JPH04239791A - 回折格子の製造方法 - Google Patents
回折格子の製造方法Info
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- JPH04239791A JPH04239791A JP3021379A JP2137991A JPH04239791A JP H04239791 A JPH04239791 A JP H04239791A JP 3021379 A JP3021379 A JP 3021379A JP 2137991 A JP2137991 A JP 2137991A JP H04239791 A JPH04239791 A JP H04239791A
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- JP
- Japan
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- diffraction grating
- resist
- glass substrate
- wafer
- groove
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、回折格子の製造方法
に関し、特に分布帰還型レーザダイオード（Ｄｉｓｔｒ
ｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｌａｓｅｒ
Ｄｉｏｄｅ；ＤＦＢ−ＬＤ）の回折格子の製造方法に関
するものである。
に関し、特に分布帰還型レーザダイオード（Ｄｉｓｔｒ
ｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｌａｓｅｒ
Ｄｉｏｄｅ；ＤＦＢ−ＬＤ）の回折格子の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の２光束干渉露光法による回
折格子の製造方法を示す模式図である。図において、（
１）は回折格子を形成する基板としてのウエハ、（２）
はそのウエハ（１）上に被覆された感光材料からなるレ
ジスト、（３）はレーザ光（４）を出射するレーザ装置
、（５）はレーザ光（４）を２光束のレーザ光（４ａ）
、（４ｂ）に分岐するビームスプリッタ、（６ａ）、（
６ｂ）はそのレーザ光（４ａ）、（４ｂ）を平行光に変
換するコリメートレンズ、（７ａ）、（７ｂ）は全反射
ミラーである。
折格子の製造方法を示す模式図である。図において、（
１）は回折格子を形成する基板としてのウエハ、（２）
はそのウエハ（１）上に被覆された感光材料からなるレ
ジスト、（３）はレーザ光（４）を出射するレーザ装置
、（５）はレーザ光（４）を２光束のレーザ光（４ａ）
、（４ｂ）に分岐するビームスプリッタ、（６ａ）、（
６ｂ）はそのレーザ光（４ａ）、（４ｂ）を平行光に変
換するコリメートレンズ、（７ａ）、（７ｂ）は全反射
ミラーである。
【０００３】次に、図３に示した従来の回折格子の製造
方法について説明する。まづ、ウエハ（１）は感光材料
からなるレジスト（２）が被覆される。つぎに、レーザ
装置（３）から出射されたレーザ光（４）は、ビームス
プリッタ（５）によりレーザ光（４ａ）（４ｂ）の２光
束に分岐される。そのレーザ光（４ａ）、（４ｂ）は、
それぞれコリメートレンズ（６ａ）、（６ｂ）で平行光
に変換されたのち全反射ミラー（７ａ）、（７ｂ）で反
射され、ウエハ（１）上に照射される。ウエハ（１）上
では、ウエハ（１）の法線とレーザ光（４ａ）、（４ｂ
）との角度をθ、レーザ光（４）の波長をλとするとλ
／２ｓｉｎθの周期をもつ干渉縞が形成される。したが
って、レジスト（２）上にλ／２ｓｉｎθの周期をもつ
回折格子パターンの潜像が形成される。つぎに、そのウ
エハ（１）を一般的な写真製版のプロセスによりレジス
ト（２）を定着すると、格子パターン状のレジスト（２
）が形成される。さらに、その格子パターン状のレジス
ト（２）をマスクとしてエッチング処理を施してウエハ
（１）を格子状にエッチングしたのち、レジスト（２）
を除去することによりウエハ（１）上に回折格子を形成
している。ここで、３５１１Åの波長をもつＡｒイオン
レーザ光を用い、角度θを６０度と設定すると、２０２
７Åの周期の回折格子が形成される。さらに、角度θを
変えることにより、回折格子の周期はλ／２から∞の値
を取ることができる。
方法について説明する。まづ、ウエハ（１）は感光材料
からなるレジスト（２）が被覆される。つぎに、レーザ
装置（３）から出射されたレーザ光（４）は、ビームス
プリッタ（５）によりレーザ光（４ａ）（４ｂ）の２光
束に分岐される。そのレーザ光（４ａ）、（４ｂ）は、
それぞれコリメートレンズ（６ａ）、（６ｂ）で平行光
に変換されたのち全反射ミラー（７ａ）、（７ｂ）で反
射され、ウエハ（１）上に照射される。ウエハ（１）上
では、ウエハ（１）の法線とレーザ光（４ａ）、（４ｂ
）との角度をθ、レーザ光（４）の波長をλとするとλ
／２ｓｉｎθの周期をもつ干渉縞が形成される。したが
って、レジスト（２）上にλ／２ｓｉｎθの周期をもつ
回折格子パターンの潜像が形成される。つぎに、そのウ
エハ（１）を一般的な写真製版のプロセスによりレジス
ト（２）を定着すると、格子パターン状のレジスト（２
）が形成される。さらに、その格子パターン状のレジス
ト（２）をマスクとしてエッチング処理を施してウエハ
（１）を格子状にエッチングしたのち、レジスト（２）
を除去することによりウエハ（１）上に回折格子を形成
している。ここで、３５１１Åの波長をもつＡｒイオン
レーザ光を用い、角度θを６０度と設定すると、２０２
