。
【０００４】しかしながら、液晶ディスプレイ装置の小
型化を更に追求する場合、その表示画面の画質（たとえ
ば、コントラストや視認性等）を高水準に維持すること
が困難となる。たとえば、液晶テレビ受像機のような液
晶画面にキャラクタを表示する場合には、通常、多重マ
トリクス電極駆動方式とよばれる方法によって各ＬＣＤ
を駆動させているが、この方法で、表示容量をＮ倍に増
大するには、その増大分だけＮ倍の駆動回路とＮ倍の端
子接続数を必要とする。
型化を更に追求する場合、その表示画面の画質（たとえ
ば、コントラストや視認性等）を高水準に維持すること
が困難となる。たとえば、液晶テレビ受像機のような液
晶画面にキャラクタを表示する場合には、通常、多重マ
トリクス電極駆動方式とよばれる方法によって各ＬＣＤ
を駆動させているが、この方法で、表示容量をＮ倍に増
大するには、その増大分だけＮ倍の駆動回路とＮ倍の端
子接続数を必要とする。
【０００５】このため、装置全体の小型化と表示容量の
増大を両立させるためには、ＬＣＤ駆動電極構造および
電子回路の精致化、微細化とともに、これらを接続する
コネクタの微小化も不可欠の要因となっている。従来よ
り、液晶素子と駆動電子回路を電気的に接続するには、
たとえばピンコネクタ、エラスティックコネクタ、ある
いはフレキシブルコネクタ等が用いられているが、これ
らのコネクタは、１ｍｍあたり数十本の被覆伝導体を備
えているにすぎず、上記のような目的を達成するにはほ
ど遠いのが現状である。また、今後、半導体の技術を用
いたとしてもこの伝導体の太さは、せいぜいサブミクロ
ン単位である。
増大を両立させるためには、ＬＣＤ駆動電極構造および
電子回路の精致化、微細化とともに、これらを接続する
コネクタの微小化も不可欠の要因となっている。従来よ
り、液晶素子と駆動電子回路を電気的に接続するには、
たとえばピンコネクタ、エラスティックコネクタ、ある
いはフレキシブルコネクタ等が用いられているが、これ
らのコネクタは、１ｍｍあたり数十本の被覆伝導体を備
えているにすぎず、上記のような目的を達成するにはほ
ど遠いのが現状である。また、今後、半導体の技術を用
いたとしてもこの伝導体の太さは、せいぜいサブミクロ
ン単位である。
【０００６】このような観点から、接続配線としての１
次元伝導体の実現が強く望まれている。この発明は、以
上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、従来の液
晶素子と電子回路との接続配線の課題を解消し、微細、
高密度配線を可能とする極微小ピッチ１次元伝導体を提
供することを目的としている。
次元伝導体の実現が強く望まれている。この発明は、以
上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、従来の液
晶素子と電子回路との接続配線の課題を解消し、微細、
高密度配線を可能とする極微小ピッチ１次元伝導体を提
供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、磁場中で一方向に配向させた、
少なくともそのアミノ末端もしくはカルボキシル末端近
傍に伝導性金属あるいは半導体原子を共有結合または水
素結合により配置した原核生物のべん毛の単体を重合さ
せた極微小被覆伝導体と、これを支える基盤とからなる
ことを特徴とする極微小ピッチ１次元伝導体を提供する
。
を解決するものとして、磁場中で一方向に配向させた、
少なくともそのアミノ末端もしくはカルボキシル末端近
傍に伝導性金属あるいは半導体原子を共有結合または水
素結合により配置した原核生物のべん毛の単体を重合さ
せた極微小被覆伝導体と、これを支える基盤とからなる
ことを特徴とする極微小ピッチ１次元伝導体を提供する
。
【０００８】また、この発明は、原核生物のべん毛がサ
ルモネラ菌のべん毛であることを好ましい態様としても
いる。以下、この発明の原理および構成について詳しく
説明する。この発明の極微小ピッチ１次元伝導体は、原
核生物のべん毛のタンパク質単位が有するユニークな特
性、すなわち自己集合性、アミノ酸配列特性、およびそ
の磁場配向性等を用いて作製することを特徴としている
。
ルモネラ菌のべん毛であることを好ましい態様としても
いる。以下、この発明の原理および構成について詳しく
説明する。この発明の極微小ピッチ１次元伝導体は、原
核生物のべん毛のタンパク質単位が有するユニークな特
性、すなわち自己集合性、アミノ酸配列特性、およびそ
の磁場配向性等を用いて作製することを特徴としている
。
【０００９】べん毛は、フラジェリンと呼ばれるタンパ
