JPH04235338A - Humidity sensor - Google Patents

Humidity sensor

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JPH04235338A
JPH04235338A JP1273091A JP1273091A JPH04235338A JP H04235338 A JPH04235338 A JP H04235338A JP 1273091 A JP1273091 A JP 1273091A JP 1273091 A JP1273091 A JP 1273091A JP H04235338 A JPH04235338 A JP H04235338A
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JP
Japan
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substrate
thin film
moisture
temperature
heating
Prior art date
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Pending
Application number
JP1273091A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Mizuno
水野 和雄
Setsuo Kotado
古田土 節夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anritsu Corp
Original Assignee
Anritsu Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to JP1273091A priority Critical patent/JPH04235338A/en
Publication of JPH04235338A publication Critical patent/JPH04235338A/en
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  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a compact humidity sensor which can be used in a broad environment and maintains sufficient measuring accuracy. CONSTITUTION:A substrate 1 comprising thermally poor conductor is thermally connected to a heat sink. A moisture sensitive film 2 and a means 3 for heating or cooling the specified position of the substrate are provided on the substrate 1. A means 4 which detects the intended temperature of the substrate that is heated or cooled with the heating or cooling means is also provided on the substrate 1. The thermal resistance of the moisture sensitive film 2 is changed in response to the amount of adsorbed water contained in the moisture sensitive film 2. The change in temperature at the specified position of the substrate 1 caused by the change in the thermal resistance is detected. Thus, the humidity in atmosphere is measured.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、構成が容易でかつ測定
精度の高い小型の湿度センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a compact humidity sensor that is easy to construct and has high measurement accuracy.

【0002】0002

【従来の技術】湿度は空気の乾湿を表す尺度であり、温
度と並び日常生活になじみの深い物理量である。従来か
ら湿度は乾湿球湿度計や毛髪湿度計などによって測定さ
れていたが、近年では、エレクトロニクス技術の進歩に
ともない、各種の製造業では、湿度管理の重要性が認識
されるようになり、湿度計測の高度化や湿度制御への要
望が高まってきた。このために湿度を電気信号に変換で
きる湿度センサが数多く開発されてきた。このように湿
度センサは化学センサの中で、湿度という身近な科学量
の検出を行うセンサとしてニーズが高く、多くの方式の
ものが実用化されている。また、検出原理・材料・構造
などの点において新しい試みが継続的に行われており、
湿度は研究開発が活発なセンシング対象の一つであると
いえる。しかし、現在までのところ、すべての点で満足
できるセンサは市販されていないといって良く、今後の
成果が期待されている。
2. Description of the Related Art Humidity is a measure of the dryness and humidity of the air, and is a physical quantity that is as familiar to daily life as temperature. Humidity has traditionally been measured using psychrometric bulb hygrometers, hair hygrometers, etc., but in recent years, with advances in electronics technology, various manufacturing industries have come to recognize the importance of humidity control. Demand for more sophisticated measurement and humidity control has increased. For this reason, many humidity sensors that can convert humidity into electrical signals have been developed. As described above, among chemical sensors, humidity sensors are in high demand as sensors for detecting the familiar scientific quantity of humidity, and many types of humidity sensors have been put into practical use. In addition, new attempts are continually being made in terms of detection principles, materials, structures, etc.
Humidity can be said to be one of the sensing targets with active research and development. However, to date, there is no sensor on the market that satisfies all aspects, and future results are expected.

【0003】一つの例として以下に湿度センサとして実
用化されているサーミスタ湿度センサの特徴を説明する
。水を含んだ空気の熱伝導率は、絶対温度で表わした湿
度範囲0 〜150g/立方mでは、水蒸気量の増加に
従って単純に増加する。このことを利用して熱伝導率の
変化から空気中の水分量を決めることができる。なお、
熱伝導率の変化は温度によらず、ほぼ一定の挙動を示す
ため、熱伝導率から求められる湿度は絶対温度になる。
As an example, the characteristics of a thermistor humidity sensor that has been put into practical use as a humidity sensor will be explained below. The thermal conductivity of air containing water simply increases as the amount of water vapor increases in the humidity range of 0 to 150 g/m3 expressed in absolute temperature. Using this fact, the amount of moisture in the air can be determined from changes in thermal conductivity. In addition,
Since changes in thermal conductivity exhibit almost constant behavior regardless of temperature, the humidity determined from thermal conductivity is an absolute temperature.