７Åの周期の回折格子が形成される。さらに、角度θを
変えることにより、回折格子の周期はλ／２から∞の値
を取ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の回折格子の製造
方法は以上のように行われているので、レーザ光（４）
を２つの光路に分岐しなければならず、装置が大がかり
となり、光学系が機械的振動の影響を受け易くなり、干
渉パターンが乱れて露光のコントラストが低下して回折
格子の形状が乱れるという課題があり、また、セットア
ップ時の調整に多大の時間を要するという課題があった
。この発明は、上記のような課題を解決するためになさ
れたもので、装置構成を簡便にでき、機械的振動の影響
を受けにくくできるとともに、調整時間を短時間にでき
る回折格子の製造方法を得ることを目的とする。
方法は以上のように行われているので、レーザ光（４）
を２つの光路に分岐しなければならず、装置が大がかり
となり、光学系が機械的振動の影響を受け易くなり、干
渉パターンが乱れて露光のコントラストが低下して回折
格子の形状が乱れるという課題があり、また、セットア
ップ時の調整に多大の時間を要するという課題があった
。この発明は、上記のような課題を解決するためになさ
れたもので、装置構成を簡便にでき、機械的振動の影響
を受けにくくできるとともに、調整時間を短時間にでき
る回折格子の製造方法を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る回折格子
の製造方法は、あらかじめ透明体の一方の面に格子状溝
を形成し、その透明体の溝形成面を、基板のレジスト塗
布面と相対して接して載置し、その透明体の他方の面か
ら光を照射して、基板のレジスト上に回折格子のパター
ンの潜像を形成するようにしたものである。
の製造方法は、あらかじめ透明体の一方の面に格子状溝
を形成し、その透明体の溝形成面を、基板のレジスト塗
布面と相対して接して載置し、その透明体の他方の面か
ら光を照射して、基板のレジスト上に回折格子のパター
ンの潜像を形成するようにしたものである。
【０００６】
【作用】この発明においては、透明体に形成された格子
状の溝の有無により、その透明体の底部において、照射
された光の位相が変化し、干渉効果によりその溝のパタ
ーンに応じた光強度分布が得られ、露光用マスクとして
作用する。
状の溝の有無により、その透明体の底部において、照射
された光の位相が変化し、干渉効果によりその溝のパタ
ーンに応じた光強度分布が得られ、露光用マスクとして
作用する。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例を示す断面図であり、
（１）（２）は前述と同様のものである。（８）はその
一方の面に格子状の溝（１０）が形成された透明体とし
てのガラス基板で、（９）は平行で平面波状の波面を有
する露光用光線である。
する。図１はこの発明の一実施例を示す断面図であり、
（１）（２）は前述と同様のものである。（８）はその
一方の面に格子状の溝（１０）が形成された透明体とし
てのガラス基板で、（９）は平行で平面波状の波面を有
する露光用光線である。
【０００８】次に、図１に示したこの発明の回折格子の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【０００９】まづ、ガラス基板上にフォトレジストを塗
布し、所望の回折格子の周期と同等のピッチのパターン
を有するフォトマスクをガラス基板のフォトレジスト面
上に載置する。そのあと、露光、定着、エッチング工程
を行い、所望の回折格子の周期と同等のピッチの溝（１
０）を有するガラス基板（８）を形成する。つぎに、そ
のガラス基板（８）を溝（１０）とレジスト（２）面と
が相対して接するようにウエハ（１）上に載置し、露光
用光線（９）を照射する。この時、ガラス基板（８）の
底部では、溝（１０）の有無により光線（９）の位相が
変化し、干渉効果により図２に示すように溝のパターン
状に光の強度分布が形成されている。したがって、この
強度分布をもった光によりレジスト（２）が露光され、
レジスト（２）に所望の回折格子パターンの潜像が形成
される。つぎに、レジスト（２）を定着して、ウエハ（
１）上に格子状のレジスト（２）を形成し、このレジス
ト（２）をマスクとしてエッチングすることにより、ウ
エハ（１）の表面を格子状にエッチングする。最後に、
そのレジスト（２）を除去してウエハ（１）上に所望の
回折格子を形成する。
布し、所望の回折格子の周期と同等のピッチのパターン
を有するフォトマスクをガラス基板のフォトレジスト面
上に載置する。そのあと、露光、定着、エッチング工程
を行い、所望の回折格子の周期と同等のピッチの溝（１
０）を有するガラス基板（８）を形成する。つぎに、そ
のガラス基板（８）を溝（１０）とレジスト（２）面と
が相対して接するようにウエハ（１）上に載置し、露光
用光線（９）を照射する。この時、ガラス基板（８）の
底部では、溝（１０）の有無により光線（９）の位相が
変化し、干渉効果により図２に示すように溝のパターン
状に光の強度分布が形成されている。したがって、この
強度分布をもった光によりレジスト（２）が露光され、
レジスト（２）に所望の回折格子パターンの潜像が形成
される。つぎに、レジスト（２）を定着して、ウエハ（
１）上に格子状のレジスト（２）を形成し、このレジス
ト（２）をマスクとしてエッチングすることにより、ウ
エハ（１）の表面を格子状にエッチングする。最後に、
そのレジスト（２）を除去してウエハ（１）上に所望の
回折格子を形成する。
【００１０】ここで、ガラス基板（８）に形成する溝（
