JP2571037B2 - Optical head - Google Patents

Optical head

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JP2571037B2
JP2571037B2 JP7219813A JP21981395A JP2571037B2 JP 2571037 B2 JP2571037 B2 JP 2571037B2 JP 7219813 A JP7219813 A JP 7219813A JP 21981395 A JP21981395 A JP 21981395A JP 2571037 B2 JP2571037 B2 JP 2571037B2
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optical
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光学記録媒体に対
する情報の記録や再生のためにビームによる照射と入射
ビームの検出とを行う光学ヘッドに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical head for irradiating a beam and detecting an incident beam for recording and reproducing information on and from an optical recording medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】光学式記録再生装置等で用いられている
光学ヘッドは、光学記録媒体をビームで照射してこの光
学記録媒体からの変調されたビームを検出することによ
って、情報の記録や再生を行う。また、光学ヘッドは、
光学記録媒体に対して非接触で用いられるので、フォー
カスサーボが必要である。フォーカス誤差検出法として
は、各種の方法があるが、非点収差法が多用されてい
る。
2. Description of the Related Art An optical head used in an optical recording / reproducing apparatus or the like records or reproduces information by irradiating an optical recording medium with a beam and detecting a modulated beam from the optical recording medium. I do. The optical head is
Since the optical recording medium is used in a non-contact manner, a focus servo is required. As the focus error detection method, there are various methods, and the astigmatism method is frequently used.

【0003】図11は、光学ヘッドの一従来例を示して
いる。この光学ヘッド1では、半導体レーザ2から射出
されビームスプリッタ3で反射されたビーム4は、対物
レンズ5を透過して光学記録媒体6へ入射する。光学記
録媒体6で反射され対物レンズ5とビームスプリッタ3
とを透過したビーム4は、カマボコ型の円筒レンズ7を
透過して非点収差を発生した状態で、光検出器8へ入射
する。
FIG. 11 shows a conventional example of an optical head. In the optical head 1, the beam 4 emitted from the semiconductor laser 2 and reflected by the beam splitter 3 passes through the objective lens 5 and enters the optical recording medium 6. The objective lens 5 and the beam splitter 3 reflected by the optical recording medium 6
Is transmitted through the cylindrical lens 7 of a tumbling type, and enters the photodetector 8 in a state where astigmatism is generated.

【0004】つまり、この光学ヘッド1では、半導体レ
ーザ2、ビームスプリッタ3、円筒レンズ7及び光検出
器8の4つの光学部品が半導体レーザ装置9を構成して
おり、この半導体レーザ装置9と対物レンズ5とが光学
ヘッド1を構成している。
That is, in the optical head 1, the semiconductor laser device 9, the beam splitter 3, the cylindrical lens 7, and the optical detector 8 constitute a semiconductor laser device 9, and the semiconductor laser device 9 and the objective The lens 5 constitutes the optical head 1.

【0005】[0005]

【発明が解決しようする課題】ところが、この様な光学
ヘッド1では、半導体レーザ装置9を構成している上記
4つの光学部品が互いに離間しているので、光学ヘッド
1の組立て時に、これら4つの光学部品相互の位置調整
や光軸合わせ等の調整作業が必要である。従って、光学
ヘッド1はコストが高い。また、この光学ヘッド1は、
上述の様に多くの光学部品を必要としているので、大型
であり且つコストが高い。
However, in such an optical head 1, since the four optical components constituting the semiconductor laser device 9 are separated from each other, these four optical components are assembled when the optical head 1 is assembled. Adjustment work such as positional adjustment between optical parts and optical axis alignment is required. Therefore, the cost of the optical head 1 is high. Also, this optical head 1
Since many optical components are required as described above, the size is large and the cost is high.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明による光学ヘッド
は、半導体基板に形成されている光検出部と、前記半導
体基板に対して固定されている半導体レーザと、前記半
導体基板の前記光検出部上の位置に固定され、前記半導
体レーザに対向すると共にこの半導体レーザから射出さ
れるビームの光軸に対して傾斜している斜面を有する少
なくとも1個のプリズムとを備え、前記半導体レーザか
ら射出されたビームの光軸を前記斜面で偏向させてこの
ビームを反射すると共に、前記斜面を介して前記プリズ
ムへ入射したビームを前記光検出部で検出する様にして
いる。
An optical head according to the present invention comprises a photodetector formed on a semiconductor substrate, a semiconductor laser fixed to the semiconductor substrate, and the photodetector of the semiconductor substrate. At least one prism fixed to the upper position and having a slope facing the semiconductor laser and inclined with respect to the optical axis of a beam emitted from the semiconductor laser; The optical axis of the reflected beam is deflected by the inclined surface to reflect the beam, and the beam incident on the prism via the inclined surface is detected by the photodetector.

