JPH04238121A - Focus detector - Google Patents

Focus detector

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JPH04238121A
JPH04238121A JP559091A JP559091A JPH04238121A JP H04238121 A JPH04238121 A JP H04238121A JP 559091 A JP559091 A JP 559091A JP 559091 A JP559091 A JP 559091A JP H04238121 A JPH04238121 A JP H04238121A
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light
photodetector
receiving element
focus error
photodetectors
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Hideyuki Nakanishi
秀行 中西
Takeshi Hamada
健 浜田
Akio Yoshikawa
昭男 吉川
Yuichi Shimizu
裕一 清水
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To allow high-accuracy registration by executing the registration of a reflection mirror in common use as photodetectors and a semiconductor laser element by the output of the photodetectors. CONSTITUTION:A semiconductor substrate 50 formed with the photodetectors 51 divided to >=2 parts for registration and the photodetectors 51, 53 for signal detection and the semiconductor laser element 61 are disposed on the same substrate 62. The exit light from a semiconductor laser chip 61 is detected and reflected in the region of the photodetectors 51. The registration of the semiconductor laser and the photodetectors is executed while the difference between the outputs of the photodetectors 51 are detected. The high-accuracy registration is thus possible.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク等の光学
式情報記録媒体に対して情報の記録および/または再生
を行う記録/再生装置に用いる光ピックアップに関する
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup used in a recording/reproducing apparatus for recording and/or reproducing information on an optical information recording medium such as an optical disk.

【0002】0002

【従来の技術】特開昭62−236152号公報に示さ
れた従来の技術を図11に示し、以下に説明する。
2. Description of the Related Art A conventional technique disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-236152 is shown in FIG. 11 and will be described below.

【0003】レーザダイオード1から出射された光の一
部が、光路上の受光素子2でモニターされ、前記受光素
子2の出力に基づいて自動出力制御装置(以下、APC
という)を行うことにより、記録媒体3に照射される光
量を適正なレベルに保持できるようにしている。
A part of the light emitted from the laser diode 1 is monitored by a light receiving element 2 on the optical path, and based on the output of the light receiving element 2, an automatic output control device (hereinafter referred to as APC) is used.
), the amount of light irradiated onto the recording medium 3 can be maintained at an appropriate level.

【0004】また、特開平1−220133号公報に示
された従来の技術を図12,13,14に示し、以下に
説明する。
[0004] Furthermore, a conventional technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-220133 is shown in FIGS. 12, 13, and 14, and will be described below.

【0005】図12,13において、レーザダイオード
11から出射された光は、コリメートレンズ12,ビー
ムスプリッター16,λ/4板19,ミラー18,対物
レンズ13を経てディスク14に集光され、光情報を含
んだ反射光が、対物レンズ13,ミラー18,λ/4板
19,ビームスプリッター16,集光レンズ17,ホロ
グラム素子20を経て光検出器15へ導かれる。ホログ
ラム素子20では、互いに逆方向に非点収差を生じるよ
うな±1次光が発生し、光検出器上にスポット28,3
0を形成する。また、0次光はスポット29となる。ス
ポット28,30は、互いに逆方向の非点収差を持った
スポットであり、デフォーカス時には、図13の(a)
,(c)に示したようなだ円の形状になる。ここで、光
検出器21,22,23,24,25,26の出力をA
1,A2,A3,A4,A5,A6とすると、フォーカ
スエラー信号FESは、 FES=(A1+A5+A6)−(A2+A3+A4)
により、得ることができる。この技術では、ホログラム
素子で発生する+1次光と、−1次光の両方を用いてフ
ォーカスエラー検出を行うので、光量を有効に利用でき
感度の高い検出を可能にしている。さらに、図14に示
すように、面発光レーザ94と、光検出器21〜26と
が、同一基板95上に配置されたものが示されている。 これによって、光ピックアップ組み立て時の、光検出器
の調整の必要がなくなり、したがって、組立工数が減り
低コストを実現できる。
In FIGS. 12 and 13, light emitted from a laser diode 11 passes through a collimator lens 12, a beam splitter 16, a λ/4 plate 19, a mirror 18, and an objective lens 13, and is focused on a disk 14, where optical information is transmitted. The reflected light containing the .lamda. In the hologram element 20, ±1st-order light that causes astigmatism in mutually opposite directions is generated, and spots 28 and 3 are formed on the photodetector.
form 0. Further, the zero-order light becomes a spot 29. The spots 28 and 30 have astigmatism in opposite directions, and when defocused, the spots 28 and 30 are as shown in FIG. 13(a).
, the shape is an ellipse as shown in (c). Here, the outputs of the photodetectors 21, 22, 23, 24, 25, 26 are A
1, A2, A3, A4, A5, A6, the focus error signal FES is: FES=(A1+A5+A6)-(A2+A3+A4)
It can be obtained by In this technique, focus error detection is performed using both the +1st-order light and the -1st-order light generated by the hologram element, so the amount of light can be used effectively and detection with high sensitivity is possible. Further, as shown in FIG. 14, a surface emitting laser 94 and photodetectors 21 to 26 are arranged on the same substrate 95. This eliminates the need for adjusting the photodetector when assembling the optical pickup, thereby reducing assembly man-hours and achieving low costs.