１０）は光線（９）の波長の４分の１の深さがあればよ
い。
１０）は光線（９）の波長の４分の１の深さがあればよ
い。
【００１１】なお、上記実施例では透明体としてガラス
基板（８）を用いたが、光線（９）に対して透明な基板
であればよく、ＧａＡｓ等の単結晶基板を用いても同様
な効果が期待できる。
基板（８）を用いたが、光線（９）に対して透明な基板
であればよく、ＧａＡｓ等の単結晶基板を用いても同様
な効果が期待できる。
【００１２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、あらか
じめ一方の面に格子状の溝を形成した透明体を、基板の
レジスト塗布面とその溝形成面とを相対して配置し、露
光してそのレジスト上に格子状パターンの潜像を形成し
ているので、装置が小型化でき、機械的振動の影響をう
けにくくでき、さらに、セットアップ時の調整時間を大
幅に短縮できる効果がある。
じめ一方の面に格子状の溝を形成した透明体を、基板の
レジスト塗布面とその溝形成面とを相対して配置し、露
光してそのレジスト上に格子状パターンの潜像を形成し
ているので、装置が小型化でき、機械的振動の影響をう
けにくくでき、さらに、セットアップ時の調整時間を大
幅に短縮できる効果がある。
【図１】この発明の回折格子の製造方法の一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１に示す透明体の底部における光強度分布を
示す図である。
示す図である。
【図３】従来の回折格子の製造方法を示す模式図である
。
。
１ ウエハ（基板）
２ レジスト
８ ガラス基板（透明体）
９ 露光用光線
１０ 溝
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に感光性のレジストを被覆し、
そのレジスト上に回折格子のパターンの潜像を形成した
あと、定着処理により得られた回折格子のパターン状の
レジストをマスクとしてエッチングすることにより基板
上に回折格子を形成する回折格子の製造方法において、
一方の面にあらかじめ格子状の溝を形成した透明体を、
前記溝を形成した面を前記基板のレジスト塗布面と相対
して接し、前記透明体の他方の面から光を照射すること
により、前記レジスト上に回折格子のパターンの潜像を
形成することを特徴とする回折格子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3021379A JPH04239791A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3021379A JPH04239791A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 回折格子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239791A true JPH04239791A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=12053462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3021379A Pending JPH04239791A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04239791A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999038040A1 (fr) * | 1998-01-22 | 1999-07-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Masque de phase destine a la fabrication d'un reseau de diffraction et procede de fabrication |
| JP2006339359A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Seiko Epson Corp | 微細構造体の製造方法、電子機器 |
-
1991
- 1991-01-23 JP JP3021379A patent/JPH04239791A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999038040A1 (fr) * | 1998-01-22 | 1999-07-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Masque de phase destine a la fabrication d'un reseau de diffraction et procede de fabrication |
| US6200711B1 (en) | 1998-01-22 | 2001-03-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Phase mask for manufacturing diffraction grating, and method of manufacture |
| JP2006339359A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Seiko Epson Corp | 微細構造体の製造方法、電子機器 |
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