JPH04231394A - 炭化タンタル複合体材料 - Google Patents

炭化タンタル複合体材料

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JPH04231394A
JPH04231394A JP3236555A JP23655591A JPH04231394A JP H04231394 A JPH04231394 A JP H04231394A JP 3236555 A JP3236555 A JP 3236555A JP 23655591 A JP23655591 A JP 23655591A JP H04231394 A JPH04231394 A JP H04231394A
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copper
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aluminum
carbide composite
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JP3236555A
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Peter G Tsantrizos
ピーター ジー.ツアントリゾス
Lakis T Mavropoulos
ラキス ティー.マブロポウロス
Kartik Shanker
カーティック シャンカー
Robin A L Drew
ロビン エイ.エル.ドリュ
Bruce Henshaw
ブルース ヘンシャウ
Raynald Lachance
レイナルド ラチャンス
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Noranda Inc
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/3255Material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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    • C22C29/00Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
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    • C22C29/06Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides based on carbides, but not containing other metal compounds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高温/高電流密度用の
電極として用いるために開発した炭化タンタル複合体材
料に関する。この材料は反応性プラズマガスを用いたプ
ラズマトーチに特に適している。本発明は、この材料の
新規な製造方法にも関する。
【0002】
【従来の技術】一般に電極寿命、特に陰極性能は、プラ
ズマ法の有望性に影響を与える特に重要な要因の一つと
して長い間認識されてきた。電極劣化が早いと、経済的
及び技術的観点の両方からその方法の価値を減ずる。従
って、電極取り替えのための反応器停止時(down−
time)の頻度、電極のコスト、及び電極から生ずる
物質による生成物の汚染と言ったような因子は、プラズ
マ法の最終的成功を決定する重要なものである。更に一
層重要なのはプラズマの安定性であり、それは陰極表面
で起きる現象に大きく影響される。
【0003】電極現象の重要性は早くから認識され、過
去50年間にこの分野で多くの研究の誘因になってきた
。 この膨大な努力にも拘わらず電極、特に陰極で起きる現
象は依然としてプラズマ化学の中で最も理解の遅れてい
る領域の一つになっている。しかし、幾つかの理論が開
発され、経験的に得られるデーターを説明するのに用い
られ、幾らかの成功を収めている。それらの殆どは、電
極放出物の機構を仮定し、その放出中の陰極表面の状態
を推定することから始めている。二つのそのような理論
が有力になってきており、今日まで全ての電極開発の化
学的基礎を与えている。それら二つの理論は、次のよう
な陰極電子放出機構を述べている:
【0004】1.陰極表面の温度が充分高く、電界強度
が低い場合には、電流は殆ど陰極から熱的に放出された
電子によって運ばれる。この電子放出法は一般に「熱イ
オン放出(thermoionic emission
)」と呼ばれており、3,000 ℃より高い陰極表面
温度及び約103 〜104 A/cm2の電流密度を
特徴とする。タングステンと炭素の如き耐火性物質だけ
が熱イオン放出を行うのに充分な高い沸点を有する。こ
れらの物質は熱イオンエミッターと呼ばれている。
【0005】2.陰極前面に充分大きな電界強度が存在
する場合、放出は比較的低い温度(2,700 ℃未満
)で起き、陰極材料がフェルミ準位より低いエネルギー
を持つ電子を放出する。この機構は一般に「電界放出(
field emission)」と呼ばれ、106 
A/cm2より大きな電流密度を特徴とする。電界放出
電極には銅及びアルミニウムの如き非耐火性物質が用い
られ、このように電界エミッターとして知られている。
【0006】今日当分野の殆どの研究者達は、実際のア
ークでは僅かなイオン成分しか活性でなくても熱イオン
放出と電界放出の組合せを取り扱つかうと言う考えで一
致している。
【0007】上記理論に恐らく影響され、電極プラズマ
トーチ(即ち、トランスファーアーク及び直流アークで
、無電極トーチである誘導プラズマではないもの)は、
全て銅(電界エミッター)又はタングステン、炭素、及
びモリブデン(熱イオンエミッター)をそれらの陰極と
して用いている。銅の場合の銀、及びタングステンの場
合のトリアの如き合金用元素も、一般に2%までの濃度
で用いられている。これらの元素は陰極仕事関数(材料
の電子を放出する能力の尺度)を減少させ、それによっ
て陰極が一層低い温度で最低の腐食速度で作動できるよ
うにする。
【0008】炭素電極は合金用元素を含まない。従って
、それらは比較的大きな仕事関数(5.0 eV)を有
し、大きな腐食速度を示し、消耗性電極として言及され
ている。タングステンの仕事関数は約4.5 eVより
遥かに低い。しかし、純粋なタングステンはプラズマト
ーチ中では、依然として速く腐食する。1%のトリアを
添加すると、陰極仕事関数を3.0 eVより低く低下
させ、遥かに安定な作動ができるようにすることができ
る。トリア含有タングステンは、熱イオン放出プラズマ
トーチに好ましい陰極である。
【0009】このように今まで開発された電極は、低い
腐食速度、及び限定された操作範囲で安定な作動を与え
る。殆どは5,000 Aより低い電流及び不活性プラ
ズマガスでよく作動する。銅合金はプラズマガスとして
の酸素と共に用いられ成功を収めている。トリア含有タ
ングステンは、還元性プラズマ(即ちプラズマガスにH
2 、CH4 、又はNH4 が用いられたプラズマ)
中でよく機能を果たす。しかし、今日まで高度に反応性
のプラズマ、特にハロゲンの中で安定な作動を与えるの
に成功した電極はない。
【0010】金属ハロゲン化物ガス(TiCl4、Nb
Cl5等の如きもの)は高温で極度に腐食性である。例
えば、そのようなガスをトーチ中のプラズマガスとして
用いると、それらは陰極材料とひどく反応する。これら
の反応は、電極で起きる質量損失のみならず、還元金属
(Ti及びNbの如きもの)を生成するため、プラズマ
の安定性には有害である。それらの還元金属は電極を覆
い、その仕事関数を増大させ、最後には電子放出過程を
停止させてしまう。
【0011】金属ハロゲン化物プラズマガスで操作され
るプラズマトーチのための安定な電極は、陰極表面に特
徴的な極度に高い温度(約3,700 ℃)でも、その
ようなガスと反応してはならない。また、それは低い仕
事関数、高い溶融及び揮発温度、良好な熱的及び電気的
伝導度、及び大きな耐熱衝撃性をもたなければならない
【0012】炭化タンタルは、融点及び沸点が夫々3,
850 ℃及び5,470 ℃である耐火性材料である
。それは、約3.8 eVの比較的低い熱イオン仕事関
数も有する。殆どのセラミックと比較して、それは僅か