ク質単体が集合したらせん状のフィラメントであり、内
部を貫通する直径６ｎｍの中心孔を有している。また全
体の直径は約２０ｎｍと極微細であるが、長さ方向には
制限がなく、通常は、菌体の数倍（数十μｍ）の長さを
有している。この発明の発明者は、このべん毛の構成単
位であるフラジェリンが、添付した図面の図１にその正
断面図を示したように、３つのドメイン（Ｄ１，Ｄ２，
Ｄ３）からなっており、このうち最も中心方向に位置し
、中心孔を形成するＤ１領域がべん毛の自己集合的な形
成に関与することを既に見い出している。また、各ドメ
インとアミノ酸配列との対応づけを行なった結果、Ｄ１
領域は、ポリペプチド鎖の両末端、すなわちアミノ末端
とカルボキシル末端とからなることをも見い出した。さ
らにこの発明の発明者は、べん毛のタンパク質単体は、
磁場配向性を有し、磁場中では一方向に平行に配向する
ことを見い出してもいる。
ク質単体が集合したらせん状のフィラメントであり、内
部を貫通する直径６ｎｍの中心孔を有している。また全
体の直径は約２０ｎｍと極微細であるが、長さ方向には
制限がなく、通常は、菌体の数倍（数十μｍ）の長さを
有している。この発明の発明者は、このべん毛の構成単
位であるフラジェリンが、添付した図面の図１にその正
断面図を示したように、３つのドメイン（Ｄ１，Ｄ２，
Ｄ３）からなっており、このうち最も中心方向に位置し
、中心孔を形成するＤ１領域がべん毛の自己集合的な形
成に関与することを既に見い出している。また、各ドメ
インとアミノ酸配列との対応づけを行なった結果、Ｄ１
領域は、ポリペプチド鎖の両末端、すなわちアミノ末端
とカルボキシル末端とからなることをも見い出した。さ
らにこの発明の発明者は、べん毛のタンパク質単体は、
磁場配向性を有し、磁場中では一方向に平行に配向する
ことを見い出してもいる。
【００１０】この発明は、以上の通りの極めて重要な知
見に基づいてなされたものである。すなわち、べん毛の
フラジェリンをモノマー化し、そのＤ１領域を構成する
アミノ末端またはカルボキシル末端に伝導物質を化学結
合させ、次いでこれらのフラジェリンを自己集合的に重
合させてべん毛を再構成させれば、その中心孔の内周面
に伝導体帯が形成される。この伝導体帯は、絶縁体であ
るフラジェリンによって完全に被覆されるため、約２０
ｎｍの直径を有する数十μｍの極微小被覆伝導体を作製
することができる。
見に基づいてなされたものである。すなわち、べん毛の
フラジェリンをモノマー化し、そのＤ１領域を構成する
アミノ末端またはカルボキシル末端に伝導物質を化学結
合させ、次いでこれらのフラジェリンを自己集合的に重
合させてべん毛を再構成させれば、その中心孔の内周面
に伝導体帯が形成される。この伝導体帯は、絶縁体であ
るフラジェリンによって完全に被覆されるため、約２０
ｎｍの直径を有する数十μｍの極微小被覆伝導体を作製
することができる。
【００１１】次いで、このように伝導体帯を結合したべ
ん毛を数％の溶液とし、基盤上に塗布して磁場中に置き
乾燥させれば、伝導物質を有する各フラジェリンはその
磁場配向性により磁場方向を軸に、平行して配向するた
め、極微小ピッチの１次元被覆伝導体が完成する。なお
、フラジェリンを構成する各ドメインのうち、Ｄ１領域
のアミノ酸配列は広範囲の原核生物のべん毛でほぼ共通
しているため、この発明においては広範囲の原核生物の
べん毛を使用することができるが、なかでもサルモネラ
菌のべん毛、特にその直線型ミュータントは、この発明
に供するべん毛として特に好ましい。
ん毛を数％の溶液とし、基盤上に塗布して磁場中に置き
乾燥させれば、伝導物質を有する各フラジェリンはその
磁場配向性により磁場方向を軸に、平行して配向するた
め、極微小ピッチの１次元被覆伝導体が完成する。なお
、フラジェリンを構成する各ドメインのうち、Ｄ１領域
のアミノ酸配列は広範囲の原核生物のべん毛でほぼ共通
しているため、この発明においては広範囲の原核生物の
べん毛を使用することができるが、なかでもサルモネラ
菌のべん毛、特にその直線型ミュータントは、この発明
に供するべん毛として特に好ましい。
【００１２】次に、この発明の極微小ピッチ１次元伝導
体の作製方法について具体的に説明する。 （１） フラジェリンの調整 べん毛の構成単位であるフラジェリンは、遺伝子工学に
より合成することができるが、サルモネラ菌等のバクテ
リアのべん毛から常法に従い抽出、調整することができ
る。たとえば、培養したバクテリアをＴｒｉｓ２０ｍＭ
（ｐＨ７．８）＋ＮａＣｌ ０．１５Ｍからなる緩衝液
中で遠心分離し、そのべん毛を回収する。次いで、これ
らのべん毛を６５℃の温度で１０分間熱処理することに