【0007】本発明による光学ヘッドでは、ビームの照
射と入射ビームの検出とが一体の光学部品で行われる。
また、プリズムへ入射するビームが収束状態であると、
プリズムを透過することによって入射ビームには非点収
差が発生し、このプリズムはビームスプリッタの機能の
他に非点収差を発生させる機能をも有している。しか
も、半導体基板のうちで光検出部上の位置にプリズムが
直接に固定されているので、光検出部とプリズムとが空
間的に離間していない。
In the optical head according to the present invention, the irradiation of the beam and the detection of the incident beam are performed by an integrated optical component.
Also, if the beam incident on the prism is in a convergent state,
Astigmatism is generated in the incident beam by passing through the prism, and this prism has a function of generating astigmatism in addition to the function of the beam splitter. In addition, since the prism is directly fixed at a position on the light detection unit in the semiconductor substrate, the light detection unit and the prism are not spatially separated.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の第1〜第5具体例
を、図1〜10を参照しながら説明する。図1,2が、
第1具体例中の半導体レーザ装置21を示している。こ
の半導体レーザ装置21では、リード22を有するステ
ム23上にシリコン基板24が固定されており、このシ
リコン基板24には信号検出用の光検出器であるPIN
ダイオード25とレーザ出力モニタ用の光検出器である
PINダイオード26とが形成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First to fifth embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. Figures 1 and 2
7 shows a semiconductor laser device 21 in the first specific example. In this semiconductor laser device 21, a silicon substrate 24 is fixed on a stem 23 having a lead 22, and a PIN, which is a photodetector for signal detection, is provided on the silicon substrate 24.
A diode 25 and a PIN diode 26 as a photodetector for monitoring a laser output are formed.

【0009】これらのPINダイオード25,26が形
成されている位置のシリコン基板24上には、三角プリ
ズム27が接着剤によって固定されており、シリコン基
板24上で三角プリズム27の側方には、別のシリコン
基板28が固定されている。また、このシリコン基板2
8の三角プリズム27側の端部上には、半導体レーザで
あるレーザダイオードチップ31が載置されている。
A triangular prism 27 is fixed by an adhesive on the silicon substrate 24 at the position where these PIN diodes 25 and 26 are formed. Another silicon substrate 28 is fixed. In addition, this silicon substrate 2
A laser diode chip 31 which is a semiconductor laser is mounted on the end of the triangular prism 27 on the side of 8.

【0010】なお、このレーザダイオードチップ31と
対向している三角プリズム27の斜面27aは50%程
度の反射率を有しており、他の斜面27bは全反射コー
ティングされて100%の反射率を有している。
The slope 27a of the triangular prism 27 facing the laser diode chip 31 has a reflectance of about 50%, and the other slope 27b is coated with a total reflection to have a reflectance of 100%. Have.

【0011】そして、ステム23上には窓ガラス32を
有するキャップ33が取り付けられており、上述の光学
系がハーメチックシールされている。なお、PINダイ
オード25,26及びレーザダイオードチップ31とリ
ード22とは、ワイヤ(図示せず)によって接続されて
いる。
A cap 33 having a window glass 32 is mounted on the stem 23, and the above-mentioned optical system is hermetically sealed. The PIN diodes 25 and 26 and the laser diode chip 31 and the leads 22 are connected by wires (not shown).

【0012】図3は、以上の様な半導体レーザ装置21
を用いている第1具体例の光学ヘッド34を示してい
る。この光学ヘッド34では、レーザダイオードチップ
31から射出され三角プリズム27の斜面27aで反射
されたビーム4は、窓ガラス32及び対物レンズ5を透
過して光学記録媒体6へ入射する。
FIG. 3 shows a semiconductor laser device 21 as described above.
1 shows an optical head 34 of a first specific example using the optical head. In the optical head 34, the beam 4 emitted from the laser diode chip 31 and reflected on the inclined surface 27 a of the triangular prism 27 passes through the window glass 32 and the objective lens 5 and enters the optical recording medium 6.

