JPH04230943A - イオン注入装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野）この発明は、イオンビームを基板
上に走査させ、その基板にイオンを注入するイオン注入
装置に関するものである。

（従来の技術）従来のイオン注入装置は、第１１図に示
すようにイオン源Ａと、質量分離器Ｂと、加速管Ｃと、
収束レンズＤと、イオンビームをＹ方向（垂直方向）に
偏向させる平行平板型静電偏向器Ｅと、イオンビームを
Ｘ方向（水平方向）に偏向させる平行平板型静電偏向器
Ｆと、基板Ｇとで構成され、イオン源Ａより引き出され
たイオンビームは質量分離器Ｂで同一質量数のイオンよ
りなるイオンビームにされてから、加速管Ｃで加速され
、そして収束レンズＤで収束された後、平行平板型静電
偏向器ＥでＹ方向（垂直方向）に偏向されてから、平行
平板型静電偏向器Ｆで更にＸ方向（水平方向）に偏向さ
れ、基板Ｇに注入されていた。したがって、従来のイオ
ン注入装置では、まず、平行平板型静電偏向器Ｅに、例
えば、１６７Ｈｚの三角波電圧を印加して、イオンビー
ムをＹ方向（垂直方向）に掃引偏向させ、その次に、平
行平板型静電偏向器Ｆに、イオンビームを約７°だけオ
フセット偏向させるオフセット電圧と、例えば、８３３
Ｈｚの三角波電圧とを印加して、イオンビームをオフセ
ット偏向させると同時に、Ｘ方向（水平方向）に掃引偏
向させていた。

（発明が解決しようとする課題）従来のイオン注入装置
は、上記のように平行平板型静電偏向器Ｅでイオンビー
ムをＹ方向（垂直方向）に掃引偏向させてから、平行平
板型静電偏向器Ｆでオフセット偏向と掃引偏向とを同時
に行っていたが、平行平板型静電偏向器Ｆより流出する
イオンビームの方向が常に一定でなかったため、基板Ｇ
へのイオンビームの入射角が基板Ｇの場所によって異な
っていた。そのため、基板Ｇの直径が、例えば、６イン
チの場合には、基板Ｇの端に入射するイオンビームの入
射角と、基板Ｇの中心に入射するイオンビームの入射角
とでは２．７°の差異が生じ、また、８インチの場合に
は、基板Ｇの端に入射するイオンビームの入射角と、基
板Ｇの中心に入射するイオンビームの入射角とでは３．
６°の差異が生じていた。これを基板Ｇの端と端とで比
較してみると、基板Ｇの直径が６インチの場合には、２
．７°×２＝５．４°の差異となり、また、８インチの
場合には、３．６°×２＝７．２°の差異となる。この
ような差異は、基板Ｇに注入されるイオンの入射条件が
基板Ｇの場所によって異なることを示しており、特に、
基板Ｇの集積度を４Ｍビット、１６Ｍビットと向上させ
、基板Ｇの寸法を６インチから８インチへと移行させる
ときには、シャドウイグ、注入均一性の劣化あるいはチ
ャネリング等により、イオン注入された基板Ｇの特性が
低下する問題があった。この発明の目的は、従来の問題
を解決して、基板に入射されるイオンビームの入射角を
、基板の場所によって異なることなく一定にし、イオン
注入された基板の特性を低下させないイオン注入装置を
提供することにある。

（課題を達成するための手段）上記目的を達成するため
に、この発明は、イオンビームを基板上に走査させ、そ
の基板にイオンを注入するイオン注入装置において、第
１の多重極静電偏向器の各電極に、イオンビームを一定
の角度だけオフセット偏向させる電圧と、イオンビーム
を掃引偏向させる電圧とを重畳して印加すると共に、第
１の多重極静電偏向器でオフセット偏向だけされたとき
のイオンビームの軸線上に配置された第２の多重極静電
偏向器の各電極に、イオンビームを掃引偏向させる電圧
のみを印加し、第２の多重極静電偏向器より流出するイ
オンビームの方向を基板に対して一定の角度にして、常
に同じ方向から基板にイオンを注入することを特徴とす
るものである。なお、この発明は、第１の多重極静電偏
向器の中心軸を、入射するイオンビームの軸線に対して
、オフセット偏向される向きと同じ側に平行移動して、
第１の多重極静電偏向器を配置したものであってもよい
。