【0006】特開平1−229437号公報に示された
技術を図15,16に示し、以下に説明する。
The technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-229437 is shown in FIGS. 15 and 16 and will be described below.

【0007】フォーカスエラー信号は、前述の特開平1
−220133号公報に示されたものと同様にホログラ
ム素子32で互いに逆方向に非点収差を生じるような±
1次光が発生させ、各々の光を光検出器で受光すること
により得る。
[0007] The focus error signal is
Similar to the one shown in Japanese Patent No.-220133, the hologram element 32 has a ±
It is obtained by generating primary light and receiving each light with a photodetector.

【0008】この場合には、発光部と、受光部が同一半
導体上に形成されており、活性層に、順バイアス及び、
逆バイアスをかけることで、これを実現している。これ
によって、光検出器と光源を、無調整で精度良く配置す
ることを可能としている。
In this case, the light emitting section and the light receiving section are formed on the same semiconductor, and the active layer is subjected to forward bias and
This is achieved by applying a reverse bias. This makes it possible to arrange the photodetector and light source with high precision without any adjustment.

【0009】特開平1−237939号公報には、図1
7に示したような光ピックアップに用いる素子が示され
ている。以下、図17を用いて、上記素子の説明をする
[0009] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 1-237939 includes FIG.
7 shows an element used in an optical pickup. The above element will be explained below using FIG. 17.

【0010】上記素子は、半導体基板43,半導体レー
ザ41,半透過膜付プリズム42,光検出器45,46
、半導体の保護層44,光検出器45の前に付けられた
半透過膜47から構成されている。半導体レーザ41か
ら出射された光49aは、半透過面42aで反射し、光
ディスクへ向かう。光ディスクからの半射光49bは、
半透過面42aを透過し、半透過膜47に入射し、この
膜を透過した光が光検出器45で受光され、この膜を反
射した光は、プリズム42の反射面42cで反射された
のち、光検出器46で受光される。
The above element includes a semiconductor substrate 43, a semiconductor laser 41, a prism 42 with a semi-transparent film, and photodetectors 45 and 46.
, a semiconductor protective layer 44 , and a semi-transparent film 47 attached in front of a photodetector 45 . Light 49a emitted from the semiconductor laser 41 is reflected by the semi-transparent surface 42a and heads toward the optical disk. The semi-radiated light 49b from the optical disk is
The light that passes through the semi-transparent surface 42a and enters the semi-transparent film 47 is received by the photodetector 45, and the light that is reflected from this film is reflected by the reflective surface 42c of the prism 42. , the light is received by the photodetector 46.

【0011】このように、光検出器45の上に半透過膜
47を設けることにより、光検出器45に入射した光を
受光するのみならず反射し、他の光検出器46へ導くこ
とができる。すなわち、光検出器45が受光素子として
の役割と、ミラーとしての役割を果たすことになり、機
能の複合化、素子の小型化を実現している。
As described above, by providing the semi-transparent film 47 on the photodetector 45, the light incident on the photodetector 45 can not only be received but also reflected and guided to another photodetector 46. can. That is, the photodetector 45 plays the role of a light receiving element and a mirror, thereby realizing multiple functions and miniaturization of the element.

