JPH04229832A - Manufacture of liquid crystal display panel - Google Patents

Manufacture of liquid crystal display panel

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JPH04229832A
JPH04229832A JP3095749A JP9574991A JPH04229832A JP H04229832 A JPH04229832 A JP H04229832A JP 3095749 A JP3095749 A JP 3095749A JP 9574991 A JP9574991 A JP 9574991A JP H04229832 A JPH04229832 A JP H04229832A
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JP
Japan
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electrode
liquid crystal
display panel
crystal display
thin film
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Pending
Application number
JP3095749A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Nishio
浩 西尾
Ken Ikeuchi
謙 池内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

PURPOSE:To regenerate a thin-film transistor that is defective in conduction of a liquid crystal element panel used for a liquid crystal projector. CONSTITUTION:Energy of a laser beam is formed into such a size as required to pierce through each thickness of a source electrode 7 and a gate electrode 2, and these electrodes 7 and 2 are melted and conducted to a display panel, where a thin-film transistor 11 is formed, without substantially damaging a shade film 22 installed in the area of an insulating substrate 24 at the side of a counter electrode being superposed on the transistor 11.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示パネルの製造
方法に関し、特に液晶プロジェクタ用に使用される液晶
表示パネルの製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display panel, and more particularly to a method for manufacturing a liquid crystal display panel used for a liquid crystal projector.

【0002】0002

【従来の技術】近年、大画面表示化にともない、液晶プ
ロジェクタなるものが存在する。かかるプロジェクタは
、光源より発生した白色光はコンデンサレンズを介して
ダイクロイックプリズムに入射されると、赤・緑・青に
分けられ、各色成分はその一部、例えば赤及び青が全反
射ミラーに反射されてから、それぞれ液晶表示パネルに
より透過率変化として変調され、さらに変調された赤・
緑・青の各成分はダイクロイックミラーによって合成さ
れ、投射レンズによりスクリーンに投影されるものであ
る。
2. Description of the Related Art In recent years, with the trend toward larger screen displays, liquid crystal projectors have come into existence. In such a projector, white light generated from a light source enters a dichroic prism through a condenser lens and is divided into red, green, and blue, and a portion of each color component, for example, red and blue, is reflected by a total reflection mirror. are then modulated by the liquid crystal display panel as transmittance changes, and the further modulated red and
The green and blue components are combined by a dichroic mirror and projected onto a screen by a projection lens.

【0003】液晶表示パネルを用いた液晶プロシェクタ
として特開昭61−150487号公報があり、ここで
の説明は省略する。さて、上述の液晶プロジェクタにお
いて、高画質を実現するには各液晶表示パネルの画素数
を多くする必要があり、例えば、縦480×横720の
パネルを用いればNTSCフルライン表示を行なうこと
ができる。しかしながら、画素数の増加にともない、T
FT(薄膜トランジスタ)も増加し、表示パネルの歩留
りの低下が問題となっていた。
[0003] A liquid crystal projector using a liquid crystal display panel is disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 150487/1987, and its explanation will be omitted here. Now, in the above-mentioned liquid crystal projector, in order to achieve high image quality, it is necessary to increase the number of pixels in each liquid crystal display panel.For example, if a panel with dimensions of 480 pixels in height x 720 pixels in width is used, NTSC full-line display can be performed. . However, as the number of pixels increases, T
The number of FTs (thin film transistors) has also increased, and a decline in the yield of display panels has become a problem.

【0004】かかる問題を解決するために1画素電極に
、例えば2個のTFT素子を形成し、いずれか1個が不
良になった場合でも動作させる方法が一般的に採用され
ている。
In order to solve this problem, a method is generally adopted in which, for example, two TFT elements are formed in one pixel electrode, and the TFT elements are operated even if one of them becomes defective.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たように1画素電極に2個のTFT素子を設けたとして
も、例えば、ゲート絶縁膜形成工程中において、ゴミ等
によりピンホールが形成され、例えば、補助容量金属と
画素電極のショートによる表示不良あるいは、半導体層
とソース電極及びドレイン電極とのコンタクト不良等に
よりTFT素子自体の不良により2個のTFT素子が同
時に不良する場合がある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, even if two TFT elements are provided in one pixel electrode as described above, pinholes may be formed due to dust or the like during the process of forming a gate insulating film, for example. In some cases, two TFT elements may fail at the same time due to a display failure due to a short circuit between the auxiliary capacitor metal and the pixel electrode, or a failure of the TFT element itself due to poor contact between the semiconductor layer and the source and drain electrodes.