（作用）この発明においては、第１の多重極静電偏向器
の各電極に、イオンビームを一定の角度だけオフセット
偏向させる電圧と、イオンビームを掃引偏向させる電圧
とを重畳して印加すると共に、第１の多重極静電偏向器
でオフセット偏向だけされたイオンビームの軸線上に配
置された第２の多重極静電偏向器の各電極に、イオンビ
ームを掃引偏向させる電圧のみを印加し、第２の多重極
静電偏向器より流出するイオンビームの方向を基板に対
して常に一定の角度にして、常に同じ方向から基板にイ
オンを注入するようにしているので、基板に入射される
イオンビームの入射角は、基板の場所によって異なるこ
となく一定となり、イオン注入された基板の特性が低下
しなくなる。また、この発明では、第１の多重極静電偏
向器や第２の多重極静電偏向器における均一電場の形成
される範囲は直径の７０％以内であるが、特に、直径の
６０％以内では電場の均一度が高い。そのため、第１の
多重極静電偏向器内を通過するイオンビームを電場の均
一度の高い直径の６０％以内の範囲に収めることが必要
になる。そこで、この発明において、第１の多重極静電
偏向器の中心軸を、入射するイオンビームの軸線に対し
て、オフセット偏向される向きと同じ側に平行移動して
、第１の多重極静電偏向器を配置したならば、第１の多
重極静電偏向器の出口におけるイオンビームも均一度の
高い直径の６０％以内の範囲に収まるようになり、特に
、基板へのイオン注入の均一性がよくなる。

（実施例）以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。第１図はこの発明の実施例を示して
おり、同図において、１はイオン源、２はイオン源１よ
り引き出されたイオンビーム８の中から同一質量数のイ
オンだけを分離する質量分離器、３は質量分離器２で分
離されたイオンビーム８を加速する加速管、４は加速管
３で加速されたイオンビーム８を収束させる収束レンズ
、５は収束レンズ４で収束されたイオンビーム８を、一
定の角度、例えば７°だけオフセット偏向したうえ、更
に、Ｘ方向（水平方向）及びＹ方向（垂直方向）に同時
に掃引偏向させる第１の８重極静電偏向器、６は第１の
８重極静電偏向器５でイオンビーム８を７°だけオフセ
ット偏向したときにおけるその軸線上に配設され、第１
の８重極静電偏向器５で掃引偏向されたイオンビーム８
を更にＸ方向（水平方向）及びＹ方向（垂直方向）に同
時に掃引偏向して、後述する基板に対して常に一定の角
度で同じ方向より流出させる第２の８重極静電偏向器、
７は第２の８重極静電偏向器６より常に同じ方向で流出
したイオンビームを注入する基板である。第２図は第１
の８重極静電偏向器５、第２の８重極静電偏向器６及び
基板７の配置状態を示した斜視図である。第１及び第２
の８重極静電偏向器５、６の各電極に印加する電圧をど
のようにするかを決定するに前に、便宜上、第３図に示
される半径ｒｏの円筒状静電偏向器１０を考え、その内
部のＹ方向（垂直方向）に一様な電場Ｖ／ｒｏを発生さ
せるには、その円周上にどのような電圧を印加すればよ
いかを考えてみる。Ｘ方向（水平方向）に対して角度θ
をなす半径ＯＰを考え、Ｐ点の電圧をφとすると、その
φは次式で示される。