25μΩcmの室温固有電気抵抗及び21W/(m.K
)の熱伝導度を有する優れた伝導体である。最後に、そ
れは高温でも塩化物による化学的侵食に対し極めて大き
な抵抗を有する。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】炭化タンタルの全ての
優れた性質にも拘わらず、その電極としての性能はむし
ろ不満足なものである。それはアーク点火の熱衝撃によ
り破砕を極めて受けやすい。操作中、その熱伝導度は電
極で吸収される膨大な量の熱エネルギーを発散させるに
は低過ぎ、局部的溶融を起こす結果になる。その融点が
高いため、それは大きな相対的密度へ焼結しにくい材料
である。2,000 ℃までの温度で半時間焼結するこ
とにより僅か50〜65%の相対的密度しか達成されて
いない。相対的密度は、2,400 ℃を越える温度で
半時間焼結することにより75〜80%へ増大すること
ができる。比較的低い密度の材料は低い強度を有し、か
なり低下した電気的及び熱的伝導度を有し、アーク点火
で観察される破砕及び溶融を更に起こし易くする。最後
にその材料は非常に堅くて脆く、有用な電極へ成形する
のが非常に難しい。
【0014】
【課題を解決するための手段】純粋なTaC電極に伴わ
れるこれら欠点の全てが、本発明により、セラミックに
対し補足的な性質(即ち大きな耐熱衝撃性、大きな熱的
及び電気的伝導度、及び良好な電子放出性)を有する比
較的低い融点の金属を炭化タンタル前成形体に浸透させ
ることにより製造された炭化タンタル複合体材料を与え
ることにより解決された。浸透用材料としてアルミニウ
ム及び銅が用いられている。アルミニウム又は銅の種々
の合金も用いることができる。金及び銀の如き他の金属
を用いてもよい。複合体材料のセラミック含有量を増大
するため、TaC前成形体は浸透前に焼結されているの
がよい。
【0015】本発明を次に図面を参照して例により記述
する。図1に関し、約1μの粒径のTaC粉末10をプ
レスして生のTaC物体12を形成する。次に生の物体
を1,900 ℃〜2,500 ℃の温度で1/2 時
間焼結することによりTaC焼結前成形体14を形成す
ることができる。焼結後のTaC前成形体の密度は約5
0%〜80%を越えるまでになっているのが好ましく、
従って、前成形体の大きさは減少しているのが好ましい
。焼結してない生の物体への浸透も、大きなセラミック
密度が要求されていないならば可能である。浸透はTa
C前成形体を1,100 ℃より高いが2,000 ℃
より低い温度の溶融金属浴16中で加熱することにより
達成することができる。浸透に最適な温度は約1,50
0 ℃であるように見える。不活性ガス雰囲気中に維持
された黒鉛坩堝18を用いて溶融浴を中に入れる。得ら
れたTaC複合体材料を機械加工して電極20の形にす
るその電極はプラズマトーチの電極として用いることに
対し優れた性質をもっている。
【0016】TaC複合体電極の二つの例を製造し、試
験した。第一の複合体は浸透用金属としてアルミニウム
を用いたのに対し、第二のものでは銅を用いた。両方の
複合体とも非常に強く、良好な熱的及び電気的伝導性を
持ち、熱衝撃に対し大きな抵抗性を持ち(アーク点火時
に亀裂は観測されなかった)、希望の形に容易に機械加
工することができた。これらの材料の幾つかの性質を下
の表Iに列挙する。
【0017】
【表1】                     表I  T
aC複合体材料の性質  材料組成         
               TaC/Al    
  TaC/Cu  セラミック体積分率(%)   
       55                
52  固有電気抵抗(Ωcm)          
    9.6 ×10−6        4.4 
×10−6  熱拡散率(cm/秒、18℃)    
      0.275             0
.284   降伏強度(0.1 %、MPa)   
     80                13
0   抗張力(MPa)             
     435               40
0   伸び(%)                
        9                
 8.7   圧縮強度(MPa)         
       600               
1380  硬度(R−A、60kg)       
       53                
63  機械加工性                
        優秀              優
【0018】各材料の微細粒子構造を示す走査電子顕
微鏡写真を図2及び図3に示す。
【0019】複合体材料を電極につくり(陽極と陰極と
の両方)、図3に概略的に示すようにプラズマトーチ中
で試験した。アークをTaC複合体陽極30とTaC複
合体陰極32との間に形成し、磁気コイル34を用いて
回転させた。プラズマガスを電極領域を通って径方向に
流した。電極を冷却するのにH2 Oを用いた。試験の
ための二種類のプラズマガス組成物を用いた。不活性プ
ラズマ中の陰極性能を評価するため純粋アルゴンプラズ
マガスを用い、金属ハロゲン化物プラズマ中の電極性能
を調べるため10〜15%のTiCl4を含有するアル
ゴンプラズマガスを用いた。新しい電極材料の性能は全
く満足できるものであった。調べた全ての実験条件で、
安定な操作及び低い腐食速度が観察された。電極腐食デ
ーターを含めた操作データーの四つの例を下に報告する
【0020】
【実施例】実施例1
【表2】目的:不活性プラズマガスを用いて、プラズマ
トーチ中のTaC/Al複合体電極の性能の評価プラズ
マガス:          8リットル/分のアルゴ
ン時間:                  60分
アーク電圧:            30ボルトアー
ク電流:            100 アンペアア
ーク回転:            900 rpm 
陽極腐食速度:          0.55g/C陰
極腐食速度:          1.3 g/C
【0
021】実施例2
【表3】目的:反応性プラズマガスを用いて、プラズマ
トーチ中のTaC/Al複合体電極の性能の評価プラズ
マガス:          15リットル/分のアル
ゴン+23g/分のTiCl4 時間:                  20分ア
ーク電圧:            50ボルトアーク
電流:            100 アンペアアー
ク回転速度:        900 rpm 陽極腐
食速度:          6.6 g/C陰極腐食
速度:          25  g/C
【0022
】実施例3
【表4】目的:不活性プラズマガスを用いて、プラズマ
トーチ中のTaC/Cu複合体電極の性能の評価プラズ
マガス:          15リットル/分のアル
ゴン時間:                  20
分アーク電圧:            26ボルトア
ーク電流:            100 アンペア
アーク回転速度:        1200rpm 陽
極腐食速度:          0.28g/C陰極
腐食速度:          0.40g/C
【00
23】実施例4
【表5】目的:反応性プラズマガスを用いて、プラズマ
トーチ中のTaC/Cu複合体電極の性能の評価プラズ
マガス:          15リットル/分のアル
ゴン+15g/分のTiCl4 時間:                  10分ア
ーク電圧:            42ボルトアーク
電流:            100 アンペアアー
ク回転速度:        1100rpm 陽極腐
食速度:          3.4 g/C陰極腐食
速度:          16  g/C
【図面の簡単な説明】
【図1】TaC複合体材料を製造するための、本発明に
よる方法の工程図である。
【図2】製造されたTaC複合体材料の微細な粒子構造
を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図3】製造されたTaC複合体材料の微細な粒子構造
を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図4】本発明によるTaC複合体材料を用いたプラズ
マトーチの構成図である。
【符号の説明】
10  TaC粉末 12  生のTaC物体 14  焼結TaC前成形体 16  溶融金属浴 20  電極

