JP2004109512A - Liquid crystal display device and method for manufacturing same - Google Patents

Liquid crystal display device and method for manufacturing same Download PDF

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Inventor
Noriaki Nakagawa
中川 宜昭
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device equipped with a black matrix or a color filter layer, of which the workload on the process and the production cost are reduced by facilitating repair of a defective pixel etc. using laser irradiation and method for manufacturing the same. <P>SOLUTION: Gouged out parts 11, 21 are provided on the black matrix (BM) 1 and the color filter layer 2, respectively, in advance corresponding to a position where the repair with the laser irradiation is to be performed. In the case the defective pixel is found out with dynamic operating inspection or the like, the laser irradiation is performed through the gouged out parts 11, 21 related to the defective pixel from the display surface side so as to short-circuit a source electrode 41 and a gate electrode 42 and the defective pixel turns into an unlit defect. Because the laser irradiation is performed from the display surface side, even after assembling of the flat display device module the repair is directly performed without disassembling the module. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層を備えた液晶表示装置に関する。また、レーザー光照射によるリペア工程を含む液晶表示装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置は、パーソナル・コンピュータ、ワードプロセッサあるいはTV等の表示装置として、更に投射型の表示装置として各種分野で利用されている。中でも、画素電極ごとに薄膜トランジスタ(TFT)等のスイッチング素子が電気的に接続されて成るアクティブマトリクス型表示装置は、隣接画素間でクロストークのない良好な表示画像を実現できることから、広く用いられている。
【0003】
近年、液晶表示装置の利用が拡大するとともに表示品質に対する要求が高まっており、スイッチング素子の不良等に起因する欠陥画素(点状欠点)の低減の要求も高くなっている。
【0004】
そこで、アレイ基板の完成時または表示パネル本体の完成時に検査を行った後、検査により発見された欠陥画素の表示性能を改良するためのレーザー光照射等によるリペアの工程が行われている。欠陥画素のリペアとしては、輝点(常に白表示を行う点)を、比較的目立たない黒点(滅点、常に黒表示を行う点)に変換する滅点化が一般に行われている。また、このような滅点化に代えて、画素電極を信号線に短絡させて、信号線からの駆動電流が常時入力されるようにする方式や、隣接する正常作動の画素電極と電気的に連結する方式等による、疑似良点化も一般に行われている。
【0005】
このようなリペアのためには、輝点に係る画素電極と、信号線または走査線とを、短絡させるためのリペア回路を画素開口ごとに設けることも、一般に行われていた(例えば、特開2001−21916,特開2002−182241,特開2002−91342)。アレイ基板の製造時に、例えば走査線と同時に形成されるリペア用の金属フロートパターンを設けて置く。そして、このフロートパターンの一端部に重なるように信号線の延在部を設けるとともに、フロートパターンの他端部に重なるように、ソース電極の延在部を設けておく。液晶表示装置の点灯検査の際に輝点が発見された場合には、レーザー照射により該金属フロートパターンと、信号線延在部及びソース電極延在部との重なる箇所をそれぞれ溶融させることにより、画素電極と信号線とを互いに導通させる。
【0006】
このようにリペア用の金属フロートパターンを用いるのは、画素電極がITO(Indium−Tin−Oxide)等の透明導電材料からなる透過型液晶表示装置である場合、直接、画素電極と信号線または走査線とをレーザー照射により接続させることが、実際上ほぼ不可能であるからである。
【0007】
また、画素電極からの補助容量形成用の延在部と、走査線とが重なる個所に、絶縁膜を介してこれらの間に積層される小さな島状の金属パターンを設けておき、これにレーザー照射を行うことにより、画素電極と走査線とを短絡させて滅点化を行うことも提案されている(特開2002−91342)。また、補助容量給電線と補助容量形成用の島状金属パターンとの間に短絡が生じて欠陥画素となっている場合に、画素電極と該島状金属パターンとを結ぶ電気配線に、適当なレーザー照射を行うことで、リペアを行うことも提案されている(特開2001−159872)。
【0008】
以上に説明したようなレーザー照射による欠陥画素のリペアの方法では、対向基板にブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層が設けられている場合に、対向基板との組立の後には、対向基板側からのレーザー照射によりリペアを行うことができなかった。すなわち、アレイ基板と対向基板とを組み合わせた後には、リペア個所がブラックマトリクス等により覆われるため、少なくとも裏面側からレーザー照射を行う必要があった。
【0009】
そのため、平面表示装置モジュールに組み立てた後に欠陥画素が発見された場合には、一旦、フレーム等から表示パネルを外してから、レーザー照射によるリペアを行う必要があった。したがって、それだけ、工程時間及び作業手数を要することとなり、製造コスト上昇の要因となっていた。
【0010】
なお、画素部分の配向膜にレーザー照射等でキズを付けるか溝を切り直す方法でのリペアも提案されており(例えば特開平9−258155)、この場合には平面表示装置に組み立てたままでリペアを行うことができる。しかし、滅点化のみしか行えない他、一般に工程時間や工程コストが大きくなるなどの問題があり、必ずしも適当でなかった。
【0011】
一方、ブラックマトリクス等がアレイ基板上に設けられるタイプの液晶表示装置では、レーザー照射によって、画素電極に導通する金属パターンと走査線等とを電気的に接続する際に、ブラックマトリクス等がレーザー照射の障害になる場合があった。
【0012】
【特許文献1】特開2001−21916号公報
【0013】
【特許文献2】特開2002−182241号公報
【0014】
【特許文献3】特開2002−91342号公報
【0015】
【特許文献4】特開2001−159872号公報
【0016】
【特許文献5】特開平9−258155号公報