【0006】この場合、プロジェクタ用の液晶表示パネ
ルは、ノーマリホワイトモードによって表示されるので
、TFT素子が不良となった画素電極はスクリーン上で
白点となって表示されるため、スクリーン上の表示品位
を著しく低下させる問題があった。また、このTFT素
子不良が複数カ所に発生するとプロジェクタ用の液晶表
示パネルとして使用できなくなる問題がある。
In this case, since the liquid crystal display panel for the projector displays in a normally white mode, a pixel electrode with a defective TFT element is displayed as a white dot on the screen. There was a problem in that the display quality was significantly degraded. Furthermore, if these TFT element defects occur in multiple locations, there is a problem that the device cannot be used as a liquid crystal display panel for a projector.

【0007】更に、この問題は画素数の増加にともなっ
て多発する恐れがあり、表示パネルの大型化を実現する
にあたって大きな障害となっていた。
Furthermore, this problem may occur more frequently as the number of pixels increases, and has been a major obstacle in realizing larger display panels.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上述した課題に
鑑みて為されたものであり、不良となったTFT素子の
ソース電極とゲート電極に遮光膜を破損しないレーザの
エネルギーを照射せしめゲート電極とソース電極の重畳
領域上で接続して上述した課題を解決する。
[Means for Solving the Problems] The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to irradiate the source electrode and gate electrode of a defective TFT element with laser energy that does not damage the light shielding film. The above-mentioned problem is solved by connecting the electrode and the source electrode on the overlapping region.

【0009】[0009]

【作用】この様に本発明に依れば、不良となったTFT
素子のソース電極とゲート電極とを接続することにより
、不良となったTFT素子を完全に再生することはでき
ないものの、ゲートラインに印加される信号に基づいて
不良TFT素子を黒点に駆動させることができる。その
結果、ノーマリホワイトモードで使用するプロジェクタ
用液晶表示パネルでは不良TFT素子が発生した場合で
も再生することができる。
[Operation] As described above, according to the present invention, the defective TFT
Although it is not possible to completely regenerate a defective TFT element by connecting the source electrode and gate electrode of the element, it is possible to drive the defective TFT element to a black spot based on the signal applied to the gate line. can. As a result, even if a defective TFT element occurs in a liquid crystal display panel for a projector used in normally white mode, it can be reproduced.

【0010】0010

【実施例】以下に図1および図2に示した実施例に基づ
いて本発明を詳細に説明する。図1は本発明の表示パネ
ルの1画素を示す要部拡大図、図2は図1のA−A断面
図であり、(1)はソーダガラス又はホウケイ酸ガラス
等の絶縁基板、(2)はCr,Cr+Au,Mo等を材
料とするゲート電極、(3)は例えばナイトライド製の
絶縁保護膜、(4)はアモルファスシリコン、Te、ポ
リシリコン、Cdse等で構成された半導体層、(5)
は半導体層(4)表面を保護するパッシベーション、(
6),(7)はAl,Mo,ITOで形成されたドレイ
ン電極、ソース電極、(8)はドレイン電極(6)、ソ
ース電極(7)と半導体層(4)とをオーミックコンタ
クトするためのN+a−Si、(9)はITO等を材料
にして形成された透明な表示電極、(10)は補助容量
電極を示している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be explained in detail below based on the embodiments shown in FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is an enlarged view of essential parts showing one pixel of the display panel of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. is a gate electrode made of Cr, Cr+Au, Mo, etc.; (3) is an insulating protective film made of, for example, nitride; (4) is a semiconductor layer made of amorphous silicon, Te, polysilicon, Cdse, etc.; )
is passivation that protects the surface of the semiconductor layer (4), (
6) and (7) are drain electrodes and source electrodes formed of Al, Mo, and ITO, and (8) is for making ohmic contact between the drain electrode (6), the source electrode (7), and the semiconductor layer (4). N+a-Si, (9) is a transparent display electrode made of ITO or the like, and (10) is an auxiliary capacitor electrode.