【0013】光学記録媒体6で反射され対物レンズ5、
窓ガラス32及び斜面27aを透過したビーム4は、P
INダイオード25へ入射する。ところで、光学記録媒
体6で反射されたビーム4は収束状態で斜面27aへ入
射し、しかも、三角プリズム27と空気との間には屈折
率差が存在している。このため、ビーム4は非点収差を
発生した状態でPINダイオード25へ入射する。
The objective lens 5 reflected by the optical recording medium 6
The beam 4 transmitted through the window glass 32 and the slope 27a is P
The light enters the IN diode 25. Incidentally, the beam 4 reflected by the optical recording medium 6 is incident on the inclined surface 27a in a converged state, and there is a refractive index difference between the triangular prism 27 and air. Therefore, the beam 4 enters the PIN diode 25 in a state where astigmatism has occurred.

【0014】この結果、合焦状態でPINダイオード2
5へ入射するビーム4のビームスポット35が図4
(b)の形状になる様に、レーザダイオードチップ31
とPINダイオード25との位置関係を決めておけば、
PINダイオード25には合焦状態からのずれに応じて
図4(a)や(c)の様な形状のビームスポット35が
形成される。
As a result, the PIN diode 2
The beam spot 35 of the beam 4 incident on the beam 5 shown in FIG.
The laser diode chip 31 has a shape as shown in FIG.
If the positional relationship between the and the PIN diode 25 is determined,
A beam spot 35 having a shape as shown in FIGS. 4A and 4C is formed on the PIN diode 25 in accordance with the shift from the focused state.

【0015】従って、図5に示す様な回路を用いれば、
PINダイオード25を構成している4個の光検出部A
〜Dから、減算器36を介してフォーカス誤差信号(A
+C)−(B+D)を得ることができ、また、位相比較
器37及び加算器38を介して夫々トラッキング誤差信
号及び再生信号A+B+C+Dを得ることができる。
Accordingly, if a circuit as shown in FIG. 5 is used,
Four photodetectors A constituting the PIN diode 25
To D via a subtractor 36 to obtain a focus error signal (A
+ C)-(B + D), and a tracking error signal and a reproduction signal A + B + C + D can be obtained via the phase comparator 37 and the adder 38, respectively.

【0016】なお、三角プリズム27と空気との屈折率
差のみでは十分な非点収差を得ることができない場合
は、図1,2に仮想線で示す様に、三角プリズム27の
一部を削り取ることによって、円筒レンズ部41や42
を形成しておけばよい。
If a sufficient astigmatism cannot be obtained only by the difference in the refractive index between the triangular prism 27 and air, a part of the triangular prism 27 is cut off as shown by a virtual line in FIGS. Thereby, the cylindrical lens portions 41 and 42
May be formed.

【0017】また、この第1具体例中の半導体レーザ装
置21では、図1に示した様に、レーザダイオードチッ
プ31から射出されたビーム4は、三角プリズム27の
斜面27aを透過して、直接にまたは斜面27bで反射
されてPINダイオード26へも入射する。従って、こ
のPINダイオード26からの出力に基づいて、レーザ
ダイオードチップ31の出力を調整することができる。
In the semiconductor laser device 21 of the first embodiment, as shown in FIG. 1, the beam 4 emitted from the laser diode chip 31 passes through the slope 27a of the triangular prism 27 and directly Then, the light is reflected by the slope 27b and also enters the PIN diode 26. Therefore, the output of the laser diode chip 31 can be adjusted based on the output from the PIN diode 26.

【0018】以上の様な第1具体例中の半導体レーザ装
置21では、レーザダイオードチップ31から射出され
三角プリズム27の斜面27aで反射されたビーム4
が、直接にはレーザダイオードチップ31へ戻らない。
このため、レーザダイオードチップ31におけるノイズ
の発生が少ない。
In the semiconductor laser device 21 in the first embodiment described above, the beam 4 emitted from the laser diode chip 31 and reflected by the inclined surface 27a of the triangular prism 27 is used.
However, it does not return directly to the laser diode chip 31.
Therefore, generation of noise in the laser diode chip 31 is small.

【0019】また、単一の三角プリズム27がビームス
プリッタとして機能しているので、この半導体レーザ装
置21はコストが安い。また、PINダイオード25と
26とが同一のシリコン基板24の同一面に形成されて
いるので、これらのPINダイオード25,26はリソ
グラフィ法によって同時に形成することができる。
Since the single triangular prism 27 functions as a beam splitter, the cost of the semiconductor laser device 21 is low. Further, since the PIN diodes 25 and 26 are formed on the same surface of the same silicon substrate 24, these PIN diodes 25 and 26 can be formed simultaneously by lithography.