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層を備えた液晶表示装置及びその製造方法において、レーザー照射を用いる欠陥画素等のリペアを容易に行うことができ、工程負担及びコストを低減することのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供するものである。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の絶縁基板と、複数の走査線及び信号線と、これらの交点ごとに配置される画素電極及びスイッチング素子と、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層とを備えた液晶表示装置において、前記のブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンには、コンタクトホール以外のものとしての抜き部が設けられ、前記抜き部を通じて、表示面側からのレーザー照射を行うことにより表示欠陥のリペアが可能であることを特徴とする。
【0019】
上記構成により、レーザー照射を用いる画素欠陥等のリペアを表示面側から容易に行うことができる。
【0020】
好ましくは、前記抜き部が前記画素電極ごとに設けられ、前記レーザー照射により欠陥画素をリペア可能である。
【0021】
さらに好ましくは、前記抜き部中には、表側からのレーザー照射により短絡可能な上下の導電層パターンが配され、この短絡によりリペアが可能である。
【0022】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、第1の絶縁基板上に、マトリクス状に配列される画素電極と、画素電極ごとに配置されるスイッチング素子と、スイッチング素子に接続される信号線とを設けるとともに、前記第1の絶縁基板または第2の絶縁基板上に走査線を形成し、前記第1の絶縁基板または第2の絶縁基板上に、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンを設け、前記第1及び第2の絶縁基板を、シール材を介して貼り合わせ、これらの間に液晶材料を注入して表示パネルを組み立て、この後に検査を行い、検査により欠陥が発見された場合に欠陥のリペアを行う液晶表示装置の製造方法において、前記ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンに、これらを貫くコンタクトホールの個所以外に抜き部を設けておき、検査により欠陥が発見された場合に、前記第2の絶縁基板の外面側から、前記抜き部を通じてレーザー照射を行うことにより、欠陥をリペアすることを特徴とする。
【0023】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例1について図1〜4を用いて説明する。
【0024】
図1の平面図には、実施例1の液晶表示装置における、画素ドットごとのブラックマトリクスのパターンについて模式的に示す。図2〜3の積層断面図には、液晶表示装置のTFTの個所の構成、及びレーザー照射によるリペアの様子について模式的に示す。また、図4の平面図には、アレイ基板の画素部分の構成について模式的に示す。
【0025】
実施例1の液晶表示装置は、ノーマリホワイトモードの光透過型であり、各スイッチング素子が、非結晶シリコン(a−Si)タイプであって、ボトムゲート型のTFTである。
【0026】
図2に示すように、液晶表示装置の表示パネル3(液晶セル)は、アレイ基板31(TFT基板)と対向基板32とがスペーサーにより所定の間隔に保たれ、この間に、TN(ツイストネマティック)タイプの液晶層33が保持されてなる。液晶層33の四周にはシール材が配されて、液晶層33を封止するとともに、アレイ基板31と対向基板32とを接合している。
【0027】
アレイ基板31及び対向基板32の液晶層33に接する最表層には、ポリイミド系樹脂等からなる配向膜36がそれぞれ配置される。
【0028】
図4に示すように、アレイ基板31においては、ガラス基板51上に、信号線44と走査線52とがマトリクスをなすように配列され、信号線44と走査線52との交点ごとにTFT4が配置される。これら信号線44、走査線52及びTFT4により囲まれるマス目状の各領域は、画素ドットに相当し、ITO等の透明導電材料からなる画素電極35が配置され、対応するTFTに電気的に接続されている。なお、補助容量(Cs)形成用のパターン53が、信号線44及び走査線52のなす交点間で、走査線52を跨ぐように配され、コンタクトホールにより画素電極35に電気的に接続されている。
【0029】
図2に示すように、対向基板32においては、ガラス基板51上に、ブラックマトリクス(BM)1のパターンと、所定画素ごとに赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)に着色されたカラーフィルタ層(CF層)2と、これらの略全体を覆う対向電極37とが設けられている。ブラックマトリクス1は、金属膜または黒色の樹脂膜からなる。カラーフィルタ層2は、顔料を含む無機材料膜または樹脂膜が各色ごとに積層パターニングされてなる。
【0030】
対向電極37は、画素電極35と同様にITO等の透明導電材料からなる。
【0031】
a−SiTFTタイプのアレイ基板31や対向基板32の作製は、詳しくは、例えば、特開平9−160076号や特開2001−21916号に記載の方法に準拠して行うことができる。
【0032】
本実施例おいては、これらに記載されたと同様、アレイ基板31上の走査線52及びゲート電極42が、高融点であるモリブデン−タングステン合金(MoW)の成膜から第1のパターニング(PEP)により作製される。また、信号線44,ソース及びドレイン電極41,43、及び、Cs形成用パターン53が、アルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる単層膜または積層膜から、第2または第3のパターニングにより作製される。そして、画素電極35は、これらより後の成膜及びパターニングにより作製される。
【0033】
図1に示す例において、対向基板32上のブラックマトリクス(BM)1は、走査線52及び信号線44、及び、これらと画素電極35との間の領域、及び画素電極35の周縁部を覆うように格子状をなすととともに、各画素ドットのTFT4を覆っている。
【0034】
特に、ブラックマトリクス(BM)1のパターンには、各TFT4を覆う個所に、スリット状の抜き部11が備えられている。この抜き部11は、図2に示すように、TFT4のソース電極41がゲート電極42を覆う個所中に、かつ、TFT4のチャネル部4aから離間されて配されている。
【0035】
また、カラーフィルタ層2には、ブラックマトリクス1の抜き部11の平面位置に一致する抜き部21が設けられている。
【0036】
これらアレイ基板31及び対向基板32から、シール剤塗布、貼り合わせ及び液晶封入の工程を経て表示パネル3が組み立てらた後、画素点灯検査が行われる。この検査工程にて欠陥画素が発見されたならば、レーザー照射による滅点化によるリペアが行われる。
【0037】
図2〜3に模式的に示すように、ブラックマトリクス1の抜き部11及びカラーフィルタ層2の抜き部21を通じて、レーザー照射を行うことにより、TFTのソース電極41を溶融させるとともに、その下方の絶縁膜等を貫いて、ソース電極41とゲート電極42とを短絡させる。図示の具体例で、上下の金属層パターン41,42の間には、酸化シリコン膜45a及び窒化シリコン膜45bからなるゲート絶縁膜45と、低抵抗半導体膜(n;a−Si)46と、半導体膜(a−Si)48とからなる積層膜が配されており、レーザー照射によりこれら積層膜を貫く層間短絡部6が形成される。
【0038】
レーザー照射により、ソース電極41とゲート電極42とが短絡されることにより、欠陥画素に係る画素電極35が、ソース電極41とゲート電極42とを介して走査線52に短絡され、これにより、欠陥画素の滅点化が行われる。
【0039】
レーザー照射には、YAGレーザーの第1高調波(1060〜1070nm)を用い、ソース電極41に焦点を合わせて、スリット状の抜き部11,21に沿って照射位置を移動させつつ連続的にレーザー光を照射する。レーザー照射は、レーザー光が、液晶層33等を通過する間に弱められるため、アレイ基板31単独の状態で行う場合よりも、エネルギー密度を高く設定するので、連続的な照射が適している場合が多い。しかし、レーザー照射の設定条件により、スポット状に照射することもできる。
【0040】
また、本実施例では、抜き部11,21がスリット状に設けられたが、スポット状であっても良く、この場合、当然、スポット状にレーザー照射が行われる。
【0041】
リペアのためのレーザー光照射は、表示パネル3の表側、すなわち表示面側から行うものであるため、表示パネル3が平面表示装置に組み立てられた後であっても、フレームやバックライト等から取り外す必要がなく、組み立てられた状態のまま、全く同様にリペアを行うことができる。
【0042】