【0012】0012

【発明が解決しようとする課題】特開平1−22013
3号公報の技術では、光源と光検出器が別体となってお
り、装置が大型になってしまう。また、図14に示した
技術では、光検出器のX軸(図14)上に非常に厳しい
精度で半導体レーザをマウントしなければならず、その
方法がなかなか面倒である。
[Problem to be solved by the invention] JP-A-1-22013
In the technique disclosed in Publication No. 3, the light source and the photodetector are separate bodies, resulting in an increase in the size of the device. Furthermore, in the technique shown in FIG. 14, the semiconductor laser must be mounted on the X-axis (FIG. 14) of the photodetector with very strict precision, and the method is quite cumbersome.

【0013】一方、特開平1−229437号公報に示
された技術では、光検出器の受光領域が活性層に限られ
、非常に狭い範囲しか受光することができない。そのた
め、感度の高いフォーカス検出が困難である。
On the other hand, in the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-229437, the light receiving area of the photodetector is limited to the active layer, and light can only be received in a very narrow range. Therefore, it is difficult to perform focus detection with high sensitivity.

【0014】また、特開昭62−236152号公報の
技術では、光路上の受光素子の出力を光学系の調整に用
いるような手段は示されていない。
Furthermore, the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-236152 does not disclose any means for using the output of the light receiving element on the optical path for adjusting the optical system.

【0015】さらに、特開平1−237939号公報の
技術でも、反射および受光機能を有した受光素子を、光
学系の調整に用いるような手段は示されていない。
Furthermore, the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-237939 does not disclose any means for using a light-receiving element having reflection and light-receiving functions for adjusting an optical system.

【0016】本発明は、以上の問題点に着目してなされ
たもので、調整を簡単にでき、したがって安価に出来る
とともに、感度の高いフォーカスエラー信号を検出でき
るような光ピックアップを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide an optical pickup that can be easily adjusted and therefore inexpensive, and that can detect focus error signals with high sensitivity. purpose.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】調整を容易にするために
、この発明では、同一半導体基板上にフォーカスエラー
検出用の受光素子と、光源からの光束を反射すると共に
受光部としての機能を有する反射・受光素子とを形成し
、光源と受光素子の形成された半導体基板を、同一の基
板にマウントする。上記反射・受光素子は、平面の少な
くとも一つの方向に2分割されている。上記基板へ、受
光部付半導体基板および、光源をマウントするとき、光
源からの光束を、反射・受光素子で差動検出し位置合わ
せを行う。
[Means for Solving the Problems] In order to facilitate adjustment, the present invention includes a light-receiving element for focus error detection and a light-receiving element that reflects a light beam from a light source and functions as a light-receiving section on the same semiconductor substrate. A reflection/light receiving element is formed, and the semiconductor substrate on which the light source and the light receiving element are formed is mounted on the same substrate. The reflection/light receiving element is divided into two parts in at least one direction of the plane. When mounting the semiconductor substrate with a light-receiving section and the light source on the substrate, positioning is performed by differentially detecting the light flux from the light source using a reflection/light-receiving element.

【0018】[0018]

【作用】感度の高いフォーカスエラー信号を得るために
、光学系を光源、上記受光部付半導体基板、フォーカス
エラー検出用ビームを発生する光学素子、対物レンズよ
り構成し、前記光学素子で発生したビームをフォーカス
エラー検出用受光素子で受光することにより、多くの光
量を取り込み、感度の高いフォーカスエラー信号を得る
ことができる。
[Operation] In order to obtain a focus error signal with high sensitivity, an optical system is composed of a light source, the semiconductor substrate with the light receiving section, an optical element that generates a focus error detection beam, and an objective lens, and the beam generated by the optical element is By receiving the light with the focus error detection light receiving element, it is possible to capture a large amount of light and obtain a highly sensitive focus error signal.