【0020】図6は、本発明の第2具体例中の半導体レ
ーザ装置43を示している。この半導体レーザ装置43
は、互いに屈折率の異なる2個の直角プリズム44,4
5によってビームスプリッタが構成されていることを除
いて、図1に示した既述の第1具体例中の半導体レーザ
装置21と実質的に同様の構成であってよい。
FIG. 6 shows a semiconductor laser device 43 in a second embodiment of the present invention. This semiconductor laser device 43
Are two right angle prisms 44, 4 having different refractive indexes from each other.
Except that a beam splitter is constituted by 5, the configuration may be substantially the same as that of the semiconductor laser device 21 in the above-described first specific example shown in FIG. 1.

【0021】図7は、この様な半導体レーザ装置43を
用いている第2具体例の光学ヘッドにおいて、光学記録
媒体6がビーム4の光軸方向へ移動した距離に対するP
INダイオード25から得られる信号の量を示してい
る。
FIG. 7 shows the relationship between the distance that the optical recording medium 6 moves in the optical axis direction of the beam 4 in the optical head of the second specific example using such a semiconductor laser device 43.
The amount of the signal obtained from the IN diode 25 is shown.

【0022】なお、この信号量は、直角プリズム44及
び45として夫々光学ガラスBK7及びSF11を用い
てこのビームスプリッタの高さを1mmとし、対物レンズ
5としてNAが0.47の有限倍率のレンズを用い、且
つ図3には示されていないがNAが0.14のコリメー
タレンズを用いた場合の結果である。
The signal amount is obtained by using optical glasses BK7 and SF11 as the right-angle prisms 44 and 45, setting the height of this beam splitter to 1 mm, and using a finite magnification lens having an NA of 0.47 as the objective lens 5. Although not shown in FIG. 3, the results are obtained when a collimator lens having an NA of 0.14 is used.

【0023】図8は、本発明の第3具体例中の半導体レ
ーザ装置46を示している。この半導体レーザ装置46
は、PINダイオード25,26の形成とレーザダイオ
ードチップ31の載置とが一体のシリコン基板47に対
して行われており、且つ互いに屈折率の異なる2個の直
角プリズム48,49によって構成されているビームス
プリッタがPINダイオード25上にのみ位置する様に
シリコン基板47に固定されていることを除いて、図1
に示した既述の第1具体例中の半導体レーザ装置21と
実質的に同様の構成であってよい。
FIG. 8 shows a semiconductor laser device 46 according to a third embodiment of the present invention. This semiconductor laser device 46
Is formed of two right-angle prisms 48 and 49 having different refractive indexes from each other in which the formation of the PIN diodes 25 and 26 and the mounting of the laser diode chip 31 are performed on the integrated silicon substrate 47. 1 except that the beam splitter is fixed only on the PIN diode 25 to the silicon substrate 47.
The configuration may be substantially the same as that of the semiconductor laser device 21 in the first specific example described above.

【0024】図9は、本発明の第4具体例中の半導体レ
ーザ装置51を示している。この半導体レーザ装置51
は、シリコン基板24上に固定されており且つレーザダ
イオードチップ31が載置されているシリコン基板28
にレーザ出力モニタ用のPINダイオード26が形成さ
れていることを除いて、図8に示した既述の第3具体例
中の半導体レーザ装置46と実質的に同様の構成であっ
てよい。従って、この半導体レーザ装置51では、PI
Nダイオード26がレーザダイオードチップ31のバッ
クモニタとして使用される。
FIG. 9 shows a semiconductor laser device 51 according to a fourth embodiment of the present invention. This semiconductor laser device 51
Is a silicon substrate 28 fixed on the silicon substrate 24 and on which the laser diode chip 31 is mounted.
The semiconductor laser device 46 of the third specific example shown in FIG. 8 may be substantially the same as the semiconductor laser device 46 shown in FIG. Therefore, in this semiconductor laser device 51, PI
The N diode 26 is used as a back monitor of the laser diode chip 31.