【0011】各表示電極(9)は図示しないカラーフィ
ルタに対応して配列されており、表示電極(9)の横列
間にはゲート電極(2)が、また縦列間にはドレイン電
極(6)が各表示電極(9)間を仕切る態様に形成され
、両者の交叉部分の一隅に前記ゲート電極(2)、絶縁
保護膜(3)、半導体層(4)、ドレイン電極(6)、
ソース電極(7)等にて構成される複数の薄膜トランジ
スタ(11)が表示電極(9)との間を接続する態様で
形成されている。本実施例では2個の薄膜トランジスタ
(11)が隣接する様に形成されているが、これは、い
ずれか一方の薄膜トランジスタ(11)が不良になった
場合になっても表示電極(9)を駆動するための予備用
である。
Each display electrode (9) is arranged corresponding to a color filter (not shown), and a gate electrode (2) is provided between the rows of display electrodes (9), and a drain electrode (6) is provided between each column of the display electrodes (9). is formed in such a manner as to partition between each display electrode (9), and in one corner of the intersection between the two, the gate electrode (2), the insulating protective film (3), the semiconductor layer (4), the drain electrode (6),
A plurality of thin film transistors (11) constituted by source electrodes (7) and the like are formed in such a manner that they are connected to display electrodes (9). In this embodiment, two thin film transistors (11) are formed adjacent to each other, which drives the display electrode (9) even if one of the thin film transistors (11) becomes defective. This is a spare for use.

【0012】しかしながら、複数の薄膜トランジスタ(
11)を形成したとしても、各々の薄膜トランジスタ(
11)自体あるいは表示電極(9)不良となった場合に
は、薄膜トランジスタ(11)が複数個配置されていた
としても表示電極(9)は動作しない。製造工程中に一
番不良が発生する工程は、基板(1)上にゲート電極(
2)および補助容量用電極(10)を形成した後直後に
ゲート電極(2)、補助容量用電極(10)上にゴミ等
が付着し、絶縁保護膜形成後にゴミ等が取り除かれピン
ホールが形成され、ゲート電極(2)と半導体層とのシ
ョートあるいは表示電極(9)と補助容量用電極(10
)とがショートする場合がある。また、半導体層とドレ
イン電極(6)とソース電極(7)とがコンタクト不良
となったときは各々の薄膜トランジスタ(11)が同時
に不良となる場合がある。この場合においては、画素が
完全に不良となる。
However, if a plurality of thin film transistors (
11), each thin film transistor (
11) If the display electrode (9) itself or the display electrode (9) becomes defective, the display electrode (9) will not operate even if a plurality of thin film transistors (11) are arranged. The process where the most defects occur during the manufacturing process is to place the gate electrode (
2) Immediately after forming the auxiliary capacitance electrode (10), dust and the like adhere to the gate electrode (2) and the auxiliary capacitance electrode (10), and after the insulation protective film is formed, the dust and the like are removed and pinholes are formed. A short-circuit between the gate electrode (2) and the semiconductor layer or a short circuit between the display electrode (9) and the auxiliary capacitance electrode (10) is formed.
) may cause a short circuit. Moreover, when a contact failure occurs between the semiconductor layer, the drain electrode (6), and the source electrode (7), each of the thin film transistors (11) may become defective at the same time. In this case, the pixel becomes completely defective.

【0013】本発明は、かかる問題により、不良となっ
た薄膜トランジスタ(11)を完全再生には至らないも
ののある程度の範囲で再生可能とする。上記した薄膜ト
ランジスタ(11)が形成された基板(1)はカラーフ
ィルタ(21)、遮光膜(22)および対向電極(23
)が形成された基板(24)と周知の方法により一体化
され、その間隔に液晶を注入してプロジェクタ用の表示
パネルとして完成される。遮光膜(22)周知の如く、
薄膜トランジスタ(11)と重畳するように配置されて
いる。
The present invention makes it possible to regenerate a thin film transistor (11) that has become defective due to the above problem to a certain extent, although it cannot be completely regenerated. The substrate (1) on which the thin film transistor (11) described above is formed includes a color filter (21), a light shielding film (22) and a counter electrode (23).
) is integrated with the substrate (24) formed thereon by a well-known method, and liquid crystal is injected into the space between them to complete a display panel for a projector. Light shielding film (22) As is well known,
It is arranged so as to overlap with the thin film transistor (11).

【0014】かかる、表示パネルは所定の検査が行なわ
れ、複数の薄膜トランジスタ(11)の動作不良の有無
がチェックされる。例えば、パターンジェネレータ等の
装置を用いて薄膜トランジスタ(11)に各種の映像信
号を入力させると、例えば薄膜トランジスタ(11)が
動作不良になったとすると表示電極(9)が白点(ある
いは黒点)となって観測者に知らせる。
[0014] The display panel is subjected to a predetermined inspection to check whether or not the plurality of thin film transistors (11) are malfunctioning. For example, when various video signals are input to the thin film transistor (11) using a device such as a pattern generator, if the thin film transistor (11) malfunctions, the display electrode (9) becomes a white dot (or black dot). inform the observer.