【0019】[0019]

【実施例】図1,2,3,4は、この発明の第一実施例
を示す各概要図である。この実施例では、同一基板62
にマウントされたLD61、および受光部付半導体基板
50を用い、LD61から出た光束54は、上記半導体
基板上の反射・受光素子51で反射され、ホログラム素
子63を透過し対物レンズ64を経てディスク65に投
射される。ディスク65での反射光は、対物レンズ64
を経て、ホログラム素子63に入射し、その±1次光を
受光素子52,53で受光されると共に、ホログラム素
子63により±1次光に非点収差を与えて、受光素子5
2,53上で±1次光のビーム形状が互いに逆方向に変
化するようにする。ここで、受光素子52,53は、そ
れぞれ3分割になっている。また、デフォーカス時の受
光素子52,53上のスポット形状は、図4の(a),
(c)に示す形状概要図のようになる。よって、フォー
カスエラー信号FESは、受光素子52a,52b,5
2c,53a,53b,53cの出力をA,B,C,D
,E,Fとした時、 FES=(A+E+F)−(B+C+D)で得ることが
できる。
Embodiment FIGS. 1, 2, 3, and 4 are schematic diagrams showing a first embodiment of the present invention. In this embodiment, the same substrate 62
The light beam 54 emitted from the LD 61 is reflected by the reflection/light-receiving element 51 on the semiconductor substrate, passes through the hologram element 63, passes through the objective lens 64, and is directed to the disk. 65. The reflected light from the disk 65 is reflected by the objective lens 64.
The ±1st-order light enters the hologram element 63 and is received by the light-receiving elements 52 and 53, and the hologram element 63 imparts astigmatism to the ±1st-order light to transmit it to the light-receiving element 5.
2 and 53, the beam shapes of the ±1st-order lights are made to change in opposite directions. Here, the light receiving elements 52 and 53 are each divided into three parts. Moreover, the spot shapes on the light receiving elements 52 and 53 at the time of defocusing are as shown in (a) in FIG.
The shape will look like the schematic diagram shown in (c). Therefore, the focus error signal FES is transmitted to the light receiving elements 52a, 52b, 5
2c, 53a, 53b, 53c outputs A, B, C, D
, E, F, it can be obtained as FES=(A+E+F)-(B+C+D).

【0020】一方、光源61、および受光部付半導体基
板50を基板62にマウントする時には、LD61の出
射光束54を反射・受光素子51でモニターし、51a
,51bの出力差を見ながらLD61の光軸と、受光素
子52,53とのy方向への調整を行う。本実施例の場
合、受光素子52,53は、y方向のみに分割されてい
るので、x方向への調整はラフでかまわない。
On the other hand, when mounting the light source 61 and the semiconductor substrate 50 with a light-receiving section on the substrate 62, the emitted light beam 54 of the LD 61 is monitored by the reflection/light-receiving element 51, and 51a
, 51b, the optical axis of the LD 61 and the light receiving elements 52, 53 are adjusted in the y direction. In the case of this embodiment, since the light receiving elements 52 and 53 are divided only in the y direction, the adjustment in the x direction may be rough.

【0021】図5は、この発明の第二実施例の受光素子
58,59及び、反射・受光素子57と、デフォーカス
時のスポット形状(a),(c)を示したものである。 受光素子58,59及び、反射・受光素子57がそれぞ
れ4分割になり、ホログラム素子で発生する±1次光の
非点収差の方向が45°回転した以外は、第一実施例と
同じ構成となっている。
FIG. 5 shows the light-receiving elements 58, 59 and the reflection/light-receiving element 57 of a second embodiment of the present invention, and the spot shapes (a) and (c) at the time of defocusing. The configuration is the same as that of the first embodiment, except that the light receiving elements 58, 59 and the reflection/light receiving element 57 are each divided into four parts, and the direction of the astigmatism of the ±1st order light generated in the hologram element is rotated by 45°. It has become.

【0022】フォーカスエラー信号FESは、受光素子
58a,58b,58c,58d,59a,59b,5
9c,59dの出力をI,II,III,IV,V,V
I,VII,VIIIとした時、 FES=(I+III+VI+VIII)−(II+I
V+V+VII)で得ることができる。
The focus error signal FES is transmitted to the light receiving elements 58a, 58b, 58c, 58d, 59a, 59b, 5
9c, 59d outputs I, II, III, IV, V, V
When I, VII, VIII, FES=(I+III+VI+VIII)-(II+I
V+V+VII).