本実施例における抜き部11は、ブラックマトリクス1により遮蔽すべきTFT4のチャネル部4a等に近接しているものの、遮光に十分なだけ離間されているので、TFT4の誤作動や光抜けを引き起こすことがない。
【0043】
なお、図2〜3に示すように、表示パネル3の表面に偏光板34が貼り付けられていても、レーザー照射の操作に悪影響を及ぼすことがなく、また、偏光板34が損傷を受けることもない。但し、偏光板34にアンチグレア層が備えられている場合には、乱反射によるレーザー照射への影響を除くため、柔軟な透明プラスチックフィルムからなる粘着テープを、偏光板34上に一時的に貼り付けておく。
【0044】
次ぎに、実施例2の液晶表示装置について、上記図2に対応する図5の積層断面図を用いて説明する。
【0045】
実施例2の液晶表示装置は、上記実施例1と全く同様の構成において、カラーフィルタ層2が、アレイ基板上に設けられた、いわゆるカラーフィルタ・オン・アレイ(COA: Color filter On Array)タイプとしたものである。但し、カラーフィルタ層2の抜き部21は、ブラックマトリクスの抜き部11と一致する領域からTFT4のチャネル部4aにわたって設けられている。
【0046】
実施例2の液晶表示装置の場合も、上記実施例1の場合と全く同様にリペアが行われる。
【0047】
したがって、表示面側からのレーザー照射により、表示パネル3に組み立てた後であっても、また、平面表示装置モジュールに組み立てた後であっても、容易にリペアを行うことができ、他に損傷や悪影響を及ぼすおそれがない。
【0048】
また、ブラックマトリクス1やカラーフィルタ層2を作成する際のパターンが若干複雑になる他は、何ら工程負担やコストの増大を招かない。
【0049】
本実施例では、ブラックマトリクス1が対向基板32上に設けられるものとして説明したが、アレイ基板31上に、カラーフィルタ層2とともに設けられるものであっても良い。また、ブラックマトリクス1は、画素電極35が厚型樹脂膜(平坦化膜)上に設けられる場合など、TFT4の個所のみに設けられるのであっても良い。
【0050】
例えば、ブラックマトリクス1が、アレイ基板31上に配される厚型樹脂膜よりなる場合、抜き部11は、この樹脂膜を貫く谷状に設けられる。
【0051】
次ぎに、実施例3の液晶表示装置について、上記図1に対応する図6の平面図を用いて説明する。
【0052】
実施例3においては、上記実施例1と同様の構成において、ブラックマトリクス1及びカラーフィルタ層2の抜き部11,21が、U字状に設けられ、ソース電極41とゲート電極42とが重なる領域から、ゲート電極42の付け根を経て、ドレイン電極43とゲート電極42とが重なる領域にまで延びている。
【0053】
このU字状の抜き部11,21に沿って照射位置を連続的に変化せつつ、レーザー光照射を行うことで、ソース電極41とゲート電極42とを短絡させ、ソドレイン電極43とゲート電極42とを短絡させるとともに、ゲート電極42を走査線52から切り離す。
【0054】
このような操作により、欠陥画素に係る画素電極35を信号線44に短絡させることができる。すなわち、疑似良点化を行うことができる。
【0055】
本実施例の構成であると、信号線に短絡させるにあたり、リペア回路を設けておく必要がないため、それだけ画素開口率を高く保つことができる。
【0056】
しかし、画素電極と信号線との短絡のためのリペア回路が設けられている場合には、レーザー照射個所に、抜き部11,21を設けておくことにより、表示パネル3に組み立てた後でも、さらに液晶表示装置モジュールに組み立てた後であっても、表側からのレーザー照射により、容易にリペアを行うことができる。リペア回路は、例えば、特開2001−21916に示されているように、ソース電極41の延在部と、信号線44からの枝状延在部と、これらの間に掛け渡すように配される、高融点金属層(MoW)のパターンとから構成することができる。
【0057】
次ぎに、実施例4の液晶表示装置について、上記図1及び図6に対応する図7の平面図と、上記図2に対応する図8の積層断面図を用いて説明する。
【0058】
本実施例では、実施例1と同様の構成において、ブラックマトリクス1及びカラーフィルタ層2の抜き部11,21が、走査線52に重なるCs形成用パターン53の個所に設けられる。
【0059】
図示の例で、抜き部11,21は、走査線52の方向に長い楕円状である。寸法構成の具体例を挙げるならば、走査線52の幅が約25μmであるとき、楕円状の抜き部11,21の短径寸法を15μm、長径寸法を20μmに設定することができる。このように設定するならば、レーザー照射のための抜き部11,21の面積をなるべく大きくとることができ、リペアの際の操作が容易になる。
【0060】
レーザー照射によりCs形成用パターン53が走査線52に短絡される結果、Cs形成用パターン53にコンタクトホールを介して導通している画素電極35が、走査線52に短絡される。したがって、欠陥画素の滅点化が行われる。
【0061】
本実施例では、走査線52に短絡されるとして説明したが、補助容量線(Cs線)が設けられている場合には、該補助容量線に短絡されることにより、より確実な滅点化を行うことができる。
【0062】
最後に、実施例5について、図9の積層断面図を用いて説明する。
【0063】
実施例5の液晶表示装置は、ノーマリホワイトモードの光透過型である点では上記実施例1〜4と同様である。しかし、画素ドットごとのTFT4が、ポリシリコン(p−Si)半導体層46’からなり、トップゲート型である。すなわち、ゲート電極42が、半導体層46’やこれを囲むコンタクト部41A,43Aより上方に、層間絶縁膜49を介して配されている。
【0064】
また、カラーフィルタ層2が、アレイ基板31上の厚型樹脂膜(平坦化膜)により形成されている。
【0065】
そのため、ブラックマトリクスはいずれの基板31,32上にも設けられておらず、カラーフィルタ層2が画素ドット配列部分の全体を覆うように設けられている。
【0066】
画素電極35は、保護膜49A、及び厚型のカラーフィルタ層2を貫くコンタクトホールを介して、ソース電極41に導通されている。また、ゲート絶縁膜45上の走査線52に、Cs形成用パターン53が層間絶縁膜49を介して重ねられ、このCs形成用パターン53と、画素電極35とが、保護膜49A、及び厚型のカラーフィルタ層2を貫くコンタクトホール54を介して、互いに電気的に接続されている。本実施例の場合も、Cs形成用パターン53がアルミニウムまたはその合金といった低融点金属層からなり、走査線52が、モリブデン−タングステン合金(MoW)といった高融点金属からなる。
【0067】
このようなp−SiTFTタイプのアレイ基板31は、例えば、特開2000−330484や特開2001−339070に記載の方法によって作製することができる。
【0068】
実施例5においては、このような一般的な構成において、実施例4の場合と類似の、カラーフィルタ層2の抜き部21が画素ドットごとに設けられている。この抜き部21は、Cs形成用パターン53上にあって、コンタクトホール54とは別の個所に、十分な面積をもつように設けられる。
【0069】
欠陥画素のリペアも実施例4の場合と同様、表側からのレーザー照射によりCs形成用パターン53と、その下方の走査線52とを短絡させて、滅点化するものである。
【0070】
なお、コンタクトホール54自体が、充分な面積をもつように設けられた場合には、別途の抜き部21がなくても、同様に、表示パネルの表側からのレーザー照射により滅点化を行うことができる。
【0071】
以上に説明した実施例においては、上層の配線パターンと下層の配線パターンとを短絡させることにより、欠陥画素のリペアを行うものとして説明したが、単に、所定の個所で配線を切断するものであっても良い。
【0072】
また、要求される表示性能やリペアの内容によっては、滅点を輝点にするタイプのリペアであっても良く、また、隣接する正常画素の画素電極と連結するタイプの疑似良点化であっても良い。
【0073】
上記実施例においては、全て、欠陥画素のリペアを行うものとして説明したが、場合によっては、レーザー照射を用いて、他の種類のリペアを行うものであっても良い。
【0074】
なお、上記実施例においては画素電極ごとに配されるスイッチング素子がTFTであるとして説明したが、薄膜ダイオード(TFD)すなわちMIM(metal−insulator−metal)素子であっても良い。
【0075】
【発明の効果】
レーザー照射を用いる画素欠陥等のリペアを表示面側から容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の液晶表示装置におけるブラックマトリクスのパターンについて模式的に示す平面図である。