【0004】サーミスタ温度センサは、サーミスタを自
己加熱させ、雰囲気中の熱伝導率の変化を検出するもの
である。二本の特性のよくそろった計測用ビード形サー
ミスタの一本を湿った空気にさらして、他方を乾燥した
空気中において温度補償用として使用する。自己加熱し
たサーミスタは湿った空気によって冷却されて抵抗が変
化するが、この抵抗変化をブリッジ回路で測定する。
A thermistor temperature sensor detects changes in thermal conductivity in the atmosphere by self-heating the thermistor. One of the two measurement bead-type thermistors with well-matched characteristics is exposed to humid air, and the other is used for temperature compensation in dry air. The self-heated thermistor is cooled by moist air and its resistance changes, and this change in resistance is measured using a bridge circuit.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サーミ
スタ温度センサでは、以下のような問題がある。まず、
雰囲気中の熱伝導率の変化を測定するので、空気以外の
熱伝導率の異なったガスが共存することにより、出力が
シフトしてしまうことがある。次に、センサ部に異物が
付着し、センサからの熱伝達係数が変化すると、特性が
シフトする。また、サーミスタ湿度センサは圧力の影響
を受けるので、常圧以外では使用できない。そして、サ
ーマルクリーニングを定期的に行うことが必要なため、
ヒータを別個に必要としていた。さらにまた、半導体薄
膜技術を用いることができないので、形状が必然的に大
きくなるという問題もあった。このように、サーミスタ
湿度センサは湿度センサの使用環境が厳しい今日におい
ては、その使用できる環境が非常に制約されている。
However, the thermistor temperature sensor has the following problems. first,
Since changes in thermal conductivity in the atmosphere are measured, the output may shift if gases other than air with different thermal conductivities coexist. Next, when foreign matter adheres to the sensor section and the heat transfer coefficient from the sensor changes, the characteristics shift. Furthermore, since the thermistor humidity sensor is affected by pressure, it cannot be used at anything other than normal pressure. And because it is necessary to perform thermal cleaning regularly,
A separate heater was required. Furthermore, since semiconductor thin film technology cannot be used, there is also the problem that the size inevitably becomes large. As described above, the environment in which the thermistor humidity sensor can be used is extremely restricted in today's harsh environment where humidity sensors can be used.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、幅広い環境に
おいても使用でき、なおかつ測定精度を十分に維持した
小型の湿度センサに関するものである。すなわち、本発
明の湿度センサは、ヒートシンクに熱的に接続されてい
る熱不良導体の特性を有する基板と、その基板上のある
部分に設けられた感湿膜とを有している。加熱または冷
却手段によりその基板の所定の位置を加熱または冷却し
、検出手段によりその加熱または冷却された基板のある
位置の温度を検出する。そして、基板上の感湿膜に含ま
れる水分量に応じて変化する熱抵抗の変化によりもたら
される温度を検出することによって大気中の湿度を測定
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a compact humidity sensor that can be used in a wide range of environments and maintains sufficient measurement accuracy. That is, the humidity sensor of the present invention includes a substrate that is thermally connected to a heat sink and has the characteristics of a thermally poor conductor, and a moisture sensitive film provided on a certain portion of the substrate. The heating or cooling means heats or cools a predetermined position of the substrate, and the detection means detects the temperature of the heated or cooled position of the substrate. Then, atmospheric humidity is measured by detecting the temperature brought about by a change in thermal resistance that changes depending on the amount of moisture contained in the moisture-sensitive film on the substrate.

【0007】[0007]

【作用】本発明は感湿膜の持つ熱伝導(熱抵抗)特性と
熱電対のメカニズムとを利用して大気中の湿度を測定す
るものである。感湿膜は周囲の温度が高くなると、水分
を吸着もしくは吸収して、熱伝導率を高める(熱抵抗を
下げる)。これによって加熱(または冷却)手段が発生
(または吸収)させる熱はヒートシンクへ(またはヒー
トシンクから)伝導され易くなり、その結果、熱電対で
検出される電圧に変化が観測できるようになる。熱電対
のメカニズムを以下簡単に説明する。2種類の導体の一
端を電気的に接続し、この接続点と他端との間に温度差
を与えた場合、ゼーベック効果によってこの両接点間に
は温度差に対応する熱起電圧が発生する。熱電対はこの
原理を応用して熱起電圧の値を測定することにより温度
差を求める検出要素であり、基準接点を0℃に保つこと
により熱起電圧の値から温接点の温度を直接読み取るこ
とができる。
[Operation] The present invention measures the humidity in the atmosphere by utilizing the heat conduction (thermal resistance) characteristics of a moisture-sensitive membrane and the mechanism of a thermocouple. When the surrounding temperature rises, a moisture-sensitive membrane adsorbs or absorbs moisture, increasing thermal conductivity (lowering thermal resistance). This makes it easier for the heat generated (or absorbed) by the heating (or cooling) means to be conducted to (or from) the heat sink, and as a result, a change in the voltage detected by the thermocouple becomes observable. The mechanism of a thermocouple will be briefly explained below. When one end of two types of conductors is electrically connected and a temperature difference is applied between this connection point and the other end, a thermoelectromotive voltage corresponding to the temperature difference is generated between the two contact points due to the Seebeck effect. . Thermocouples are detection elements that apply this principle to find temperature differences by measuring the value of thermoelectromotive voltage. By keeping the reference junction at 0°C, the temperature of the hot junction can be directly read from the value of thermoelectromotive voltage. be able to.

【0008】この方法を本発明に当てはめる。雰囲気中
の水分が感湿膜2に付着すると、熱不良導体の基板の抵
抗値が変化する。そして、一定温度で発熱しているヒー
タ部の近傍と熱電対の端との電圧差が少なくなる。その
結果、抵抗がなくなり熱電対を流れる電流の電圧に変化
が生じる。この現象を利用して電圧の変化から温度差を
割り出し、湿度の割合を検出する。
This method applies to the present invention. When moisture in the atmosphere adheres to the moisture sensitive film 2, the resistance value of the substrate of the thermally poor conductor changes. Then, the voltage difference between the vicinity of the heater section, which generates heat at a constant temperature, and the end of the thermocouple is reduced. As a result, the resistance disappears and the voltage of the current flowing through the thermocouple changes. This phenomenon is used to determine temperature differences from changes in voltage and detect humidity percentages.

【0009】[0009]

【実施例】本発明に係る湿度センサは、ヒートシンク5
(図示しない)に熱的に接続されている熱不良導体の基
板1と、その基板上の少なくとも一部に設けられた感湿
膜2と、その基板1の所定の位置を加熱または冷却する
手段3と、その加熱または冷却する手段3により加熱ま
たは冷却された基板上の所望の位置の温度を検出する手
段4とにより構成される。図1は本発明に係る湿度セン
サの一実施例を示す図で、ヒートシンク5に熱的に接続
されている熱不良導体の基板1上に、加熱用の薄膜ヒー
タ31と温度検出用の薄膜熱電対41a 、41b と
が構成されている。図1(A)は基板1を下方から見た
図、図1(B)は矢視イ−ロの断面図である。
[Example] The humidity sensor according to the present invention has a heat sink 5
(not shown); a moisture-sensitive film 2 provided on at least a portion of the substrate; and means for heating or cooling a predetermined position of the substrate 1. 3, and means 4 for detecting the temperature at a desired position on the substrate heated or cooled by the heating or cooling means 3. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the humidity sensor according to the present invention, in which a thin film heater 31 for heating and a thin film thermoelectric conductor for temperature detection are placed on a substrate 1 of a thermally poor conductor that is thermally connected to a heat sink 5. A pair 41a and 41b are configured. FIG. 1(A) is a view of the substrate 1 viewed from below, and FIG. 1(B) is a cross-sectional view taken along arrow E--RO.