φ＝−Ｖ／ｒｏ・ｒｏｓｉｎθ＝−Ｖｓｉｎθ即ち、円
筒状静電偏向器１０の円筒面上に−Ｖｓｉｎθの電圧分
布を印加すると、円筒状静電偏向器１０内のＹ方向（垂
直方向）に一様な電場Ｖ／ｒ０が生じるようになる。同
様に、円筒状静電偏向器１０の円筒面上に−Ｕｃｏｓθ
の電圧分布を印加すると、円筒状静電偏向器１０内のＸ
方向（水平方向）に一様な電場Ｕ／ｒ０が生じるように
なる。したがって、第４図のように、円筒状静電偏向器
１０の円周上に−Ｖｓｉｎθ−Ｕｃｏｓθの電圧を印加
した場合には、円筒状静電偏向器１０内において、Ｘ方
向（水平方向）の一様な電場Ｕ／ｒ０と、Ｙ方向（垂直
方向）の一様な電場Ｖ／ｒ０とを重ね合わせた一様な電
場Ｅ１が得られるようになる。そこで、この円筒状静電
偏向器の円周上に印加する電圧ヘの考察を参照しながら
、第１の８重極静電偏向器５の各電極に印加する電圧を
決定する。その場合、第１の８重極静電偏向器５の８本
の電極は、第５図に示されるように等間隔で円形に配置
され、最上部の電極より時計方向に符号が５ａ、５ｂ、
５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆ、５ｇ、５ｈと付されているの
で、イオンビーム８を、Ｘ軸（−Ｕ方向）に一定の角度
、例えば７°だけオフセット偏向させるための電圧は、
第１の８重極静電偏向器５の電極５ａに０、電極５ｂに ×Ｕｏ、電極５ｃにＵｏ、電極５ｄに ×Ｕｏ、電極５ｅに０、電極５ｆに− ×Ｕｏ、電極５ｇに−Ｕｏ、電極５ｈに−（１／×Ｕｏ
がそれぞれ印加される。そして次に、イオンビーム８を
Ｘ方向（水平方向）及びＹ方向（垂直方向）に同時に掃
引偏向させるための電圧は、オフセット偏向させるため
の電圧に重畳して、第１の８重極静電偏向器５の電極５
ａに−Ｖ、電極５ｂに ×（Ｕ−Ｖ）、電極５ｃにＵ、電極５ｄに×（Ｕ＋Ｖ）
、電極５ｅにＶ、電極５ｆに×（−Ｕ＋Ｖ）、電極５ｇ
に−Ｕ、電極５ｈに、×（−Ｕ−Ｖ）がそれぞれ印加さ
れる。一方、第２の８重極静電偏向器６の８本の電極も
、第６図に示されるように等間隔で円形に配置され、最
上部の電極より時計方向に符号が６ａ、６ｂ、６ｃ、６
ｄ、６ｅ、６ｆ、６ｇ、６ｈと付されているが、この第
２の８重極静電偏向器６はイオンビーム８をオフセット
偏向させることなく、Ｘ方向（水平方向）及びＹ方向（
垂直方向）に同時に掃引偏向させるだけであるから、イ
オンビーム８を掃引偏向させるための電圧は、第２の８
重極静電偏向器６の電極６ａにＶ’、電極６ｂに（１ ×（−Ｕ’＋Ｖ’）、電極６ｃに−Ｕ’、電極６ｄに×
（−Ｕ’−Ｖ’）、電極６ｅに−Ｖ’、電極６ｆに×（
Ｕ’−Ｖ’）、電極６ｇにＵ’、電極６ｈに×（Ｕ’＋
Ｖ’）がそれぞれ印加される。なお、上記Ｕｏはイオン
ビーム８をオフセット偏向させるための電圧であるから
、一定値であるが、Ｕ、Ｖ、Ｕ’、Ｖ’はイオンビーム
８をＸ方向（水平方向）及びＹ方向（垂直方向）に同時
に掃引偏向させるための電圧であるから、時間とともに
変化する値となる。第７図は第１及び第２の８重極静電
偏向器５、６で偏向されたイオンビーム８が基板７上を
矢視のように走査されたときの軌跡を示してている。次
に、動作原理について説明する。第８図及び第９図に示
すように、第１の８重極静電偏向器５の直径をｄ１、長
さをｌ１、第２の８重極静電偏向器５の直径をｄ２、長
さをｌ２、第１及び第２の８重極静電偏向器５、６間に
おけるイオンビームの曲線に沿った距離をＬ、イオンビ
ームをオフセット偏向させるために第１の８重極静電偏
向器５の電極に印加された電圧によって発生する電場を 、イオンビームを掃引偏向させるために第１の８重極静
電偏向器５の電極に印加された電圧によって発生する電
場を 、イオンビームを掃引偏向させるために第２の８重極静
電偏向器６の電極に印加された電圧によって発生する電
場を とし、更に、第１の８重極静電偏向器５に入射するイオ
ンビームの進行方向と一致するように設定された第１の
８重極静電偏向器５の中心軸の方向にｚ軸、第１の８重
極静電偏向器５のオフセット偏向のための電場の方向を
ｘ軸、ｚ軸及びｘ軸に直角にｙ軸をとり、右手座標系の
Ｏ−ｘｙｚを定め、また、第２の８重極静電偏向器６に
入射するイオンビームの進行方向と一致するように設定
された第２の８重極静電偏向器６の中心軸の方向にｚ’
軸、上記ｙ軸に平行にｙ’軸、ｚ’軸及びｙ’軸に直角
にｘ’軸をとり、右手座標系のＯ’−ｘ’ｙ’ｚ’を定
める。第１の８重極静電偏向器５内でイオンビームに作
用する電場ベクトルは、 とのベクトル和となるが、 とはｚ軸に垂直であるため、このベクトル和もｚ軸に垂
直となる。第１の８重極静電偏向器５に入射するイオン
のエネルギをｕ０エレクトロンボルト、速度をＶ０ｍ／
秒、イオンの質量をｍｋｇ、イオンの電荷をｅクーロン
とすると、第１の８重極静電偏向器５内でのイオンの運
動方程式はＭＫＳ単位系で次式のようになる。但し、Ｅ
１ｘ、Ｅ１ｙはＥ１のｘ及びｙ成分である。