【図2】実施例1の液晶表示装置におけるTFTの個所の構成を模式的に示す積層断面図である。
【図3】実施例1の液晶表示装置における、レーザー照射によるリペア後の様子について模式的に示す、図2に対応する積層断面図である。
【図4】実施例1〜4の液晶表示装置における、アレイ基板の画素部分の構成について模式的に示す平面図である。
【図5】実施例2の液晶表示装置におけるTFTの個所の構成を模式的に示す、図2に対応する積層断面図である。
【図6】実施例3の液晶表示装置におけるブラックマトリクスのパターンについて模式的に示す、図1に対応する平面図である。
【図7】実施例4の液晶表示装置におけるブラックマトリクスのパターンについて模式的に示す、図1に対応する平面図である。
【図8】実施例4の液晶表示装置における、補助容量形成部の積層断面図である。
【図9】実施例2の液晶表示装置におけるTFTの個所の構成を模式的に示す積層断面図である。
【符号の説明】
1 ブラックマトリクス
11 ブラックマトリクスの抜き部
2 カラーフィルタ層
21 カラーフィルタ層の抜き部
3 表示パネル
34 偏光板
4 TFT
41 ソース電極
42 ゲート電極
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal display device having a black matrix or a color filter layer. Further, the present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device including a repair step by laser light irradiation.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices are used in various fields as display devices such as personal computers, word processors, and TVs, and as projection display devices. Among them, an active matrix display device in which a switching element such as a thin film transistor (TFT) is electrically connected to each pixel electrode is widely used because it can realize a good display image without crosstalk between adjacent pixels. I have.
[0003]
In recent years, as the use of liquid crystal display devices has expanded, the demand for display quality has increased, and the demand for reducing defective pixels (dot-like defects) due to defective switching elements has also increased.
[0004]
Therefore, after inspection is performed when the array substrate is completed or when the display panel body is completed, a repairing process by laser light irradiation or the like for improving the display performance of defective pixels found by the inspection is performed. As repair of defective pixels, dark spot conversion is generally performed in which a luminescent spot (a point where white display is always performed) is converted into a relatively inconspicuous black point (a dark point, a point where black display is always performed). In place of such a dark spot, the pixel electrode is short-circuited to the signal line so that the drive current from the signal line is always input, or the pixel electrode is electrically connected to the adjacent normally operating pixel electrode. Pseudo good scores are generally performed by a linking method or the like.
[0005]
For such a repair, a repair circuit for short-circuiting a pixel electrode related to a luminescent spot and a signal line or a scanning line is generally provided for each pixel opening (for example, see Japanese Unexamined Patent Application, First Publication No. H11-157556). 2001-21916, JP-A-2002-182241, JP-A-2002-91342). When the array substrate is manufactured, for example, a metal float pattern for repair formed simultaneously with the scanning line is provided and placed. An extension of the signal line is provided so as to overlap one end of the float pattern, and an extension of the source electrode is provided so as to overlap the other end of the float pattern. When a bright spot is found during the lighting inspection of the liquid crystal display device, by melting the metal float pattern by laser irradiation, the overlapping portion of the signal line extension portion and the source electrode extension portion, respectively, The pixel electrode and the signal line are electrically connected to each other.
[0006]
The use of the repair metal float pattern as described above is performed only when the pixel electrode is a transmission type liquid crystal display device made of a transparent conductive material such as ITO (Indium-Tin-Oxide) and directly connected to the pixel electrode and the signal line or the scanning line. This is because it is practically almost impossible to connect the wire with the laser beam.