【0015】そこで、本発明では、ソース電極(7)と
ゲート電極(2)とをレーザ光を用いてショートさせ、
不良になった表示電極(9)をON,OFFさせて周囲
のコントラストのバランスを図ることで再生させる。即
ち、表示パネルの上下に偏光板を配置させ、パターンジ
ェネレータより黒(又は白)レベルの信号をパネルに入
力する。すると、不良になった薄膜トランジスタ(11
)は白(又は黒)点を表示する。次にYAGレーザ等を
セットした顕微鏡のステージ上に表示パネルを載置し、
対極基板(24)側より透過光を照射させ、白(又は黒
)点を顕微鏡の視野内に入れる。さらに、表示電極(9
)が白(又は黒)となっている画素の薄膜トランジスタ
(11)のソース電極(7)とゲート電極(2)とが重
畳する領域にレーザ光を基板(1)面側から所定時間照
射する。すると、ソース電極(7)が溶融するとともに
絶縁保護膜(3)に穴が形成され、その穴の壁面に溶融
された一部の金属が流れ込みゲート電極(2)と接続さ
れる。このとき、レーザのエネルギーはソース電極(7
)とゲート電極(2)の厚みを貫通する必要な大きさと
し、対向基板(24)側に設けられた薄膜トランジスタ
(11)を遮光する遮光膜(22)を実質的に破損する
ことなく、ソース電極(7)とゲート電極(2)とを溶
融導通させる。何故なら、ソース電極(7)とゲート電
極(2)とをレーザ光で溶融接続したとしても、対向基
板(24)の遮光膜(22)がレーザ光で溶融すると図
3の如く、遮光膜(22)にピンホール(31)が形成
され、そのピンホール(31)からのもれ光により薄膜
トランジスタ(11)の誤動作を防止するためである。 例えば遮光膜の厚みが1400〜1500Åのときレー
ザ光のエネルギーは約20Jであればソース電極、ゲー
ト電極を溶融させ、遮光膜を破損させない。
Therefore, in the present invention, the source electrode (7) and the gate electrode (2) are short-circuited using a laser beam.
The defective display electrode (9) is turned ON and OFF to balance the surrounding contrast and regenerate it. That is, polarizing plates are placed above and below a display panel, and a black (or white) level signal is input to the panel from a pattern generator. Then, the defective thin film transistor (11
) displays a white (or black) point. Next, place the display panel on the stage of a microscope equipped with a YAG laser, etc.
Transmitted light is irradiated from the counter electrode substrate (24) side to bring a white (or black) point into the field of view of the microscope. Furthermore, the display electrode (9
) is white (or black), a region where the source electrode (7) and gate electrode (2) of the thin film transistor (11) overlap is irradiated with laser light from the substrate (1) side for a predetermined period of time. Then, the source electrode (7) is melted and a hole is formed in the insulating protective film (3), and some of the melted metal flows into the wall of the hole and is connected to the gate electrode (2). At this time, the laser energy is transferred to the source electrode (7
) and the thickness of the gate electrode (2), so that the source electrode (7) and the gate electrode (2) are melted and electrically connected. This is because even if the source electrode (7) and gate electrode (2) are melted and connected using laser light, if the light shielding film (22) on the opposing substrate (24) is melted by the laser light, the light shielding film (22) will melt as shown in FIG. A pinhole (31) is formed in the thin film transistor (11) to prevent malfunction of the thin film transistor (11) due to light leaking from the pinhole (31). For example, when the thickness of the light-shielding film is 1400 to 1500 Å, if the laser beam energy is about 20 J, the source electrode and gate electrode will be melted and the light-shielding film will not be damaged.

【0016】また、ソース電極(7)とゲート電極(2
)との接続をより確実に行なうために複数カ所にレーザ
光を照射させると効果的である。本実施例では、表示パ
ネルが完成した後に、レーザ光を用いて薄膜トランジス
タを修正しているが、未完成状態においても同様に修正
することができる。即ち、薄膜トランジスタを形成した
基板のソース電極上からレーザ光を照射すれば同様にソ
ース電極とゲート電極とを接続することができる。 しかし、この場合の検査工程では、ドレインラインおよ
びゲートラインのラインの断線不良による検査は行なえ
るものの、個々の薄膜トランジスタの良不良の判定は困
難であり、現実的には完成品によって行なわれる。
[0016] Also, the source electrode (7) and the gate electrode (2)
) It is effective to irradiate multiple locations with laser light to make the connection more reliable. In this embodiment, the thin film transistors are repaired using laser light after the display panel is completed, but the same modification can be performed even in an unfinished state. That is, by irradiating a laser beam onto the source electrode of the substrate on which the thin film transistor is formed, the source electrode and the gate electrode can be connected in the same way. However, in the inspection process in this case, although it is possible to inspect for disconnection defects in the drain line and gate line, it is difficult to determine whether each thin film transistor is good or bad, and in reality, inspection is performed on finished products.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上に詳述した如く、本発明に依れば、
不良となったTFT素子のソース電極とゲート電極とを
レーザ光を用いて接続することにより、不良となったT
FT素子を完全に再生することはできないものの、ゲー
トラインに印加される信号に基づいて不良TFT素子を
黒点に駆動させることができる。
[Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention,
By connecting the source electrode and gate electrode of the defective TFT element using laser light, the defective TFT element can be removed.
Although the FT element cannot be completely regenerated, a defective TFT element can be driven to a black spot based on the signal applied to the gate line.