【0010】熱不良導体の基板1の材料としては、感湿
膜2に含まれる僅かな水分量の変化により、熱抵抗が大
きく変化することが好ましいので、付着した水分量の熱
伝導率に対して小さいものが適当である。そのため、熱
不良導体の基板1の材料としては、ガラス、セラミック
、水晶、石英、アクリル、またはエポキシ、ポリミイド
などの有機膜等を用いることが考えられる。
As for the material of the substrate 1 which is a thermally poor conductor, it is preferable that the thermal resistance changes greatly due to a slight change in the amount of moisture contained in the moisture sensitive film 2. A small one is appropriate. Therefore, as a material for the substrate 1 which is a thermally poor conductor, glass, ceramic, crystal, quartz, acrylic, or an organic film such as epoxy or polymide may be used.

【0011】感湿膜2としては、吸収性を備えた材料で
あればよく、PIQ(商品名ポリミイドフィルム)、多
孔質シリコン、多孔質アルミナ等を用いることができる
The moisture-sensitive film 2 may be made of any absorbent material, such as PIQ (trade name: Polymide Film), porous silicon, porous alumina, and the like.

【0012】基板1の所定の位置を加熱または冷却する
手段3としては、電気による抵抗加熱、あるいは光によ
る光吸収膜への吸収加熱等がある。図1は薄膜ヒータ3
1を用いて加熱した一実施例である。一方、基板1の所
定の位置を冷却する手段3としては、ビスマス、テルル
の化合物などを用いたペルチェ効果等による冷却がある
。 要するに、本発明に係る湿度センサにおいては、基板1
のある任意の位置を加熱または冷却できればよい。
The means 3 for heating or cooling a predetermined position of the substrate 1 includes resistance heating using electricity, absorption heating of a light absorption film using light, and the like. Figure 1 shows the thin film heater 3
This is an example in which heating was performed using No. 1. On the other hand, as means 3 for cooling a predetermined position of the substrate 1, there is cooling by the Peltier effect using a compound of bismuth, tellurium, or the like. In short, in the humidity sensor according to the present invention, the substrate 1
It suffices to be able to heat or cool any desired location.

【0013】基板1上の所望の位置の温度検出する手段
4としては、熱電対、放射温度計等がある。図1では、
薄膜熱電対41a 、41b とその電位差を検出する
オーミック電極8(以下、単に電極8ともいう)とを用
いて温度を検出している。
The means 4 for detecting the temperature at a desired position on the substrate 1 includes a thermocouple, a radiation thermometer, and the like. In Figure 1,
Temperature is detected using thin film thermocouples 41a and 41b and an ohmic electrode 8 (hereinafter also simply referred to as electrode 8) that detects the potential difference therebetween.

【0014】図1に示される実施例の場合、熱不良導体
の基板1の一部分がヒートシンク5に熱的に接続されて
いる。ヒートシンク5は熱容量の大きなブロック状の物
体でも、熱を外部へよく導くための細い導線を接続させ
ているものでもよい。ヒートシンク5に接続することに
より、熱不良導体の基板1に一部分が一定の温度に保た
れるようになる(以下、この部分を恒温部6ともいう)
。この恒温部6は、薄膜ヒータ31を中心として両端、
つまり図1の中で薄膜ヒータ31の両側に位置する。 この場合、この恒温部6は銅ブロック等に設置されてい
るために、薄膜ヒータ31のオン・オフに関係なく常に
一定の温度が保たれる。この恒温部6は、薄膜熱電対4
1a 、 41bの冷接点のためにのみ必要なのではな
く、基板1上の所定位置に加熱または冷却する手段3を
講じた際に、基板1内に温度勾配をつくるために必要不
可欠なものである。なお、図1では薄膜ヒータ31から
ヒータの電極を通る熱の逃げを少なくするため、つまり
加熱効率を良くするため、薄膜ヒータ31用電極は細い
パターンの配線としている。
In the embodiment shown in FIG. 1, a portion of the thermally poor conductor substrate 1 is thermally connected to a heat sink 5. In the embodiment shown in FIG. The heat sink 5 may be a block-shaped object with a large heat capacity, or may be connected with a thin conductive wire to conduct heat well to the outside. By connecting to the heat sink 5, a part of the board 1 that is a thermally poor conductor is kept at a constant temperature (hereinafter, this part is also referred to as the constant temperature part 6).
. This constant temperature section 6 has a thin film heater 31 at its center and both ends,
That is, they are located on both sides of the thin film heater 31 in FIG. In this case, since the constant temperature section 6 is installed in a copper block or the like, a constant temperature is always maintained regardless of whether the thin film heater 31 is on or off. This constant temperature section 6 includes a thin film thermocouple 4
It is not only necessary for the cold junctions 1a and 41b, but is essential for creating a temperature gradient within the substrate 1 when the means 3 for heating or cooling is provided at a predetermined position on the substrate 1. . In FIG. 1, the electrodes for the thin film heater 31 are wired in a thin pattern in order to reduce the escape of heat from the thin film heater 31 through the electrodes of the heater, that is, to improve heating efficiency.

【0015】ここで、本発明による湿度センサの、図1
に示される実施例の作製法の一つの例について、簡単に
説明する。
Here, FIG. 1 shows a humidity sensor according to the present invention.
One example of the manufacturing method of the embodiment shown in will be briefly explained.

【0016】熱不良導体の基板1としては、前述の通り
ガラス、セラミック、水晶、石英、アクリル、またはエ
ポキシ、ポリミイド等の有機膜等が用いられる。この基
板1を有機溶剤等で十分に洗浄した後、清浄な環境で乾
燥させる。
As the thermally poor conductor substrate 1, as described above, glass, ceramic, crystal, quartz, acrylic, or an organic film such as epoxy or polymide is used. After thoroughly cleaning this substrate 1 with an organic solvent or the like, it is dried in a clean environment.