より、モノマー化したフラジェリンが得られる。
体の作製方法について具体的に説明する。 （１） フラジェリンの調整 べん毛の構成単位であるフラジェリンは、遺伝子工学に
より合成することができるが、サルモネラ菌等のバクテ
リアのべん毛から常法に従い抽出、調整することができ
る。たとえば、培養したバクテリアをＴｒｉｓ２０ｍＭ
（ｐＨ７．８）＋ＮａＣｌ ０．１５Ｍからなる緩衝液
中で遠心分離し、そのべん毛を回収する。次いで、これ
らのべん毛を６５℃の温度で１０分間熱処理することに
より、モノマー化したフラジェリンが得られる。
【００１３】（２） 伝導物質の結合個々のフラジェ
リンのＤ１領域を構成するタンパク質のアミノ末端また
はカルボキシル末端に、金属または半導体の原子あるい
は化合物を、公知の化学反応により結合させる。 （３） べん毛の再構成 伝導物質を結合したフラジェリン溶液に硫酸アンモニウ
ムを添加し、フラジェリンを自己集合的に重合させ、べ
ん毛を再構成する。
リンのＤ１領域を構成するタンパク質のアミノ末端また
はカルボキシル末端に、金属または半導体の原子あるい
は化合物を、公知の化学反応により結合させる。 （３） べん毛の再構成 伝導物質を結合したフラジェリン溶液に硫酸アンモニウ
ムを添加し、フラジェリンを自己集合的に重合させ、べ
ん毛を再構成する。
【００１４】なお、この場合に、再構成されるべん毛の
長さは、緩衝液中のフラジェリンの濃度と、これに添加
する硫酸アンモニウムの濃度により決定され、たとえば
３〜１０ｍｇ／ｍｌのフラジェリン溶液に１Ｍ硫酸アン
モニウムを添加した場合、数分間で約０．５μｍのべん
毛が形成されるが、硫酸アンモニウム０．５Ｍ、フラジ
ェリン１ｍｇ／ｍｌ以下では１０〜１００μｍのべん毛
形成に１０時間以上を必要とする。
長さは、緩衝液中のフラジェリンの濃度と、これに添加
する硫酸アンモニウムの濃度により決定され、たとえば
３〜１０ｍｇ／ｍｌのフラジェリン溶液に１Ｍ硫酸アン
モニウムを添加した場合、数分間で約０．５μｍのべん
毛が形成されるが、硫酸アンモニウム０．５Ｍ、フラジ
ェリン１ｍｇ／ｍｌ以下では１０〜１００μｍのべん毛
形成に１０時間以上を必要とする。
【００１５】従って、このべん毛の再構成は、各々の最
終濃度が１〜１０ｍｇ／ｍｌのフラジェリン溶液に０．
５〜２Ｍの硫酸アンモニウムを添加するのが好ましい。 最後に、緩衝液をＴｒｉｓ ２０ｍＭ（ｐＨ７．８）＋
ＮａＣｌ ０．１５ＭおよびＧｌｙ ０．２Ｍ（ｐＨ８
．０）等に交換することにより、べん毛の中心孔の壁面
に伝導物質を連続的に有する極微小被覆伝導体が完成す
る。
終濃度が１〜１０ｍｇ／ｍｌのフラジェリン溶液に０．
５〜２Ｍの硫酸アンモニウムを添加するのが好ましい。 最後に、緩衝液をＴｒｉｓ ２０ｍＭ（ｐＨ７．８）＋
ＮａＣｌ ０．１５ＭおよびＧｌｙ ０．２Ｍ（ｐＨ８
．０）等に交換することにより、べん毛の中心孔の壁面
に伝導物質を連続的に有する極微小被覆伝導体が完成す
る。
【００１６】（４） べん毛の溶液化と磁場中での乾
燥上記の通り作製した伝導体帯を有するべん毛を、Ｇｌ
ｙ ０．２Ｍ（ｐＨ８．０）＋硫酸アンモニウム１０ｍ
Ｍ中に懸濁し、溶液とする。次いでこの溶液を基盤上に
滴下し、この基盤を表面が磁場と平行になるように磁場
中に置き、溶液を乾燥させる。なお、その際には、乾燥
まで１時間程度を要するように、高湿度下で行なうよう
にする。
燥上記の通り作製した伝導体帯を有するべん毛を、Ｇｌ
ｙ ０．２Ｍ（ｐＨ８．０）＋硫酸アンモニウム１０ｍ
Ｍ中に懸濁し、溶液とする。次いでこの溶液を基盤上に
滴下し、この基盤を表面が磁場と平行になるように磁場
中に置き、溶液を乾燥させる。なお、その際には、乾燥
まで１時間程度を要するように、高湿度下で行なうよう
にする。
【００１７】このようにして、基盤上に極微小ピッチの
１次元伝導体が完成するが、各伝導体の被覆はタンパク
質であるので、端部を圧着すれば電極端子等との電気的
接合を容易に得ることができる。もちろん、この発明の
極微小ピッチ１次元伝導体は、その用途が液晶素子と電
子回路とのコネクタに限定されるわけではなく、たとえ
ば電子回路内部の配線等、様々な使用が可能であること
は言うまでもない。
１次元伝導体が完成するが、各伝導体の被覆はタンパク
質であるので、端部を圧着すれば電極端子等との電気的
接合を容易に得ることができる。もちろん、この発明の
極微小ピッチ１次元伝導体は、その用途が液晶素子と電
子回路とのコネクタに限定されるわけではなく、たとえ
ば電子回路内部の配線等、様々な使用が可能であること