【0023】一方、LD61、および受光部付半導体基
板50を基板62にマウントする時には、光源61の出
射光束54を反射・受光素子57でモニターし、57a
+57dと、57b+57cとの出力差を見ながらLD
61の光軸と、受光素子58,59とのy方向への調整
を、また、57a+57bと、57c+57dとの出力
差を見ながら光源61の光軸と、受光素子58,59と
のx方向への調整を行う。
On the other hand, when mounting the LD 61 and the semiconductor substrate 50 with a light-receiving section on the substrate 62, the emitted light beam 54 of the light source 61 is monitored by the reflection/light-receiving element 57,
LD while looking at the output difference between +57d and 57b+57c
Adjust the optical axis of the light source 61 and the light receiving elements 58, 59 in the y direction, and adjust the optical axis of the light source 61 and the light receiving elements 58, 59 in the x direction while checking the output difference between 57a+57b and 57c+57d. Make adjustments.

【0024】図6,7,8,9は、この発明の第三実施
例を示すものである。この実施例では、同一基板72に
マウントされたLD71、および受光部付半導体基板8
0を用い、LD71からでた光束75は上記半導体基板
上の反射・受光素子81で反射され、プリズム73,対
物レンズ74を経てディスク75に投射される。ディス
ク75での反射光は、対物レンズ74を経てプリズム7
3に入射し、プリズム内の半透過面90,反射面91で
反射され受光素子82に導かれる。ここで、ディスク7
5からの反射光はプリズム73内で、光軸と傾いた面9
1,92を通るので非点収差を生じる。よって、デフォ
ーカス時の受光素子82上のスポット83の形状は、図
8の(a),(c)のようになり、フォーカスエラー信
号FESは、受光素子82a,82b,82c,82d
の出力をG,H,I,Jとした時、 FES=(G+I)−(H+J) で得ることができる。
FIGS. 6, 7, 8 and 9 show a third embodiment of the present invention. In this embodiment, an LD 71 mounted on the same substrate 72 and a semiconductor substrate 8 with a light receiving section are mounted on the same substrate 72.
0, the light beam 75 emitted from the LD 71 is reflected by the reflection/light receiving element 81 on the semiconductor substrate, passes through the prism 73 and the objective lens 74, and is projected onto the disk 75. The reflected light from the disk 75 passes through the objective lens 74 and enters the prism 7.
3, is reflected by a semi-transparent surface 90 and a reflective surface 91 within the prism, and is guided to a light receiving element 82. Here, disk 7
The reflected light from 5 is within the prism 73, and the surface 9 is inclined to the optical axis.
1.92, causing astigmatism. Therefore, the shape of the spot 83 on the light receiving element 82 at the time of defocusing is as shown in FIGS. 8(a) and (c), and the focus error signal FES is
When the outputs of are G, H, I, and J, it can be obtained as FES=(G+I)-(H+J).

【0025】また、LD71、および受光部付半導体基
板80をマウントする時には、第一,第二実施例と同様
に、LD71の出射光束76を反射受光素子81でモニ
ターしながら調整を行う。
Furthermore, when mounting the LD 71 and the semiconductor substrate 80 with a light receiving section, adjustments are made while monitoring the emitted light beam 76 of the LD 71 with the reflective light receiving element 81, as in the first and second embodiments.

【0026】なお、この発明は上述した実施例において
、反射・受光素子をシリコン上に形成した場合、そのま
までも使えるが、大きな反射率を得ることができない。 そこで、例えば図10のように、上記反射・受光素子の
上に金属や、誘電体のコーティング層93を施し、反射
率を大きくして使うとより効果的である。
Note that in the above-described embodiments of the present invention, if the reflective/light-receiving element is formed on silicon, it can be used as is, but a large reflectance cannot be obtained. Therefore, as shown in FIG. 10, for example, it is more effective to apply a metal or dielectric coating layer 93 on the reflective/light-receiving element to increase the reflectance.

【0027】さらに、この発明は上述した実施例にのみ
限定されるものではなく、例えば、ホログラム素子によ
って、±1次光の結像位置を変え、ビームサイズ法によ
りフォーカスエラー検出をするよう構成することもでき
る。
Furthermore, the present invention is not limited to the above-described embodiments; for example, the imaging position of the ±1st-order light may be changed using a hologram element, and the focus error may be detected using the beam size method. You can also do that.

【0028】[0028]

【発明の効果】反射・受光素子を、フォーカスエラー検
出用の受光素子の間に配置し、光源からの光束を受光,
モニターしながら、受光部付半導体基板および、光源を
同一基板にマウントすることにより調整を容易にし、し
たがって、調整工数を大幅に低減でき、低コストを実現
できる。
[Effect of the invention] A reflection/light-receiving element is placed between the light-receiving elements for focus error detection, and the light beam from the light source is received and
Adjustments can be made easily by mounting the semiconductor substrate with a light receiving section and the light source on the same substrate while monitoring, and therefore the number of adjustment steps can be significantly reduced and costs can be reduced.