[0007]
In addition, a small island-shaped metal pattern laminated between the extension part for forming the auxiliary capacitance from the pixel electrode and the scanning line is provided at a place where the scanning line overlaps with the part via an insulating film. It has also been proposed that the irradiation be performed to short-circuit the pixel electrode and the scanning line to make a dark spot (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-91342). Further, when a short circuit occurs between the auxiliary capacitance power supply line and the island-shaped metal pattern for forming the auxiliary capacitance and a defective pixel is formed, an appropriate electric wire connecting the pixel electrode and the island-shaped metal pattern is formed. Repairing by performing laser irradiation has also been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-159872).
[0008]
In the method of repairing defective pixels by laser irradiation as described above, when a black matrix or a color filter layer is provided on the counter substrate, the laser irradiation from the counter substrate side is performed after assembly with the counter substrate. Could not be repaired. That is, after the array substrate and the counter substrate are combined, the repair location is covered with a black matrix or the like, so that it is necessary to perform laser irradiation from at least the back side.
[0009]
Therefore, when a defective pixel is found after assembling into a flat panel display module, it is necessary to temporarily remove the display panel from a frame or the like and then perform repair by laser irradiation. Therefore, the process time and the number of labors are required accordingly, which has caused an increase in manufacturing cost.
[0010]
In addition, a repair method has been proposed in which the alignment film in the pixel portion is scratched by laser irradiation or the like or a groove is cut again (for example, JP-A-9-258155). It can be performed. However, this method is not always suitable because there is a problem that the process time and the process cost are increased, in addition to the fact that only the dark spot can be performed.
[0011]
On the other hand, in a liquid crystal display device of a type in which a black matrix or the like is provided on an array substrate, the black matrix or the like is irradiated with a laser when the metal pattern electrically connected to the pixel electrode is electrically connected to a scanning line or the like by the laser irradiation. Could be an obstacle.
[0012]
[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-21916
[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-182241
[Patent Document 3] JP-A-2002-91342
[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-159872
[Patent Document 5] Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-258155
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above problems, and in a liquid crystal display device including a black matrix or a color filter layer and a method for manufacturing the same, repair of defective pixels or the like using laser irradiation can be easily performed, An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of reducing a process burden and cost and a method for manufacturing the same.
[0018]
[Means for Solving the Problems]
The liquid crystal display device of the present invention includes a pair of insulating substrates sandwiching a liquid crystal layer, a plurality of scanning lines and signal lines, a pixel electrode and a switching element disposed at each intersection thereof, and a black matrix or a color filter layer. In the liquid crystal display device provided with, the black matrix or the color filter layer pattern is provided with a cutout portion other than the contact hole, through the cutout portion, by performing laser irradiation from the display surface side Display defects can be repaired.
[0019]
With the above configuration, repair of a pixel defect or the like using laser irradiation can be easily performed from the display surface side.
[0020]
Preferably, the cutout is provided for each pixel electrode, and the defective pixel can be repaired by the laser irradiation.
[0021]
More preferably, upper and lower conductive layer patterns that can be short-circuited by laser irradiation from the front side are arranged in the cutout portion, and repair can be performed by this short-circuit.
[0022]
According to a method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a pixel electrode arranged in a matrix, a switching element arranged for each pixel electrode, and a signal line connected to the switching element are formed on a first insulating substrate. Forming a scanning line on the first insulating substrate or the second insulating substrate, and providing a pattern of a black matrix or a color filter layer on the first insulating substrate or the second insulating substrate; The first and second insulating substrates are bonded together via a sealing material, a liquid crystal material is injected between them to assemble the display panel, and then an inspection is performed. In the method of manufacturing a liquid crystal display device for repair, in the pattern of the black matrix or the color filter layer, a cutout portion other than a portion of a contact hole penetrating these is provided. Only advance, if a defect is found by inspection, from the outer surface side of the second insulating substrate by performing the laser irradiation through the cut-out portion, characterized by repairing the defect.
[0023]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0024]
FIG. 1 is a plan view schematically illustrating a pattern of a black matrix for each pixel dot in the liquid crystal display device according to the first embodiment. 2 and 3 schematically show the configuration of the TFT portion of the liquid crystal display device and the state of repair by laser irradiation. In addition, the plan view of FIG. 4 schematically shows the configuration of the pixel portion of the array substrate.
[0025]
The liquid crystal display device of the first embodiment is a normally white mode light transmission type, and each switching element is an amorphous silicon (a-Si) type and a bottom gate type TFT.
[0026]
As shown in FIG. 2, in the display panel 3 (liquid crystal cell) of the liquid crystal display device, an array substrate 31 (TFT substrate) and a counter substrate 32 are kept at a predetermined distance by a spacer, and a TN (twisted nematic) Type liquid crystal layer 33 is held. Sealing materials are provided around the periphery of the liquid crystal layer 33 to seal the liquid crystal layer 33 and join the array substrate 31 and the counter substrate 32.
[0027]
An alignment film 36 made of a polyimide resin or the like is disposed on the outermost surface of the array substrate 31 and the counter substrate 32 that is in contact with the liquid crystal layer 33.
[0028]
As shown in FIG. 4, in the array substrate 31, signal lines 44 and scanning lines 52 are arranged on a glass substrate 51 so as to form a matrix, and a TFT 4 is provided at each intersection of the signal lines 44 and scanning lines 52. Be placed. Each square-shaped area surrounded by the signal lines 44, the scanning lines 52, and the TFTs 4 corresponds to a pixel dot, on which a pixel electrode 35 made of a transparent conductive material such as ITO is arranged and electrically connected to the corresponding TFT. Have been. A pattern 53 for forming an auxiliary capacitance (Cs) is disposed so as to straddle the scanning line 52 between intersections between the signal line 44 and the scanning line 52, and is electrically connected to the pixel electrode 35 by a contact hole. I have.
[0029]
As shown in FIG. 2, in the counter substrate 32, a pattern of a black matrix (BM) 1 and red (R), green (G), and blue (B) are colored for each predetermined pixel on a glass substrate 51. A color filter layer (CF layer) 2 and a counter electrode 37 covering substantially the entirety thereof are provided. The black matrix 1 is made of a metal film or a black resin film. The color filter layer 2 is formed by laminating and patterning an inorganic material film or a resin film containing a pigment for each color.