【0017】次に、温度を検出する手段4として薄膜熱
電対41a 、41b を形成する。薄膜熱電対41a
 、41b は、ゼーベックが大きいものが望ましく、
アモルファスシリコンあるいはアモルファスゲルマニウ
ムといった非晶質半導体薄膜等が用いられる。これらの
非晶質半導体は、シラン、ゲルマン、水素等のガスを用
い、プラズマCVD法により堆積する。この時、n型半
導体にはフォスフィン、アルシン、また、p型半導体に
はジボラン等のドーピングガスの供給量を変化させたり
する。
Next, thin film thermocouples 41a and 41b are formed as means 4 for detecting temperature. Thin film thermocouple 41a
, 41b preferably has a large Seebeck,
An amorphous semiconductor thin film such as amorphous silicon or amorphous germanium is used. These amorphous semiconductors are deposited by plasma CVD using gases such as silane, germane, and hydrogen. At this time, the amount of doping gas supplied to the n-type semiconductor such as phosphine or arsine, and the amount of doping gas supplied to the p-type semiconductor such as diborane is varied.

【0018】この堆積された非晶質半導体を、フォトエ
ッチング技術を用いて不要部を除去し、所定の薄膜熱電
対41a 、41b を形成する。なお薄膜熱電対41
a 、41b は、ゼーベック係数の大きな非晶質薄膜
等と小さな金属薄膜等とで構成されても、差し支えない
Unnecessary portions of the deposited amorphous semiconductor are removed using photo-etching technology to form predetermined thin film thermocouples 41a and 41b. In addition, thin film thermocouple 41
a and 41b may be composed of an amorphous thin film or the like with a large Seebeck coefficient and a small metal thin film or the like.

【0019】続いて、薄膜ヒータ31を形成する。この
薄膜抵抗体としては、ニクロム、タンタル等の金属薄膜
等を用いる。これらの薄膜は、スパッタ法あるいは真空
蒸着法により堆積する。この薄膜も同様に不要部を除去
し、望ましい形の薄膜ヒータ31を形成する。
Next, a thin film heater 31 is formed. As this thin film resistor, a metal thin film such as nichrome or tantalum is used. These thin films are deposited by sputtering or vacuum evaporation. Unnecessary portions of this thin film are similarly removed to form a thin film heater 31 of a desired shape.

【0020】さらに、金等の電極用金属薄膜を堆積し、
同様に不要部を除去し、薄膜熱電対41a 、41b 
および薄膜ヒータ31用の電極8を形成する。
[0020] Furthermore, a thin metal film for electrodes such as gold is deposited,
Similarly, unnecessary parts were removed, and thin film thermocouples 41a and 41b were
Then, the electrode 8 for the thin film heater 31 is formed.

【0021】次に、ポリミイドフィルム、PIQ、多孔
質シリコン、多孔質アルミナ等の感湿膜2を接着剤や半
導体プロセス技術を用いて装着する。多孔質シリコン膜
や多孔質アルミナの作製にはスパッタや真空蒸着法によ
り堆積した薄膜を腐食法や陽性酸化法を用いることによ
り容易に作製できる。なお、表面保護膜として、二酸化
ケイ素薄膜、チッ化ケイ素薄膜等を設ける場合もある。
Next, a moisture sensitive film 2 made of polyimide film, PIQ, porous silicon, porous alumina, etc. is attached using an adhesive or semiconductor process technology. Porous silicon films and porous alumina can be easily produced by using a corrosion method or a positive oxidation method from a thin film deposited by sputtering or vacuum evaporation. Note that a silicon dioxide thin film, a silicon nitride thin film, or the like may be provided as the surface protective film.

【0022】本発明の測定原理及び恒温部6の役割につ
いて、図2を用いて説明する。図2は、図1で説明した
実施例の、基板1の所定位置を加熱(本実施例では薄膜
ヒータなので加熱のみ)した段階での温度勾配の図であ
る。(a)は感湿膜2に水分が含まれていない場合、(
b)は感湿膜2に水分が含まれている場合である。図中
、恒温部6(図2中の両側に斜線で示す)は、銅ブロッ
ク等に直接設置されているために、薄膜ヒータ31のオ
ン・オフに関係なく常に一定の温度を保っている。  
The measurement principle of the present invention and the role of the constant temperature section 6 will be explained using FIG. FIG. 2 is a diagram of the temperature gradient at the stage when a predetermined position of the substrate 1 is heated (in this embodiment, only heating is performed since the thin film heater is used) in the embodiment described in FIG. In (a), when the moisture-sensitive membrane 2 does not contain moisture, (
b) is a case where the moisture sensitive film 2 contains moisture. In the figure, the constant temperature section 6 (indicated by diagonal lines on both sides of FIG. 2) is installed directly on a copper block or the like, so it always maintains a constant temperature regardless of whether the thin film heater 31 is on or off.

【0023】これに対し、加熱部7の所望の位置(図2
中の中央部に網線で示す)は、薄膜ヒータ31がオフの
時、恒温部6に等しい温度であるが、薄膜ヒータ31が
オンの時は恒温部6よりも温度が上昇する。従って薄膜
ヒータ31がオンの時、加熱部7と恒温部6との間には
温度差△T1が発生する。
On the other hand, the desired position of the heating section 7 (FIG.
When the thin film heater 31 is off, the temperature of the area (shown by the dotted line in the center) is the same as that of the constant temperature section 6, but when the thin film heater 31 is on, the temperature is higher than that of the constant temperature section 6. Therefore, when the thin film heater 31 is on, a temperature difference ΔT1 occurs between the heating section 7 and the constant temperature section 6.

【0024】この温度差△T1は、薄膜ヒータ31の発
熱量Qと熱抵抗Rsの積で求められ、以下の数1で表さ
れる。
This temperature difference ΔT1 is determined by the product of the heat generation amount Q of the thin film heater 31 and the thermal resistance Rs, and is expressed by the following equation 1.