１／２ｍｖ０２＝ｅｕ０・・・・・・・・（１）ｍｄ２
ｘ／ｄｔ２＝ｅ（ＥＯＦＦ＋Ｅ１ｘ）・・（２）ｍｄ２
ｙ／ｄｔ２＝ｅＥ１ｙ・・・・・・・・（３）ｍｄ２ｚ
／ｄｔ２＝０　　　　・・・・・・・・（４）したがっ
て、（４）式よりｄｚ／ｄｔ＝一定＝Ｖ０となり、イオ
ンが第１の８重極静電偏向器５内を通過するにようする
時間ｔ１はｌ１／ｖ０となる。そして、第１の８重極静
電偏向器５の出口におけるイオンビームのｘ方向及びｙ
方向の速度成分を（ｄｘ／ｄｔ）ｏｕｔ、（ｄｙ／ｄｔ
）ｏｕｔとすると、これらは（２）式及び（３）式を時
間ｔで積分して次式のようになる。

そこで、第１の８重極静電偏向器５内にオフセット偏向
のための電場 のみが存在する仮定した場合、第１の８重極静電偏向器
５の出口におけるイオンビームのｚ軸に垂直な速度ベク
トルを とすると、それは次式のようになる。

一方、第１の８重極静電偏向器５内に掃引偏向のための
電場Ｅ１のみが存在する仮定した場合、第１の８重極静
電偏向器５の出口におけるイオンビームのｚ軸に垂直な
速度ベクトルを とすると、ｖ１は次式のようになる。但し、ｘ軸、ｙ軸
、ｚ軸方向の単位ベクトルはそれぞれｉ、ｊ、ｋである
。