【0029】さらに、ホログラム素子の+1次光と、−
1次光の両方を一対のフォーカスエラー検出用受光素子
で受光することにより、光量を有効に利用できるので、
感度の高いフォーカスエラー信号を得ることができる。
Furthermore, the +1st order light of the hologram element and -
By receiving both primary lights with a pair of focus error detection light receiving elements, the amount of light can be used effectively.
A highly sensitive focus error signal can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の第1の実施例装置の構成概要図FIG. 1 is a schematic diagram of the configuration of a device according to a first embodiment of the present invention.

【図2
】本発明の第1の実施例装置における受光素子部の構造
概要図
[Figure 2
] Schematic diagram of the structure of the light receiving element section in the first embodiment of the present invention

【図3】本発明の第1の実施例装置における発光素子−
受光素子部の構造概要図
FIG. 3: Light emitting element in the first embodiment device of the present invention.
Schematic diagram of the structure of the light receiving element

【図4】(a),(b),(c)は同実施例装置におけ
る受光素子上のスポット形状概要図
[Figure 4] (a), (b), and (c) are schematic diagrams of spot shapes on the light receiving element in the same example device.

【図5】(a),(b),(c)は本発明の第2の実施
例装置における受光素子上のスポット形状概要図
[Fig. 5] (a), (b), and (c) are schematic diagrams of spot shapes on the light receiving element in the second embodiment of the present invention.

【図6
】本発明の第3の実施例装置の構成概要図
[Figure 6
] Schematic diagram of the configuration of a device according to a third embodiment of the present invention

【図7】本発
明の第3の実施例装置における受光素子部の構造概要図
FIG. 7 is a schematic diagram of the structure of the light-receiving element section in the third embodiment of the present invention.

【図8】(a),(b),(c)は本発明の第3の実施
例装置における受光素子上のスポット形状概要図
[Fig. 8] (a), (b), and (c) are schematic diagrams of spot shapes on the light receiving element in the third embodiment of the present invention;

【図9
】本発明の各実施例装置に用いられる光学素子部の構造
概要図
[Figure 9
] Schematic diagram of the structure of the optical element section used in each embodiment of the present invention

【図10】本発明の各実施例装置に用いることができる
受光素子部の断面概要図
FIG. 10 is a cross-sectional schematic diagram of a light-receiving element section that can be used in each example device of the present invention.

【図11】従来例の光ピックアップ装置の構成概要図FIG. 11: Schematic diagram of the configuration of a conventional optical pickup device


図12】従来例の別の光ピックアップ装置の光学系部分
の構成概要図
[
FIG. 12: Schematic diagram of the configuration of the optical system part of another conventional optical pickup device

【図13】(a),(b),(c)は従来例の別の光ピ
ックアップ装置における受光素子上の集光スポット形状
概要図
[Fig. 13] (a), (b), and (c) are schematic diagrams of the shape of a focused spot on a light receiving element in another conventional optical pickup device.

【図14】(a),(b)は同従来例の光ピックアップ
装置における受光素子の平面図,断面図
[Fig. 14] (a) and (b) are a plan view and a cross-sectional view of a light receiving element in the conventional optical pickup device.

【図15】従来
例の他の光ピックアップ装置の構成概要図
FIG. 15: Schematic diagram of the configuration of another conventional optical pickup device

【図16】従来例の他の光ピックアップ装置に用いられ
る発光素子−受光素子の構造概要図
FIG. 16 is a schematic structural diagram of a light emitting element and a light receiving element used in another conventional optical pickup device.