は言うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】以上、詳しく説明した通り、この発明に
よって、たとえば液晶素子と駆動電子回路とを高密度で
電気的に接続することのできる極微小ピッチ１次元伝導
体が提供される。
よって、たとえば液晶素子と駆動電子回路とを高密度で
電気的に接続することのできる極微小ピッチ１次元伝導
体が提供される。
【図１】第１図は、この発明の極微小ピッチ１次元伝導
体に用いる原核生物のべん毛の正断面図であり、図中の
白抜き部分は、べん毛の構成単位であるフラジェリンの
形状およびその各ドメイン（Ｄ１，Ｄ２およびＤ３）を
示したものである。
体に用いる原核生物のべん毛の正断面図であり、図中の
白抜き部分は、べん毛の構成単位であるフラジェリンの
形状およびその各ドメイン（Ｄ１，Ｄ２およびＤ３）を
示したものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 磁場中で一方向に配向させた、少なく
ともそのアミノ末端もしくはカルボキシル末端近傍に伝
導性金属あるいは半導体原子を共有結合または水素結合
により配置した原核生物のべん毛の単体を重合させた極
微小被覆伝導体と、これを支える基盤とからなることを
特徴とする極微小ピッチ１次元伝導体。 - 【請求項２】 原核生物のべん毛が、サルモネラ菌の
べん毛である請求項１記載の極微小ピッチ１次元伝導体
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40945790A JPH04249808A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 極微小ピッチ１次元伝導体 |
| JP29309291A JPH05279393A (ja) | 1990-12-28 | 1991-11-08 | 極細線構造の形成方法 |
| EP19910312089 EP0493137B1 (en) | 1990-12-28 | 1991-12-30 | A method for forming ultra-fine structures |
| DE1991630251 DE69130251T2 (de) | 1990-12-28 | 1991-12-30 | Verfahren zur Bildung ultrafeiner Strukturen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40945790A JPH04249808A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 極微小ピッチ１次元伝導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249808A true JPH04249808A (ja) | 1992-09-04 |
Family
ID=18518793
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40945790A Pending JPH04249808A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 極微小ピッチ１次元伝導体 |
| JP29309291A Pending JPH05279393A (ja) | 1990-12-28 | 1991-11-08 | 極細線構造の形成方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29309291A Pending JPH05279393A (ja) | 1990-12-28 | 1991-11-08 | 極細線構造の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPH04249808A (ja) |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP40945790A patent/JPH04249808A/ja active Pending
-
1991
- 1991-11-08 JP JP29309291A patent/JPH05279393A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05279393A (ja) | 1993-10-26 |
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