【0025】[0025]

【数1】[Math 1]

【0026】この場合、熱抵抗Rsは主として基板1の
熱抵抗のみにほぼ依存する。従って、基板1の熱伝導率
をλs、長さをLs、幅をWs、厚さをtsとすると、
熱抵抗Rsは、以下の数2で表される。
In this case, the thermal resistance Rs depends almost only on the thermal resistance of the substrate 1. Therefore, if the thermal conductivity of the substrate 1 is λs, the length is Ls, the width is Ws, and the thickness is ts,
The thermal resistance Rs is expressed by the following equation 2.

【0027】[0027]

【数2】[Math 2]

【0028】このように、感湿膜2に水分が含まれてい
ない場合、つまり基板1の所定の位置を加熱した段階で
は、温度差△T1は一定となる。
As described above, when the moisture-sensitive film 2 does not contain moisture, that is, when a predetermined position of the substrate 1 is heated, the temperature difference ΔT1 is constant.

【0029】続いて、基板1の所望の位置を加熱した後
の第一の温度を検出する段階に入る。図2では、この温
度差△T1の検出方法に薄膜熱電対41a 、41b 
を用いている。この時、薄膜熱電対41の熱起電圧V1
は、薄膜熱電対41a 、41b のゼーベック係数S
と、温度差△T1の積で求められる(数3)。
Next, a step begins in which a first temperature after heating a desired position of the substrate 1 is detected. In FIG. 2, thin film thermocouples 41a and 41b are used to detect this temperature difference ΔT1.
is used. At this time, the thermoelectromotive voltage V1 of the thin film thermocouple 41
is the Seebeck coefficient S of the thin film thermocouples 41a and 41b
and the temperature difference ΔT1 (Equation 3).

【0030】[0030]

【数3】[Math 3]

【0031】この時点においても、感湿膜2に水分が含
まれていないので、発生する熱起電圧V1は一定である
。この段階から、基板1の少なくとも一部分の表面に設
けられた感湿膜2に水分が含まれる段階に入る。図1に
示される実施例においては、薄膜ヒータ31及び薄膜熱
電対41a 、41b が形成されている面に対向する
面にある感湿膜2に水分が含まれる。感湿膜2に水分が
含まれる以前では、熱は基板1内のみを流れて加熱部7
から恒温部6へ伝わっている。これに対し、感湿膜2に
水分が含まれると、基板1内のみを流れていた熱の一部
が、感湿膜2に含まれた水分により感湿膜2を流れて加
熱部7から恒温部6へ伝わる。このため、加熱部7と恒
温部6との間の熱抵抗は減少する。感湿膜2の熱伝導率
をλf、長さをLf、幅をWf、感湿膜2に含まれる水
分量をtfとすると、感湿膜2のみの熱抵抗をRfは以
下の数4で表される。
[0031] Even at this point, since moisture is not contained in the moisture sensitive membrane 2, the generated thermal electromotive voltage V1 is constant. From this stage, a stage begins in which moisture is contained in the moisture-sensitive film 2 provided on the surface of at least a portion of the substrate 1. In the embodiment shown in FIG. 1, moisture is contained in the moisture sensitive film 2 on the surface opposite to the surface on which the thin film heater 31 and thin film thermocouples 41a, 41b are formed. Before moisture is contained in the moisture-sensitive film 2, heat flows only within the substrate 1 and reaches the heating section 7.
It is transmitted from the temperature control section 6 to the constant temperature section 6. On the other hand, when the moisture-sensitive film 2 contains moisture, a part of the heat that was flowing only inside the substrate 1 flows through the moisture-sensitive film 2 due to the moisture contained in the moisture-sensitive film 2 and from the heating section 7. It is transmitted to the constant temperature section 6. Therefore, the thermal resistance between the heating section 7 and the constant temperature section 6 is reduced. If the thermal conductivity of the moisture sensitive membrane 2 is λf, the length is Lf, the width is Wf, and the amount of moisture contained in the moisture sensitive membrane 2 is tf, then the thermal resistance of only the moisture sensitive membrane 2 is Rf as shown in the following equation 4. expressed.

【0032】[0032]

【数4】[Math 4]

【0033】また、基板1の熱抵抗RsとRfとの合成
熱抵抗Rは、以下の数5であらわされる。
Further, the composite thermal resistance R of the thermal resistances Rs and Rf of the substrate 1 is expressed by the following equation 5.

【0034】[0034]

【数5】[Math 5]

【0035】数1と同様にして、感湿膜2に水分が含ま
れる状態になって以降の加熱部7と恒温部6の温度差△
T2は、以下の数6で表される。
Similarly to Equation 1, the temperature difference △ between the heating section 7 and the constant temperature section 6 after the moisture-sensitive membrane 2 contains moisture is calculated.
T2 is expressed by the following equation 6.

【0036】[0036]

【数6】[Math 6]

【0037】数6からわかるように、温度差△T2は、
感湿膜2に水分が含まれるようになる前の温度差△T1
よりも、減少している。
As can be seen from equation 6, the temperature difference ΔT2 is
Temperature difference △T1 before moisture-sensitive membrane 2 starts to contain moisture
is decreasing.

【0038】続いて、感湿膜2に水分が含まれるように
なった以降、所定位置の第2の温度を検出する段階に入
る。つまり、この実施例の場合は、温度差△T2を測定
する。第2の温度の検出方法は、第1の温度の検出方法
と同じで、図1に示される実施例の場合、薄膜熱電対4
1a 、41b による熱起電圧で検出する。この時、
熱起電圧V2は、前述の数3と同様にして求められ、以
下の数7で求められる。
[0038] Subsequently, after the moisture-sensitive membrane 2 begins to contain moisture, a step begins in which the second temperature at a predetermined position is detected. That is, in this embodiment, the temperature difference ΔT2 is measured. The second temperature detection method is the same as the first temperature detection method, and in the case of the embodiment shown in FIG.
It is detected by thermoelectromotive voltage generated by 1a and 41b. At this time,
The thermoelectromotive voltage V2 is determined in the same manner as Equation 3 above, and is obtained using Equation 7 below.