【図17】従来例のさらに別の光ピックアップ装置の構
成概要図
FIG. 17 is a schematic diagram of the configuration of yet another conventional optical pickup device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  レーザダイオード 2  受光素子 3  記録媒体 4  偏光プリズム 5  整形プリズム 6  臨界角プリズム 7  ハーフミラー 8  情報用光検出器 9  制御用光検出器 10  APC回路 11  レーザダイオード 12  コリメータレンズ 13  対物レンズ 14  ディスク 15  光検出器 16  ビームスプリッター 17  集光レンズ 18  ミラー 19  λ/4板 20  ホログラム素子 21〜26  光検出器 27  受光素子 28〜30  集光スポット 31  半導体レーザ 32  ホログラム回折格子 33  集光レンズ 34  光ディスク 35  半導体基板 36〜39  受光素子 40a  キャップ層 40b  pクラッド層 40c  活性層 40d  nクラッド層 40e  n型GaAs基板 41  半導体レーザ 42  半透過膜プリズム 42a〜42c  プリズム面 43  半導体基板 44  半導体保護層 45,46  光検出器 47  半透過膜 48  樹脂 49a,49b  光路 50  半導体基板 51  反射・受光素子 52,53  受光素子 54  光束 55,56  集光ビーム形状 57  反射・受光素子 58,59  受光素子 61  半導体レーザ 62  ベース基板 71  半導体レーザ 72  ベース基板 73  プリズム 74  対物レンズ 75  ディスク 76  出射光束 80  半導体基板 81  反射・受光素子 82  受光素子 83  集光スポット 90  プリズム73の半透過面 91  プリズム73の反射面 92  プリズム73の透過面 93  コーティング膜 94  面発光レーザ 95  半導体基板 1 Laser diode 2 Photo receiving element 3 Recording medium 4 Polarizing prism 5 Shaping prism 6 Critical angle prism 7 Half mirror 8 Information photodetector 9 Control photodetector 10 APC circuit 11 Laser diode 12 Collimator lens 13 Objective lens 14 Disc 15 Photodetector 16 Beam splitter 17 Condensing lens 18 Mirror 19 λ/4 plate 20 Hologram element 21-26 Photodetector 27 Photo receiving element 28-30 Light focus spot 31 Semiconductor laser 32 Hologram diffraction grating 33 Condensing lens 34 Optical disc 35 Semiconductor substrate 36-39 Photo-receiving element 40a Cap layer 40b p cladding layer 40c active layer 40d N cladding layer 40e n-type GaAs substrate 41 Semiconductor laser 42 Semi-transparent membrane prism 42a-42c Prism surface 43 Semiconductor substrate 44 Semiconductor protective layer 45, 46 Photodetector 47 Semi-transparent membrane 48 Resin 49a, 49b Optical path 50 Semiconductor substrate 51 Reflection/light receiving element 52, 53 Photo receiving element 54 Luminous flux 55, 56 Focused beam shape 57 Reflection/light receiving element 58, 59 Photo receiving element 61 Semiconductor laser 62 Base board 71 Semiconductor laser 72 Base board 73 Prism 74 Objective lens 75 Disc 76 Output luminous flux 80 Semiconductor substrate 81 Reflection/light receiving element 82 Photo receiving element 83 Light focus spot 90 Semi-transparent surface of prism 73 91 Reflection surface of prism 73 92 Transparent surface of prism 73 93 Coating film 94 Surface emitting laser 95 Semiconductor substrate

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも光源と、その出射光を反射する
ミラー面と、少なくともフォーカスエラー検出用ビーム
を発生する光学素子と、前記反射光を光記録媒体に投射
する収束光学系と、前記光記録媒体からの反射光を受光
するフォーカスエラービーム用光検出器から構成され、
前記ミラー面と、前記光検出器が、同一半導体基板に配
置されると共に、前記ミラー面は、少なくとも2分割以
上の光検出器の機能を有し、この光検出器の出力の差動
によって、光源とフォーカスエラービーム用光検出器の
位置を調整することを特徴とする焦点検出装置。
1. At least a light source, a mirror surface that reflects the emitted light, an optical element that generates at least a focus error detection beam, a converging optical system that projects the reflected light onto an optical recording medium, and the optical recording medium. Consists of a focus error beam photodetector that receives reflected light from the medium.
The mirror surface and the photodetector are arranged on the same semiconductor substrate, and the mirror surface has the function of a photodetector divided into at least two parts, and the differential output of the photodetector allows A focus detection device characterized by adjusting the positions of a light source and a focus error beam photodetector.
【請求項2】フォーカスエラー検出用ビームを発生する
光学素子をホログラム素子で構成したことを特徴とする
請求項1記載の焦点検出装置。
2. The focus detection device according to claim 1, wherein the optical element for generating the focus error detection beam is constituted by a hologram element.
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