ｅ／ｍ・Ｅ１ｘ・ｌ１／ｖ０ｉ＋　　ｅ／ｍ・Ｅ１ｙ・
ｌ１／ｖ０ｊ＝ｅ／ｍ・ｌ１ｖ０・（Ｅ１ｘ・ｉ＋Ｅ１
ｙ・ｊ） したがって、第１の８重極静電偏向器５内にオフセット
偏向のための電場 と、掃引偏向のための電場 との双方が存在した場合、第１の８重極静電偏向器５に
入射するイオンビームの速度ベクトルをとすると、第１
の８重極静電偏向器５の出口における速度ベクトル は次式のようになる。

しかしながら、第１の８重極静電偏向器５内において、
イオンビームを７°だけ偏向するオフセット偏向のため
の電場 のみが加えられてい場合、第１０図に示されるように、
第１の８重極静電偏向器５の出口におけるイオンビーム
の速度ベクトル は次式のようになる。

そして、その速度ベクトル の大きさは次式のようになる。

　　　　ｖ０’＝ｖ０／ｃｏｓ７°＝１．００７５１　
　ｖ０・・・・・（１１）次に、第２の８重極静電偏向
器６について検討する。第２の８重極静電偏向器６では
、オフセット偏向による電場の影響がないため、イオン
ビームのｚ’軸方向の速度ベクトルの大きさは上記（１
１）と同様にＶ０’＝１．００７５１ｖ０となるから、
第２の８重極静電偏向器６を通過するに要する時間Δｔ
２’は次式のようになる。

　　　　Δｔ２’＝ｌ２／ｖ０’＝ｌ２／ｖ０・ｃｏｓ
７°　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　＝ｌ２／ｖ０・０．９９２５・・・（１２）そして、
第２の８重極静電偏向器６には、イオンビームを掃引偏
向させるための電場 のＸ’成成分 、ｙ’成分 が次式を満足するように加えられる。

　　　　　　Ｅ１ｘ・ｌ１／ｖ０＝−Ｅ２ｘ’・ｌ２／
ｖ０’・・・（１３）　　　　　　Ｅ１ｙ・ｌ１／ｖ０
＝−Ｅ２ｙ’・ｌ２／ｖ０’・・・（１４）この（１３
）式及び（１４）式は、第３図と第４図とにおいて、電
極の断面形状と間隔を相似形として、長さだけを変え、
ｌ２＝ｌ１・ｄ２／ｄ１・１／ｃｏｓ７°とすると、Ｖ
’、Ｕ’をそれぞれＶ　　Ｕと等しくし、そして、Ｖ’
とＶ、−Ｖ’と−Ｖ、Ｕ’とＵ、−Ｕ’と−Ｕ、 ×（Ｕ’＋Ｖ’）と ×（Ｕ＋Ｖ）・・・を同一の信号源、等しい電圧増幅率
の増幅器より供給し、第１の８重極静電偏向器の電源は
Ｕ０、−Ｕ０、 ×Ｕ０、−（１／ ×Ｕ０というオフセット電圧を中心にして振れるよう供
給したならば、 ｜Ｅ１｜＝λＶ／ｄ１、｜Ｅ２｜＝λＶ／ｄ２となり、
したがって ｜Ｅ１｜／Ｅ２｜＝ｄ２／ｄ１ であり、 　　ｌ２／ｄ２＝ｌ１／ｄ１・（ｖ０’／ｖ０）＝１．
００７５１　　ｌ１／ｄ１ となるから、（１３）式及び（１４）式は満足されるこ
ととなる。次に、第２の８重極静電偏向器６内でのイオ
ンの運動方程式はＭＫＳ単位系で次式のようになる。