[0030]
The counter electrode 37 is made of a transparent conductive material such as ITO like the pixel electrode 35.
[0031]
The fabrication of the a-Si TFT type array substrate 31 and the counter substrate 32 can be performed in detail, for example, in accordance with the method described in JP-A-9-160076 or JP-A-2001-21916.
[0032]
In this embodiment, as described above, the scanning lines 52 and the gate electrodes 42 on the array substrate 31 are formed by forming a high melting point molybdenum-tungsten alloy (MoW) from a first patterning (PEP). It is produced by The signal line 44, the source and drain electrodes 41 and 43, and the Cs forming pattern 53 are formed by a second or third patterning from a single-layer film or a laminated film made of aluminum or an aluminum-based alloy. Then, the pixel electrode 35 is manufactured by film formation and patterning after these.
[0033]
In the example shown in FIG. 1, the black matrix (BM) 1 on the counter substrate 32 covers the scanning lines 52 and the signal lines 44, the area between these and the pixel electrodes 35, and the peripheral edge of the pixel electrodes 35. And the TFT 4 of each pixel dot is covered.
[0034]
In particular, the pattern of the black matrix (BM) 1 is provided with a slit-shaped cutout 11 at a position covering each TFT 4. As shown in FIG. 2, the cutout portion 11 is disposed in a portion where the source electrode 41 of the TFT 4 covers the gate electrode 42 and is separated from the channel portion 4 a of the TFT 4.
[0035]
Further, the color filter layer 2 is provided with a cutout portion 21 corresponding to the plane position of the cutout portion 11 of the black matrix 1.
[0036]
After the display panel 3 is assembled from the array substrate 31 and the counter substrate 32 through the steps of applying a sealant, bonding, and enclosing a liquid crystal, a pixel lighting test is performed. If a defective pixel is found in this inspection process, repair by dark spotting by laser irradiation is performed.
[0037]
As schematically shown in FIGS. 2 and 3, laser irradiation is performed through the cutout portion 11 of the black matrix 1 and the cutout portion 21 of the color filter layer 2, thereby melting the source electrode 41 of the TFT and lowering the source electrode 41. The source electrode 41 and the gate electrode 42 are short-circuited through the insulating film or the like. In the specific example shown, between the upper and lower metal layer patterns 41 and 42, a gate insulating film 45 composed of a silicon oxide film 45a and a silicon nitride film 45b, a low-resistance semiconductor film (n + ; a-Si) 46 And a semiconductor film (a-Si) 48, and an interlayer short-circuit portion 6 penetrating these stacked films is formed by laser irradiation.
[0038]
By short-circuiting the source electrode 41 and the gate electrode 42 by the laser irradiation, the pixel electrode 35 related to the defective pixel is short-circuited to the scanning line 52 via the source electrode 41 and the gate electrode 42, thereby causing a defect. Pixel darkening is performed.
[0039]
For the laser irradiation, the first harmonic (1060 to 1070 nm) of a YAG laser is used, and the laser is continuously focused while moving the irradiation position along the slit-shaped cutouts 11 and 21 while focusing on the source electrode 41. Irradiate light. Since the laser irradiation is weakened while the laser light passes through the liquid crystal layer 33 and the like, the energy density is set higher than in the case where the array substrate 31 is used alone, so that continuous irradiation is suitable. There are many. However, it is also possible to irradiate in a spot shape depending on the setting conditions of laser irradiation.
[0040]
In the present embodiment, the cutouts 11 and 21 are provided in a slit shape, but may be in a spot shape. In this case, laser irradiation is naturally performed in a spot shape.
[0041]
Since the laser beam irradiation for repair is performed from the front side of the display panel 3, that is, the display surface side, even after the display panel 3 is assembled to the flat panel display device, it is detached from the frame, the backlight, or the like. It is not necessary, and repair can be performed in exactly the same manner in the assembled state.
[0042]
Although the cutout portion 11 in this embodiment is close to the channel portion 4a or the like of the TFT 4 to be shielded by the black matrix 1, the cutout portion 11 is separated from the channel portion 4a by a distance sufficient for light shielding, thereby causing malfunction of the TFT 4 or light leakage. There is no.
[0043]
As shown in FIGS. 2 and 3, even if the polarizing plate 34 is attached to the surface of the display panel 3, the operation of laser irradiation is not adversely affected, and the polarizing plate 34 is not damaged. Nor. However, when the polarizing plate 34 is provided with an anti-glare layer, an adhesive tape made of a flexible transparent plastic film is temporarily attached on the polarizing plate 34 in order to eliminate the influence of irregular reflection on laser irradiation. deep.
[0044]
Next, a liquid crystal display device according to a second embodiment will be described with reference to the lamination sectional view of FIG. 5 corresponding to FIG.
[0045]
The liquid crystal display device of the second embodiment has a configuration exactly the same as that of the first embodiment, except that a color filter layer 2 is provided on an array substrate, that is, a so-called color filter on array (COA) type. It is what it was. However, the cutout portion 21 of the color filter layer 2 is provided from the region corresponding to the cutout portion 11 of the black matrix to the channel portion 4a of the TFT 4.
[0046]
In the case of the liquid crystal display device of the second embodiment, the repair is performed in exactly the same manner as in the case of the first embodiment.
[0047]
Therefore, repair can be easily performed by laser irradiation from the display surface side even after assembling to the display panel 3 or after assembling to the flat panel display module, and other damage may be caused. And no adverse effects.
[0048]
Further, except that the pattern for forming the black matrix 1 and the color filter layer 2 becomes slightly complicated, no increase in process load and cost is caused.
[0049]
In the present embodiment, the black matrix 1 is described as being provided on the counter substrate 32, but may be provided on the array substrate 31 together with the color filter layer 2. Further, the black matrix 1 may be provided only at the location of the TFT 4 such as when the pixel electrode 35 is provided on a thick resin film (flattening film).
[0050]
For example, when the black matrix 1 is made of a thick resin film disposed on the array substrate 31, the cutouts 11 are provided in a valley shape penetrating the resin film.
[0051]
Next, a liquid crystal display device according to a third embodiment will be described with reference to a plan view of FIG. 6 corresponding to FIG.