【0039】[0039]

【数7】[Math 7]

【0040】このように、第1の温度の検出信号である
熱起電圧V1と第2の温度の検出信号である熱起電圧V
2が求められる。
In this way, the thermoelectromotive voltage V1, which is the first temperature detection signal, and the thermoelectromotive voltage V, which is the second temperature detection signal,
2 is required.

【0041】続いて、第1の温度と第2の温度の差によ
って感湿膜2に含まれる水分量を求める段階に入る。数
3、数7から△T1と△T2の差は、以下の数8で表さ
れる。
[0041] Next, the step of determining the amount of moisture contained in the moisture-sensitive membrane 2 is started based on the difference between the first temperature and the second temperature. From Equations 3 and 7, the difference between ΔT1 and ΔT2 is expressed by Equation 8 below.

【0042】[0042]

【数8】[Math. 8]

【0043】また、数1、数6から△T1と△T2の差
は、以下の数9で表される。
Further, from Equations 1 and 6, the difference between ΔT1 and ΔT2 is expressed by Equation 9 below.

【0044】[0044]

【数9】[Math. 9]

【0045】数8、数9から以下の数10が得られる。From Equations 8 and 9, the following Equation 10 can be obtained.

【0046】[0046]

【数10】[Math. 10]

【0047】数10に、数2、数3、数4、数5を代入
し、整理すると、感湿膜2に含まれる量tfを表す数1
1が得られる。
By substituting Equation 2, Equation 3, Equation 4, and Equation 5 into Equation 10 and rearranging, Equation 1 representing the amount tf contained in the moisture-sensitive film 2 is obtained.
1 is obtained.

【0048】[0048]

【数11】[Math. 11]

【0049】数11において、λs、Ls、Ws、ts
、及びλf、Lf、Wfは既知である。従って、感湿膜
2に含まれる水分量tfは温度の検出信号である熱起電
圧V1、V2を検出することにより求められる。
In Equation 11, λs, Ls, Ws, ts
, and λf, Lf, and Wf are known. Therefore, the amount of moisture tf contained in the humidity sensitive film 2 is determined by detecting the thermoelectromotive voltages V1 and V2, which are temperature detection signals.

【0050】図3は、図1に示される実施例において熱
不良導体の基板1にLs= 10(mm)、Ws=2(
mm)、ts=150(μm)のセラミック基板を用い
、薄膜熱電対41a 、41b のゼーベック係数が0
.25(mV/K)で、薄膜ヒータ31の発熱量が 4
00(mW)の場合の感湿膜2に含まれている水分量t
fと検出熱起電圧Voの関係を示した図である。図は寸
法を度外視し、誇張して作図してある。縦軸には温度差
△T1から温度差△T2までの電圧の変化を絶対値であ
らわし、横軸には、水分量tfをとっている。この場合
Au付着層は、薄膜ヒータ31及び薄膜熱電対41a 
、41b が形成されている面の、対向する面全体に付
着する。含まれている水分量tfに対し、直線性のよい
検出熱起電圧Voが得られている。
FIG. 3 shows that in the embodiment shown in FIG. 1, Ls=10 (mm) and Ws=2(
mm), ts = 150 (μm), and the Seebeck coefficient of the thin film thermocouples 41a and 41b is 0.
.. 25 (mV/K), the amount of heat generated by the thin film heater 31 is 4
The amount of water t contained in the moisture sensitive membrane 2 at 00 (mW)
It is a figure showing the relationship between f and detected thermoelectromotive voltage Vo. The drawings are exaggerated and the dimensions have not been taken into account. The vertical axis represents the change in voltage from the temperature difference ΔT1 to the temperature difference ΔT2 as an absolute value, and the horizontal axis represents the water content tf. In this case, the Au adhesion layer is attached to the thin film heater 31 and the thin film thermocouple 41a.
, 41b are formed on the entire opposite surface. A detected thermal electromotive voltage Vo with good linearity is obtained with respect to the amount of water contained tf.

【0051】図4は、本発明における他の実施例を示し
た図である。図4に示される実施例においては、恒温部
6には、周辺に円形に広がる電極8を、加熱手段には、
図中の中央部の薄膜ヒータ31を、温度検出手段には、
扇形に広がる2対の薄膜熱電対41a 、41b をそ
れぞれ用いている。この実施例では感湿膜2は基板1の
裏側に設けられている。この場合の熱抵抗は、中央部の
薄膜ヒータ31から周辺に円形に広がる電極8までであ
る。また、薄膜熱電対41a 、41b による熱起電
圧は、2対が直列に配線されており、温度を検出する熱
起電圧は2倍である。
FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 4, the constant temperature section 6 includes an electrode 8 that extends circularly around the periphery, and the heating means includes:
The thin film heater 31 in the center of the figure is used as a temperature detection means.
Two pairs of thin film thermocouples 41a and 41b extending in a fan shape are used. In this embodiment, the moisture sensitive film 2 is provided on the back side of the substrate 1. The thermal resistance in this case is from the thin film heater 31 in the center to the electrode 8 that extends circularly around the periphery. Furthermore, two pairs of thermoelectromotive voltages generated by the thin film thermocouples 41a and 41b are wired in series, and the thermoelectromotive voltage for detecting temperature is doubled.