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  アルミニウム、銅、アルミニウム又は
    銅の種々の合金、金、及び銀から選択された低融点金属
    を浸透させた炭化タンタル前成形体からなる炭化タンタ
    ル複合体材料。
  2. 【請求項2】  前成形体が、浸透させる前に焼結され
    、TaC物質の含有量が増大している請求項1に記載の
    炭化タンタル複合体材料。
  3. 【請求項3】  低融点金属がアルミニウムである請求
    項1又は2に記載の炭化タンタル複合体材料。
  4. 【請求項4】  低融点金属が銅である請求項1又は2
    に記載の炭化タンタル複合体材料。
  5. 【請求項5】  a)  粒径約1μのTaC粉末をプ
    レスして生の物体を形成し、 b)  炭化タンタルセラミックの密度を前記生の物体
    の40%から、2600℃までの温度で約1/2 時間
    焼結することにより、80%を越えるまでの範囲に制御
    し、c)  アルミニウム、銅、アルミニウム又は銅の
    種々の合金、金、及び銀から選択された低融点金属を前
    記前成形体に、1100℃〜2000℃の温度に維持さ
    れた溶融浴中で浸透させる、諸工程からなる炭化タンタ
    ル複合体材料の製造方法。
  6. 【請求項6】  炭化タンタルセラミックを約2000
    ℃で1/2 時間焼結し、約60%の密度にし、浸透用
    金属がアルミニウムであり、浴の温度が1300℃〜1
    700℃である請求項5に記載の方法。
  7. 【請求項7】  炭化タンタルセラミックを約1900
    ℃で1/2 時間焼結し、約50%の密度にし、浸透用
    金属が銅であり、浴の温度が1500℃〜2000℃で
    ある請求項5に記載の方法。
JP3236555A 1990-09-18 1991-09-17 炭化タンタル複合体材料 Pending JPH04231394A (ja)