　　　　　　ｍｄ２ｘ’／ｄｔ２＝ｅＥ２ｘ’・・・・
・・（１５）　　　　　　ｍｄ２ｙ’／ｄｔ２＝ｅＥ２
ｙ’・・・・・・（１６）　　　　　　ｍｄ２ｚ’／ｄ
ｔ２＝０　　・・・・・・（１７）そして、第１の８重
極静電偏向器５でオフセット偏向されたイオンビームが
第２の８重極静電偏向器６内に入射するときのイオンビ
ームの入射速度ベクトルは次のように計算される。

ｖ０’はｘ’軸およびｙ’軸に垂直であるから、（ｄｘ
’／ｄｔ）ｉｎ＝ ｘ軸とｘ’軸とは７°の角度をなすから、（ｄｘ’／ｄ
ｔ）ｉｎ＝ｅ／ｍ　　・Ｅ１ｘ　　・ｌ１／ｖ０・ｃｏ
ｓ７゜・（１９） ｙ軸とｙ’軸とは平行だから、 但し、 は速度ベクトルｖ１と、ｚ’軸方向の単位ベクトルｋ’
とのスカラー積である。次に、第２の８重極静電偏向器
６の出口におけるイオンビームの速度成分（ｄｘ’／ｄ
ｔ）ｏｕｔ、（ｄｙ’／ｄｔ）ｏｕｔ、（ｄｚ’／ｄｔ
）ｏｕｔは（１５）式、（１６）式及び（１７）式を時
間ｔで積分して、次のようになる。

（ｄｘ’／ｄｔ）ｏｕｔ＝ｅ／ｍ・Ｅ１ｘ　　・ｌ１／
ｖ０・ｃｏｓ７゜＋ｅ／ｍ　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　・Ｅ２ｘ・ｌ２／ｖ０’（１３
）式より、 そこで、６インチウエハにイオンを注入するために、実
際の装置において、ｄ１＝１０ｃｍ、ｌ１＝３６ｃｍ、
Ｅ１ｘ　　ｍａ　　ｘ≒１２．５ＫＶ／１０ｃｍ、ｕ０
＝２００Ｋエレクトロンボルトとすると、ｖ１ｘ／ｖ０
＝０．１１２５となり、また、第２の８重極静電偏向器
６の出口におけるイオンビームがｚ’軸となす角度θ２
は、 ∴θ２＝−０．０４７°となる。

それゆえ、０．０５゜以下の誤差で平行なイオンビーム
が得られることになる。次に、この発明のその他の実施
例においては、第１の８重極静電偏向器５の中心軸を、
入射されるイオンビームの軸線に対して、オフセット偏
向される向きと同じ側に平行移動して、第１の８重極静
電偏向器５を配置してもよい。このようにすると、第１
の８重極静電偏向器５の出口におけるイオンビームは、
第１の８重極静電偏向器５の直径の６０％以内の均一度
の高い磁場範囲内に収まり、特に、基板へのイオン注入
の均一性がよくなる。なお、上記各実施例は、第１及び
２の８重極静電偏向器の電極は８本であるが、静電偏向
器の電極の数は、５本以上であれば、いかなる数であっ
てもよく、また、基板上を走査するイオンビームの軌跡
は、円形や四角形等の多角形であってもよい。