【0052】図5は、図4に示した実施例を組み合わせ
たもので、薄膜熱電対41a 、41b の熱起電圧の
出力の向きが、お互いに逆特性になっている。それぞれ
の中央部の薄膜ヒータ31に等しい発熱量Qがあり、感
湿膜2に水分が含まれる前は、お互いの薄膜熱電対41
a 、41b からの熱起電圧はバランスしあい、湿度
センサ全体としての熱起電圧は出力されない。これに対
し、どちらか一方の円形の熱抵抗部(例えば向って左側
のI部、向かって右側をII部とする)の感湿膜2(図
示しない)にのみ水分が含まれるようになると、向かっ
て左側の円形部分の熱抵抗のみが減少する。したがって
、I部のみの熱起電圧が減少し、両者の熱起電圧のバラ
ンスは崩れ、湿度センサ全体として感湿膜2の水分量に
応じた熱起電圧が出力される。
FIG. 5 shows a combination of the embodiments shown in FIG. 4, in which the output directions of the thermoelectromotive voltages of the thin film thermocouples 41a and 41b have opposite characteristics. Each thin film heater 31 in the center has an equal amount of heat Q, and before moisture is contained in the moisture sensitive film 2, the thin film thermocouples 41 of each other
The thermoelectromotive voltages from a and 41b are balanced, and the thermoelectromotive voltage of the humidity sensor as a whole is not output. On the other hand, if moisture is contained only in the moisture sensitive film 2 (not shown) of either one of the circular heat resistance sections (for example, section I on the left side and section II on the right side), Only the thermal resistance of the circular portion on the left side decreases. Therefore, the thermoelectromotive voltage of only the I section decreases, the balance between the thermoelectromotive voltages of both parts is lost, and the thermoelectromotive voltage of the entire humidity sensor is outputted in accordance with the moisture content of the humidity sensitive film 2.

【0053】図6は、温度検出にサーミスタの薄膜抵抗
体42を用いて、湿度センサ上にブリッジ回路を集積化
したものである。なお加熱には、薄膜ヒータ31を用い
、恒温部6は薄膜ヒータ31の対極辺に位置する。図6
中、薄膜ヒータ31に最も近接している薄膜抵抗体42
がサーミスタであるとすると、このブリッジ回路にバイ
アス電圧がかかっている場合、ブリッジ回路からは温度
に応じた電圧が出力される。
FIG. 6 shows an example in which a thermistor thin film resistor 42 is used for temperature detection, and a bridge circuit is integrated on the humidity sensor. Note that a thin film heater 31 is used for heating, and the constant temperature section 6 is located on the opposite side of the thin film heater 31. Figure 6
Inside, the thin film resistor 42 closest to the thin film heater 31
Assuming that is a thermistor, when a bias voltage is applied to this bridge circuit, a voltage corresponding to the temperature is output from the bridge circuit.

【0054】図7は、加熱に光を用いたものである。光
は湿度センサ外部から導入され、中央部の光吸収膜9に
より吸収され熱に変換される。そして、温度の検出には
複数対の薄膜熱電対41a 、41b を用い、恒温部
6は円形周辺部の電極8である。図7に示される実施例
では、加熱に外部から導入する光を用いているため、真
空装置内等での湿度の測定の際、配線数を減少させるこ
とができるという長所がある。
FIG. 7 shows an example in which light is used for heating. Light is introduced from outside the humidity sensor, absorbed by the light absorption film 9 in the center, and converted into heat. A plurality of pairs of thin film thermocouples 41a and 41b are used to detect the temperature, and the constant temperature section 6 is an electrode 8 on the circular periphery. In the embodiment shown in FIG. 7, since light introduced from the outside is used for heating, there is an advantage that the number of wiring lines can be reduced when measuring humidity in a vacuum apparatus or the like.

【0055】図8は、中央部に円形に形成された黒体等
の輻射膜43を用い、輻射膜43からの輻射熱を温度検
出に利用したものである。加熱には薄膜ヒータ31を用
い、恒温部6は円形周辺部の電極8である。図8に示さ
れる実施例においても、温度検出のための配線は不用な
ので、真空装置内等での感湿膜2に含まれる水分量の測
定の際、配線数を減少させることができるという長所が
ある。
In FIG. 8, a radiant film 43 such as a black body formed in a circular shape in the center is used, and the radiant heat from the radiant film 43 is utilized for temperature detection. A thin film heater 31 is used for heating, and the constant temperature section 6 is an electrode 8 on the circular periphery. The embodiment shown in FIG. 8 also does not require wiring for temperature detection, so it has the advantage that the number of wiring can be reduced when measuring the amount of moisture contained in the moisture sensitive film 2 in a vacuum device, etc. There is.

【0056】図9は、図8に示される実施例同様、温度
検出に輻射熱を利用したものである。また、恒温部6の
位置も同様に、円形周辺部の電極8である。しかし、図
8に示される実施例では、薄膜ヒータ31が中央部にあ
る輻射膜43の周辺を囲むように形成されているため、
図8に示される実施例よりも、輻射膜43の温度が均一
になり、より正確な温度測定が可能であるという長所が
ある。
Similar to the embodiment shown in FIG. 8, FIG. 9 uses radiant heat for temperature detection. Similarly, the constant temperature section 6 is located at the electrode 8 at the circular periphery. However, in the embodiment shown in FIG. 8, the thin film heater 31 is formed so as to surround the radiant film 43 in the center.
Compared to the embodiment shown in FIG. 8, this embodiment has the advantage that the temperature of the radiant film 43 becomes more uniform and more accurate temperature measurement is possible.

【0057】これまで挙げた図1から図9までの実施例
では、いずれも基板の所定の位置を加熱する例を述べた
が、加熱ではなく、冷却した場合でも実施することがで
きる。この冷却した場合の実施例では、ヒータに代わっ
て、N型半導体と金属とP型半導体とで構成されたペル
チエ素子により、N型半導体からP型半導体へ向って電
流を流す。その際、N型半導体と金属、金属とP型半導
体の接合面でペルチェ効果により冷却(電流が逆向きの
場合は加熱)が起こる。この他、ペルチェ効果以外の方
法、例えば真空度に影響のない範囲で冷却されたガス等
を吹き付けることにより、所定位置を冷却しても全く差
し支えない。冷却を用いる湿度の測定方法では、冷却雰
囲気等における発熱を伴う測定が好ましくない場合や、
高温限界温度付近等で測定する場合などにおいて、その
長所が発揮される。
In the embodiments shown in FIGS. 1 to 9 so far, examples have been described in which a predetermined position of the substrate is heated, but it is also possible to perform cooling instead of heating. In this cooling embodiment, instead of the heater, a Peltier element made of an N-type semiconductor, a metal, and a P-type semiconductor is used to flow a current from the N-type semiconductor to the P-type semiconductor. At this time, cooling (heating if the current is in the opposite direction) occurs due to the Peltier effect at the junction surfaces between the N-type semiconductor and the metal, and between the metal and the P-type semiconductor. In addition, there is no problem in cooling the predetermined position by a method other than the Peltier effect, for example, by spraying cooled gas within a range that does not affect the degree of vacuum. When using a humidity measurement method that uses cooling, there are cases where measurements that generate heat in a cooling atmosphere are undesirable, and
Its advantages are demonstrated when measuring near the high temperature limit.