【0018】その結果、ノーマリホワイトモードで使用
するプロジェクタ用液晶表示パネルでは不良TFT素子
が発生した場合でも再生することができる。また、本発
明では、ソース電極とゲート電極とを溶融接続させるた
めに遮光膜を破損しないエネルギーのレーザ光を照射さ
せることにより、遮光膜が実質的にレーザ光により破損
されず光もれが発生しない。
As a result, even if a defective TFT element occurs in a liquid crystal display panel for a projector used in normally white mode, it can be reproduced. Furthermore, in the present invention, in order to fuse and connect the source electrode and the gate electrode, a laser beam of energy that does not damage the light shielding film is irradiated, so that the light shielding film is not substantially damaged by the laser light and light leakage occurs. do not.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】図1は本発明の液晶表示パネルの要部拡大平面
図である。
FIG. 1 is an enlarged plan view of essential parts of a liquid crystal display panel according to the present invention.

【図2】図2は図1のA−A断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG. 1;

【図3】図3は遮光膜が破損したときの図1のA−A断
面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1 when the light shielding film is damaged.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

(1)    絶縁基板 (2)    ゲート電極 (3)    絶縁保護膜 (4)    半導体層 (5)    パッシベーション (6)    ドレイン電極 (7)    ソース電極 (8)    N+a−Si (9)    表示電極 (10)  補助容量用電極 (21)  カラーフィルタ (22)  遮光膜 (23)  対向電極 (24)  基板 (31)  ピンホール (1) Insulating substrate (2) Gate electrode (3) Insulating protective film (4) Semiconductor layer (5) Passivation (6) Drain electrode (7) Source electrode (8) N+a-Si (9) Display electrode (10) Auxiliary capacitor electrode (21) Color filter (22) Light shielding film (23) Counter electrode (24) Substrate (31) Pinhole

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  絶縁基板上に行列配置された複数の透
光性導電酸化物膜からなる画素電極の夫々に半導体層を
有する少なくとも1つ以上の薄膜トランジスタを対応さ
せて行列配置してなり、前記薄膜トランジスタのソース
電極を前記トランジスタに対応する前記画素電極に接続
するとともに、対極電極が形成された絶縁基板と一体化
されてなるアクティブ・マトリックス型の液晶表示パネ
ルの製造方法において、レーザ光のエネルギーを前記ソ
ース電極とゲート電極の厚さを貫通する必要な大きさと
し、前記薄膜トランジスタと重畳する前記対極側の絶縁
基板領域に設けられた遮光膜を実質的に破損することな
く、前記ソース電極およびゲート電極を溶融導通させる
ことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
1. At least one thin film transistor having a semiconductor layer is arranged in rows and columns in correspondence with each pixel electrode made of a plurality of transparent conductive oxide films arranged in rows and columns on an insulating substrate, In a method of manufacturing an active matrix liquid crystal display panel in which a source electrode of a thin film transistor is connected to the pixel electrode corresponding to the transistor and is integrated with an insulating substrate on which a counter electrode is formed, energy of laser light is used. The source electrode and the gate electrode have a necessary size that penetrates the thickness of the source electrode and the gate electrode, and the light shielding film provided on the insulating substrate region on the opposite electrode side that overlaps with the thin film transistor is substantially damaged. A method for manufacturing a liquid crystal display panel, characterized by melting and conducting the liquid crystal display panel.
【請求項2】  前記ソース電極はアルミニウム、前記
ゲート電極はクロムの金属で形成されたことを特徴とす
る請求項1記載の液晶表示パネルの製造方法。
2. The method of manufacturing a liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the source electrode is made of aluminum and the gate electrode is made of chromium.
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