（発明の効果）この発明は、第１の多重極静電偏向器の
各電極に、イオンビームを一定の角度だけオフセット偏
向させる電圧と、イオンビームを掃引偏向させる電圧と
を重畳して印加すると共に、第１の多重極静電偏向器で
オフセット偏向だけされたイオンビームの軸線上に配置
された第２の多重極静電偏向器の各電極に、イオンビー
ムを掃引偏向させる電圧のみを印加し、第２の多重極静
電偏向器より流出するイオンビームを基板に対して常に
同方向かつ一定の角度にしているので、基板に入射され
るイオンビームの入射角は、基板の場所によって異なる
ことなく一定となり、イオン注入された基板の性能が低
下しなくなる。更に、多重極静電偏向器を使用している
ので、従来の平行平板型静電偏向器に比べて、電場の有
効範囲が広範囲となり、特に、第２の多重極静電偏向器
を小型化するこが可能になると共に、基板に入射される
イオンビームの入射角を高精度で一定にすることが可能
になる。また、三角波で掃引する電源の出力インピーダ
ンスをＲ、負荷の静電容量をＣ、三角波の周波数をＦと
すると、出力波形の正確な三角波に対する歪は、Ｆ×Ｃ
×Ｒとともに増大する。負荷容量は電極の面積に比例す
るから、多重極の場合は電極の幅が小さいので真空容器
との間の静電容量がきわめて小さくなり、現在の技術で
作れる電源でも１ＫＨｚの三角波で掃引することができ
る。また、第１の８重極静電偏向器の中心軸を、入射さ
れるイオンビームの軸線に対して、オフセット偏向され
る向きと同じ側に平行移動して、第１の８重極静電偏向
器を配眉した場合には、第１の８重極静電偏向器の出口
におけるイオンビームは、第１の８重極静電偏向器の直
径の６０％以内の均一度の高い磁場範囲内に収まり、特
に、基板へのイオン注入の均一性がよくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１０図はこの発明の実施例を示しており、第
１図は装置の全体を示す説明図、第２図は第１及び第２
の多重極静電偏向器と基板との配列を示す斜視図、第３
図及び第４図は半径ｒ０の円筒状静電偏向器における電
場の発生を示すための説明図、第５図は第１の多重極静
電偏向器の電極の配置を示す説明図、第６図は第２の多
重極静電偏向器の電極の配置を示す説明図、第７図はイ
オンビームが基板上を走査それたときの軌跡を示す説明
図、第８図及び第９図は第１及び第２の多重極静電偏向
器でイオンビームを偏向するときの動作原理を示すため
の説明図、第１０図は第１の多重極静電偏向器の出口に
おけるイオンビームの速度ベクトルを示す説明図である
。第１１図は従来のイオン注入装置の全体を示す説明図
である。図中、 ５・・・・・・・第１の多重極静電偏向器５ａ・・・電
極、　　　　　　　　５ｅ・・・電極５ｂ・・・電極、
　　　　　　　　５ｆ・・・電極５ｃ・・・電極、　　
　　　　　　５ｇ・・・電極５ｄ・・・電極、　　　　
　　　　５ｈ・・・電極６・・・・・・・第２の多重極
静電偏向器６ａ・・・電極、　　　　　　　　６ｅ・・
・電極６ｂ・・・電極、　　　　　　　　６ｆ・・・電
極６ｃ・・・電極、　　　　　　　　６ｇ・・・電極６
ｄ・・・電極、　　　　　　　　６ｈ・・・電極７・・
・・・・・基板 ８・・・・・・・イオンビーム

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. １．イオンビームを基板上に走査させ、その基板にイオ
   ンを注入するイオン注入装置において、第１の多重極静
   電偏向器の各電極に、イオンビームを一定の角度だけオ
   フセット偏向させる電圧と、イオンビームを掃引偏向さ
   せる電圧とを重畳して印加すると共に、第１の多重極静
   電偏向器でオフセット偏向だけされたときのイオンビー
   ムの軸線上に配置された第２の多重極静電偏向器の各電
   極に、イオンビームを掃引偏向させる電圧のみを印加し
   、第２の多重極静電偏向器より流出するイオンビームの
   方向を基板に対して常に一定の角度にして、常に同じ方
   向から基板にイオンを注入することを特徴とするイオン
   注入装置。
2. ２．上記第１の多重極静電偏向器の中心軸を、入射する
   イオンビームの軸線に対して、オフセット偏向される向
   きと同じ側に平行移動して、上記第１の多重極静電偏向
   器を配置していることを特徴とする請求項１記載のイオ
   ン注入装置。