[0052]
In the third embodiment, in the same configuration as in the first embodiment, the cutout portions 11 and 21 of the black matrix 1 and the color filter layer 2 are provided in a U-shape, and the source electrode 41 and the gate electrode 42 overlap each other. From the base of the gate electrode 42 to the region where the drain electrode 43 and the gate electrode 42 overlap.
[0053]
By irradiating a laser beam while continuously changing the irradiation position along the U-shaped cutouts 11 and 21, the source electrode 41 and the gate electrode 42 are short-circuited, and the drain electrode 43 and the gate electrode 42 are short-circuited. And the gate electrode 42 is disconnected from the scanning line 52.
[0054]
By such an operation, the pixel electrode 35 relating to the defective pixel can be short-circuited to the signal line 44. That is, pseudo good scores can be obtained.
[0055]
According to the configuration of the present embodiment, it is not necessary to provide a repair circuit when short-circuiting the signal line, so that the pixel aperture ratio can be kept high accordingly.
[0056]
However, in the case where a repair circuit for short-circuiting the pixel electrode and the signal line is provided, by providing the cutout portions 11 and 21 at the laser irradiation locations, even after assembling to the display panel 3, Further, even after assembling into the liquid crystal display module, repair can be easily performed by laser irradiation from the front side. The repair circuit is arranged, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-21916, so as to extend over the source electrode 41, the branch extending from the signal line 44, and to bridge between them. A high melting point metal layer (MoW) pattern.
[0057]
Next, a liquid crystal display device of Example 4 will be described with reference to the plan view of FIG. 7 corresponding to FIGS. 1 and 6 and the cross-sectional view of FIG. 8 corresponding to FIG.
[0058]
In the present embodiment, in the same configuration as in the first embodiment, the cutout portions 11 and 21 of the black matrix 1 and the color filter layer 2 are provided at positions of the Cs forming pattern 53 overlapping the scanning lines 52.
[0059]
In the illustrated example, the cutout portions 11 and 21 have an elliptical shape that is long in the direction of the scanning line 52. To give a specific example of the dimensional configuration, when the width of the scanning line 52 is about 25 μm, the short diameter of the elliptical cutouts 11 and 21 can be set to 15 μm and the long diameter to 20 μm. With this setting, the area of the cutouts 11 and 21 for laser irradiation can be made as large as possible, and the operation at the time of repair becomes easy.
[0060]
As a result of the laser irradiation, the Cs forming pattern 53 is short-circuited to the scanning line 52. As a result, the pixel electrode 35 electrically connected to the Cs forming pattern 53 via the contact hole is short-circuited to the scanning line 52. Therefore, the defective pixel is turned into a dark spot.
[0061]
Although the present embodiment has been described as being short-circuited to the scanning line 52, when a storage capacitor line (Cs line) is provided, short-circuiting to the storage capacitor line enables more reliable dark spot formation. It can be performed.
[0062]
Finally, a fifth embodiment will be described with reference to the lamination sectional view of FIG.
[0063]
The liquid crystal display of the fifth embodiment is the same as the first to fourth embodiments in that it is a normally white mode light transmission type. However, the TFT 4 for each pixel dot is made of a polysilicon (p-Si) semiconductor layer 46 'and is of a top gate type. That is, the gate electrode 42 is disposed above the semiconductor layer 46 'and the contact portions 41A and 43A surrounding the semiconductor layer 46' via the interlayer insulating film 49.
[0064]
Further, the color filter layer 2 is formed of a thick resin film (flattening film) on the array substrate 31.
[0065]
Therefore, the black matrix is not provided on any of the substrates 31 and 32, and the color filter layer 2 is provided so as to cover the entire pixel dot array portion.
[0066]
The pixel electrode 35 is electrically connected to the source electrode 41 via a contact hole penetrating the protective film 49A and the thick color filter layer 2. Further, a Cs forming pattern 53 is overlaid on the scanning line 52 on the gate insulating film 45 via an interlayer insulating film 49, and the Cs forming pattern 53 and the pixel electrode 35 are formed by a protective film 49A and a thick type. Are electrically connected to each other via a contact hole 54 penetrating through the color filter layer 2. Also in the case of this embodiment, the Cs forming pattern 53 is formed of a low melting point metal layer such as aluminum or an alloy thereof, and the scanning line 52 is formed of a high melting point metal such as a molybdenum-tungsten alloy (MoW).
[0067]
Such a p-SiTFT type array substrate 31 can be manufactured, for example, by a method described in JP-A-2000-330484 or JP-A-2001-339070.
[0068]
In the fifth embodiment, in such a general configuration, a cutout portion 21 of the color filter layer 2 similar to that of the fourth embodiment is provided for each pixel dot. The cutout portion 21 is provided on the Cs forming pattern 53 at a location different from the contact hole 54 so as to have a sufficient area.
[0069]
As in the case of the fourth embodiment, repair of defective pixels is also performed by short-circuiting the Cs forming pattern 53 and the scanning line 52 therebelow by laser irradiation from the front side, thereby turning off the dots.
[0070]
When the contact hole 54 is provided so as to have a sufficient area, the dark spot can be similarly formed by laser irradiation from the front side of the display panel without the separate cutout 21. Can be.
[0071]
In the embodiment described above, repair of defective pixels is performed by short-circuiting the upper wiring pattern and the lower wiring pattern, but the wiring is simply cut at a predetermined location. May be.
[0072]
Further, depending on the required display performance and the content of the repair, the repair may be of a type in which the dark spot is a bright spot, or a pseudo good score of a type which is connected to the pixel electrode of an adjacent normal pixel. May be.
[0073]
In the above embodiments, all the repairs of defective pixels are described. However, in some cases, other types of repairs may be performed using laser irradiation.
[0074]
In the above embodiment, the switching element arranged for each pixel electrode is described as a TFT. However, a thin film diode (TFD), that is, an MIM (metal-insulator-metal) element may be used.
[0075]
【The invention's effect】
Repair of a pixel defect or the like using laser irradiation can be easily performed from the display surface side.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view schematically showing a pattern of a black matrix in a liquid crystal display device of Example 1.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a TFT portion in the liquid crystal display device according to the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 2, schematically showing a state after repair by laser irradiation in the liquid crystal display device of Example 1.
FIG. 4 is a plan view schematically showing a configuration of a pixel portion of an array substrate in the liquid crystal display devices of Examples 1 to 4.