【0025】図10は、本発明の第5具体例中の半導体
レーザ装置52を示している。この半導体レーザ装置5
2は、PINダイオード25が形成されているシリコン
基板24にPINダイオード26も形成されていること
を除いて、図9に示した既述の第4具体例中の半導体レ
ーザ装置51と実質的に同様の構成であってよい。
FIG. 10 shows a semiconductor laser device 52 according to a fifth embodiment of the present invention. This semiconductor laser device 5
2 is substantially the same as the semiconductor laser device 51 in the fourth specific example shown in FIG. 9 except that the PIN diode 26 is also formed on the silicon substrate 24 on which the PIN diode 25 is formed. A similar configuration may be used.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明による光学ヘッドでは、ビームの
照射と入射ビームの検出とが一体の光学部品で行われる
ので、組み立て時に各部品間の位置調整や光軸合わせ等
の調整作業が少なく、コストを低減させることができ
る。また、プリズムがビームスプリッタの機能と非点収
差を発生させる機能とを兼備しているので、小型化とコ
スト低減とが可能である。しかも、光検出部とプリズム
とが空間的に離間していないので、このことによっても
小型化が可能である。
In the optical head according to the present invention, since the irradiation of the beam and the detection of the incident beam are performed by an integrated optical component, there is little adjustment work such as positional adjustment between components and optical axis alignment during assembly. Cost can be reduced. Further, since the prism has both the function of the beam splitter and the function of generating astigmatism, it is possible to reduce the size and cost. In addition, since the photodetector and the prism are not spatially separated from each other, it is also possible to reduce the size.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1具体例中における半導体レーザ装
置の側断面図である。
FIG. 1 is a side sectional view of a semiconductor laser device in a first specific example of the present invention.

【図2】第1具体例中における半導体レーザ装置の要部
の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of a main part of the semiconductor laser device in the first specific example.

【図3】第1具体例の側面図である。FIG. 3 is a side view of the first specific example.

【図4】ビームスポットを示すための光検出器の平面図
である。
FIG. 4 is a plan view of a photodetector for showing a beam spot.

【図5】第1具体例の回路系を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a circuit system of a first specific example.

【図6】本発明の第2具体例中における半導体レーザ装
置の側断面図である。
FIG. 6 is a side sectional view of a semiconductor laser device in a second specific example of the present invention.

【図7】第2具体例の光学ヘッドで得られる信号の波形
図である。
FIG. 7 is a waveform diagram of a signal obtained by the optical head of the second specific example.

【図8】本発明の第3具体例中における半導体レーザ装
置の側断面図である。
FIG. 8 is a side sectional view of a semiconductor laser device in a third specific example of the present invention.

【図9】本発明の第4具体例中における半導体レーザ装
置の側断面図である。
FIG. 9 is a side sectional view of a semiconductor laser device in a fourth specific example of the present invention.

【図10】本発明の第5具体例中における半導体レーザ
装置の側断面図である。
FIG. 10 is a side sectional view of a semiconductor laser device in a fifth specific example of the present invention.

【図11】本発明の一従来例の側面図である。FIG. 11 is a side view of a conventional example of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4 ビーム 21 半導体レーザ装置 24 シリコン基板 25 PINダイオード 27 三角プリズム 31 レーザダイオードチップ 34 光学ヘッド 43 半導体レーザ装置 45 直角プリズム 46 半導体レーザ装置 47 シリコン基板 49 直角プリズム 51 半導体レーザ装置 52 半導体レーザ装置 Reference Signs List 4 beam 21 semiconductor laser device 24 silicon substrate 25 PIN diode 27 triangular prism 31 laser diode chip 34 optical head 43 semiconductor laser device 45 right angle prism 46 semiconductor laser device 47 silicon substrate 49 right angle prism 51 semiconductor laser device 52 semiconductor laser device

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体基板に形成されている光検出部
と、 前記半導体基板に対して固定されている半導体レーザ
と、 前記半導体基板の前記光検出部上の位置に固定され、前
記半導体レーザに対向すると共にこの半導体レーザから
射出されるビームの光軸に対して傾斜している斜面を有
する少なくとも1個のプリズムとを備え、 前記半導体レーザから射出されたビームの光軸を前記斜
面で偏向させてこのビームを反射すると共に、前記斜面
を介して前記プリズムへ入射したビームを前記光検出部
で検出する様にした光学ヘッド。
A light detection unit formed on a semiconductor substrate; a semiconductor laser fixed to the semiconductor substrate; and a semiconductor laser fixed to a position on the light detection unit of the semiconductor substrate. At least one prism having an inclined surface facing the optical axis of a beam emitted from the semiconductor laser and facing the optical axis, wherein the optical axis of the beam emitted from the semiconductor laser is deflected by the inclined surface. An optical head that reflects a lever beam and detects a beam incident on the prism through the inclined surface with the photodetector.
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