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CA2025619 1990-09-18
CA002025619A CA2025619C (en) 1990-09-18 1990-09-18 Tantalum carbide composite materials

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US (1) US5196273A (ja)
EP (1) EP0476572A3 (ja)
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5511603A (en) * 1993-03-26 1996-04-30 Chesapeake Composites Corporation Machinable metal-matrix composite and liquid metal infiltration process for making same
US6130399A (en) * 1998-07-20 2000-10-10 Hypertherm, Inc. Electrode for a plasma arc torch having an improved insert configuration
CN107963887B (zh) * 2017-12-06 2019-11-22 中国人民解放军国防科技大学 碳化钽陶瓷先驱体制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1918212A (en) * 1930-10-08 1933-07-11 Gen Electric Method for making hard metal compositions
US2922721A (en) * 1956-04-02 1960-01-26 Sintercast Corp America Method for coating and infiltrating a porous refractory body
US3553820A (en) * 1967-02-21 1971-01-12 Union Carbide Corp Method of producing aluminum-carbon fiber composites
FR2038858A5 (ja) * 1969-03-31 1971-01-08 Combustible Nucleaire
US4469654A (en) * 1980-02-06 1984-09-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company EDM Electrodes
JPS5922469A (ja) * 1982-07-29 1984-02-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 遅延検波回路
SU1574414A1 (ru) * 1987-05-04 1990-06-30 Краматорский Индустриальный Институт Электрод дл плазменной обработки
US4803334A (en) * 1987-11-16 1989-02-07 Westinghouse Electric Corp. Method for laser beam welding metal matrix composite components

Also Published As

Publication number Publication date
CA2025619A1 (en) 1992-03-19
EP0476572A2 (en) 1992-03-25
EP0476572A3 (en) 1993-01-20
CA2025619C (en) 1996-09-17
US5196273A (en) 1993-03-23

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