FIG. 5 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 2, schematically showing a configuration of a portion of a TFT in the liquid crystal display device of Example 2.
FIG. 6 is a plan view corresponding to FIG. 1 and schematically showing a pattern of a black matrix in the liquid crystal display device of Example 3.
FIG. 7 is a plan view corresponding to FIG. 1 and schematically showing a pattern of a black matrix in the liquid crystal display device of Example 4.
FIG. 8 is a laminated sectional view of an auxiliary capacitance forming portion in the liquid crystal display device of Example 4.
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a TFT portion in the liquid crystal display device according to the second embodiment.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 1 black matrix 11 black matrix cutout 2 color filter layer 21 color filter layer cutout 3 display panel 34 polarizing plate 4 TFT
41 Source electrode 42 Gate electrode

Claims (7)

液晶層を挟持する一対の絶縁基板と、複数の走査線及び信号線と、これらの交点ごとに配置される画素電極及びスイッチング素子と、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層とを備えた液晶表示装置において、
前記のブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンには、コンタクトホール以外のものとしての抜き部が設けられ、前記抜き部を通じて、表示面側からのレーザー照射を行うことにより表示欠陥のリペアが可能であることを特徴とする液晶表示装置。
In a liquid crystal display device including a pair of insulating substrates sandwiching a liquid crystal layer, a plurality of scanning lines and signal lines, a pixel electrode and a switching element arranged at each intersection thereof, and a black matrix or a color filter layer,
In the pattern of the black matrix or the color filter layer, a cutout portion other than a contact hole is provided. Through the cutout portion, a display defect can be repaired by performing laser irradiation from a display surface side. A liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
前記抜き部が前記画素電極ごとに設けられ、前記レーザー照射により欠陥画素をリペア可能であることを特徴とする液晶表示装置。The liquid crystal display device, wherein the cutout portion is provided for each of the pixel electrodes, and a defective pixel can be repaired by the laser irradiation. 前記抜き部中には、表側からのレーザー照射により短絡可能な上下の導電層パターンが配され、この短絡によりリペアが可能であることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein upper and lower conductive layer patterns that can be short-circuited by laser irradiation from the front side are disposed in the cutout portion, and the short-circuiting enables repair. 前記短絡可能な上下の導電層パターンが、前記スイッチング素子における2つの端子であることを特徴とする請求項3の液晶表示装置。4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the upper and lower conductive layer patterns that can be short-circuited are two terminals of the switching element. 第1の絶縁基板上に、マトリクス状に配列される画素電極と、画素電極ごとに配置されるスイッチング素子と、スイッチング素子に接続される信号線とを設けるとともに、前記第1の絶縁基板または第2の絶縁基板上に走査線を形成し、
前記第1の絶縁基板または第2の絶縁基板上に、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンを設け、
前記第1及び第2の絶縁基板を、シール材を介して貼り合わせ、これらの間に液晶材料を注入して表示パネルを組み立て、
この後に検査を行い、検査により欠陥が発見された場合に欠陥のリペアを行う液晶表示装置の製造方法において、
前記ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンに、これらを貫くコンタクトホールの個所以外に抜き部を設けておき、
検査により欠陥が発見された場合に、前記第2の絶縁基板の外面側から、前記抜き部を通じてレーザー照射を行うことにより、欠陥をリペアすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
On a first insulating substrate, pixel electrodes arranged in a matrix, switching elements arranged for each pixel electrode, and signal lines connected to the switching elements are provided. Forming a scanning line on the insulating substrate of No. 2,
Providing a pattern of a black matrix or a color filter layer on the first insulating substrate or the second insulating substrate;
The first and second insulating substrates are bonded together via a sealing material, and a liquid crystal material is injected between them to assemble a display panel.
After this, an inspection is performed, and when a defect is found by the inspection, the defect is repaired.
In the pattern of the black matrix or the color filter layer, a cutout portion is provided in addition to a contact hole penetrating these,
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising repairing a defect by irradiating a laser from the outer surface side of the second insulating substrate through the cutout portion when a defect is found by inspection.
前記抜き部を前記画素電極ごとに設けておき、
前記表示パネルを組み立てた後に、欠陥画素を検出する点灯検査を行い、
該欠陥画素が発見された場合に、前記抜き部を通じてレーザー光を照射することで前記欠陥画素の滅点化、輝点化または疑似良点化を行うことを特徴とする請求項5記載の液晶表示装置の製造方法。
The cutout portion is provided for each of the pixel electrodes,
After assembling the display panel, perform a lighting test to detect defective pixels,
6. The liquid crystal according to claim 5, wherein when the defective pixel is found, the defective pixel is turned into a dark spot, a bright spot, or a pseudo good spot by irradiating a laser beam through the cutout portion. A method for manufacturing a display device.
第1の絶縁基板上に、マトリクス状に配列される画素電極と、画素電極ごとに配置されるスイッチング素子と、スイッチング素子に接続される信号線とを設けるとともに、前記第1の絶縁基板または第2の絶縁基板上に走査線を形成し、
前記第1の絶縁基板上に、コンタクトホールを所定個所に含むブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンを設け、
前記第1及び第2の絶縁基板を、シール材を介して貼り合わせ、これらの間に液晶材料を注入して表示パネルを組み立て、
この後に検査を行い、検査により欠陥が発見された場合に欠陥のリペアを行う液晶表示装置の製造方法において、
検査により欠陥が発見された場合に、前記第2の絶縁基板の外面側から、前記コンタクトホールを通じてレーザー照射を行うことにより、欠陥をリペアすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Pixel electrodes arranged in a matrix, switching elements arranged for each pixel electrode, and signal lines connected to the switching elements are provided on a first insulating substrate, and the first insulating substrate or the first Forming a scanning line on the insulating substrate of No. 2,
Providing a pattern of a black matrix or a color filter layer including a contact hole at a predetermined position on the first insulating substrate;
The first and second insulating substrates are bonded together via a sealing material, and a liquid crystal material is injected between them to assemble a display panel.
After this, an inspection is performed, and when a defect is found by the inspection, the defect is repaired.
A method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein when a defect is found by inspection, the defect is repaired by irradiating a laser from the outer surface side of the second insulating substrate through the contact hole.
JP2002272247A 2002-09-18 2002-09-18 Liquid crystal display device and method for manufacturing same Pending JP2004109512A (en)

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