JPH04247730A - 受光素子アレイ - Google Patents
受光素子アレイInfo
- Publication number
- JPH04247730A JPH04247730A JP3013171A JP1317191A JPH04247730A JP H04247730 A JPH04247730 A JP H04247730A JP 3013171 A JP3013171 A JP 3013171A JP 1317191 A JP1317191 A JP 1317191A JP H04247730 A JPH04247730 A JP H04247730A
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- JP
- Japan
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- photodiode
- fet
- voltage
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- Prior art date
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- Granted
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は受光素子アレイに関し、
特に並列光伝送用のフォトダイオードを用いた受光素子
アレイに関する。
特に並列光伝送用のフォトダイオードを用いた受光素子
アレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の受光素子アレイは、直線
状に配列された複数のフォトアヂオードアレイと、外部
に接続された回路部から構成されていた。図２は、従来
の受光素子アレイの１チャネル分の構成例を示す回路図
である。フォトダイオード１には、カソードの出力電流
を電圧に変換するための負荷抵抗２と、その電圧をイン
ピーダンスを下げて次段に伝達するためのエミッタフォ
ロア回路を構成するトランジスタ３と、エミッタ抵抗４
とを有していた。
状に配列された複数のフォトアヂオードアレイと、外部
に接続された回路部から構成されていた。図２は、従来
の受光素子アレイの１チャネル分の構成例を示す回路図
である。フォトダイオード１には、カソードの出力電流
を電圧に変換するための負荷抵抗２と、その電圧をイン
ピーダンスを下げて次段に伝達するためのエミッタフォ
ロア回路を構成するトランジスタ３と、エミッタ抵抗４
とを有していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の受光素
子アレイは、フォトダイオードのアノード電極から、外
部に接続された負荷抵抗２までの距離が離れているため
、インピーダンスが高く振幅の小さいフォトダイオード
の出力信号が、外来雑音の影響を受けてＳＮ比が劣化す
る欠点を持っていた。
子アレイは、フォトダイオードのアノード電極から、外
部に接続された負荷抵抗２までの距離が離れているため
、インピーダンスが高く振幅の小さいフォトダイオード
の出力信号が、外来雑音の影響を受けてＳＮ比が劣化す
る欠点を持っていた。
【０００４】特に、アレイ状に受光素子を集積したとき
、隣接するチャネル間で信号の回り込み（クロストーク
）が生じるという欠点があった。さらに、フォトダイオ
ードに受信信号光が入力されているかどうか、即ち送信
側からの光フォイバが接続されているかどうかを検出す
る手段がない点も欠点であった。
、隣接するチャネル間で信号の回り込み（クロストーク
）が生じるという欠点があった。さらに、フォトダイオ
ードに受信信号光が入力されているかどうか、即ち送信
側からの光フォイバが接続されているかどうかを検出す
る手段がない点も欠点であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の受光素子アレイ
は、アレイ状に配列したｎ個（ｎは２以上の整数）のフ
ォトダイオードとｎ個の電界効果トランジスタのＦＥＴ
とｎ個の抵抗素子とを集積化して構成される受光素子ア
レイにおいて、前記フォトダイオードのカソード電極の
それぞれが抵抗器を介して一方の電源端子に接続され、
前記フォトダイオードのアノード電極が前記ＦＥＴのゲ
ート電極および前記抵抗素子の一端と接続され、前記抵
抗素子の他端がそれぞれ他方の電源端子に接続され、前
記ＦＥＴのソース電極がそれぞれの出力端子に接続され
、前記ＦＥＴのドレイン電極のそれぞれが前記一方の電
源端子と接続される。
は、アレイ状に配列したｎ個（ｎは２以上の整数）のフ
ォトダイオードとｎ個の電界効果トランジスタのＦＥＴ
とｎ個の抵抗素子とを集積化して構成される受光素子ア
レイにおいて、前記フォトダイオードのカソード電極の
それぞれが抵抗器を介して一方の電源端子に接続され、
前記フォトダイオードのアノード電極が前記ＦＥＴのゲ
ート電極および前記抵抗素子の一端と接続され、前記抵
抗素子の他端がそれぞれ他方の電源端子に接続され、前
記ＦＥＴのソース電極がそれぞれの出力端子に接続され
、前記ＦＥＴのドレイン電極のそれぞれが前記一方の電
源端子と接続される。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の回路図である。
る。図１は本発明の一実施例の回路図である。
【０００７】本実施例の発光ダイオードアレイにおいて
、アレイ状に配列したｎ個（ｎは２以上の整数）のフォ
トダイオード１１は、各々のカソード電極が一括接続さ
れた後、抵抗器２０を介して電源端子１５に接続され、
アノード端子はＦＥＴ１３のゲート端子および負荷抵抗
１２の端子Ａと接続されている。負荷抵抗１２の他方の
端子Ｂは一括接続された後、接地側の電源端子１６に接
続されている。ＦＥＴ１３のソース電極はそれぞれ独立
した外部端子１７，１８に接続される。ＦＥＴ１３の各
々のドレイン電極は一括接続された後、電源端子１５に
接続されている。
、アレイ状に配列したｎ個（ｎは２以上の整数）のフォ
トダイオード１１は、各々のカソード電極が一括接続さ