【0058】[0058]

【発明の効果】まず、本発明の湿度センサは、基板を加
熱または冷却し、その基板に設けられた感湿膜2に含ま
れる水分量に応じて変化する温度を検出することにより
大気中の湿度を検出している。
[Effects of the Invention] First, the humidity sensor of the present invention heats or cools a substrate and detects the temperature that changes depending on the amount of moisture contained in the humidity sensitive film 2 provided on the substrate. Detecting humidity.

【0059】この結果、サーミスタ湿度センサのように
、空気中に含まれるガス等の影響を受け、出力がシフト
するようなことはなく、またセンサ部に異物が付着して
特性がシフトすることもなく正確な測定を行うことがで
きる。また、サーミスタ湿度センサは圧力の影響を受け
るので、常圧以外では使用できないが、本発明のセンサ
では、そのような制限はない。次に、本発明は加熱また
は冷却手段と温度検出手段とからなるので、半導体薄膜
技術等を用いることにより容易に小型化が達成でき、セ
ンサの設定場所の選択が広く、どのような環境において
も湿度の測定が可能である。また、半導体薄膜技術等を
用いることにより、その性能に比して非常に安価で作製
できる。そして、サーマルクリーニングを行うためにヒ
ータはその固有のヒータを使用すればよい。さらにまた
、簡明な測定原理を用いたので、機器構成が簡単となり
、従って、諸々のトラブルが生じにくく、安価に構成で
きる。
As a result, unlike a thermistor humidity sensor, the output will not shift due to the influence of gases contained in the air, and the characteristics will not shift due to foreign matter adhering to the sensor section. Accurate measurements can be taken without any problems. Further, since a thermistor humidity sensor is affected by pressure, it cannot be used at any pressure other than normal pressure, but the sensor of the present invention does not have such limitations. Next, since the present invention consists of a heating or cooling means and a temperature detection means, it can be easily miniaturized by using semiconductor thin film technology, etc., and the sensor can be installed in a wide range of locations, allowing it to be used in any environment. It is possible to measure humidity. Furthermore, by using semiconductor thin film technology, etc., it can be manufactured at a very low cost compared to its performance. Then, in order to perform thermal cleaning, a heater unique to the heater may be used. Furthermore, since a simple measurement principle is used, the equipment configuration is simple, and therefore various troubles are less likely to occur and the equipment can be configured at low cost.

【0060】[0060]

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】図1は本発明による湿度センサの一実施例を示
した図。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a humidity sensor according to the present invention.

【図2】図2は図1に示した湿度センサの基板内の温度
勾配を示した図。
FIG. 2 is a diagram showing a temperature gradient within the substrate of the humidity sensor shown in FIG. 1;

【図3】図3は図1に示した湿度センサの感湿膜2に含
まれる水分量と検出熱起電圧の関係を示した図。
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the amount of moisture contained in the humidity sensitive film 2 of the humidity sensor shown in FIG. 1 and the detected thermoelectromotive voltage.

【図4】図4は本発明による湿度センサの他の実施例を
示した図。
FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the humidity sensor according to the present invention.

【図5】図5は本発明による湿度センサの他の実施例を
示した図。
FIG. 5 is a diagram showing another embodiment of the humidity sensor according to the present invention.

【図6】図6は本発明による湿度センサの他の実施例を
示した図。
FIG. 6 is a diagram showing another embodiment of the humidity sensor according to the present invention.

【図7】図7は本発明による湿度センサの他の実施例を
示した図。
FIG. 7 is a diagram showing another embodiment of the humidity sensor according to the present invention.

【図8】図8は本発明による湿度センサの他の実施例を
示した図。
FIG. 8 is a diagram showing another embodiment of the humidity sensor according to the present invention.

【図9】図9は本発明による湿度センサの他の実施例を
示した図である。
FIG. 9 is a diagram showing another embodiment of the humidity sensor according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1      基板。 2      感湿膜。 3      加熱または冷却する手段。 4      温度を検出する手段。 5      ヒートシンク。 6      恒温部。 7      加熱部。 8      電極。 9      光吸収膜。 31      薄膜ヒータ。 41a 、41b       薄膜熱電対。 42      薄膜抵抗体。 43      輻射膜。 1. Board. 2 Moisture sensitive membrane. 3. Means for heating or cooling. 4. Means for detecting temperature. 5 Heat sink. 6. Constant temperature section. 7 Heating section. 8. Electrode. 9. Light absorption film. 31 Thin film heater. 41a, 41b Thin film thermocouple. 42 Thin film resistor. 43 Radiant film.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ヒートシンクに熱的に接続されている熱不
良導体の基板(1)と、該基板上の少なくとも一部に設
けられた感湿膜(2)と、前記基板の所定の位置を加熱
または冷却する手段(3)と、前記加熱または冷却する
手段により加熱または冷却された前記基板の所望の温度
を検出する手段(4)とを備え、前記感湿膜に含まれる
吸着水分量に応じて変化する熱抵抗の変化によりもたら
される温度を検出することにより大気中の湿度を測定す
るセンサ。
1. A substrate (1) of a thermally poor conductor thermally connected to a heat sink, a moisture sensitive film (2) provided on at least a portion of the substrate, and a moisture sensitive film (2) provided at a predetermined position of the substrate. a heating or cooling means (3); and a means (4) for detecting a desired temperature of the substrate heated or cooled by the heating or cooling means; A sensor that measures atmospheric humidity by detecting the temperature caused by a corresponding change in thermal resistance.
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