れた後、抵抗器２０を介して電源端子１５に接続され、
アノード端子はＦＥＴ１３のゲート端子および負荷抵抗
１２の端子Ａと接続されている。負荷抵抗１２の他方の
端子Ｂは一括接続された後、接地側の電源端子１６に接
続されている。ＦＥＴ１３のソース電極はそれぞれ独立
した外部端子１７，１８に接続される。ＦＥＴ１３の各
々のドレイン電極は一括接続された後、電源端子１５に
接続されている。
【０００８】このようにすると、外部端子１７〜１８に
は、次段の入力抵抗１４が各チャネルごとに接続され、
増幅回路の入力となる。フォトダイオード１１の出力電
流は、集積化された負荷抵抗１２で電圧に変換され、Ｆ
ＥＴ１３のソースフォロア回路によって低インピーダン
ス信号として外部端子１７〜８に出力される。即ち、イ
ンピーダンスの高いフォトダイオード１１のアノード端
子は、集積化されたアレイ素子の内部で処理されるため
、外乱を受けにくい。さらにＦＥＴ１３は、通常のバイ
ポーラトランジスタに比べて入力インピーダンスが高い
ため、フォトダイオード１１の負荷抵抗を高くすること
がでる。その結果、フォトダイオードの出力信号を効率
よく次段に伝達できる。さらに、抵抗器２０の電圧降下
を検出することで、フォトダイオードに送信側からの光
ファイバが接続されているかどうかが検出できる。
は、次段の入力抵抗１４が各チャネルごとに接続され、
増幅回路の入力となる。フォトダイオード１１の出力電
流は、集積化された負荷抵抗１２で電圧に変換され、Ｆ
ＥＴ１３のソースフォロア回路によって低インピーダン
ス信号として外部端子１７〜８に出力される。即ち、イ
ンピーダンスの高いフォトダイオード１１のアノード端
子は、集積化されたアレイ素子の内部で処理されるため
、外乱を受けにくい。さらにＦＥＴ１３は、通常のバイ
ポーラトランジスタに比べて入力インピーダンスが高い
ため、フォトダイオード１１の負荷抵抗を高くすること
がでる。その結果、フォトダイオードの出力信号を効率
よく次段に伝達できる。さらに、抵抗器２０の電圧降下
を検出することで、フォトダイオードに送信側からの光
ファイバが接続されているかどうかが検出できる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の受光素子ア
レイは、フォトダイオードの出力電流を電圧に変換する
負荷抵抗と、その電圧を低インピーダンスで次段に伝達
するためのＦＥＴとを有することにより、フォトダイオ
ードの出力信号のＳＮ比の劣化を防止する効果がある。 また、フォトダイオードに流れる電流を検出するための
抵抗器を内蔵しているので、送信側からの光ファイバが
接続されているかどうかが検出できる効果もある。
レイは、フォトダイオードの出力電流を電圧に変換する
負荷抵抗と、その電圧を低インピーダンスで次段に伝達
するためのＦＥＴとを有することにより、フォトダイオ
ードの出力信号のＳＮ比の劣化を防止する効果がある。 また、フォトダイオードに流れる電流を検出するための
抵抗器を内蔵しているので、送信側からの光ファイバが
接続されているかどうかが検出できる効果もある。
【図１】本発明の一実施例の回路図である。
【図２】従来の受光素子アレイの一例の回路図である。
１１ フォトダイオード
１２ 負荷抵抗
１３ 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）１４
入力抵抗 １５，１６ 電源端子 １７，１８ 外部端子 ２０ 抵抗器
入力抵抗 １５，１６ 電源端子 １７，１８ 外部端子 ２０ 抵抗器
Claims (1)
- 【請求項１】 アレイ状に配列したｎ個（ｎは２以上
の整数）のフォトダイオードとｎ個の電界効果トランジ
スタのＦＥＴとｎ個の抵抗素子とを集積化して構成され
る受光素子アレイにおいて、前記フォトダイオードのカ
ソード電極のそれぞれが抵抗器を介して一方の電源端子
に接続され、前記フォトダイオードのアノード電極が前
記ＦＥＴのゲート電極および前記抵抗素子の一端と接続
され、前記抵抗素子の他端がそれぞれ他方の電源端子に
接続され、前記ＦＥＴのソース電極がそれぞれの出力端
子に接続され、前記ＦＥＴのドレイン電極のそれぞれが
前記一方の電源端子と接続されることを特徴とする受光
素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3013171A JP2697319B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 受光素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3013171A JP2697319B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 受光素子アレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247730A true JPH04247730A (ja) | 1992-09-03 |
| JP2697319B2 JP2697319B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=11825736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3013171A Expired - Lifetime JP2697319B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 受光素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2697319B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP3013171A patent/JP2697319B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2697319B2 (ja) | 1998-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970819 |